專利名稱：微型溫差電池及其制造方法
技術領域：
本發明涉及溫差電池技術領域，特別涉及一種與微加工技術相結合，制造微型溫差電池及其方法。
背景技術：
在納米電子學、納米材料學、納米生物學、納米制造學及納米測量等新興學科的基礎上，具有強烈交叉學科色彩的微系統(Microsystem)已迅速崛起。體積十分微小的微系統集微型機構、微型傳感器、微型執行器以及信息處理和控制電路、直至接口通訊和電源等于一體具有多種功能。最近國外又提出了″芯片系統(system on a chip)″的概念，它將微系統推向一更高層次。微系統離不開微型電源，最新的技術進步已使微系統的能量消耗降低到微瓦(μW)量級，且還將不斷降低。適應微系統的發展，對新型自供式微型溫差電池的研究及開發已引起發達國家的高度重視。無疑制造這種微型溫差電池將為微系統技術的發展帶來突破，極大地開拓微系統的應用領域。
近年的研究發現，降低材料維數，如采用二維納米薄膜材料或一維納米線材料，可獲得具有很高溫差電轉換效率的溫差電材料。用這類高效溫差電材料制備出的微型溫差電池具有很高的輸出電壓。
微型溫差電池的特點主要表現在以下幾方面1)體積小，具有片狀或薄膜狀外形。易于采用集成化技術，將微型溫差電池集成到需要電能的器件上直接為器件供電；2)微型溫差電池可從環境接受各種形式的熱能，包括各種輻射熱、太陽能、人體體溫、系統運行過程的發熱以及各種廢熱等，并高效率地直接將其轉變為電能輸出。因而，微型溫差電池不會對環境造成任何形式的污染，是一種真正意義上的綠色電源；3)微型溫差電池是一種物理電源，其使用壽命長(超過20年)，性能高度穩定，且使用溫度范圍寬。它完全不同于通常意義上的各種化學電源和物理電源，屬新一代自供式微型發電元件。這種新一代自供式微型高效溫差電池在各種高、精、尖技術不斷向小型化和微型化發展的今天，特別是在各種微系統中，如微型探測器、微型控制器、微型飛行器以及諸如心臟起搏器那樣的微型生物器件中，有著廣泛的應用，它將成為微系統的最佳電源。
在現有技術中，我們在2001年已經提出的專利申請號為01140414.0的發明專利名稱為“由一維納米線陣列結構溫差電材料構制的微溫差電池”，它公開了一個用一維納米線陣列結構溫差電材料構制的微溫差電池，但是，操作方法比較復雜，制造技術上難度大。
發明內容
本發明提供一種制造方法更加合理，具有更強的可操作性的微型溫差電池及其制造方法。
本發明的微型溫差電池是由C層/B層/A層/B*層/C*層組成，如圖1所是。其中，A層位于層狀結構微型溫差電池的中間層；B層和B*層分別設置在A層的兩邊；C層和C*層又分別設置在B層和B*層的兩邊；其特征是A層是以具有貫穿型多孔結構的材料為模板，通過在該模板上劃分P型和N型溫差電材料微區以及位于P型和N型溫差電材料微區之間的非導電微區，并且在P型溫差電材料微區的微孔中沉積P型溫差電材料，在N型溫差電材料微區的微孔中沉積N型溫差電材料而成的溫差電材料層；B層和B*層是相同的或不同的導電金屬材料層，并且是按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構刻蝕而成的導電金屬層，在B層或B*層上設置有二個導電外接點；C層和C*層是相同的或不同的具有導熱性且不導電的材料層。
其中所述的A層模板采用的是片狀材料或者薄膜狀材料，厚度是在50厘米至10納米的尺度范圍。A層模板是具有貫穿型多孔結構的無機材料或有機材料，例如多孔結構氧化硅材料、多孔結構氧化鋁材料、多孔結構硅材料、多孔結構氧化鎂材料、多孔結構氧化鋯材料、多孔結構氧化鈦材料、多孔結構氧化鎢材料、多孔結構碳材料、多孔結構纖維素及其衍生物材料、多孔結構聚丙烯材料、多孔結構聚苯乙烯材料、多孔結構光刻膠等。貫穿型多孔結構模板材料的微孔形狀是規則的正方形、圓形、矩形、菱形、橢圓形或是不規則的任意形狀；對矩形微孔或正方形、或菱形、或者不規則形狀微孔等的邊長是在20毫米至1納米的尺度范圍，對圓形微孔或橢圓形、或不規則孔的孔徑是在是在20毫米至1納米的尺度范圍。