專利名稱：半導體器件的制造方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件的制造方法，特別涉及用RTP(快速熱處理)系統對半導體晶片有效進行熱處理的方法。
用RTP設備代替襯底溫度較慢升高和降低的成批熱處理設備進行熱處理，熱處理中使用可以按每秒鐘10℃的速度升高溫度的RTP設備。按此方式，可以用離子注入和熱處理形成淺結。
用RTP設備的情況下，各種技術都可以用在熱處理的方法和設備中，以使半導體晶片的面內溫度均勻。
例如，日本特許公開No.6-260426公開了以下的方法和設備。即，在多個不同的點設置用高溫度計測得的溫度，例如，在半導體晶片周圍的多個點和離開半導體晶片中心長度等于晶片半徑70％處的多個點設置用高溫度計測得的溫度，并加熱半導體晶片，在加熱處理和保持高溫的期間內多個測量點的溫差控制在5℃范圍內。
而且，美國專利No5920797公開了通過控制半導體晶片的中心部分與周圍部分之間的溫差以減小直徑為300mm的半導體晶片加熱時的應力的方法。
用燈加熱的RTP設備中，用所謂的閉環控制，其中，用高溫度計監測半導體晶片的溫度，并將測量結果反饋到燈電源，由此控制半導體晶片的溫度。
半導體晶片溫度低于500℃的溫度范圍內，構成半導體晶片的單晶硅對波長范圍在1到5μm的光的吸收較弱。因此，測量波長范圍在0.8到2.5μm的光的高溫度計肯定能檢測到背景光，例如，波長在紅外線范圍其峰值約為1μm的鹵燈的光。結果，出現了不能精確測量半導體晶片的溫度的問題。
為了解決該問題，在半導體晶片的溫度低于500℃的加熱處理中，用所謂的開環控制，其中預先確定加熱半導體晶片的燈的電功率。之后，當半導體晶片的溫度達到約500℃時，開環控制轉換成閉環控制，之后加熱到高于500℃，并在預定的最終溫度保持預定的時間進行主處理。
但是，由于在RTP處理過程中旋轉半導體晶片而使半導體晶片的面內溫度保持均勻，在半導體晶片出現翹曲的情況下，在RTP處理中半導體晶片將從設備的載物臺上掉下來，造成半導體晶片破碎。
在采用直徑為300mm的半導體晶片的情況下，半導體晶片加熱時的晶片面內溫度變得不均勻，半導體晶片翹曲量的絕對值大于其直徑為200mm以下的半導體晶片的翹曲量的絕對值。而且，與在500℃或更高溫度下的加熱處理、主處理和用閉環的冷卻處理相比，在用開環控制的低于500℃的溫度下的加熱處理中，半導體晶片的面內溫度容易出現不均勻。
如上所述，對直徑為300mm的半導體晶片進行RTP處理時，在用開環控制的低于500℃的溫度下的加熱處理中，由于半導體晶片的翹曲而使半導體晶片破碎的問題變得特別明顯。
本發明的目的是，提供一種防止直徑為300mm的半導體晶片在RTP設備中破碎的技術。
通過參見本說明書的附圖所進行的描述，本發明的上述的和其它的目的、優點和新特征將變得很清楚。
本申請公開的發明的典型情況描述如下。
本發明中，RTP處理包括用單個晶片處理方式對直徑為300mm的半導體晶片進行加熱處理，在預定的最終溫度保持預定時間的主處理時，進行冷卻處理，用高溫度計測量半導體晶片的溫度，在低于500℃的溫度下的加熱處理中，進行開環控制，使半導體晶片的面內溫差控制在90℃內，在500℃以上的溫度的加熱處理和主處理中進行閉環控制。
本發明中，RTP處理包括用單個晶片處理方式對直徑為300mm的半導體晶片進行加熱處理，在預定的最終溫度保持預定時間的主處理時，進行冷卻處理，用第一測量波長的第一高溫度計測量在低于500℃的溫度下的加熱處理中的半導體晶片的溫度，用與第一測量波長不同的第二測量波長的第二高溫度計測量在500℃或高于500℃的溫度下的加熱處理中的半導體晶片的溫度，在各個溫度范圍的加熱處理中都用閉環控制。
