工件構圖方法和裝置的制作方法

專利名稱：工件構圖方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發明一般涉及獲得改進圖像的技術。特別是涉及利用計算機控制的具有改進的虛擬網格的成像配置如空間光調制器(SLM)的光刻方法。本發明還涉及包含這一方法的工件構圖裝置。
背景技術：
光刻生產應用于集成電路、掩膜、分劃板、平板顯示器、微機械或微光學器件和包裝器件，例如引線框架及MCM中。光刻生產可以包括把來自計算機控制的分劃板的母版圖案成像在工件上的光學系統。合適的工件包括一電磁輻射敏感層，例如可見光或不可見光。在WO 9945435中描述了這一系統的例子，該發明和本發明為同一發明人及申請人。
所述計算機控制的分劃板可以是例如包括一維或二維反射式可移動微反射鏡陣列或矩陣的空間光調制器(SLM)，一維或二維透射式LCD晶體陣列或矩陣，或者其它類似可編程的基于光柵效果、干涉效果的一維或二維陣列或機械元件，例如快門等。
通常，圖案質量可以通過多路寫入而得到提高。但是，通過多路寫入提高的圖案質量有幾個不同的方面，并不是都同時必須。首先，可以在幾個通路中比在單個通路產生更精細的地址網格。其次，具有偏置網格的多通路可以除去由于受像素尺寸限制而產生的網格效果。
第三，由于多通路可以按統計規律地減少隨機的誤差(例如光路中的偽影、曝光劑量的干擾、用于成像的光束或視場錯位)，例如四通路把隨機劑量誤差影響減少到原來的1/2(4的平方根)。第四，系統誤差(例如要寫入的圖案的角部的劑量的下降、變形和焦點平面彎曲)可以通過寫入視場間的偏置來減小。第五，通過多個寫通路，可以較好地校正壞像素。第六，許多多通路方案給出弱化的邊緣且保持邊緣銳度是多通路方案想要達到的性能。
可以設計不同的光柵化多通路方案，但是存在尋找能同時在所有上述六個方面都有改進的方案的問題。
圖3a示出了一種已知的產生虛擬網格的方法。在圖3a中示出了7行5列的像素陣列。最左側兩列的像素設定為最大灰度值。最右側的兩列像素設定為最小灰度值。中間列的像素設定為中間灰度值。圖3a是為了產生虛擬網格而在單通路中的特征邊緣像素301的模擬調制的例子。在所述中間列中的所有像素設定為相同值。
圖3b示出了另一個已知的產生虛擬網格的方法。在這一方法中四個寫入通路305用對半劑量(例如100％、50％、25％、12.5％)寫入。在一單通路中的所有像素設定為相等的灰度級值。通過接通在至少一個寫通路中的特征邊緣像素的列而產生虛擬網格，在圖3b中的特征邊像素的列是在頂部寫通路和從底部起的第二寫通路接通。
圖3c示出了又一個已知的產生虛擬網格的方法。在這一方法中，所有四個寫通路305都以相同的劑量寫入。至少一個寫通路中的特征邊緣像素列304被接通，圖3c圖示的是底部寫通路和從底部起的第二寫通路被接通。
圖4a示出了再一個已知的產生虛擬網格的方法，在這一方法中，四個401寫通路以相同的劑量偏置寫入，不同的寫通路相對于原點402的偏置關系在圖4a中示出。通過僅在某些通路中接通邊緣像素403、要寫的特征的一個邊可以被精確定位。
圖4b示出了又一個已知的產生虛擬網格的方法。這一方法利用了特征邊緣像素和偏置通路的模擬調制組合，其給出了在每一通路中的不同的模擬值404。
圖5a示出了在單一通路寫入策略中四個像素的寫網格。用501表示的標記設置在網格的中間。
圖5b示出了偏置不同寫通路的已知的方法。這里，使用了四個通路，其中兩個相對于另兩個在平行于像素網格的兩個垂直方向偏置了由一半像素尺寸限定的距離。通過偏置在多寫策略中的不同的寫通路可以或多或少有效地隱藏成像的缺陷。
