專利名稱：：快速熱退火的方法
技術領域：
：本發明涉及一種冶金領域熱處理的方法或設備中的熱制程，特別是涉及一種能夠檢測快速熱退火(RapidThermalAnnealing，RTA)制程的穩定性，可以避免晶圓報廢的快速熱退火的方法。
背景技術：
：在半導體制程中，常用的熱制程例如是使用熱爐管或是快速熱退火制程，而且，快速熱退火制程在與熱爐管相較之下，快速熱退火制程能夠在相當短的時間內完成熱制程，因此其熱預算(ThermalBudget)相當低，因而相當適用于必須控制摻質的擴散與輪廓的半導體制程。請參閱圖1，是一種現有的快速熱退火裝置100的示意圖。在使用該快速熱退火裝置100進行熱退火制程時，首先是將晶圓104置于晶圓拖盤106中，再將晶圓拖盤106置入反應室102中，接著，利用加熱源108進行加熱以進行快速熱退火制程。一般而言，該快速熱退火制程的完整制程包括保持溫度步驟、第一升溫步驟、穩定溫度步驟、第二升溫步驟、快速熱退火步驟以及降溫步驟。其中，上述的反應室102的溫度檢測，是藉由一高溫計(Pyrometer)110通過窗口112檢測反應室102內的熱輻射，并將其轉換以求得反應室102的溫度，然后再將該溫度反饋至快速熱退火裝置100的控制單元(圖中未示)以控制上述的制程步驟。在上述的快速熱退火制程中，通常會對快速熱退火步驟設定一溫度范圍，并在快速熱退火步驟中監測其制程溫度，當監測到的制程溫度超出該溫度范圍，就會將快速熱退火裝置停機，以避免晶圓的報廢。其中所謂的溫度范圍，是指快速熱退火步驟的主要制程溫度加減一預定數值所形成的范圍。在上述的快速熱退火制程中，為了因應在剛從第二升溫步驟轉換至快速熱退火步驟時的溫度震蕩幅度較大，因此將溫度范圍設定的較大，并持續采用該溫度范圍監測快速熱退火步驟。在快速熱退火裝置正常的情況下，采用此溫度范圍進行監測并不會有問題。然而，當快速熱退火裝置出現有問題時，例如是在窗口112上可能粘附有快速熱制程中晶圓104所產生的殘留物，或者是由于高溫計110本身的故障，因而導致高溫計110所測得的溫度不穩定，此時可能會產生雖然所測得的制程溫度實測值未超出溫度范圍，然而其制程溫度卻在接近溫度范圍的上下限數值之間來回劇烈的震蕩的情形，而此結果將會使得該快速熱退火制程無法穩定的進行，進而導致晶圓104的報廢。由此可見，上述現有的快速熱退火的方法即快速熱退火制程仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現有的快速熱退火的方法的缺陷，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決的道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，此顯然是相關業者急欲解決的問題。有鑒于上述現有的快速熱退火的方法存在的缺陷，本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，積極加以研究創新，以期創設一種新的快速熱退火的方法，能夠改進一般現有常規的快速熱退火的方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經反復試作及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。
發明內容本發明的主要目的在于，克服上述現有的快速熱退火的方法存在的缺陷，而提供一種新的快速熱退火的方法，所要解決的主要技術問題是使其提供一種快速熱退火制程，能夠在快速熱退火步驟的初期檢測出該快速熱退火制程的制程穩定性。本發明的另一目的在于，提供一種快速熱退火的方法，所要解決的技術問題是使其能夠在熱退火制程不穩定時，在快速熱退火步驟的初期就停止快速熱退火制程，而可避免晶圓報廢。本發明的目的及解決其主要技術問題是采用以下的技術方案來實現的。依據本發明提出的一種快速熱退火的方法，適用于快速熱退火裝置，其中該快速熱退火裝置具有一高溫計，用以測量該快速熱退火制程的溫度，該快速熱退火的方法至少包括下列制程步驟在該快速熱退火裝置中對一晶圓進行一第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中該第一制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第一預定數值；以及進行一第二快速熱退火步驟，并監測該制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中該第二制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第二預定數值，其中該第一制程參數范圍大于該第二制程參數范圍。本發明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現。前述的快速熱退火的方法，其中在該制程參數的實測值超出該第二制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。