A層模板上的P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的形狀是任意的，或是規則的圓形、橢圓形、矩形、正方形、菱形等、或者是不規則的形狀；微區面積大小是在50平方厘米至1平方納米的尺度范圍；P型微區和N型微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的數量可以是幾個或數十個，也可以是很多，甚至超過數百萬個。劃分出的N型及P型微區以及位于N型及P型微區之間的非導電微區的數量可根據溫差電池設計的輸出電壓大小以及所采用溫差電材料的性能來確定。
本發明的微型溫差電池的制造方法，操作步驟如下(1)A層制造選擇具有貫穿型多孔結構、一定厚度的片狀材料或者薄膜狀材料作為制造溫差電材料的模板；在多孔結構模板的表面進行微區劃分；劃分出的微區包括P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區；在P型溫差電材料微區的微孔中沉積P型溫差電材料，在N型溫差電材料微區的微孔中沉積N型溫差電材料；制造出A層；(2)B層和B*層制造在A層的兩面沉積上導電金屬層；采用微加工技術，按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構分別對A層兩面沉積的導電金屬層進行刻蝕，制造出微型溫差電池的B層和B*層；在B層或B*層引出兩個導電外接點，或在B層和B*層各引出一個外接點；(3)C層和C*層制造分別在導電的B層和B*層的外表面沉積上或者涂敷上具有導熱性且不導電的材料，制造出C層和C*層；也可以將具有導熱性且不導電的片狀或薄膜狀材料作為C層和C*層粘貼到導電的B層和B*層的外表面。
在實際操作中，只要能夠達到上述步驟的效果的方法都可以。本發明采用如下步驟第一步選擇具有貫穿型多孔結構、一定厚度的片狀材料或者薄膜狀材料作為制造溫差電材料的模板。上述片狀材料或者薄膜狀材料的成分可以是無機材料，也可以是有機材料。例如多孔結構氧化硅材料、多孔結構氧化鋁材料、多孔結構硅材料、多孔結構氧化鎂材料、多孔結構氧化鋯材料、多孔結構氧化鈦材料、多孔結構氧化鎢材料、多孔結構碳材料、多孔結構纖維素及其衍生物材料、多孔結構聚丙烯材料、多孔結構聚苯乙烯材料、多孔結構光刻膠等。選擇的片狀材料或者薄膜狀材料的厚度在50厘米至10納米的尺度范圍。選擇的具有貫穿型多孔結構模板材料的微孔形狀可以是規則的，如正方形、圓形、矩形、菱形、橢圓形等，也可以具有不規則形狀。孔徑(或者微孔的邊長)在20毫米至1納米的尺度范圍。
第二步將第一步選擇的貫穿型多孔結構模板的二個表面的其中一面沉積上導電金屬層。導電金屬層的沉積可以采用物理方法，如物理氣相沉積PVD法、熔融態金屬噴射法、熔融態金屬浸泡法等，也可以采用化學方法，如液相金屬電沉積方法、液相金屬化學沉積法、化學氣相沉積CVD法、氣相外延生長MOCVD法等。
第三步采用微加工技術，將第二步制備的多孔結構模板的未沉積導電金屬層的另一表面進行微區劃分。劃分出的微區包括P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區。上述P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的形狀可以是任意的，例如，可以是規則的圓形、橢圓形、矩形、正方形、菱形等等，也可以是任意的不規則形狀。P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的形狀可以相同，也可以不同。P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的面積大小可以相同，也可以不相同。P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的面積大小是在50平方厘米至1平方納米的尺度范圍。上述對模板表面進行的P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的劃分可以是同時進行，一次性完成，也可以是分步進行，或者是與第四步的制造過程交替進行，分步完成。交替進行的情況下，多孔模板表面未劃分的區域應該用絕緣材料覆蓋。
