處理方法以及處理裝置的制作方法

專利名稱：處理方法以及處理裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種處理方法以及處理裝置，更詳細地說，涉及以不同的處理條件連續地處理例如液晶顯示裝置(LCD)玻璃基板或半導體晶片等多個被處理體的處理方法以及處理裝置。
背景技術：
通常，在LCD制造中，是通過在作為被處理體的LCD玻璃基板(以下稱為LCD基板)上與半導體晶片的制造工藝同樣地成膜出規定的膜后，涂敷光致抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜，與回路圖案相對應地對抗蝕劑膜進行曝光，對其進行顯影處理這種被稱為光刻技術而形成回路圖案。
在上述的光刻技術中，作為被處理體的LCD基板通常是經過下述一系列的處理在抗蝕劑層上形成規定的回路圖案，即，在實施了清洗處理后實施脫水烘烤處理，然后，實施附著性(疏水化)處理，之后，在冷卻處理后，LCD基板在涂敷裝置上傳送，進行抗蝕劑涂敷。涂敷了抗蝕劑的LCD基板進而被傳送到熱處理單元中進行熱處理(預烘烤處理)，抗蝕劑中的水分蒸發。接著，LCD基板向曝光裝置傳送，在進行了曝光處理后被傳送到顯影裝置中，在進行了顯影處理后被傳送到熱處理裝置中進行熱處理(后烘烤處理)。
而且，在上述的光刻技術的處理工序中，由于存在于LCD基板的表面上涂敷不同種類的抗蝕劑膜或絕緣膜等的情況，所以在涂敷裝置上設置不同種類的處理液供應噴嘴，根據目的從規定的處理液供應噴嘴向LCD基板供應例如抗蝕劑膜用或絕緣膜(平坦化膜)用等的處理液，形成薄膜。
在這種情況下，由于因處理液的種類或膜厚等的不同而涂敷后的熱處理的溫度條件也不同，所以需要在不同的溫度條件下進行熱處理。因此，例如在前處理批次的LCD基板的處理結束后，進行后處理批次的LCD基板的處理的情況下，要預先準備兩臺熱處理裝置，或者對一臺熱處理裝置的溫度進行切換，進行每一批次的處理。
但是，準備兩臺熱處理裝置存在著裝置整體大型化，同時設備費用增大的問題。特別是，近年來，具有大型化傾向的LCD基板的制造工序中裝置整體明顯地大型化。而在對一臺熱處理裝置進行切換而加以使用的方法中，雖然實現了裝置的小型化，但對處理溫度進行切換、設定到可供處理的溫度需要大量的時間，存在著處理能力顯著降低的問題。

發明內容
本發明是鑒于上述事實而提出的，其目的在于提供一種處理方法和處理裝置，可維持裝置的小型化，即使在不同種類的處理條件下也能夠連續地處理多個被處理體。
為了解決上述課題，本發明的處理方法包括下述工序(a)將對多個被處理體進行處理的第1處理部的該處理條件設定為第1處理條件的工序；(b)在上述工序(a)之后，在上述第1處理部中以上述第1處理條件對上述被處理體中的第1被處理體進行處理的工序；(c)將對上述被處理體進行處理的第2處理部的該處理條件設定為與上述第1處理條件不同的第2處理條件的工序；(d)在上述工序(c)之后，在上述第2處理部中以上述第2處理條件對上述被處理體中的第2被處理體進行處理的工序；(e)在上述工序(b)之后、并且在上述工序(d)的中途，將上述第1處理部的處理條件變更設定為上述第2處理條件的工序；(f)在上述工序(e)之后，在上述第1處理部中以上述第2處理條件對上述被處理體中的第3被處理體進行處理的工序。
本發明在工序(e)中，在第1處理部對第1被處理體進行了處理后，上述第2處理部對第2被處理體進行處理的中途，在第1處理部中變更設定成第2處理條件。通過重復這樣的處理，即使在不同種類的處理條件下，也能夠連續地處理多個被處理體。即，例如在第2處理部對第2被處理體進行了處理后(工序(d)之后)，上述第1處理部對第3被處理體進行處理的中途(工序(f)的中途)，將第2處理部的處理條件變更設定成第3處理條件即可。在這種情況下，第3處理條件與第2處理條件不同。但也并不一定與第1處理條件不同。這樣，通過盡量抑制增加裝置的數量，能夠維持裝置的小型化，同時，即使在不同種類的處理條件下，也能夠連續地處理多個被處理體。
在本發明中，例如工序(c)可在工序(a)的中途(或者同時)，工序(a)之后，或者工序(b)的中途進行。而且，第1、第2、第3被處理體表示各自不同的對象物。
在本發明的一實施方式中，上述工序(c)是在上述工序(b)的中途進行的。這樣，通過盡量較遲地設定第2處理條件，可防止能量的浪費。在第2處理部中的處理為加熱處理的情況下非常有效。
在本發明的一實施方式中，(g)上述工序(b)具有將上述第1被處理體作為包含在第1批次中的被處理體進行處理的工序，(h)上述工序(d)和上述工序(f)具有將上述第2和第3被處理體作為包含在上述第1批次后處理的第2批次中的被處理體進行處理的工序。所謂批次，在本發明中，包括在第1批次中的多個被處理體中一個或兩個以上的被處理體在第1處理部中進行處理。而且，包含在第一次之后處理的第2批次中的多個被處理體中的一個或兩個以上在第2處理部中進行處理。進而，在第1處理部的處理結束后，包含在第2批次中的多個被處理體中的一個或一個以上在第1處理部中進行處理。這樣，本發明在以批次為單位處理被處理體的情況下非常有效。
在本發明的一實施方式中，上述第1處理部具有對上述被處理體進行處理的第1處理單元和第2處理單元，上述工序(e)具有(i)將上述第1處理單元的處理條件變更設定為上述第2處理條件的工序；(j)在上述工序(i)之后，將第2處理單元變更設定為上述第2處理條件的工序；上述工序(f)具有(k)在上述工序(i)之后，在上述第1處理單元中對多個上述第3被處理體中的第4被處理體進行處理的工序；(1)在上述工序(j)之后，在上述第2處理單元中對上述第3被處理體中的第5被處理體進行處理的工序。這樣，能夠同時處理多個被處理體，提高處理量，即使在不同種類的處理條件下也可以連續地處理多個被處理體。
在本發明的一實施方式中，還具有在上述工序(a)之前，存儲將上述第2處理部的處理條件設定為上述第2處理條件后到能夠以該第2處理條件對上述被處理體進行處理的狀態所需要的時間的工序；通過基于所存儲的上述時間進行上述工序(e)，最遲在上述工序(b)結束時間之前成為能夠在上述第1處理部中以第2處理條件對上述被處理體進行處理的狀態的工序。這樣，通過預先存儲在上述第2處理部中設定為第2處理條件后到能夠以該第2處理部進行處理所需要的時間，例如能夠盡量較遲地設定第2處理條件。可防止能量的浪費。在第2處理部中的處理為加熱處理的情況下非常有效。
在本發明的一實施方式中，上述工序(a)具有設定第1溫度條件作為上述第1處理條件的工序，同時上述工序(b)具有以上述第1溫度條件對上述被處理體進行熱處理的工序，上述工序(c)和上述工序(e)具有設定第2溫度條件作為上述第2處理條件的工序，同時上述工序(d)和上述工序(f)具有以上述第2溫度條件對上述被處理體進行熱處理的工序。
本發明所涉及的處理裝置具備至少能夠以第1處理條件和與該第1處理條件不同的第2處理條件對多個被處理體進行處理的第1處理部；至少能夠以上述第2處理條件對上述被處理體進行處理的第2處理部；控制機構，所述控制機構進行下述控制，在上述第2被處理體的上述第2處理部的處理中，在上述第1處理部中以上述第1處理條件對上述被處理體中的第1被處理體的處理結束后，將上述第1處理部的處理條件變更設定為上述第2處理條件，在該第1處理部中以上述第2處理條件對上述被處理體中的第3被處理體進行處理。
在本發明中，通過設置上述的控制機構，即使在不同種類的處理條件下也能夠連續地處理多個被處理體。即控制成，例如在第2處理部中對第2被處理體進行了處理之后，在上述第1處理部中對第3被處理體進行處理的中途，例如將第2處理部中的處理條件設定成第3處理條件即可。在這種情況下，第3處理條件與第2處理條件不同。但并不是一定與第1處理條件不同。這樣，通過盡量抑制增加裝置的數量，能夠維持裝置的小型化，同時，即使在不同種類的處理條件下，也能夠連續地處理多個被處理體。