前述的快速熱退火的方法，其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。前述的快速熱退火的方法，其中在該制程參數的實測值超出該第一制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。前述的快速熱退火的方法，其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。前述的快速熱退火的方法，其中所述的制程參數包括該高溫計所測得的溫度。前述的快速熱退火的方法，其中所述的制程參數包括該快速熱退火裝置提供的功率值。前述的快速熱退火的方法，其中所述的第一快速熱退火步驟的操作時間小于該第二快速熱退火步驟的操作時間。本發明的目的及其解決其主要技術問題還采用以下的技術方案來實現。依據本發明提出的一種快速熱退火的方法，適用于快速熱退火裝置，其中該快速熱退火裝置具有一高溫計，用以測量該快速熱退火制程的溫度，該快速熱退火的方法至少包括下列制程步驟將一晶圓置入該快速熱退火裝置的一反應室中；進行一保持溫度步驟，使該反應室維持在一第一溫度；進行一第一升溫步驟，使該反應室由該第一溫度上升至一第二溫度；進行一穩定溫度步驟，使該反應室維持在該第二溫度；進行一第二升溫步驟，使該反應室由該第二溫度上升至一主要制程溫度；維持該主要制程溫度以進行一第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中該第一制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第一預定數值；維持該主要制程溫度以進行一第二快速熱退火步驟，并監測該制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中該第二制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第二預定數值，其中該第一制程參數范圍大于該第二制程參數范圍；以及進行一降溫步驟，以將該反應室由該主要制程溫度下降至該第一溫度。本發明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現。前述的快速熱退火的方法，其中在該制程參數的實測值超出該第二制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。前述的快速熱退火的方法，其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。前述的快速熱退火的方法，其中在該制程參數的實測值超出該第一制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。前述的快速熱退火的方法，其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。前述的快速熱退火的方法，其中所述的制程參數包括該高溫計所測得的溫度。前述的快速熱退火的方法，其中所述的制程參數包括該快速熱退火裝置提供的功率值。前述的快速熱退火的方法，其中所述的第一快速熱退火步驟的操作時間小于該第二快速熱退火步驟的操作時間。本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，本發明快速熱退火的方法，適用于一快速熱退火裝置，其中該快速熱退火裝置具有一高溫計，用以測量快速熱退火制程的溫度，該快速熱退火制程是在快速熱退火裝置中對一晶圓進行第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷此制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中第一制程參數范圍是為第一快速熱退火制程正常進行時的制程參數加減一第一預定數值，接著進行一第二快速熱退火步驟，并監測此制程參數，判斷制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中第二制程參數范圍是為第一快速熱退火制程正常進行時的制程參數加減一第二預定數值，而且第一制程參數范圍大于第二制程參數范圍。并在制程參數的實測值大于第一制程參數范圍或第二制程參數范圍時，使快速熱退火裝置停機以停止第一或第二快速熱退火步驟。而且，在上述較佳實施例中，該快速熱退火制程還可以在第一快速熱退火步驟之前，對晶圓依序進行保持溫度步驟、第一升溫步驟、穩定溫度步驟、第二升溫步驟。并且，在上述較佳實施例中，該快速熱退火制程還可以在第二快速熱退火步驟之前，對晶圓進行降溫步驟。尚且，在上述較佳實施例中，在停止快速熱退火裝置后，更可以將晶圓由快速熱退火裝置取出，并置入另一正常的快速熱退火裝置中以完成快速熱退火制程。由上述可知，由于本發明是將快速熱退火制程分為第一快速熱退火步驟與第二快速熱退火步驟，并在第二快速熱退火步驟中，將第一快速熱退火步驟的第一制程參數范圍調整為較小(亦即是表示較穩定)的第二制程參數范圍，因此，在監測第二快速熱退火步驟時，藉由檢測制程參數的測量值，是否超過第二制程參數范圍，而能夠檢測該快速熱退火制程是否穩定。