圖5c示出了另一個偏置不同的寫通路以隱藏網格的已知方法。在本實施例中，所有的寫通路相互間都相對其它的進行了偏置。一個寫通路只在第一方向偏置，另一寫通路在垂直于所述第一方向的第二方向偏置，并且一個通路同時在所述第一方向和所述第二方向偏置。在所述第一方向和所述第二方向的偏置示出為一半的像素尺寸。
很明顯通過增加通路的數量可以得到更好的圖案保真度，但是費用也隨之增加。雙倍的通道數量就會使每個制作工件的圖案生成器的投資及操作費用翻番，并且在很多情況下在經濟上是不可行的。
通常，計算機控制的分劃板可以用來用各種方法成像。這些分劃板例如SLM包括許多調制元素或像素，在一些實例中，包括百萬或更多的像素。
在和本發明具有共同發明人的WO 99/45440中，描述了具有改進的地址分辨率的圖案生成器。在所述申請中，像素可以設定為大于2的若干狀態，其中一種類型的像素圖在圖案特征內，另一種類型的像素圖在圖案特征外，中間像素圖在圖案特征邊界處。中間像素圖是根據網格中的邊界位置按比投射到工件上的SLM的像素的位置更精細而產生的。
由于要印到晶片上的圖案的線寬度及兩條線之間的空間非常小，所以對印制方法和使用所述方法的裝置提出很多要求。利用提供一個過于粗糙的地址網格的SLM可限制其在光學成像中應用的可獲得的分辨率和精度，例如在一工件上的印制圖案的生產可能被其線寬度和精度所限制。
因此，在本領域中需要一種方法，其進一步精調產生在工件上的圖像元素的邊緣的位置。同樣，在本領域中需要改進多通路平均化的影響，即，減小通路數量改進特征邊緣的精調。

發明內容
從上述背景的觀點來看，在工件上產生的圖像中元素的邊緣位置的精調是達到線寬度在使用單通路或多通路寫入方式時都在亞微米范圍內的關鍵。
本發明適用于根據數字化輸入數據文件來構圖工件，例如掩膜、半導體晶片、光電子器件、微光學器件、磁器件、超導器件、顯示器件和電連接結構例如MCMS的寫入。本發明與寫入機制無關，適用于激光光束和其它電磁輻射束、電子或其它充電粒子束。可以將束廣泛地理解成使例如使用SLM、光電管投射的投射區域的印制方法都包含在內。非傳統的寫機制也包含在內，例如原子束、多光子處理、糾纏光子(entangled photon)、近場效應、來自掃描頭的直流曝光和熱曝光。
因此，本發明的一個目的是提供一種元素邊緣精調的改進方法。
在第一實施例中，本發明提供一種在對電磁輻射敏感的工件上構圖的方法。電磁輻射被發射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上。像素根據數字描述設置在所述計算機控制的分劃板上。在所述工件上產生一個所述計算機控制的分劃板圖像，其中在所述計算機控制的分劃板內的所述像素沿至少一個特征邊緣的一部分以交替狀態設置，以產生一個較小的地址網格。
在本發明的另一實施例中在所述計算機控制的分劃板內沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于像素的一維線。
在本發明的又一實施例中所述圖像在一個寫通路中產生。
在本發明的還一實施例中所述圖像通過多個寫通路產生。
在本發明的再一實施例中在所述計算機控制的分劃板內沿至少一個特征邊緣的所述像素以不同于所述多個寫通路地設置。
在本發明的另一實施例中，在第一寫通路中，至少沿至少一個特征邊緣的一個第一像素設定為第一灰度值并且由設定成至少一個其它灰度值的像素圍繞，并且在至少一個其它寫通路中，至少沿所述至少一個特征邊緣的一個第二像素設定成所述第一灰度值并且圍繞有設定成至少一個其它灰度值的像素。
在本發明的又一個實施例中四個寫通路產生圖案。
在本發明的再一個實施例中不同寫通路中的設定為所述第一灰度值的像素不重疊。
在本發明的又一實施例中所述圍繞像素設定為相同的灰度值。
在本發明的還一實施例中所述圍繞像素設定為不同的灰度值。