在本發明的一實施方式中，上述第1被處理體包含在第1批次中，上述第2和第3被處理體包含在上述第1批次后處理的第2批次中。
在本發明的一實施方式中，上述第1處理部具有將上述第1和第2處理條件分別作為第1、第1溫度條件對上述被處理體進行熱處理的第1熱處理裝置，上述第2處理部具有將上述第2處理條件作為上述第2溫度條件對上述被處理體進行熱處理的第2熱處理裝置。
在本發明的一實施方式中，上述第1熱處理裝置和第2熱處理裝置配置在上下方向，還具備至少在上述第1熱處理裝置和上述第2熱處理裝置之間傳送被處理體的傳送機構，上述控制機構具備發送指令、將上述被處理體從上述第1或第2中配置在下側的熱處理裝置順序地傳送的機構。由于溫度低的熱向下方流動，溫度高的熱向上方流動，所以通過以傳送機構從下側的熱處理裝置中順序地傳送進行熱處理，能夠不浪費熱能地高效率地進行處理。
為了解決上述課題，本發明的處理方法是以不同的處理條件連續地對實施處理的多個被處理體進行處理的處理方法，準備設定為先處理的被處理體的處理條件的第1處理部，和設定為后處理的被處理體的處理條件的至少一個第2處理部，同時使第1處理部和第2處理部的處理條件可變更，在將先處理的上述被處理體傳送到上述第1處理部進行處理期間，將上述第2處理部設定為后處理的上述被處理體的處理條件并使其待機，在上述第1處理部的處理結束后，將后處理的上述被處理體傳送到上述第2處理部進行處理，在上述第2處理部的處理期間，將上述第1處理部變更為與上述第2處理部相同的處理條件，將后處理的上述被處理體傳送到處理條件變更了的第1處理部實施處理，在上述第2處理部的處理結束后，將上述第2處理部變更為進而后處理的上述被處理體的處理條件并使其待機，以下，同樣地，將上述第1處理部和第2處理部的處理條件變更為后處理的上述被處理體的處理條件，連續地進行多個被處理體的處理。
在本發明中，優選地，由多個處理單元形成上述第1處理部，將各處理單元順序地變更為后處理的被處理體的處理條件，同時將后處理的被處理體順序地傳送到變更了的處理單元中進行處理。
而且，上述第1處理部和第2處理部可以是例如在規定的溫度條件下在被處理體上實施熱處理的熱處理部。
而且，本發明的處理裝置為將上述的處理方法具體化的裝置，是一種以不同的處理條件連續地對實施處理的多個被處理體進行處理的處理裝置，具備被處理體的搬入、搬出部；由可分別設定在上述被處理體的不同處理條件的第1處理部和至少一個第2處理部構成的處理部；在上述搬入、搬出部和處理部之間交接、傳送上述被處理體的傳送機構；控制機構，所述控制機構進行如下的控制，在先處理的上述被處理體在由上述第1處理部進行處理的期間，將上述第2處理部設定成后處理的被處理體的處理條件，在第1處理部的被處理體的處理結束后，向上述傳送機構發送將被處理體傳送到第2處理部的指令，同時將第1處理部的處理條件變更設定成后處理的被處理體的處理條件。
在本發明中，優選地，上述第1處理部具備多個處理單元，上述控制機構為可順序地變更設定各處理單元并進行控制的控制機構。
而且，上述第1處理部和第2處理部可以由以規定的溫度條件在被處理體上實施熱處理的熱處理裝置形成。在這種情況下，上述第1和第2處理部優選地具備載置被處理體的載置臺；加熱上述載置臺的加熱機構；冷卻上述載置臺的冷卻機構；檢測上述載置臺的溫度的溫度檢測機構；基于來自上述溫度檢測機構的檢測信號、或者預先設定的被處理體的處理開始或處理結束的信號，控制上述加熱機構或冷卻機構的控制機構。
根據本發明，在將先處理的被處理體傳送到第1處理部進行處理的期間，將第2處理部設定成后處理的被處理體的處理條件并使其待機，在第1處理部的處理結束后，可將后處理的被處理體傳送到第2處理部進行處理。而且，可在第2處理部的處理期間，將第1處理部變更成與第2處理部相同的處理條件，將后處理的被處理體傳送到處理條件變更了的第1處理部中實施處理。另外，在第2處理部的處理結束后，將第2處理部變更成進而后處理的被處理體的處理條件并使其待機，以下同樣地，將第1處理部和第2處理部的處理條件變更成后處理的被處理體的處理條件，可連續地進行多個被處理體的處理。因此，可連續地對不同的處理條件的多個被處理體進行處理。所以，僅通過存在至少一個第2處理部，即能夠連續地處理不同處理條件的多個被處理體。
根據本發明，由于第1處理部由多個處理單元形成，使各處理單元順序地變更成后處理的被處理體的處理條件，同時，將被處理體順序地傳送到變更了的處理單元中進行處理，所以，實際上處理的被處理體可同時處理多個，能夠實現處理效率的進一步提高。
根據本發明，通過使第1處理部和第2處理部為以規定的溫度條件在被處理體上實施熱處理的熱處理部，能夠連續地對不同熱處理條件的多個被處理體進行熱處理。
本發明的其他特征和優點可通過對附圖和發明的實施方式的說明而進一步明了。


圖1為表示組裝了本發明的處理裝置的LCD玻璃基板的抗蝕劑涂敷顯影處理系統的立體圖。
圖2為上述抗蝕劑涂敷顯影處理系統的示意俯視圖。
圖3為表示上述抗蝕劑涂敷顯影處理系統中抗蝕劑涂敷顯影裝置的抗蝕劑處理單元內部的俯視圖。
圖4為表示上述抗蝕劑涂敷顯影裝置的第1熱處理單元區的側視圖。
圖5為表示上述抗蝕劑涂敷顯影裝置的第2熱處理單元區的側視圖。
圖6為表示上述抗蝕劑涂敷顯影處理裝置的第3熱處理單元區的俯視圖。
圖7為表示本發明的熱處理裝置主要部分的剖視圖。
圖8為表示本發明的處理方法的工序一例的框圖。
圖9為其他實施方式的處理方法的工序一例的框圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。
圖1為表示組裝了本發明的處理裝置的LCD玻璃基板的抗蝕劑涂敷顯影處理系統的立體圖，圖2為抗蝕劑涂敷顯影處理系統的示意俯視圖。
上述抗蝕劑涂敷顯影處理系統100具備載置收放作為被處理體的多個LCD玻璃基板G(以下稱為基板G)的盒體C的盒體站1(搬入、搬出部)，具有用于在基板G上實施包括抗蝕劑涂敷和顯影的一系列處理的多個處理單元的處理站2(處理部)，以及用于在與曝光裝置4之間進行基板G的交接的接口站3(接口部)，在處理站2的兩端上分別配置盒體站1和接口站3。另外，在圖1和圖2中，將抗蝕劑涂敷顯影處理系統100的長度方向作為X方向，將在水平面上與X方向垂直的方向作為Y方向，將在垂直面上與X、Y方向垂直的方向作為Z方向。
盒體站1具備用于在盒體C和處理站2之間進行LCD基板G的搬入、搬出的傳送裝置11，在該盒體站1中，進行盒體C相對于外部的搬入和搬出。而且，傳送裝置11具有傳送臂11a，可在沿著作為盒體C的配設方向的Y方向設置的傳送路徑10上移動，通過傳送臂11a在盒體C和處理站2之間進行基板G的搬入和搬出。
處理站2具有基本上沿X方向延伸的基板G傳送用的平行的兩列傳送線A、B，沿著傳送線A，從盒體站1一側朝向接口站3排列有擦洗清洗處理單元21(SCR)，第1熱處理單元區26，抗蝕劑處理單元23，以及第2熱處理單元區27。而且，沿著傳送線B，從接口站3一側朝向盒體站1排列有第2熱處理單元區27，顯影處理單元24(DEV)，i線UV照射單元25(i-UV)，以及第3熱處理單元28。擦洗清洗處理單元21(SCR)上的一部分上設置有激光UV照射單元22(e-UV)。另外，激光照射單元22(e-UV)是用于在擦洗清洗之前除去基板G的有機物而設置的，i線UV照射單元25(i-UV)是用于進行顯影的脫色處理而設置的。