第一實施例
圖1是顯示按本發明第一實施例的設置在RTP設備中的半導體晶片和高溫度計的配置示意圖。注意，雖然沒有表示出具有紅外范圍的其峰值約1μm的鹵燈用作RTP設備熱源的一個例子。
在RTP設備中，沿半導體晶片SW1的半徑按大致是一致的間隔設置5個高溫度計T1到T5，它們的測量波長例如是0.8到2.5μm。此外，按高溫度計T1到T5的位置將導體晶片SW1分割成5個區而得到的每個區的溫度可以用鹵燈單獨控制。半導體晶片SW1的直徑為300mm，在RTP處理過程中旋轉半導體晶片SW1，以改善半導體晶片SW1的面內溫度均勻性。
圖1中，以有5個高溫度計T1到T5的RTP設備E1為例。但是，高溫度計的數量不限于5個，而且，RTP設備E1中設置的高溫度計的數量必須將半導體晶片SW1的面內溫差控制在預定的范圍內。而且，高溫度計的配置不限于圖1所示的按常規間隔的配置。
注意，半導體晶片SW1的面內溫差表示用高溫度計T1到T5測到的溫度之間的最大溫差，通過改變鹵燈的燈功率的設置條件來調節溫差。
圖2是顯示用圖1所示的5個高溫度計測量的RTP處理中直徑為300mm的半導體晶片中的溫度分布的曲線圖。
在半導體晶片SW1的溫度是500℃或以上的加熱處理中，主處理中半導體晶片SW1的溫度是1100℃，用高溫度計T1到T5測量半導體晶片SW1的溫度，測量結果反饋到鹵燈的燈電源，由此控制半導體晶片SW1的溫度(閉環控制)。按此方式，可以在半導體晶片SW1中獲得大致均勻的面內溫度。
相反，半導體晶片SW1的溫度低于500℃的加熱處理時，由于高溫度計T1到T5測量背景光，例如，鹵燈光，因而不能精確監測半導體晶片SW1的溫度。而且，預先設置鹵燈的燈功率，按設置的燈功率加熱半導體晶片SW1(開環控制)。為此，在半導體晶片SW1中常常會出現面內溫差。
圖3是顯示在低于500℃的溫度下的加熱處理中用開環控制的直徑為300mm的半導體晶片的面內溫差的曲線圖。圖3中實線表示第一半導體晶片的面內溫差，點劃線表示第二半導體晶片的面內溫差。在第一和第二半導體晶片的溫度測量中用圖1所示的5個高溫度計。設置鹵燈的燈功率，以使第一和第二半導體晶片的溫度在20秒內達到約500℃。第一和第二半導體晶片的鹵燈設置條件不同。
第二半導體晶片中的面內溫差控制在50℃內，它的溫度在20秒內達到約500℃而不會損壞。之后，在開環控制轉換到閉環控制后，第二半導體晶片加熱，之后，進行在1100℃的溫度下的主處理。
然而，當面內溫差在大約12秒鐘達到90℃時，第一半導體晶片從RTP設備的載物臺上掉下來而損壞。隨后，由于高溫度計直接測量鹵燈發射的光，造成面內溫差極高和極低。
但是，用開環控制在低于500℃的溫度下進行加熱處理半導體晶片的面內溫差達到90℃以上時，認為由于半導體晶片翹曲常常會從RTP設備的載物臺上掉下來。因此，為了防止直徑為300mm的半導體晶片損壞，必須用開環控制將在低于500℃的溫度下進行加熱處理的半導體晶片的面內溫差控制在90℃內。
以下說明的3種方法，是用開環控制在低于500℃的溫度下進行加熱處理的半導體晶片的面內溫差控制在90℃內的控制方法。
以下說明第一方法，即，用除高溫度計以外的其它溫度計，例如熱電偶，預先獲得在200℃到500℃的溫度范圍內的半導體晶片與多個鹵燈的燈功率之間的關系。之后，適當設置每個鹵燈的燈功率條件，由此，將半導體晶片的面內溫差控制在90℃內。例如，其中插入有熱電偶的半導體晶片可以用作要測量溫度的半導體晶片。該方法中，半導體晶片可以達到較高的加熱速率，例如，在低于500℃和500℃或以上的溫度范圍每秒鐘可以升高10℃。