在本發明的再一實施例中在所述計算機控制的分劃板中沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于具有兩像素寬度的一條像素線。
在本發明的另一實施例中在所述計算機控制的分劃板中沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于具有三像素寬度的像素線。
在本發明的又一實施例中所述像素是SLM中的微鏡。
在本發明的還一實施例中所述像素是透射的。
本發明的另一方面是提供一種精調元素邊緣的改進裝置。
在第一實施例中，本發明提供一種在對電磁輻射敏感的工件上構圖的裝置。所述裝置包括一發射電磁輻射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上的一個輻射源、在所述工件上產生一個所述計算機控制的分劃板的圖像的投射系統，其中在所述計算機控制的分劃板內的所述像素沿至少一個要構圖的元素的至少一個部分邊界以交替狀態設置，以便精調要形成在工件上的所述圖案中的所述元素的邊的位置。
在本發明的第一實施例中在所述計算機控制的分劃板內沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于像素的一維線。
在本發明的另一實施例中所述圖像在一個寫通路中產生。
在本發明的又一實施例中所述圖像通過多個寫通路產生。
在本發明的還一實施例中在所述計算機控制的分劃板內沿至少一個特征邊緣的所述像素各不相同地設置在所述多個寫通路中。
在本發明的再一實施例中，在第一寫通路中，沿至少一個特征邊緣部分的至少一個第一像素設定成第一灰度值并且由設定成至少一個第二灰度值的像素圍繞，并且在至少一個第二寫通路內沿所述特征邊緣的所述部分的至少一個第二像素設定為所述第一灰度值并且圍繞有設定為至少所述第二灰度值的像素。
在本發明的另一個實施例中通過四個寫通路產生圖案。
在本發明的又一個實施例中不同寫通路中設定為所述第一灰度值的所述像素不重疊。
在本發明的還一個實施例中在不同寫通路中設定為所述第一灰度值的所述像素分開至少一個像素的間隔。
在本發明的再一實施例中所述圍繞像素設定為相同的灰度值。
在本發明的另一實施例中所述圍繞像素設定為不同的灰度值。
在本發明的又一實施例中在所述計算機控制的分劃板中的沿至少一個特征邊緣一部分的像素屬于具有兩像素寬度的像素線。
在本發明的還一實施例中在所述計算機控制的分劃板中的沿至少一個特征邊緣的像素屬于具有三像素寬度的像素線。
在本發明的再一實施例中所述像素是SLM中的微鏡。
在本發明的另一實施例中所述計算機控制的分劃板是一個透射式SLM。
本發明的另一方面是提供一由較精細的地址網格構圖的改進晶片。
在第一實施例中，本發明提供一包括至少一個集成電路的半導體晶片，其中所述至少一個集成電路是通過將電磁輻射發射到至少一個寫通路中的具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上而圖案化的，在所述計算機控制的分劃板中的所述像素根據數字描述進行設置，所述計算機控制的分劃板的一個圖像在所述晶片上產生，其中在所述計算機控制的分劃板中的所述像素沿至少一個特征邊緣一部分以交替狀態設置以產生較小的地址網格。
本發明的又一方面是提供一種改進的掩膜，該掩膜是由較精細的地址網格構圖的。
本發明的第一實施例提供一種包括要印制到工件上圖案的掩膜，其中掩膜的基片是通過電磁輻射發射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上在至少一個寫通路中構圖的，在所述計算機控制的分劃板中的所述像素是根據數字描述設置的，所述計算機控制的分劃板的一個圖像在所述掩膜基片上產生，其中所述計算機控制的分劃板中的所述像素是沿至少一個特征邊緣一部分以交替狀態設置以產生較小的地址網格。