上述擦洗清洗處理單元21(SCR)中，基板G不會向以往那樣在其中旋轉，而是邊大致水平地傳送邊進行清洗處理和干燥處理。在上述顯影處理單元24(DEV)中，基板G也不會在其中旋轉，而是邊大致水平地傳送邊進行顯影液涂敷、顯影后的顯影液清洗、以及干燥處理。另外，在這些擦洗清洗處理單元21(SCR)以及顯影處理單元24(DEV)中，基板G的傳送是例如通過傳送輥或傳送帶進行的，基板G的搬入口和搬出口設置在相對向的兩邊上。而且，基板G向i線UV照射單元25(i-UV)上的傳送是通過與顯影處理單元24(DEV)的傳送機構相同的機構連續地進行的。
抗蝕劑處理單元23如圖3的其內部的俯視圖所示，順序地配置有一邊通過旋轉卡盤51使基板G在杯體50內旋轉一邊從未圖示的噴嘴滴下抗蝕劑液進行涂敷的抗蝕劑液涂敷處理裝置23a(CT)，將形成在基板G上的抗蝕劑膜在減壓容器52內減壓干燥的減壓干燥這種23b(VD)，以及通過可對載置在轉臺54上的基板G的四邊進行掃描的溶劑噴頭53將附著在基板G周緣上的多于的抗蝕劑除去的周緣抗蝕劑除去裝置23c(ER)。
在這種結構的抗蝕劑處理單元23中，通過由導軌55引導而移動的一對專用臂56將基板G大致水平地在其間傳送。該抗蝕劑處理單元23在相對向的短邊上設置有基板G的搬入口57和搬出口58，導軌55從這些搬入口57和搬出口58向外側延伸，可通過輔助臂56進行基板G的交接。
第1熱處理單元區26具有將在基板G上實施熱處理的熱處理單元疊層而構成的兩個熱處理單元塊31、32(TB)，熱處理單元塊31(TB)設置在擦洗清洗處理單元21(SCR)一側，熱處理單元塊32(TB)設置在抗蝕劑處理單元23一側。而且，在該兩個熱處理單元塊31、32(TB)之間設置有第1傳送裝置33(傳送機構)。熱處理單元塊31(TB)的結構如圖4的側視圖所示，從下開始順序地疊層進行基板G的交接的通過單元(PASS)，對基板G進行脫水烘烤處理的兩個脫水烘烤單元62、63(DHP)，對基板G實施疏水化處理的附著性處理單元64(AD)4級。
而且，熱處理單元塊32(TB)的結構為從下開始順序地疊層進行基板G的交接的通過單元65(PASS)，冷卻基板G的兩個冷卻單元66、67(COL)，對基板G實施疏水化處理的附著性處理單元68(AD)4級。
第1傳送裝置33的結構為進行來自經由通過單元61(PASS)的擦洗清洗處理單元21(SCR)的基板G的接收、上述熱處理單元之間的基板G的搬入和搬出、以及基板G向經由通過單元65(PASS)的抗蝕劑處理單元23的交接。
在這種情況下，第1傳送裝置33具備上下延伸的導軌91，沿著導軌升降的升降臺92，在升降臺92上可向水平的θ方向旋轉地設置的基臺93，可在基臺93上前進后退地設置的、保持基板G的基板保持臂94。而且，升降臺92的升降是通過由馬達95的驅動而動作的未圖示的升降機構、例如滾珠絲杠機構或者壓力缸機構等進行的，基臺93的旋轉是通過馬達96進行的，基板保持臂94的前后移動是通過馬達97驅動的移動機構(圖中未示出)進行的。由于第1傳送裝置33是能夠這樣上下移動、前后移動、旋轉移動地設置的，所以可訪問熱處理單元塊31、32(TB)中的任一個單元塊。
另一方面，第2熱處理單元區27具有將對基板G實施熱處理的熱處理單元疊層而構成、適用本發明的處理方法(裝置)的兩個熱處理單元塊34、35(TB)，熱處理單元塊34(TB)設置在抗蝕劑處理單元23一側，熱處理單元塊35(TB)設置在顯影處理單元24(DEV)一側。而且，在這兩個熱處理單元塊34、35(TB)之間設置有作為傳送機構的第2傳送裝置36。
在這種情況下，熱處理單元塊34(TB)的結構如圖5的側視圖所示，從下開始順序地疊層進行基板G的交接的通過單元69(PASS)，對基板G進行預烘烤處理的三個作為熱處理單元的預烘烤單元70c(HP3)，70b(HP2)，70a(HP1)，以及一個作為輔助熱處理單元的輔助預烘烤單元70s(HPS)5級。在此，在熱處理單元34(TB)上將三個預烘烤單元70a、70b、70c(HP1、HP2、HP3)和一個輔助預烘烤單元70s(HPS)疊層設置的理由是，在由預烘烤單元70a、70b、70c(HP1、HP2、HP3)(以下稱為第1、第2、第3預烘烤單元70a、70b、70c)對先熱處理批次的基板G進行熱處理的期間，預先將輔助預烘烤單元70s(HPS)設定在后熱處理批次的基板G的熱處理溫度并使其待機，在前處理批次的基板G的熱處理結束后，能夠由輔助預烘烤單元70s(HPS)對后熱處理批次的基板G進行熱處理。
而且，熱處理單元塊35(TB)的結構為，從下開始順序地疊層進行基板G的交接的通過單元71(PASS)，冷卻基板G的冷卻單元72(COL)，以及對基板G進行預烘烤處理的兩個預烘烤單元708，70d(HP5、HP4)4級。
第2傳送裝置36的結構為，進行來自經由通過單元69(PASS)的抗蝕劑處理單元23的基板G的接收，基板G在上述熱處理單元之間的搬入和搬出，基板G向經由通過單元71(PASS)的顯影處理單元24(DEV)的交接，以及基板G相對于作為后述的接口站3的基板交接部的擴展、冷卻級44(EXT、COL)的交接和接收。另外，由于第2傳送裝置36具有與第1傳送裝置33相同的結構，所以對相同的部分賦予相同的附圖標記，省略其說明。第2傳送裝置36可訪問熱處理單元塊34、35中的任一個單元塊。
在具有上述結構的第2熱處理單元區27中，在預烘烤單元70a～70e和輔助預烘烤單元70s上配置有具有同樣結構的熱處理裝置。以下，以預烘烤單元70a為代表對熱處理裝置進行詳細說明。
上述熱處理裝置80如圖7所示，具備作為載置由第2傳送裝置36傳送的基板G的載置臺的板件P，以及由包圍該板件P的下部和周圍的下部容器81a和包圍板件P的周圍和上部的蓋體81構成的處理容器81。
在這種情況下，處理容器81制成由方形的蓋體81b和下部容器81a構成的例如大致方形的筒狀體，蓋體81b的結構為進入下部容器81a的側壁內側而形成內部密閉的空間。蓋體81b的結構為側部由支承臂82支承，可通過未圖示的升降機構自由升降。
在蓋體81b的中央上設置有連接在排氣管83上的排氣口81c，在該排氣口81c的周圍例如沿著蓋體81b的周邊方向形成有多個氣體供應孔81d。而且，蓋體81b的頂部在從內側觀察時呈從外側向中心部逐漸增高地緩慢傾斜，在該傾斜部81e的外緣部上沿著蓋體81b的周邊方向形成有多個氣體供應孔81d，而且，在蓋體81d的頂部上連接有用于供應氮氣或氬氣等惰性氣體作為凈化氣體的氣體供應管84。
下部容器81a形成有朝向內側突出的臺階部81f，在該臺階部81f上設置有例如由鋁或陶瓷構成的例如方形的板件P，由臺階部81f保持該板件P的周緣區域。
在這種板件P的表面上，突出設置有用于以從板件P上浮例如0.1～0.5mm的狀態保持基板G、由例如陶瓷構成的多個、例如3個鄰近支桿85，以從板件P稍稍上浮的狀態保持基板G是為了防止基板背面的顆粒污染的緣故。而且，在板件P的背面上設置有由例如鎳絲或燒結金屬構成的、作為加熱機構的加熱器H，通過該加熱器H進行的加熱將板件P加熱到規定的溫度。
具有上述結構的處理容器81的內部在關閉蓋體81b時在板件P的上下形成兩個區分出的空間，即由板件P和蓋體81b包圍的區域為加熱處理室S1，由板件P和下部容器81a包圍的區域為冷卻室S2。
在冷卻室S2內，在板件P的背面一側上設置有例如噴出空氣或氮氣等冷卻氣體的多個噴嘴部86a，各噴嘴部86a上連接有由設置在下部容器81a外側上的多支管M分支的、構成冷卻氣體流路的冷卻氣體供應管86b的分支端一側。而且，多支管M經由冷卻氣體供應主管86c連接在冷卻氣體供應源87上。在這種情況下，在冷卻氣體供應主管86c上，從冷卻氣體供應源87一側開始順序地加裝有流量可調整的第1開閉閥V1，具有構成冷卻模式的佩爾蒂元件的冷卻裝置88，以及流量可調整的第2開閉閥V2。而且，通過上述噴嘴部86a、冷卻裝置88、以及冷卻氣體供應源87等構成冷卻機構。