以下說明第二種方法，即，在低于500℃的溫度范圍內裝在RTP設備的處理室內的半導體晶片的加熱速率設置成較低，例如，逐漸升高多個鹵燈的燈功率，而使加熱速率低于每秒升高10℃。這樣做，可以將半導體晶片的面內溫差控制在90℃內。該方法中，可以將全部鹵燈的燈功率條件設置成彼此相等。此外，還可以在500℃以上的溫度范圍將半導體晶片的加熱速率設置的較高，例如每秒升高10℃或以上。
以下說明第三種方法。即，從高溫度計測量的值減去因鹵燈燈光引起的溫度升高量，而獲得半導體晶片的溫度。這樣做，可以將半導體晶片的面內溫差控制在90℃內。得出高溫度計測量的溫度值中由鹵燈燈光引起的溫度升高與半導體晶片溫度的關系，并預先獲得它的特性，將獲得的特性裝載到溫度控制系統中。按該方法，即使在低于500℃的溫度范圍內也可以獲得半導體晶片的面內溫差。
以下將用圖4到8所示的半導體襯底的主要部分的剖視圖描述應用本發明的CMOS(互補金屬氧化物半導體)器件的制造方法。
首先，如圖4所示，制備用P型單晶硅構成的半導體襯底1，半導體襯底1是處理成直徑為300mm的薄圓片形的半導體晶片。之后，在半導體襯底1上的器件隔離區內形成器件隔離槽。之后，用深腐蝕法(etchback)CMP(化學機械拋光)法拋光在半導體襯底1上用CVD(化學氣相淀積)法形成的氧化硅膜，以除去器件隔離槽內的氧化硅膜。按此方式形成器件隔離2。
之后，用光刻膠圖形作掩模給半導體襯底進行雜質離子注入，以形成P阱3和n阱4。P型雜質，例如硼，離子注入到P阱3，n型雜質，例如磷，離子注入到n阱4。之后，每個阱區離子注入控制MISFET(金屬-絕緣體-半導體場效應晶體管)閾值的雜質。
之后，用以鹵燈作熱源的單個晶片型的RTP設備，在半導體襯底1的表面上形成2nm厚的要成為柵絕緣膜5的氧化硅膜。
首先，半導體襯底1裝入單個晶片型的RTP設備，之后，用開環控制使半導體襯底1的溫度升高到約500℃，其中，半導體襯底1的面內溫差控制在90℃內。之后，在半導體襯底1的溫度達到500℃時，開環控制轉換成閉環控制，半導體襯底1再加熱到900℃。隨后，在900℃下對半導體襯底1進行預定時間的熱氧化處理，斷開鹵燈的電源，冷卻半導體襯底1。之后，當半導體襯底1的溫度下降到約150℃到200℃時，從單個晶片型的RTP設備取出半導體襯底1。
如圖5所示，順序淀積構成柵電極的多晶硅膜和構成頂層絕緣膜的氧化硅膜，以形成疊層膜。之后，用光刻膠圖形作掩模，腐蝕疊層膜，由此形成柵電極6和頂層絕緣膜7。
隨后，n型雜質，例如砷，離子注入P阱3，由此，在P阱3上的柵電極6的兩邊上形成n型外延區8a，按與柵電極6自對準的方式形成n型外延區8a。同樣，P型雜質，例如砷氟化硼，離子注入n阱4，由此，在n阱4上的柵電極6的兩邊上形成P型外延區9a，按與柵電極6自對準的方式形成P型外延區9a。
之后，用CVD法在半導體襯底1上淀積氧化硅膜。并對氧化硅膜進行各向異性腐蝕，以在柵電極6的側壁上形成側壁隔離層10。
隨后，n型雜質，例如砷，離子注入P阱3，由此，在P阱3上的柵電極6的兩邊上形成n型擴散區8b，按與柵電極6和側壁隔離層10自對準的方式形成n型擴散區8b，由n型外延區8a和n型擴散區8b構成的n型半導體區8起n溝道MISFET Qn的源和漏的作用。
同樣，P型雜質，例如砷氟化硼，離子注入n阱4，由此，在n阱4上的柵電極6的兩邊上形成P型擴散區9b，按與柵電極6自對準的方式形成P型區9b。，由P型外延區9a和P型擴散區9b構成的P型半導體區9起P溝道MISFET Qp的源和漏的作用。
隨后，用單個晶片型的RTP設備對半導體襯底1進行熱處理，以激勵離子注入的雜質進入半導體襯底1。