而且，由于本發明在第二快速熱退火步驟中，當制程參數實測值超過第二制程參數范圍的時候，則將快速熱退火裝置停機以停止第二快速熱退火步驟的進行，因而能夠避免晶圓因不穩定的快速熱退火制程而被破壞。尚且，由于在本發明較佳實施例中，第一快速熱退火步驟的進行時間是較第二快速熱退火步驟的進行時間為短，因該晶圓尚未被不穩定的快速熱退火制程所破壞，在將晶圓由故障的快速熱退火裝置取出后，還可以將晶圓放置到正常的快速熱退火裝置以完成快速熱退火制程。借由上述技術方案，本發明至少具有以下的優點1、由于本發明是將快速熱退火制程分為第一快速熱退火步驟與第二快速熱退火步驟，并在第二快速熱退火步驟中，將第一快速熱退火步驟的第一制程參數范圍調整為較小(亦即是較穩定)的第二制程參數范圍，因此，在監測第二快速熱退火步驟時，藉由檢測制程參數的測量值是否超過第二制程參數范圍，而能夠檢測此快速熱退火制程是否穩定。2、由于本發明在第二快速熱退火步驟中，當制程參數實測值超過第二制程參數范圍的時候，則將快速熱退火裝置停機以停止第二快速熱退火步驟的進行，因而能夠避免晶圓因不穩定的快速熱退火制程而被破壞。3、由于在本發明較佳實施例中，第一快速熱退火步驟的進行時間是較第二快速熱退火步驟的進行時間為短，因此晶圓尚未被不穩定的快速熱退火制程所破壞，在將晶圓由故障的快速熱退火裝置取出后，還可以將晶圓放置到正常的快速熱退火裝置以完成快速熱退火制程。綜上所述，本發明特殊的快速熱退火的方法，其制程主要是在快速熱退火裝置中對一晶圓進行第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中第一制程參數范圍是為第一快速熱退火制程正常進行時的制程參數加減一第一預定數值，接著進行一第二快速熱退火步驟，并監測該制程參數，判斷制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中該第二制程參數范圍是為此制程參數加減一第二預定數值，且第一制程參數范圍大于第二制程參數范圍。本發明快速熱退火的方法，其制程能夠在快速熱退火步驟的初期檢測出該快速熱退火制程的制程穩定性；并能夠在熱退火制程不穩定時，在快速熱退火步驟的初期就停止快速熱退火制程，而可避免晶圓報廢。其具有上述諸多的優點及實用價值，其在加工方法上確屬創新，較現有的快速熱退火的方法具有增進的多項功效，且加工方法簡易，適于實用，具有產業的廣泛利用價值。其在技術發展空間有限的領域中，不論在加工方法上或功能上皆有較大改進，且在技術上有較大進步，并產生了好用及實用的效果，而確實具有增進的功效，從而更加適于實用，誠為一新穎、進步、實用的新設計。上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。圖1是一種現有的快速熱退火裝置的示意圖。圖2是本發明較佳實施例的一種快速熱退火的方法的制程流程示意圖。圖3是本發明較佳實施例的一種快速熱退火裝置的設定溫度曲線對制程時間的示意圖。100快速熱退火裝置102反應室104晶圓106晶圓拖盤108加熱源110高溫計112窗口S200、S202步驟S204、S206步驟S208、S210步驟S212、S214步驟S216、S218步驟302保持溫度步驟304第一升溫步驟306穩定溫度步驟308第二升溫步驟310第一快速熱退火步驟312起始點314第二快速熱退火步驟316降溫步驟具體實施方式以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的快速熱退火的方法其具體制造方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。請參閱圖2、圖3所示，圖2是本發明較佳實施例的一種半導體晶圓的快速熱退火的方法的制程流程示意圖，圖3是本發明較佳實施例的一種半導體晶圓的快速熱退火制程的溫度曲線隨制程時間變化的示意圖。本發明快速熱退火的方法，其包括以下的制程步驟首先，請參閱圖2的步驟S200，將晶圓(圖中未示)加載該快速熱退火裝置(裝置型號AST2800)的反應室中，其中，該快速熱退火裝置可以例如是如同上述圖1所示的快速熱退火裝置，因此在此不再贅述。并且在該晶圓上例如是形成設有由硼磷硅玻璃(BPSG)所形成的內層介電層，并藉由該快速熱退火制程對內層介電層進行熱流(Reflow)。接著，請同時參閱圖2的步驟S202與圖3進行一保持溫度步驟(Holdtemperaturestep)302，以將晶圓在反應室中維持定溫一段時間，如圖3所示，在本發明的較佳實施例中，是將晶圓置入反應室后維持在攝氏400度約20秒左右。接著，請同時參閱圖2的步驟S204與圖3進行一第一升溫步驟(firstrampupstep)304，以將晶圓升溫至一定的溫度，如圖3所示，在本發明的較佳實施例中，該第一升溫步驟是將晶圓以10秒由攝氏400度升溫至攝氏650度左右。接著，請同時參閱圖2的步驟S206與圖3進行一穩定溫度步驟(stabletemperaturestep)306，以將晶圓在反應室中維持定溫一段時間，如圖3所示，在本發明的較佳實施例中，是將晶圓維持在攝氏650度約5秒左右。