第四步將第三步劃分了P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的模板，在P型溫差電材料微區的微孔中沉積P型溫差電材料，在N型溫差電材料微區的微孔中沉積N型溫差電材料。實現P型溫差電材料以及N型溫差電材料分別在P型溫差電材料微區以及N型溫差電材料微區的微孔內沉積的方法，可以采用化學方法，如采用電化學液相電沉積技術，或者液相化學沉積技術，或者化學氣相沉積CVD技術，或者氣相外延生長MOCVD技術等等，也可以采用物理方法，如采用物理氣相沉積PVD技術，熔融態溫差電材料高壓注入法、熔融態溫差電材料浸泡注入法等等。在P型溫差電材料微區以及N型溫差電材料微區的微孔內沉積的溫差電材料可以選擇Bi2Te3、Sb2Te3、HgTe、Bi2Se3、Sb2Se3、ZnSb、的PbTe、SbTe、Bi(SiSb2)、Bi2(GeSe)3、GrSi2、MnSi1.7、FeSi2、CoSi、Ge0.3Si0.7、BiTe0.8Se0.2、BiTe0.6Se0.4、BiTe0.4Se0.6、BiTe0.2Se0.8、Bi1Se1、Bi0.8Sb0.2Te0.8Se0.2、Bi0.8Sb0.2Te0.8Se0.4、Bi0.8Sb0.2Te0.8Se0.5、Bi0.8Sb0.2Te0.8Se0.8、Bi0.8Sb0.2Se、Bi0.6Sb0.4Te0.8Se0.2、Bi0.6Sb0.4Te0.6Se0.4、Bi0.6Sb0.4Te0.4Se0.6、Bi0.6Sb0.4Te0.2Se0.8、Bi0.6Sb0.4Se、Bi4Te5、Bi4Se5、Bi4Te3Se2、PbTe+0.5wt％PbI2、Bi、Bi0.4Sb0.6Te0.8Se0.2、Bi2Te1、Bi1.2Sb0.8Te1、Sb2Te1、Bi2Te0.8Se0.2、Bi2Te0.4Se0.6、Bi2Se1、Bi1.4Sb0.6Te0.8Se0.2、Bi3.2Sb0.8Te5、Bi2Sb2Te5、Bi2Sb2Te3Se2、Bi3.2Sb0.8Te4Se1、Sb4Te5、Pb0.75Sn0.25Te等。
第四步的P型及N型溫差電材料在P型及N型微區沉積的過程可以是同時進行，也可以是第三步與第四步交替進行。在第三步與第四步交替進行的情況下，貫穿型多孔結構模板的P型溫差電材料微區的微孔中沉積出P型溫差電材料以及在貫穿型多孔結構模板的N型溫差電材料微區的微孔中沉積出N型溫差電材料的過程是先后進行的，該過程中，應該將不沉積溫差電材料的微區用絕緣材料覆蓋。
在P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區的微孔內沉積出的P型及N型溫差電材料應填滿整個微孔，或者沉積出的P型及N型溫差電材料應覆蓋微孔的內孔壁，或者沉積出的P型及N型溫差電材料不僅填滿整個微孔，而且由微孔內部一直延伸出微孔至多孔模板的表面，或者沉積出的P型及N型溫差電材料不僅覆蓋微孔的內孔壁，而且由微孔內部一直延伸出微孔至多孔模板的表面。
經第四步制造出的由P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區以及位于P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區之間的非導電區域構成的片狀或者薄膜狀材料即是微型溫差電池的A層。