而且，在下部容器81a上，貫通冷卻室S2和板件P地設置有多個、例如3個升降銷89a，用于在將由第2傳送裝置36傳送的基板G交接到鄰近支桿85上時使基板G升降，這些升降銷89的結構為可通過設置在處理容器81外側上的升降機構89b升降。而且，在下部容器81a上設置有導向部件89c，用于不妨礙加熱器H的配線地使升降銷89a升降，在側壁的適當位置上設置有多個冷卻氣體的排氣口81g。
在上述加熱處理室S1中，通過從氣體供應管84經由氣體供應孔81d供應的、由惰性氣體構成的凈化氣體，產生圖中虛線所示的熱氛圍的氣流。而且，在冷卻室S2內，從冷卻氣體供應管86b經由噴嘴部86a，向板件P的背面一側噴出冷卻氣體，板件P被冷卻到規定的溫度，進行該板件P的溫度調整。
而且，在上述板件P上埋設有作為溫度檢測機構的例如由熱電偶構成的溫度傳感器TS，由該溫度傳感器TS檢測出的溫度檢測信號傳送到控制機構、例如中央運算處理裝置200(以下稱為CPU200)中，來自CPU200的控制信號傳送到加熱器H以及第1和第2開閉閥V1、V2上。而且，CPU200接收來自設置在上述盒體站1(搬入、搬出部)上、檢測盒體C內有無基板G的傳感器(未圖示)的檢測信號，輸入并存儲處理的基板G的批次單位的開始和結束的信息，基于來自CPU200的控制信號驅動控制第2傳送裝置36。
因此，通過由溫度傳感器TS檢測出的溫度檢測信號以及基于來自盒體站1(搬入、搬出部)一側的傳感器的信號、來自CPU200的控制信號，控制加熱器H以及第1和第2開閉閥V1、V2和第2傳送裝置36，可將板件P的溫度切換到先熱處理批次的基板G的處理溫度和后熱處理批次的基板G的處理溫度，規定的熱處理單元、即第1～第3預烘烤單元70a～70c可將基板G傳送到輔助熱處理單元、即輔助預烘烤單元70s上進行熱處理。
通過將具有上述結構的熱處理裝置80配置在預烘烤單元70a～70c和輔助預烘烤單元70s中，可連續地對實施不同種類的熱處理的批次的基板G進行熱處理。例如，在先熱處理批次的基板G的熱處理溫度條件為最適合于抗蝕劑膜形成的預烘烤溫度、例如100℃，后熱處理批次的基板G的熱處理溫度條件為最適合于絕緣膜(平坦化膜)形成的預烘烤溫度、例如80℃的情況下，可通過以下所示的處理方法連續處理。
另外，在上述實施方式中，對熱處理裝置80的加熱機構采用加熱器H，冷卻機構采用冷卻氣體的情況進行了說明，但并不僅限于這種結構。例如，也可以是在設置于板件P上的流通路內流通高溫度的熱媒體的加熱機構，在同樣設置于板件P上的流通路內流通低溫度的熱媒體的冷卻機構。
以下，參照圖8對上述處理方法加以說明。首先，將第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)的板件P設定在先熱處理批次的基板G的熱處理溫度、例如100℃，將輔助預烘烤單元70s(HPS)的板件P設定在后熱處理批次的基板G的熱處理溫度、例如80℃(參照圖8(a))。在這種狀態下，第2傳送裝置36將基板G順序地從上方一側向第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)的板件P上搬送(搬入)，交接到板件P上，進行基板G的熱處理。熱處理結束的基板G再次通過第2傳送裝置36從第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)取出，傳送到下一處理部。
這樣，進行第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)的熱處理，批次中最后的基板G被搬入第3預烘烤單元70c(HP3)中進行熱處理，后熱處理批次的最初的基板G被搬入輔助預烘烤單元70s(HPS)中，在80℃的溫度下進行熱處理(參照圖8(b))。其間，當先熱處理批次的倒數第3個基板G通過第2傳送裝置36從第1預烘烤單元70a(HP1)中取出，即在第1預烘烤單元70a進行先處理的最后的基板G取出時，基于來自CPU200的控制信號，加熱器H的加熱溫度被控制到低溫一側，同時，第1和第2開閉閥V1、V2打開，向板件P供應冷卻氣體，第1預烘烤單元70a的板件P的溫度從100℃切換到80℃(參照圖8(b))。在這種狀態下，后處理批次的第2個基板G由第2傳送裝置36搬入第1預烘烤單元70a(HP1)中，在80℃的溫度下進行熱處理。
然后，當先處理批次的倒數第2個基板G從第2預烘烤單元70b(HP2)取出時，與上述同樣地，第2預烘烤單元70b(HP2)的板件P的溫度從100℃切換到80℃(參照圖8(c))。在這種狀態下，后熱處理批次的第3個基板G由第2傳送裝置36搬入第2預烘烤單元70b(HP2)中，在80℃的溫度下進行熱處理。
然后，當先處理批次的最后的基板G從第3預烘烤單元70c(HP3)中取出時，與上述同樣地，第3預烘烤單元70c(HP3)的板件P的溫度從100℃切換到80℃(參照圖8(d))。在這種狀態下，后處理批次的第4個基板G由第2傳送裝置36搬入第3預烘烤單元70c(HP3)中，在80℃的溫度下進行熱處理。在這種狀態下，在所有的第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中，后處理批次的第2～第4個基板G在80℃的溫度下進行熱處理，第5個以后的基板G順序地被搬入第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中進行熱處理。其間，輔助預烘烤單元70s(HPS)在后處理批次的最初的基板G由第2傳送裝置36取出后，基于來自CPU200的控制信號，加熱器H的加熱溫度被控制為高溫一側，同時，第1和第2開閉閥V1、V2關閉，停止供應冷卻氣體，板件P的溫度例如從80℃切換到100℃，繼續進行后處理批次的基板G的處理。
如上所述，在將先處理批次的基板G傳送到作為等1處理部的第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中進行熱處理的期間，將作為第2處理部的輔助預烘烤單元70s(HPS)設定在后熱處理批次的基板G的處理條件(80℃)并使其待機，在第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)的處理結束后，可將后處理批次的基板G傳送到輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)中進行處理。而且，在輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的處理期間，可將預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)變更成與輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)同樣的處理條件(80℃)，將后處理批次的基板G傳送到處理條件變更了的第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)中實施處理。另外，在輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的處理結束后，進而將輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)變更成后處理批次的基板G的處理條件(例如100℃)并使其待機，以下，同樣地將第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)和輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的處理條件變更成后處理批次的基板G的處理條件，可連續地進行多個基板G的熱處理。因此，能夠連續地處理不同處理條件的多個批次的基板G。從而，可通過僅存在一個輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)即可連續地對不同處理條件的多個批次的基板G進行熱處理。