接著，請同時參閱圖2的步驟S208與圖3進行一第二升溫步驟(secondrampupstep)308，以將該晶圓升溫至進行快速熱退火步驟的主要制程溫度，如圖3所示，在本發明較佳實施例中，該第二升溫步驟是將晶圓以10秒由攝氏650度升溫至攝氏950度左右。接著，請同時參閱圖2的步驟S210與圖3進行一第一快速熱退火步驟(Firstrapidthermalannealingstep)310，將晶圓置于反應室中并維持其主要制程溫度，以對晶圓進行第一階段的快速熱退火，其中，該主要制程溫度例如是攝氏950度，并且第一快速熱退火步驟310是進行約10秒鐘左右。在進行第一快速熱退火步驟310的同時，是設定有一第一制程參數范圍，并監測該第一快速熱退火步驟310的一制程參數，再判斷所得的制程參數的實測值是否超過第一制程參數范圍。其中，該制程參數可以是高溫計(Pyrometer)所測得的溫度值，亦可以是該快速熱退火裝置所提供的功率值。而第一制程參數范圍，則為該第一快速熱退火步驟正常進行時的制程參數加減一第一預定數值所得的范圍。現以制程參數為溫度作說明，本實施例的正常進行時的制程溫度為攝氏950度，則第一制程參數范圍例如是攝氏950度加減20度(第一預定數值)，而成為攝氏930度至970度。接著，請繼續參閱圖2所述，在進行上述第一快速熱退火步驟310的期間，所監測的制程參數的實測值在第一制程參數范圍內時，接著進行步驟S216，亦即是圖3所示的第二快速熱退火步驟(Secondrapidthermalannealingstep)314。該第二快速熱退火步驟314是接續第一快速熱處理步驟310，維持第一快速熱處理步驟310的主要制程溫度，以對晶圓進行第二階段的快速熱退火，并且該第二快速熱退火步驟314是進行約20秒鐘左右。而且，在開始進行第二快速熱退火步驟314的起始點312，是將第一制程參數范圍改變為第二制程參數范圍，并依此來監測該第二快速熱退火步驟的制程參數，再判斷所得的制程參數的實測值是否超過第二制程參數范圍。其中制程參數是與第一快速熱退火步驟的制程參數相同。而第二制程參數范圍，則為第一(以及第二)快速熱退火步驟正常進行時的制程參數加減一第二預定數值所得的范圍。并且，第二制程參數范圍是小于第一制程參數范圍。以本實施例為例，則該第二制程參數范圍例如是攝氏950度加減10度(第二預定數值)，而成為攝氏940度至960度。接著，請同時參閱圖2的步驟S214與圖3在進行第二快速熱退火步驟314的期間，所監測的制程參數的實測值在第二制程參數范圍內時，接著進行一降溫步驟(cooldownstep)316，以將該晶圓的溫度降至一預定的溫度，例如是將溫度降回晶圓置入快速熱退火裝置時的溫度。然后，請參閱圖2的步驟S216，將該晶圓由快速熱退火處理裝置中取出，以完成快速熱退火制程。而且，在圖2的步驟S210與S212(亦即分別是圖3的第一快速熱退火步驟310、第二快速熱退火步驟314)，當制程參數的實測值個別超過第一制程參數范圍、第二制程參數范圍時，則表示該快速熱退火制程的進行并不穩定，因此進行步驟S218，將快速熱退火裝置停機，并接續圖2的步驟S216將晶圓取出。此處值得注意的是，由于將第二制程參數范圍設定為小于第一制程參數范圍，因此，藉由將制程參數限制范圍的縮小，使得在第二制程參數范圍內進行的第二快速熱退火步驟314是屬于較穩定的制程，當快速熱退火產生不穩定的情況時，由于會很容易的超出第二制程參數范圍，因此能夠相對應的將快速熱退火裝置停機，以對晶圓進行及時的處理。尚且，由于該晶圓歷經第一快速熱處理步驟310的時間并不長，即使晶圓在第一快速熱處理步驟310時并不穩定，此時的晶圓尚未被不穩定的快速熱退火制程所破壞，因此在第二快速熱處理步驟314檢測出異常而停機后，將該晶圓移至其它正常的快速熱退火裝置，仍是能夠完成該晶圓的快速熱退火制程。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。權利要求1.一種快速熱退火的方法，適用于一快速熱退火裝置，其中該快速熱退火裝置具有一高溫計，用以測量該快速熱退火制程的溫度，其特征在于該快速熱退火的方法至少包括下列制程步驟在該快速熱退火裝置中對一晶圓進行一第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中該第一制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第一預定數值；以及進行一第二快速熱退火步驟，并監測該制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中該第二制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第二預定數值，其中該第一制程參數范圍大于該第二制程參數范圍。2.根據權利要求1所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中在該制程參數的實測值超出該第二制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。