第五步采用微加工技術，將第二步在多孔模板的一個表面沉積的導電金屬層按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構進行刻蝕，制造出微型溫差電池的一個B層。
第六步將第四步制造出的微型溫差電池A層的未沉積導電金屬層的另一表面沉積上導電金屬層。導電金屬層的沉積可以采用物理方法，如物理氣相沉積PVD法、熔融態金屬噴射法、熔融態金屬浸泡法等，也可以采用化學方法，如液相金屬電沉積方法、液相金屬化學沉積法、化學氣相沉積CVD法、氣相外延生長積MOCVD法等。
第七步采用微加工技術，將第六步沉積在微型溫差電池A層表面的導電金屬層按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構進行刻蝕，制造出微型溫差電池的一個B*層。
第八步在第五步、第七步分別在微型溫差電池A層的兩面各制造出一層導電B層和B*層后，分別在二個導電B層和B*層的外表面用具有良好導熱性且不導電的材料制造C層和C*層，并從B層或B*層延伸出二個導電外接點，用絕緣的有機或無機材料進行封裝。可以采用物理的或化學的方法直接在B層的外表面沉積上或者涂敷上一層具有良好導熱性且不到電的材料以形成C層和C*層。也可以將具有良好導熱性且不導電的片狀或薄膜狀材料作為C層C*層，用有機或者無機材料將其粘附到B層和B*層的外表面。
根據所采用的沉積P型及N型溫差電材料的方式不同，上述第二步與第三步的先后順序可更換，或者第二步與第四步的先后順序可更換。第五步與第六步的先后順序可換。
B層和B*層的結構可以相同，也可以不同，厚度可以相同，也可以不同。構成上述B層和B*層的導電材料的成分可以相同，也可以不相同。制造出B層和B*層后，A層的P型及N型溫差電材料微區之間即實現了串聯。構成上述C層和C*層的導熱材料可以相同，也可以不相同。C層和C*層的形狀可以相同，也可以不同，厚度可以相同，也可以不同。正極和負極導電外接點可以制造在微溫差電池的同一側，也可以制造在微溫差電池的兩端。
需要說明的是，上述有關N型及P型微區以及位于N型及P型微區之間的非導電微區的劃分可以根據需要劃分得極為精細，劃分出的N型及P型微區以及位于N型及P型微區之間的非導電微區的數量可根據溫差電池設計的輸出電壓大小以及所采用溫差電材料的性能來確定。劃分出的N型及P型微區的面積可以在50平方厘米至1平方納米的尺度范圍。
本發明制造出的微型溫差電池可以具有很高的輸出電壓，同時使用材料方便，操作方法簡便，它將成為微系統的最佳電源。
圖1本發明微型溫差電池的結構示意圖；圖2本發明微型溫差電池的制造流程示意圖。
具體實施例方式
實施例1以厚度在微米尺度的具有貫穿型多孔結構的氧化鋁薄膜為模板，采用電化學液相電沉積技術在N型及P型微區的微孔內分別沉積N型及P型溫差電材料，制造微型溫差電池的過程，具體方法如圖2所示(1)選擇具有貫穿型多孔結構的氧化鋁薄膜為模板1，厚度為50微米，微孔孔徑為40納米；(2)采用物理氣相沉積PVD技術在貫穿型多孔氧化鋁模板的表面沉積金屬鎳層2；(3)采用光刻蝕技術在多孔氧化鋁模板的表面形成劃分N型微區的絕緣材料覆蓋層3；(4)將模板作陰極，采用液相電沉積技術在氧化鋁模板的N型微區的微孔中沉積出N型Bi2Te3溫差電材料4；(5)去掉模板表面用于劃分N型微區的絕緣材料覆蓋層；(6)采用光刻蝕技術在多孔氧化鋁模板的表面形成劃分P型微區的絕緣材料覆蓋層5；(7)再將此模板作陰極，采用液相電沉積技術在氧化鋁模板的P型微區的微孔中沉積出P型Bi2Te3溫差電材料6；(8)去掉模板表面用于劃分P型微區的絕緣材料覆蓋層；(9)采用光刻蝕技術部分刻蝕掉鎳層2，形成實現P型微區和N型微區串聯的第一層導電B層8；(10)采用物理氣相沉積PVD技術，在沉積了P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區的多孔氧化鋁模板的另一表面沉積金屬鎳層9；(11)采用光刻蝕技術部分刻蝕掉鎳層9，形成實現P型微區和N型微區串聯的第二層導電B*層10；(12)將作為C、C*層的兩個硅片分別粘附到第一層導電B層8和第二層導電B*層10的外表面，并由B層引出二個導電外接點13。同時，用環氧樹脂材料對電池四周進行封裝，制造出微型溫差電池。本實施例中劃分的N型及P型微區的形狀為正方形。