另外，在上述的說明中，對在設定第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)的溫度的同時預先進行輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的溫度設定的情況進行了說明，但輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的溫度設定也可以在先處理批次的基板G在預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)進行熱處理期間進行。
另外，在這種情況下，預先制出并存儲歸納了使溫度從某一溫度變化到某一溫度所需要的時間的表格，對于輔助預烘烤單元70s的溫度設定時刻，可根據表格求出溫度設定所需要的時間。此時，由于能夠通過CPU200計算出先處理批次的最后的基板處理結束時間，所以在根據所計算出的時間在溫度設定所需要的時間之前切換，不存在問題，通過在該范圍內盡可能地使輔助預烘烤單元70s的切換時刻延遲，能夠與預烘烤單元70a～70c同樣地將輔助預烘烤單元70s也用于先處理批次的處理中，直到溫度切換的時刻。
而且，在上述實施方式中，對輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)為一個的情況進行了說明，但輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)只要是至少一個即可，也可以是多個、例如2個。
另外，例如在將預烘烤單元70a～70c的溫度從先處理的溫度切換到后處理的溫度需花費時間時，當然也可以在溫度的切換結束之前，僅由輔助預烘烤單元70s進行加熱處理，在預烘烤單元70a～70c的溫度切換結束后，順序地進行預烘烤單元70a～70c的加熱處理，即使處理量降低也可以連續地進行處理。
上述第3熱處理單元區28具有將在基板G上實施熱處理的熱處理單元疊層構成的兩個熱處理單元塊37、38(TB)，熱處理單元塊37(TB)設置在顯影處理單元24(DEV)一側，熱處理單元塊38(TB)設置在盒體站1一側。而且，在這兩個熱處理單元塊37、37(TB)之間設置有作為傳送機構的第3傳送裝置39。熱處理單元塊37(TB)的結構如圖6的側視圖所示，從下開始順序地疊層有進行基板G的交接的通過單元73(PASS)，對基板G進行后烘烤處理的三個后烘烤單元70h，70g，70f(HP8、HP7、HP6)4級。而且，熱處理單元塊38(TB)的結構為，從下開始順序地疊層有后烘烤單元70i(HP9)，進行基板G的交接和冷卻的通過、冷卻單元74(PASS、COL)，對基板G進行后烘烤處理的兩個后烘烤單元70j，70k(HP10、HP11)，以及一個輔助后烘烤單元70s(HPS)5級。
第3傳送裝置39接收來自經由通過單元73(PASS)的i線UV照射單元25(i-UV)的基板G，進行基板G在上述熱處理單元之間的搬入、搬出，基板G向經由通過、冷卻單元74(PASS、COL)的盒體站1的交接。另外，第3傳送裝置39也具有和第1傳送裝置33相同的結構，可訪問熱處理單元塊37、38(TB)中的任一個單元。
通過上述結構，在第3熱處理單元區28中，與上述第2熱處理單元區27同樣，可連續地對不同處理條件(溫度條件)的多個批次的基板G進行熱處理。
另外，基板G向上述擦洗清洗單元21(SCR)和激光UV照射單元22(e-UV)的搬入是通過盒體站1的傳送裝置11進行的。而且，擦洗清洗處理單元21(SCR)的基板G象上述那樣例如由傳送輥搬出到熱處理單元塊31(TB)的通過單元(PASS)，在此由未圖示的銷突出而上抬的基板G由第1傳送裝置33傳送。而且，基板G向抗蝕劑處理單元23中的搬入是在由第1傳送裝置33將基板G交接到通過單元65(PASS)后，由一對副臂56從搬入口57進行的。在抗蝕劑處理單元23中，基板G由副臂56通過搬出口58被傳送到熱處理單元塊34(TB)的通過單元69(PASS)，在此基板G被傳送到突出的銷(圖中未示出)上。基板G向顯影處理單元24(DEV)中的搬入是在熱處理單元塊35(TB)的通過單元(PASS)73中，通過從使未圖示的銷突出，使基板上升的狀態下降，使延長到通過單元(PASS)73的例如傳送輥機構動作而進行的。i線UV照射單元25(i-UV)的基板G例如由傳送輥搬出到熱處理單元塊37(TB)的通過單元73(PASS)中，在此由第3傳送裝置39傳送通過未圖示的銷突出而上抬的基板G。另外，所有的處理結束后的基板G被傳送到熱處理單元塊38(TB)的通過、冷卻單元74(PASS、COL)中，由盒體站的傳送裝置11搬出。
在處理單元站2中，以上所述那樣構成兩列的傳送線A、B，并且基本上為處理順序的方式配置各處理單元和傳送裝置，在這些傳送線A、B之間設置有空間部40。而且，設置有可在該空間部40中往返移動的傳送容器(基板載置部件)41。該傳送容器41的結構為可保持基板G，基板G可在傳送線A、B之間交接。
接口站3具有在處理站2和曝光裝置4之間進行基板G的搬入和搬出的傳送裝置42，配置緩沖盒體的緩沖站(BUF)43，以及具備冷卻功能的作為基板交接部的擴展、冷卻站44(EXT、COL)，標識拍錄裝置(TITLER)和周邊曝光裝置(EE)上下疊層的外部裝置45與傳送裝置42鄰接地設置。傳送裝置42具備傳送臂42a，通過該傳送臂42a在處理站2和曝光裝置4之間進行基板G的搬入和搬出。
在這樣構成的抗蝕劑涂敷顯影處理系統100中，首先，配置在盒體站1中的盒體C內的基板G通過傳送裝置11被直接搬入處理站2的激光UV照射單元22(e-UV)中，進行擦洗前處理。然后，通過傳送機構11，基板G被搬入配置在激光UV照射單元22(e-UV)下方的擦洗清洗處理單元21(SCR)中，進行擦洗清洗。在該擦洗清洗中，基板G不是象以往那樣旋轉而是大致水平地傳送，進行清洗處理和干燥處理，因此，能夠以更小的空間實現與以往的使用兩臺旋轉型擦洗清洗處理單元相同的處理能力。擦洗清洗處理后，基板G例如由傳送輥搬出到屬于第1熱處理單元區26的熱處理單元塊31(TB)的通過單元61(PASS)。
配置在通過單元61(PASS)中的基板G由未圖示的銷突出而上抬，被傳送到第1熱處理單元區26中，進行以下一系列的處理。即，最初，被傳送到熱處理單元塊31(TB)的脫水烘烤單元62、63(DHP)中任一個，進行加熱處理，然后，被傳送到熱處理單元塊32(TB)的冷卻單元66、67(COL)中的任一個，在冷卻后，為了提高抗蝕劑的定著性，傳送到熱處理單元塊31(TB)的附著性處理單元(AD)64以及熱處理單元塊32(TB)的附著性處理單元(AD)68中的任一個，在此通過HMDS進行附著性處理(疏水化處理)，之后，傳送到冷卻單元66、67(C0L)中任一個進行冷卻，進而傳送到熱處理單元塊32(TB)的通過單元65(PASS)。此時，傳送處理均由第1傳送裝置33進行。另外，也有不進行附著性處理的情況，在這種情況下，基板G在脫水烘烤和冷卻后立即被傳送到通過單元65(PASS)中。