3.根據權利要求2所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。4.根據權利要求1所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中在該制程參數的實測值超出該第一制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。5.根據權利要求4所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。6.根據權利要求1所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中所述的制程參數包括該高溫計所測得的溫度。7.根據權利要求1所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中所述的制程參數包括該快速熱退火裝置提供的功率值。8.根據權利要求1所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中所述的第一快速熱退火步驟的操作時間小于該第二快速熱退火步驟的操作時間。9.一種快速熱退火的方法，適用于一快速熱退火裝置，其中該快速熱退火裝置具有一高溫計，用以測量該快速熱退火制程的溫度，其特征在于該快速熱退火的方法至少包括下列制程步驟將一晶圓置入該快速熱退火裝置的一反應室中；進行一保持溫度步驟，使該反應室維持在一第一溫度；進行一第一升溫步驟，使該反應室由該第一溫度上升至一第二溫度；進行一穩定溫度步驟，使該反應室維持在該第二溫度；進行一第二升溫步驟，使該反應室由該第二溫度上升至一主要制程溫度；維持該主要制程溫度以進行一第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中該第一制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第一預定數值；維持該主要制程溫度以進行一第二快速熱退火步驟，并監測該制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中該第二制程參數范圍是為該第一快速熱退火制程正常進行時的該制程參數加減一第二預定數值，其中該第一制程參數范圍大于該第二制程參數范圍；以及進行一降溫步驟，以將該反應室由該主要制程溫度下降至該第一溫度。10.根據權利要求9所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中在該制程參數的實測值超出該第二制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。11.根據權利要求10所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。12.根據權利要求9所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中在該制程參數的實測值超出該第一制程參數范圍時，停止該快速熱退火裝置。13.根據權利要求12所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中更包括在停止該快速熱退火裝置后，將該晶圓由該快速熱退火裝置取出并置入另一快速熱退火裝置中，以完成該快速熱退火制程。14.根據權利要求9所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中所述的制程參數包括該高溫計所測得的溫度。15.根據權利要求9所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中所述的制程參數包括該快速熱退火裝置提供的功率值。16.根據權利要求9所述的快速熱退火的方法，其特征在于其中所述的第一快速熱退火步驟的操作時間小于該第二快速熱退火步驟的操作時間。全文摘要本發明是關于一種快速熱退火的方法，其制程是在快速熱退火裝置中對一晶圓進行第一快速熱退火步驟，并監測一制程參數，判斷該制程參數的實測值是否超出一第一制程參數范圍，其中第一制程參數范圍是為第一快速熱退火制程正常進行時的制程參數加減一第一預定數值，接著進行一第二快速熱退火步驟，并監測該制程參數，判斷制程參數的實測值是否超出一第二制程參數范圍，其中該第二制程參數范圍是為此制程參數加減一第二預定數值，且第一制程參數范圍大于第二制程參數范圍。本發明制程能夠在快速熱退火步驟的初期檢測出該快速熱退火制程的制程穩定性；并能夠在熱退火制程不穩定時，在快速熱退火步驟的初期就停止快速熱退火制程，而可避免晶圓報廢。文檔編號H01L21/02GK1548591SQ0312366公開日2004年11月24日申請日期2003年5月12日優先權日2003年5月12日發明者張耀元,周世良,李若璽,林宗德,曾國佑,練文政申請人:旺宏電子股份有限公司