需要說明的是，上述有關N型及P型微區的劃分實際上極為精細，為獲得高的輸出電壓，劃分出的N型及P型微區的面積極小。在本實施例中，表面積為1cm2、厚度為50微米的多孔氧化鋁模板表面可分別劃分出2萬個N型及P型微區。采用本實施例制造出的微型溫差電池可以產生40伏的輸出電壓。
實施例2與實施例1所不同的是以具有貫穿型多孔結構的高分子材料薄膜作為模板。采用液相電沉積技術在N型微區沉積N型BiTe0.4Se0.6溫差電材料，在P型微區沉積P型Bi1.2Sb0.8Te1溫差電材料。采用物理氣相沉積PVD的方法，在沉積了N型及P型溫差電材料微區的A層的兩面分別沉積上導電金屬鈷，并采用微加工技術將A層兩面沉積的導電金屬鈷層分別刻蝕出實現A層P型微區和N型微區串聯的B層和B*層。之后，分別在B層和B*層的外表面涂敷導熱硅膠，制造出C層和C*層。在本實施例中，表面積為1cm2、厚度為100微米的多孔結構高分子材料模板表面分別劃分出1萬個N型及P型微區。采用本實施例制造出的微型溫差電池可以產生30伏的輸出電壓。
權利要求
1.一種微型溫差電池，它具有層狀結構，是由C層/B層/A層/B*層/C*層組成，其中，A層位于層狀結構微型溫差電池的中間層；B層和B*層分別設置在A層的兩邊；C層和C*層又分別設置在B層和B*層的兩邊；其特征是A層是以具有貫穿型多孔結構的材料為模板，通過在該模板上劃分P型和N型溫差電材料微區以及位于P型和N型溫差電材料微區之間的非導電微區，并且在P型溫差電材料微區的微孔中沉積P型溫差電材料，在N型溫差電材料微區的微孔中沉積N型溫差電材料而成的溫差電材料層；B層和B*層是相同的或不同的導電金屬材料層，并且是按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構刻蝕而成的導電金屬層，在B層或B*層上設置有二個導電外接點；C層和C*層是相同的或不同的具有導熱性且不導電的材料層。
2.如權利要求1所述的一種微型溫差電池，其特征是所述的用于制造溫差電材料A層的具有貫穿型多孔結構的模板采用的是片狀材料或者薄膜狀材料，厚度是在50厘米至10納米的尺度范圍。
3.如權利要求1所述的一種微型溫差電池，其特征是所述的A層的模板是具有貫穿型多孔結構的無機材料或有機材料，貫穿型多孔結構模板材料的微孔形狀是規則的正方形、圓形、矩形、菱形、橢圓形或是不規則的任意形狀；對矩形微孔或正方形、或菱形、或者不規則形狀微孔的邊長是在20毫米至1納米的尺度范圍，對圓形微孔或橢圓形、或不規則孔的孔徑是在20毫米至1納米的尺度范圍。
4.如權利要求1或2所述的一種微型溫差電池，其特征是所述的A層中的P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區的形狀是任意的，或是規則的圓形、橢圓形、矩形、正方形、菱形；微區面積大小是在50平方厘米至1平方納米的尺度范圍。
5.一種微型溫差電池制造方法，包括下述步驟(1)A層制造選擇具有貫穿型多孔結構、一定厚度的片狀材料或者薄膜狀材料作為制造溫差電材料的模板；在多孔結構模板的未沉積導電金屬層的另一表面進行微區劃分；劃分出的微區包括P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區；在P型溫差電材料微區的微孔中沉積P型溫差電材料，在N型溫差電材料微區的微孔中沉積N型溫差電材料；制造出A層；(2)B層和B*層制造在A層的兩面沉積上導電金屬層，采用微加工技術，按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構對沉積在A層兩面的導電金屬層進行刻蝕，制造出微型溫差電池的B層和B*層；在B層或B*層引出兩個導電外接點，或在B層和B*層各引出一個外接點；(3)C層和C*層制造分別在導電的B層和B*層的外表面沉積上或者涂敷上具有導熱性且不導電的材料，制造出C層和C*層；或將具有導熱性且不導電的片狀或薄膜狀材料作為C層和C*層粘貼到導電的B層和B*層的外表面。