然后，配置在通過單元65(PASS)中的基板G由抗蝕劑處理單元23的副臂56搬入抗蝕劑處理單元23內。而且，基板G首先被傳送到其中的抗蝕劑涂敷處理裝置23a(CT)中，在此實施抗蝕劑液在基板G上的旋涂，接著，由副臂56傳送到減壓干燥裝置23b(VD)中進行減壓干燥，進而由副臂56傳送到周緣抗蝕劑除去裝置23c(ER)中，除去基板G周緣上的多余的抗蝕劑。而且，在除去了周緣上的抗蝕劑后，通過副臂56將基板G從抗蝕劑處理單元23中搬出。這樣，在抗蝕劑涂敷處理裝置23a(CT)之后設置減壓干燥裝置23b(VD)是由于在不設置其的情況下，在對涂敷了抗蝕劑的基板G進行了預烘烤處理或顯影處理后的后烘烤處理之后，升降銷、固定銷等的形狀有可能轉印在基板G上，通過這樣由減壓干燥裝置(VD)不進行加熱而進行減壓干燥，抗蝕劑中的溶劑逐漸放出，不產生加熱干燥時那樣急劇的干燥，能夠不對抗蝕劑產生惡劣影響地促進抗蝕劑的干燥，成功地防止在基板上產生轉印的緣故。
在涂敷處理結束后，由副臂56從抗蝕劑處理單元23搬出的基板G交接到屬于第2熱處理單元區27的熱處理單元塊34(TB)的通過單元69(PASS)中。配置在通過單元69(PASS)中的基板G由第2傳送裝置36傳送到熱處理單元塊34(TB)的預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)以及熱處理單元塊35(TB)的預烘烤單元70d、70e(HP4、HP5)中任一個中進行預烘烤處理，之后，傳送到熱處理單元塊35(TB)的冷卻單元72(COL)中冷卻到規定溫度。而且，通過第2傳送裝置36傳送到熱處理單元塊35(TB)的通過單元71(PASS)中。
之后，基板G由第2傳送裝置36向接口站3的擴展、冷卻區44(EXT、COL)傳送，通過接口站3的傳送裝置42傳送到外部裝置塊45的周邊曝光裝置(EE)中，進行用于除去周邊的抗蝕劑的曝光，然后通過傳送裝置42傳送到曝光裝置4中，在此，基板G上的抗蝕劑膜被曝光，形成規定的圖案。因情況不同，在緩沖級43(BUF)上的緩沖盒體中收放基板G，并傳送到曝光裝置4中。
在曝光結束后，基板G由接口站3的傳送裝置42搬入外部裝置塊45上段的標識拍錄裝置(TITLER)中，在基板G上計錄了規定的信息后，載置在擴展、冷卻區44(EXT、COL)中，從此處再搬入處理站2中。即，基板G由第2傳送裝置36傳送到屬于第2熱處理單元區27的熱處理單元塊35(TB)的通過單元71(PASS)中。而且，在通過單元71(PASS)中，從使銷突出、使基板G上升的狀態下降，從而通過從顯影處理單元24(DEV)延長到通過單元71(PASS)的例如傳送輥機構動作，將基板G向顯影處理單元24(DEV)搬入，實施顯影處理。在該顯影處理中，基板G不會象以往那樣旋轉，而是由例如傳送輥大致水平地傳送，進行顯影液涂敷、顯影后的顯影液除去、以及干燥處理，因此，能夠以更小的空間實現與以往的使用3臺旋轉型顯影處理單元同樣的處理能力。
在顯影處理結束后，基板G由與顯影處理單元24(DEV)連續的傳送機構、例如傳送輥傳送到i線UV照射單元25(i-UV)中，對基板G進行脫色處理。之后，基板G由i線UV照射單元25(i-UV)內的傳送機構、例如傳送輥搬出到屬于第3熱處理單元區28的熱處理單元塊37(TB)的通過單元73(PASS)中。
配置在通過單元73(PASS)中的基板G由第3傳送裝置39傳送到熱處理單元塊37(TB)的后烘烤單元70f～70h(HP6～HP8)以及熱處理單元塊38(TB)的后烘烤單元70i～70k(HP9～HP11)中的任一個中，進行后烘烤處理，之后，傳送到熱處理單元塊38(TB)的通過、冷卻單元71(PASS、COL)中，冷卻到規定的溫度后，通過盒體站1的傳送裝置11收放在配置在盒體站1中的規定盒體C內。
如上所述，擦洗清洗處理單元21(SCR)、抗蝕劑處理單元23、以及顯影處理單元24(DEV)的結構為基板G在其中大致水平地傳送，并進行規定的液體處理，將其以處理的順序配置成基板G的傳送線呈兩列，由于基板G一邊沿著平行的兩列傳送線A、B流動一邊進行一系列的處理，所以能夠維持高的處理量，同時基本上不需要以往那樣的在多個處理單元之間行走的大型中央傳送裝置以及其行走的中央傳送路徑，能夠相應地節省空間，減小占地面積。而且，在擦洗清洗處理單元21(SCR)以及顯影處理單元24(DEV)中，是一邊不使基板G旋轉地向水平方向傳送一邊進行處理的所謂平流方式，能夠減少以往使基板G旋轉時經常產生的霧沫。
而且，每個擦洗清洗處理單元21(SCR)、抗蝕劑處理單元23、以及顯影處理單元24(DEV)各液體處理單元中集中進行其后的熱處理的多個熱處理單元設置第1至第3熱處理單元區26、27、28，而且由將熱處理單元疊層成多級的熱處理單元塊(TB)構成，所以可相應地減小占地面積，同時由于能夠盡量減少基板G的傳送地沿著基板G的處理流向進行熱處理，所以能夠進一步提高處理量。而且，由于與各熱處理單元區分別相對應地設置各熱處理單元區專用的第1至第3傳送裝置33、36、39，所以也可以因此提高處理量。
以上為基本的處理模式，但在本實施方式中，由于在處理站2上，在兩列的傳送線A、B之間設置有空間部40，并設置有可在該空間部40中往返移動的傳送容器41，所以除了上述基本的處理模式之外，也可以進行各種模式的處理，處理的自由度高。
例如，在僅要進行抗蝕劑處理的情況下，可以是以下的順序。首先，將傳送容器41預先移動到與盒體站1鄰接的位置上，然后，通過傳送裝置11從盒體C中取出一片基板G，載置在傳送容器41上，使傳送容器41移動到與第1傳送裝置33相對應的位置，通過第1傳送裝置33將傳送容器41上的基板G傳送到附著性處理單元64、68(AD)中的任一個中，對基板G進行附著性處理，之后，在冷卻單元66(COL)或者67中冷卻基板G，經過熱處理單元塊32(TB)的通過單元65(PASS)搬入抗蝕劑處理單元23中。而且，在抗蝕劑處理單元23中，由周緣抗蝕劑除去裝置23c(ER)進行的抗蝕劑除去處理結束后，將基板G搬出到熱處理單元塊34(TB)的通過單元69(PASS)中，通過第2傳送裝置36將基板G載置在傳送容器41中，返回盒體站1。另外，在不進行附著性處理的情況下，從傳送容器41上接收了基板G的第1傳送裝置33直接將基板G向通過單元65(PASS)中傳送。
而且，在僅要進行顯影處理的情況下，可以是以下的順序。首先，使從盒體站1接收了基板G的傳送容器41移動到與第2傳送裝置36相對應的位置，通過第2傳送裝置36將傳送容器41上的基板G經由熱處理單元塊35(TB)的通過單元(PASS)73搬入顯影處理單元24(DEV)中。而且，在由顯影處理單元以及i線UV照射單元25(i-UV)進行的脫色處理結束后，將基板G搬出到熱處理單元塊37(TB)的通過單元73(PASS)中，通過第3傳送裝置39將基板G載置在傳送容器41中，返回盒體站1。
另外，在不使用傳送容器41時，通過預先使傳送容器41退避到空間部40的端部上，可將空間部40作為維修空間使用。
這種傳送容器41與以往的中央傳送裝置不同，由于僅保持被處理基板并使其移動，所以不需要大型的機構，不需要以往的中央傳送裝置行走的中央傳送路徑那樣大的空間，即使設置傳送容器41，也可以維持節省空間的效果。
另外，在上述實施方式中，對被處理體為LCD玻璃基板的情況進行了說明，但被處理體并不僅限于LCD玻璃基板，本發明同樣也可以適用于例如半導體晶片或CD等。
而且，在上述實施方式中，對加熱處理被處理體的情況進行了說明，但并不僅限于加熱處理，本發明也可以適用于冷卻處理或者在不同的處理氛圍下實施處理的情況。