首先，半導體襯底1裝入單個晶片型的RTP設備，之后，用開環控制使半導體襯底1的溫度升高到約500℃，其中，半導體襯底1的面內溫差控制在90℃內。之后，在半導體襯底1的溫度達到500℃時，開環控制轉換成閉環控制，半導體襯底1再加熱到1000℃。隨后，在1000℃下對半導體襯底1進行預定時間的熱氧化處理，斷開鹵燈的電源，冷卻半導體襯底1。之后，當半導體襯底1的溫度下降到約150℃到200℃時，從單個晶片型的RTP設備取出半導體襯底1。
之后，如圖6所示，用濺射法，在半導體襯底1上淀積10nm到20nm厚的鈷膜。隨后用單個晶片型的RTP設備對半導體襯底1進行熱處理。這樣做，在要形成n溝道MISFET Qn的源和漏的n型半導體區8的表面上和要形成p溝道MISFET Qp的源和漏的P型半導體區9的表面上選擇形成約30nm厚的硅化物層11。
首先，半導體襯底1裝入單個晶片型的RTP設備，之后，用開環控制使半導體襯底1的溫度升高到約500℃，其中，半導體襯底1的面內溫差控制在90℃內。之后，開環控制轉換成閉環控制，使半導體襯底1的溫度保持在500℃，在500℃對半導體襯底1進行預定時間的主處理。之后，斷開鹵燈的電源，冷卻半導體襯底1。之后，當半導體襯底1的溫度下降到約150℃到200℃時，從單個晶片型的RTP設備取出半導體襯底1。
之后，如圖7所示，除去沒有反應的鈷膜，用單個晶片型的RTP設備對半導體襯底1進行熱處理。以減小硅化物層11的電阻。
首先，半導體襯底1裝入單個晶片型的RTP設備，之后，用開環控制使半導體襯底1的溫度升高到約500℃，其中，半導體襯底1的面內溫差控制在90℃內。之后，在半導體襯底1的溫度達到500℃時，開環控制轉換成閉環控制，半導體襯底1再加熱到800℃。隨后，在800℃下對半導體襯底1進行預定時間的熱氧化處理，斷開鹵燈的電源，冷卻半導體襯底1。之后，當半導體襯底1的溫度下降到約150℃到200℃時，從單個晶片型的RTP設備取出半導體襯底1。
之后，如圖8所示，半導體襯底1上形成氧化硅膜12后，用例如CMP法拋光氧化硅膜12，以使氧化硅膜12的表面平整。隨后，用光刻膠圖形作掩模進行腐蝕，在氧化硅膜12中形成接觸孔13。在例如n型半導體區8上和P型半導體區9上的規定區上形成這些接觸孔13。
隨后，用例如CVD法在半導體襯底1的整個表面上和接觸孔13中形成氮化鈦膜，并用CVD法形成鎢膜以填充接觸孔13。之后，用CMP法除去接觸孔13外邊的氮化鈦膜和鎢膜，以在接觸孔13中形成有用鎢膜構成的主導電層的柱塞14。
隨后，半導體襯底1上形成鎢膜后用光刻膠圖形作掩模腐蝕處理鎢膜，以形成第一布線層15。用CVD法厚濺射法形成鎢膜。
隨后，形成絕緣膜，例如氧化硅膜，以覆蓋布線15，用CMP法拋光絕緣膜，以形成有平整表面的層間絕緣膜16。隨后，用光刻膠圖形作掩模，在層間絕緣膜16的預定位置中形成接觸孔17。
隨后，在半導體襯底1的整個表面上和接觸孔17中形成阻擋層，之后，形成銅膜填充接觸孔17。氮化酞膜，鉭膜，或氮化鉭用作阻擋金屬層，用CVD法或濺射法形成阻擋金屬層。用鍍覆法形成用作主導電層的銅膜。可以在用鍍覆法形成銅膜之前，用例如CVD法或濺射法形成作為籽層的薄銅膜。然后，用CVD法除去接觸孔17外邊的銅膜和金屬阻擋層，以在接觸孔17中形成柱塞18。
之后在半導體襯底1上形成停止絕緣層19，之后，在其上形成構成布線的絕緣膜20。例如，氮化硅膜用作停止絕緣膜19，氧化硅膜用作絕緣膜20。之后，用光刻膠圖形作掩模，在停止絕緣膜19和絕緣膜20的預定位置中形成布線槽21。