本發明的還一方面是提供一種精調要成像元素邊緣的改進方法。
在本發明的第一實施例中，提供一種根據數據文件描述在表面上成像圖案的方法，其中提供多個寫通路，在至少兩個通路中的像素的網格是偏置的，在不同通路中的邊緣像素的值被控制，且在至少兩個通路間的邊緣像素值由預定的光柵化規則進行調整以優化邊緣的質量。
在本發明的另一實施例中，所述邊緣質量限定為邊緣粗糙度。
在本發明的又一實施例中，所述邊緣質量限定為邊緣銳度。
在本發明的還一實施例中，所述邊緣質量限定為臨界尺寸控制(CDC)。
在本發明的再一實施例中，在至少一個通路中的所述至少兩個相鄰邊緣像素具有不等值。
在本發明的另一實施例中，所述光柵化是非線性的。
在本發明的又一實施例中，所述分成至少兩個區域的每個像素執行非線性光柵化，其中第一區域具有第一權函數、第二區域具有第二權函數。
本發明的再一方面是提供一種產生虛擬網格的方法。
在本發明的第一實施例中，提供一種根據在數據文件中的描述在基片上寫圖案并產生虛擬網格的方法，其中特征邊緣像素的序列是在第一寫通路中產生，所述特征邊緣像素的序列是置換在至少一個第二寫通路中，所述序列至少部分在所述基片上是疊放的。
在所述發明的另一實施例中，還包括在至少兩個通路中偏置一個像素網格的動作。
在所述發明的又一實施例中，進一步包括沿至少一個特征邊緣周期性重復所述特征邊緣像素序列的動作。
在本發明的再一實施例中，所述特征邊緣像素序列是非周期性的。
本發明的還一方面是提供產生虛擬網格的另一種方法。
在本發明的第一實施例中提供一種根據在數據文件中的描述在基片上寫圖案并產生虛擬網格的方法，其中特征邊緣像素的第一序列是在第一寫通路中產生，特征邊緣像素的第二序列是在至少一個第二寫通路中產生，所述序列至少部分在所述基片上疊放。
在本發明的另一實施例中，所述第一和第二序列是呈周期性的。
在本發明的還一實施例中，所述第一和第二序列是呈非周期性的。
在本發明的又一實施例中，所述像素是接通/斷開(on/off)像素。
在本發明的再一實施例中，所述像素是多值像素。
在本發明的另一實施例中，還包括在至少兩個通路中偏置一個像素網格的動作。
在本發明的另一實施例中，所述至少一個所述特征邊緣像素被分成至少兩個具有不同的完成非線性光柵化的權函數的區域。


為了更加完整地理解本發明及其優點，下面參考附圖對本發明進行描述，其中圖1a示出了利用單個寫通路光柵化特征的第一方法。
圖1b示出了利用單個寫通路光柵化特征的第二方法。
圖1c示出了利用四個寫通路光柵化特征的第三方法。
圖2a示出了一個已經光柵化了的特征。
圖2b示出了作為單個像素函數的曝光劑量。
圖2c示出了邊緣的平滑。
圖3a示出了根據現有技術產生虛擬網格的第一實施例。
圖3b示出了根據現有技術產生虛擬網格的第二實施例。
圖3c示出了根據現有技術產生虛擬網格的第三實施例。
圖4a示出了根據現有技術產生虛擬網格的第四實施例。
圖4b示出了根據現有技術產生虛擬網格的第五實施例。
圖5a示出了根據現有技術產生通路偏置的第一實施例。
圖5b示出了根據現有技術產生通路偏置的第二實施例。
圖5c示出了根據現有技術產生通路偏置的第三實施例。
圖6a示出了根據本發明偏置不同寫通路的第一實施例。
圖6b示出了利用根據圖6a的偏置印制一星狀物的結果。
圖6c示出了根據本發明產生通路偏置的第二實施例。
圖6d示出了利用根據圖6c的偏置印制一星狀物的結果。
圖7示出了根據本發明利用四個寫通路的參考點。
圖8示出了根據本發明四通路寫法則的第一實施例。
圖9示出了根據本發明四通路寫法則的第二實施例。
圖10示出了根據本發明四通路寫法則的第三實施例。
圖11a示出了根據本發明四通路寫法則的第四實施例。
圖11b示出了根據本發明四通路寫法則的第五實施例。