上述第1～第3預烘烤單元70a～70c中的預烘烤溫度并不限于80℃。在形成絕緣膜(平坦化膜)時的預烘烤的溫度也可以是80℃～90℃。在上述那樣正片型的抗蝕劑膜的情況下，預烘烤的溫度也可以是100℃或者高于100℃。另外，預烘烤的溫度在形成絕緣膜(平坦化膜)的情況下為300℃，在形成正片型的抗蝕劑膜的情況下為130℃。
在上述的實施方式中，“絕緣膜(平坦化膜)”是指平坦化用的絕緣膜。該絕緣膜的材料是例如使丙烯基為液狀的材料，并且具有感光性。通過對絕緣膜進行曝光和顯影，例如在該絕緣膜上形成通孔，可將形成在該絕緣膜的上下表面上的零件和配線連接在一起。
在冷卻室S2內，向板件P的背面一側吹出冷卻氣體，將板件P冷卻的規定的溫度，進行板件P的溫度調整。因此，在例如將板件P的溫度從100℃切換到80℃的情況下，若通過冷卻氣體急速地冷卻板件P，則即使是不同的膜也能夠立即以相同的單元進行熱處理，可連續地進行處理。但是，當急速地冷卻或加熱板件P時，由于板件P的熱變化的影響有可能產生裂紋等損傷。特別是在近年來，由于玻璃基板大型化，基板P也大型化，所以容易受到熱的影響。因此，不希望板件P這樣急速的冷卻或加熱，通過象上述實施方式那樣僅設置一臺輔助預烘烤單元40s，可進行連續的處理。
以下，對本發明的其他實施方式加以說明。對于本例中的處理方法參照圖9進行說明。首先，將第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)的板件P設定在先處理批次的基板G的熱處理溫度、例如100℃，將輔助預烘烤單元70s(HPS)的板件P設定在后熱處理批次的基板G的熱處理溫度、例如80℃(參照圖9(a))。在這種狀態下，第2傳送裝置36將基板G順序地從下方傳送(搬入)第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)的板件P上，交接到基板P上，進行基板G的熱處理。熱處理結束后的基板G再次由第2傳送裝置36從第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中取出，傳送到下一處理部。
這樣，進行第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)的熱處理，批次中最后的基板G被搬入第1預烘烤單元70a(HP1)中進行熱處理，后處理批次的最初的基板G被搬入輔助預烘烤單元70s(HPS)中，在80℃的溫度下進行熱處理(參照圖9(b))。其間，先處理批次的倒數第31個基板G由第2傳送裝置3 6從第3預烘烤單元70c(HP3)中取出。即，在第3預烘烤單元70c進行先處理的最后的基板G取出時，基于來自CPU200的控制信號，將加熱器H的加熱溫度控制到低溫一側，同時第1和第2開閉閥V1、V2打開，向板件P供應冷卻氣體，將第3預烘烤單元70c的板件P的溫度從100℃切換到80℃(參照圖9(b))。在這種狀態下，后處理批次的第2個基板G由第2傳送裝置36搬入第3預烘烤單元70c(HP 3)中，在80℃的溫度下進行熱處理。
然后，當將先處理批次的倒數第2個基板G從第2預烘烤單元70b(HP2)中取出時，與上述同樣地，將第2預烘烤單元70b(HP2)的板件P的溫度從100℃切換到80℃(參照圖9(c))。在這種狀態下，后處理批次的第3個基板G由第2傳送裝置36搬入第2預烘烤單元70b(HP2)中，在80℃的溫度下進行熱處理。
然后，當將先處理批次的最后的基板G從第1預烘烤單元70a(HP1)中取出時，與上述同樣地，將第1預烘烤單元70a(HP1)的板件P的溫度從100℃切換到80℃(參照圖9(d))。在這種狀態下，后處理批次的第4個基板G由第2傳送裝置36搬入第1預烘烤單元70a(HP1)中，在80℃的溫度下進行熱處理。在這種狀態下，在所有的第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中，后處理批次的第2～第4個基板G在80℃的溫度下進行熱處理，第5個以后的基板G順序地從下方搬入第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中進行熱處理。其間，輔助預烘烤單元70s(HPS)在后處理批次的最初的基板G由第2傳送裝置36取出后，基于來自CPU200的控制信號，將加熱器H的加熱溫度控制在高溫一側，同時第1和第2開閉閥V1、V2關閉，停止供應冷卻氣體，將基板P的溫度從例如80℃切換到100℃，進而進行后處理批次的基板G的處理(參照圖9(e)、(f))。
如上所述，在將先處理批次的基板G傳送到作為第1處理部的第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)中進行熱處理期間，將作為第2處理部的輔助預烘烤單元70s(HPS)設定在后處理批次的基板G的處理條件(80℃)并使其待機，在第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)的處理結束后，可將后處理批次的基板G傳送到輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)中進行處理。而且，在輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的處理期間，可將預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)變更到與輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)相同的處理條件(80℃)，將后處理批次的基板G傳送到處理條件變更了的第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)中實施處理。另外，在輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的處理結束后，將輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)變更到后處理批次的基板G的處理條件(例如100℃)并使其待機，以下，同樣地，將第1～第3預烘烤單元70a～70c(HP1～HP3)(第1處理部)和輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)的處理條件變更到后處理批次的基板G的處理條件，連續地進行多個基板G的熱處理。因此，可連續地處理不同處理條件的多個批次的基板G。因而，通過僅存在一個輔助預烘烤單元70s(HPS)(第2處理部)即能夠連續地對不同處理條件的多個批次的基板G進行熱處理。
溫度低的熱向下方流動，溫度高的熱向上方流動。因此，在本實施方式中，通過由第2傳送裝置36從下側的預烘烤單元順序地搬入基板進行熱處理，可不浪費熱能地高效率進行連續處理。
如以上所詳細說明的，由于本發明具有上述的結構，所以獲得了以下優異的效果。
由于通過將第1處理部和至少一個第2處理部的處理條件變更到后處理的被處理體的處理條件，能夠連續地進行多個被處理體的處理，所以可維持裝置整體的小型化，同時可連續地處理不同處理條件的多個被處理體。而且，通過至少存在一個第2處理部即能夠連續地處理不同處理條件的多個被處理體。
由多個處理單元形成第1處理部，使各處理單元順序地變更到后處理的被處理體的處理條件，同時將后處理的被處理體順序傳送到變更了處理條件的單元中進行處理，所以能夠同時地處理實際處理的多個被處理體，并可進一步提高處理效率。
通過將第1和第2處理部作為在規定的溫度條件下對被處理體實施熱處理的熱處理部，所以能夠連續地熱處理不同熱處理條件的多個被處理體。
權利要求