隨后，在半導體襯底1的整個表面上和布線槽21中形成阻擋金屬層，之后，形成銅膜以填充布線槽21。之后，用CMP法除去布線槽21外邊的銅膜和阻擋金屬層。這樣做，在布線槽21中形成有以銅膜作主導電層的第二布線層22。之后，在其上再形成布線，因此，幾乎制成了CMOS器件。但是，不再對其顯示和描述。
注意，正如已經描述過的第一實施例中，在低于500℃的溫度的加熱處理中，當用開環控制半導體晶片的面內溫差達到90℃以上時，會出現由于半導體晶片翹曲而使半導體晶片損壞的情況。但是，應當考慮的是，在500℃以上的溫度下進行加熱處理、在主處理和用閉環控制的冷卻處理中，當半導體晶片的面內溫差達到90℃以上時，半導體晶片也會因翹曲而損壞。因此，即使在500℃以上的溫度下進行加熱處理、在主處理和用閉環控制的冷卻處理中，必須將半導體晶片的面內溫控制到90℃內。
而且，在第一實施例中，按幾乎一致的間隔配置高溫度計T1到T5。但是，也可以按各種間隔配置這些高溫度計。
而且，已經描述了按本發明第一實施例的本發明用于CMOS器件的制造方法。但是，本發明也能用于其它類型的半導體器件的制造方法中。而且能達到相同的效果。
如上所述，按本發明的第一實施例，用設置有高溫度計的RTP設備對直徑為300mm的半導體襯底進行熱處理的情況下，在半導體晶片的溫度低于500℃的熱處理中，用開環控制將半導體晶片的面內溫差控制在90℃內，在500℃以上對半導體晶片進行熱處理和主處理中用閉環控制。這樣做可以減少半導體晶片翹曲。因而能防止半導體晶片從RTP設備的載物臺上掉下來。結果，可以防止半導體晶片損壞。
第二實施例圖9是顯示本發明另一實施的半導體晶片和RTP設備的剖視圖。
RTP設備E2設置有作為加熱系統的鹵燈。RTP設備E2在RTP處理過程中有旋轉半導體晶片SW2的功能。該RTP設備可以對直徑為300mm的半導體晶片SW2進行熱處理。
此外，RTP設備E2設置有不同測量波長的兩種高溫度計，即，第一組高溫度計T6到T10，和第二組高溫度計T11到T15。采用第一組高溫度計T6到T10在500℃以下通過閉環控制對半導體晶片進行溫度控制，采用第二組高溫度計T11到T15在500℃或500℃以上通過閉環控制對半導體晶片進行溫度控制。
更具體的說，通過去除1到5μm的波長范圍獲得第一組高溫度計T6到T10的測量波長，高溫度計T6到T10可以在200到500℃的溫度范圍測量半導體晶片SW2的溫度而不受例如鹵燈RA發射的背景光的影響。而且，第二組高溫度計T11到T15的測量波長例如是0.8到2.5μm，高溫度計T11到T15可以測量500℃以上的溫度。
因此，半導體晶片SW2的溫度低于500℃的加熱處理中，用第一組高溫度計T6到T10測量半導體晶片SW2的溫度，半導體晶片SW2在高于500℃的溫度的加熱處理和主處理中，用第二組高溫度計T11到T15測量半導體晶片SW2的溫度。每個測量結果反饋到鹵燈的燈電源。這樣做對半導體晶片SW2進行溫度控制。結果，在半導體晶片SW2中能達到均勻的面內溫差。因此，可以防止半導體晶片SW2因翹曲而損壞。
圖9所示的RTP設備E2設置有第一組高溫度計T6到T10和第二組高溫度計T11到T15。但是，每組高溫度計的數量不限于5個，第一組高溫度計和第二組高溫度計的數量必須將半導體晶片SW2的面內溫差控制在RTP設備E2內設置的預定范圍內。
以上已在實施例的基礎上集中描述了本發明人所做的發明。但是，不用說，本發明不受這些實施例的限止，在發明范圍內還會有各種改進和替換。
例如，所述的實施例中，RTP設備用鹵燈的加熱系統，有其它加熱系統，例如，激光加熱系統、電子束加熱系統，和離子束加熱系統的RTP設備也可以用于本發明，而且能達到相同的優點。
以下著重描述本申請公開的發明的典型情況所獲得的優點。