圖12a-e示出了單通路特征邊緣像素序列的結果。
圖13描繪了圖示虛擬網格和線邊緣粗糙度的關系的圖。
圖14示出了根據本發明的具有長的特征邊緣像素周期的四個寫通路。
圖15描繪了圖示每一個通路的模擬邊緣粗糙度和組合粗糙度的圖。
圖16描繪了和圖13相同的圖，但邊緣粗糙度是在具有已移位的邊緣像素序列的四通路之后。
圖17描繪用接通斷開像素計算邊緣像素值的算法。
圖18描繪了和圖1相同但具有65值像素的圖。
圖19描繪了兩種改進虛擬網格方法的組合。
圖20a示出了多通路方案的一個實施例。
圖20b示出了多通路方案的另一個實施例。
圖21a和21b示出了當輸入特征邊緣移動一個地址單位時的兩個通路間的差別。
圖22示出了多通路方案的一個實施例。
圖23a和23b示出了圖示邊緣粗糙度的圖。
圖24a和24b示出了計算特征邊緣像素的最佳或接近最佳序列的過程。
圖25a示出了非線性光柵化函數。
圖25b示出了和圖20相同但是具有非線性光柵化函數的圖。
圖26a-c示出了非線性光柵化的完成。
圖27a-c示出了利用圖7所示的變位方案進行非線性光柵化的權函數。
圖28a-b示出了權函數的另一實施例。
圖29示出了在空間光調制器(SLM)中的發明的特征邊緣圖案的一個實施例。
圖30示出了在空間光調制器(SLM)中的發明的特征邊緣圖案的另一個實施例。
圖31示出了在空間光調制器(SLM)中的發明的特征邊緣圖案的又一個實施例。
圖32示出了在空間光調制器(SLM)中的發明的特征邊緣圖案的再一個實施例。
圖33a示出了在空間光調制器(SLM)中的發明的特征邊緣圖案的另一個實施例的第一寫通路。
圖33b示出了一個第二寫通路。
圖33c示出了一個第三寫通路。
圖33d示出了一個第四寫通路。
圖33e示出了表示圖5a到圖5d所示的通路的一個表格。
圖34示出了圖案生成器。
具體實施例方式
圖1a示出了一已光柵化的特征102。包括像素103的網格101對準坐標系的原點104。從圖1a可以看出網格有點粗糙。因此特征102不能按所需的精度成像。
圖1b示出了與圖1a所示相同的特征，但是這里特征被光柵化為更細的網格。光柵化的精度較好為兩倍，但是這里要寫入4倍多的像素，這使得這種方法相對于圖1a所示的方法消耗更多的時間。
圖1c示出了圖1a所示相同的特征，已光柵化為相同的網格尺寸但是利用了沒有偏置的四通路105。假如不同的通路以相同的劑量成像，則不同的光刻特性例如抗蝕劑特性和時間延遲可能使這種成像方法比圖1a所示的方法具有更高的精度。
圖2a示出了已光柵化的垂直線。圖2b示出了圖2a中的已光柵化線的理想曝光202。由曝光束的有限分辨率平滑給出由圖2b中203表示的曝光劑量。圖2b示出了因曝光而進行的平滑處理，但是化學擴散、顯影劑傳輸和抗蝕劑或記錄介質的有限分辨率也帶來了相似的效果。圖2c示出了一個包括分步的已光柵化的特征。該成像特征將最終得出由虛線所示的圖案。分步205的平滑是根據與圖2b所述有關的方法由曝光束的有限分辨率而產生的。像素206將因此受到來自相鄰像素的影響。
圖6a示出了偏置不同的寫通路的發明方法。在這一實施例中，四個寫通路在兩個垂直方向彼此相對地偏置像素尺寸的四分之一。這里圖示的是要沿像素的對角線方向偏置的通路。通常對于N個通路，其中N為大于2的整數，通路沿像素的對角線以(像素尺寸)/N分布，即對于三個寫通路，其第一通路寫在坐標的原點、第二個通路寫在離所述坐標原點的像素對角線的1/3處，而第三通路寫在離所述坐標原點的像素對角線的2/3處。
圖6b示出了由圖6a所示的所述偏置方法寫的一個星狀物。從圖6b中可以看出在對角線上存在不想要的不對稱。這是由于平滑僅發生在平行像素側的方向，而偏離該方向將會看到粗糙的網格效果。