1.一種處理方法，其特征是，包括下述工序(a)將對多個被處理體進行處理的第1處理部的該處理條件設定為第1處理條件的工序，(b)在上述工序(a)之后，在上述第1處理部中以上述第1處理條件對上述被處理體中的第1被處理體進行處理的工序，(c)將對上述被處理體進行處理的第2處理部的該處理條件設定為與上述第1處理條件不同的第2處理條件的工序，(d)在上述工序(c)之后，在上述第2處理部中以上述第2處理條件對上述被處理體中的第2被處理體進行處理的工序，(e)在上述工序(b)之后、并且在上述工序(d)的中途，將上述第1處理部的處理條件變更設定為上述第2處理條件的工序，(f)在上述工序(e)之后，在上述第1處理部中以上述第2處理條件對上述被處理體中的第3被處理體進行處理的工序。
2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征是，上述工序(c)是在上述工序(b)的中途進行的。
3.根據權利要求1所述的處理方法，其特征是，(g)上述工序(b)具有將上述第1被處理體作為包含在第1批次中的被處理體進行處理的工序，(h)上述工序(d)和上述工序(f)具有將上述第2和第3被處理體作為包含在上述第1批次后處理的第2批次中的被處理體進行處理的工序。
4.根據權利要求3所述的處理方法，其特征是，上述第1處理部具有對上述被處理體進行處理的第1處理單元和第2處理單元，上述工序(e)具有(i)將上述第1處理單元的處理條件變更設定為上述第2處理條件的工序，(j)在上述工序(i)之后，將第2處理單元變更設定為上述第2處理條件的工序，上述工序(f)具有(k)在上述工序(i)之后，在上述第1處理單元中對多個上述第3被處理體中的第4被處理體進行處理的工序，(1)在上述工序(j)之后，在上述第2處理單元中對上述第3被處理體中的第5被處理體進行處理的工序。
5.根據權利要求1所述的處理方法，其特征是，還具有在上述工序(a)之前，存儲將上述第2處理部的處理條件設定為上述第2處理條件后到能夠以該第2處理條件對上述被處理體進行處理的狀態所需要的時間的工序，通過基于所存儲的上述時間進行上述工序(e)，最遲在上述工序(b)結束時間之前成為能夠在上述第1處理部中以第2處理條件對上述被處理體進行處理的狀態的工序。
6.根據權利要求1所述的處理方法，其特征是，上述工序(a)具有設定第1溫度條件作為上述第1處理條件的工序，同時上述工序(b)具有以上述第1溫度條件對上述被處理體進行熱處理的工序，上述工序(c)和上述工序(e)具有設定第2溫度條件作為上述第2處理條件的工序，同時上述工序(d)和上述工序(f)具有以上述第2溫度條件對上述被處理體進行熱處理的工序。
7.一種處理方法，是以不同的處理條件連續地對實施處理的多個被處理體進行處理的處理方法，其特征是，準備設定為先處理的被處理體的處理條件的第1處理部，和設定為后處理的被處理體的處理條件的至少一個第2處理部，同時使第1處理部和第2處理部的處理條件可變更，在將先處理的上述被處理體傳送到上述第1處理部進行處理期間，將上述第2處理部設定為后處理的上述被處理體的處理條件并使其待機，在上述第1處理部的處理結束后，將后處理的上述被處理體傳送到上述第2處理部進行處理，在上述第2處理部的處理期間，將上述第1處理部變更為與上述第2處理部相同的處理條件，將后處理的上述被處理體傳送到處理條件變更了的第1處理部實施處理。在上述第2處理部的處理結束后，將上述第2處理部變更為進而后處理的上述被處理體的處理條件并使其待機，以下，同樣地，將上述第1處理部和第2處理部的處理條件變更為后處理的上述被處理體的處理條件，連續地進行多個被處理體的處理。
8.根據權利要求7所述的處理方法，其特征是，由多個處理單元形成上述第1處理部，將各處理單元順序地變更為后處理的被處理體的處理條件，將后處理的被處理體順序地傳送到變更了的處理單元中進行處理。
9.根據權利要求7或8所述的處理方法，其特征是，上述第1處理部和第2處理部為在規定的溫度條件下在被處理體上實施熱處理的熱處理部。
10.一種處理裝置，其特征是，具有至少能夠以第1處理條件和與該第1處理條件不同的第2處理條件對多個被處理體進行處理的第1處理部，至少能夠以上述第2處理條件對上述被處理體進行處理的第2處理部，控制機構，所述控制機構進行下述控制，在上述被處理體中第2被處理體在上述第2處理部的處理中，在上述第1處理部中以上述第1處理條件對上述被處理體中的第1被處理體的處理結束后，將上述第1處理部的處理條件變更設定為上述第2處理條件，在該第1處理部中以上述第2處理條件對上述被處理體中的第3被處理體進行處理。
11.根據權利要求10所述的處理裝置，其特征是，上述第1被處理體包含在第1批次中，上述第2和第3被處理體包含在上述第1批次后處理的第2批次中。
12.根據權利要求11所述的處理裝置，其特征是，上述第1處理部具有將上述第1和第2處理條件分別作為第1、第2溫度條件對上述被處理體進行熱處理的第1熱處理裝置，上述第2處理部具有將上述第2處理條件作為上述第2溫度條件對上述被處理體進行熱處理的第2熱處理裝置。
13.根據權利要求12所述的處理裝置，其特征是，上述第1熱處理裝置和上述第2熱處理裝置配置在上下方向，還具備至少在上述第1熱處理裝置和上述第2熱處理裝置之間傳送被處理體的傳送機構，上述控制機構具備發送指令、將上述被處理體從上述第1或第2中配置在下側的熱處理裝置順序地傳送的機構。
14.一種處理裝置，是以不同的處理條件連續地對實施處理的多個被處理體進行處理的處理裝置，其特征是，具備被處理體的搬入、搬出部，由可分別設定在上述被處理體的不同處理條件的第1處理部和至少一個第2處理部構成的處理部，在上述搬入、搬出部和處理部之間交接、傳送上述被處理體的傳送機構，控制機構，所述控制機構進行如下的控制，在先處理的上述被處理體在由上述第1處理部進行處理的期間，將上述第2處理部設定成后處理的被處理體的處理條件，在第1處理部的被處理體的處理結束后，向上述傳送機構發送將被處理體傳送到第2處理部的指令，同時將第1處理部的處理條件變更設定成后處理的被處理體的處理條件。
15.根據權利要求14所述的處理裝置，其特征是，上述第1處理部具備多個處理單元，上述控制機構為可順序地變更設定各處理單元并進行控制的控制機構。
16.根據權利要求14或15所述的處理裝置，其特征是，上述第1處理部和第2處理部由以規定的溫度條件在被處理體上實施熱處理的熱處理裝置形成。
17.根據權利要求16所述的處理裝置，其特征是，上述第1和第2處理部具備載置被處理體的載置臺，加熱上述載置臺的加熱機構，冷卻上述載置臺的冷卻機構，檢測上述載置臺的溫度的溫度檢測機構，基于來自上述溫度檢測機構的檢測信號、或者預先設定的被處理體的處理開始或處理結束的信號，控制上述加熱機構或冷卻機構的控制機構。
全文摘要
處理方法以及處理裝置,本發明提供一種處理方法和處理裝置，準備設定成先處理的基板(G)的處理條件的作為第1處理部的熱處理單元(70a～70c)，和設定成后處理的基板(G)的處理條件的至少一個作為第2處理部的輔助熱處理單元(70s)，在將先處理的基板(G)傳送到第1處理部中進行處理的期間，將第2處理部設定成后處理的基板(G)的處理條件并使其待機，在第1處理部的處理結束后，在第2處理部中對后處理的基板(G)進行處理，在第2處理部中進行處理的期間，將第1處理部變更成與第2處理部相同的處理條件對被處理的基板(G)進行處理，在第2處理部的處理結束后，將第2處理部變更成進而后處理的基板(G)的處理條件并使其待機，連續地進行多個基板(G)的處理。
文檔編號H01L21/02GK1457083SQ0313094
公開日2003年11月19日 申請日期2003年5月9日 優先權日2002年5月10日
發明者立山清久 申請人:東京毅力科創株式會社