6.如權利要求5所述的一種微型溫差電池制造方法，操作步驟如下(1)選擇具有貫穿型多孔結構、一定厚度的片狀材料或者薄膜狀材料作為制造溫差電材料的模板；(2)在貫穿型多孔結構模板的二個表面的其中一面沉積上導電金屬層；(3)在多孔結構模板的未沉積導電金屬層的另一表面進行微區劃分；劃分出的微區包括P型溫差電材料微區、N型溫差電材料微區以及位于P型微區和N型微區之間的非導電微區；(4)在P型溫差電材料微區的微孔中沉積P型溫差電材料，在N型溫差電材料微區的微孔中沉積N型溫差電材料；形成A層；(5)采用微加工技術，將多孔模板的一個表面沉積的導電金屬層按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構進行刻蝕，制造出微型溫差電池的一個B層；(6)將制造出的微型溫差電池A層的未沉積導電金屬層的另一表面沉積上導電金屬層；(7)將沉積在微型溫差電池A層表面的導電金屬層按照實現A層的P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區相串聯的結構進行刻蝕，制造出微型溫差電池的B*層；(8)分別在二個導電的B層和B*層的外表面用具有導熱性且不導電的材料制造出C層和C*層，并從B層或B*層延伸出二個導電外接點，用絕緣的有機或無機材料進行封裝。
7.如權利要求6所述的一種微型溫差電池制造方法，其特征是所述的步驟(3)和步驟(4)是交替進行的，在貫穿型多孔結構模板上劃分出P型溫差電材料微區時在P型溫差電材料微區的微孔中沉積出P型溫差電材料；在貫穿型多孔結構模板上劃分出N型溫差電材料微區后在N型溫差電材料微區的微孔中沉積出N型溫差電材料；該過程中，將不沉積溫差電材料的微區用絕緣材料覆蓋。
8.如權利要求5、6或7所述的一種微型溫差電池制造方法，其特征是所述的在P型溫差電材料微區和N型溫差電材料微區的微孔內沉積出的P型及N型溫差電材料是填滿整個微孔，或者沉積出的P型及N型溫差電材料不僅填滿整個微孔，而且由微孔內部一直延伸出微孔至多孔模板的外表面；或者沉積出的P型及N型溫差電材料應覆蓋微孔的內孔壁，或者沉積出的P型及N型溫差電材料不僅覆蓋微孔的內孔壁，而且由微孔內部一直延伸出微孔至多孔模板的表面。
9.如權利要求5、6或7所述的一種微型溫差電池制造方法，其特征是所述的實現P型溫差電材料以及N型溫差電材料分別在P型溫差電材料微區以及N型溫差電材料微區的微孔內沉積的方法，是采用化學方法的電化學液相電沉積技術、液相化學沉積技術、化學氣相沉積CVD技術或氣相外延生長MOCVD技術；或是采用物理方法的物理氣相沉積PVD技術、熔融態溫差電材料高壓注入法或熔融態溫差電材料浸泡注入法。
10.如權利要求5、6或7所述的一種微型溫差電池制造方法，其特征是所述的B層和B*層的沉積和C層和C*層的沉積是是采用物理氣相沉積PVD法、熔融態材料噴射法、熔融態材料浸泡法，或是采用化學方法的液相電沉積方法、液相化學沉積法、化學氣相沉積CVD法、氣相外延生長MOCVD法；或者C層和C*層采用涂敷的方法制造。
全文摘要
本發明提供微型溫差電池及其制造方法。微型溫差電池是由C層/B層/A層/B
文檔編號H01L35/00GK1489226SQ03130568
公開日2004年4月14日 申請日期2003年8月15日 優先權日2003年8月15日
發明者王為, 賈法龍, 郭鶴桐, 王 為 申請人:天津大學