用高溫度計測量半導體晶片的溫度，在半導體晶片溫度低于500℃的溫度的加熱處理中用開環控制，將半導體晶片的面內溫差控制在90℃內，在半導體晶片溫度高于500℃的溫度的加熱處理和主處理中用閉環控制。或者，用有不同測量波長的高溫度計分別測量半導體晶片溫度低于500℃的溫度范圍和半導體晶片溫度高于500℃的溫度范圍的半導體晶片的溫度，并在各個溫度范圍內用閉環控制。按此方式，即使對直徑為300mm的半導體晶片進行RTP處理，也能減少半導體晶片翹曲，可以防止半導體晶片從RTP設備的載物臺上掉下來，以防止半導體晶片損壞。
權利要求
1.一種半導體器件的制造方法，其中，熱處理包括用單個晶片處理方式對直徑為300mm的半導體晶片進行加熱處理、在預定的最終溫度保持預定時間的主處理和進行冷卻處理，其中，在熱處理中半導體晶片的面內溫差控制在90℃內。
2.按權利要求1的半導體器件制造方法，其中，加熱處理中的加熱速度是每秒鐘升高10℃以上。
3.一種半導體器件的制造方法，其中，熱處理包括用單個晶片處理方式對直徑為300mm的半導體晶片進行加熱處理、在預定的最終溫度保持預定時間的主處理和進行冷卻處理，其中，用高溫度計測量半導體晶片的溫度，半導體晶片溫度低于500℃的加熱處理中，半導體晶片的面內溫差控制在90℃內。
4.按權利要求3的半導體器件制造方法，其中，半導體晶片溫度低于500℃的加熱處理中，用開環控制。
5.按權利要求4的半導體器件制造方法，其中，半導體晶片溫度在500℃或高于500℃的加熱處理中，用閉環控制。
6.按權利要求4的半導體器件制造方法，其中，半導體晶片溫度低于500℃的加熱處理中，用與高溫度計不同的溫度計預先獲得開環控制的設定條件。
7.按權利要求6的半導體器件制造方法，其中，加熱處理中的加熱速度是每秒鐘升高10℃以上。
8.按權利要求4的半導體器件制造方法，其中，半導體晶片溫度低于500℃的加熱處理中的加熱速度低于半導體晶片溫度在500℃或高于500℃的加熱處理中的加熱速度。
9.按權利要求8的半導體器件制造方法，其中，半導體晶片溫度低于500℃的加熱處理中的加熱速度低于每秒鐘升高10℃；半導體晶片溫度在500℃或高于500℃的加熱處理中的加熱速度是每秒鐘升高10℃以上。
10.一種半導體器件的制造方法，其中，熱處理包括用單個晶片處理方式對直徑為300mm的半導體晶片進行加熱處理、在預定的最終溫度保持預定時間的主處理和進行冷卻處理，其中，半導體晶片溫度低于500℃的和熱處理中用有第一測量波長的第一高溫度計測量半導體晶片的溫度，半導體晶片溫度在500℃或高于500℃的加熱處理中用有與第一測量波長不同的第二測量波長的第二高溫度計測量半導體晶片的溫度。
11.按權利要求10的半導體器件制造方法，其中，加熱處理中的加熱速度是每秒鐘升高10℃以上。
12.按權利要求10的半導體器件制造方法，其中，半導體晶片溫度低于500℃和半導體晶片溫度在500℃或高于500℃的加熱處理中都進行閉環控制。
全文摘要
公開一種防止直徑為300mm的半導體晶片在RTP設備中損壞的技術。當對直徑為300mm的半導體晶片進行包括加熱處理、在預定的最終溫度保持預定時間的主處理和冷卻處理的RTP處理時，用高溫度計測量半導體晶片的溫度，在低于500℃的加熱處理中，用開環控制將半導體晶片的面內溫差控制在90℃內，在溫度為500℃或高于500℃的加熱處理中以及在主處理中用閉環控制。按此方式可以減少半導體晶片翹曲和防止半導體晶片損壞。
文檔編號H01L21/00GK1453836SQ0312260
公開日2003年11月5日 申請日期2003年2月10日 優先權日2002年4月26日
發明者鈴木匡, 石田忠美, 清水幹郎 申請人:聯晶半導體股份有限公司