圖6c示出了偏置不同的寫通路的另一個發明方法。在這一實施例中，四個寫通路以和圖6a所示的相同數量但不是沿直線分布。這里第一通路寫在坐標系的原點。第二通路在X方向上1/4的像素尺寸并在負的Y方向上1/2的像素尺寸處，這里X和Y方向平行于矩形像素的邊。第三通路寫在X方向上1/2的像素尺寸并在Y方向1/4的像素尺寸處。第四通路寫在X方向3/4的像素尺寸并在負Y方向1/4的像素尺寸處。通過這樣的偏置方法可以得到在平行于像素側邊的兩個方向及所述像素的兩個對角線方向上的對稱。
圖6d示出了與根據圖6c的方法寫的相同的星狀物。這里和圖6b所示的星狀物相比提高了對稱度。通過根據圖6c所示的方案偏置寫通路在所有八個方向得到對稱。
圖7示出了在四個通路701、702、703、704的幾個像素的參考點。可以稍微地以像素尺寸單位的小部分改變通路間的位移，以沿水平軸線和垂直軸線不均勻的劃分為代價得到參考點的更加均勻的分布。光柵化算法和圖案生成器誤差結構的細節決定了哪一個是更有利的。圖7中的圖案的反射鏡圖像及其90°的轉動同樣是好的。根據圖7的偏置方法對于隱藏網格圖案是特別的好。當然可以使用其它數量的通路，在這種情況下圖案看上去將是不同的。通路間的偏置應進行選擇以使在x和y方向和兩個對角線方向得到盡可能好地對稱。
圖8示出了根據本發明具有模擬或多值像素的四個寫通路。一個中間列表示一個特征邊緣像素列。可以看出所述列的像素設定為不同狀態。四通路的特征邊緣列像素的圖案可以相等或不等。通過不同灰度值間的抖動完成精細地址網格。
圖9示出了根據本發明具有在多于一列中的邊緣像素的四個通路。該像素是多值的。這里在一個寫通路中多個邊緣列可以相等或至少在一個其它寫通路中不等。在不同的邊緣列中的像素可以具有不同的加權，其可以根據將要成像的圖案的例子設定為彼此不同的情況。
圖10示出了根據本發明的多通路方案。這里，對于一些通路，一般為具有高劑量的通路，用具有不同劑量的通路產生加倍的較細地址網格，以改進平均效果。在圖10中以相同的交叉陰影線表示的具有相同劑量的通路可以讓其曝光場和/或其像素網格移位以改進圖像均勻度。因平均效果將受到來自這些通路的很大的影響使得具有高劑量的寫通路被重復。具有低劑量的通路可以主要用于精調地址網格。具有高劑量的通路用于地址中的高有效位而具有低劑量的通路用于地址中的低有效位。
圖11a和圖11b示出了具有邊緣像素的根據本發明的多通路方案，以產生較細網格且在不同的通路中邊緣像素的序列或分布不同。在圖11a中，不同通路以基本上相同曝光寫入。例如，在圖11b中兩個通路以25％的曝光寫入而另兩個通路以100％的曝光寫入。每一個通路的序列周期是4，給出一個像素尺寸1/16的組合的網格。邊緣像素序列的一個例子在圖11b的疊放通路的右側示出。兩個最左側的圖案可以以100％的曝光寫入而兩個最右側的圖案可以以25％的曝光寫入。
圖12a-e示出了不同的邊緣像素序列。邊緣像素序列可以是周期性的或非周期性的。該圖示出具有不同周期的周期序列及一個最終的圖像邊緣。圖12a示出了具有周期為1的像素序列，即所有的像素具有相同的值。很明顯這將產生平滑的邊緣。
圖12b描繪了具有周期為2的像素序列，給出了比圖12a細兩倍的虛擬地址網格。邊緣由于曝光工具和處理的平滑作用而仍然平滑。像素是模擬的如具有16個狀態，且例如特征邊緣的每第二個像素可以設定為5/16而其它的為6/16。
圖12c示出了具有周期為3的像素序列，給出了細三倍的地址網格，但是開始顯示出線邊緣粗糙度(LER)。實際的邊緣粗糙度將根據像素尺寸間的折中選擇而定，且圖中示出了典型的例子。
圖12d和12e分別示出了周期為4和10的像素序列。在這兩個圖中可以清楚地看出隨著像素序列周期的增加邊緣粗糙度也增加。
圖13描繪了顯示利用圖12所示的方案的虛擬網格和線邊緣粗糙的關系的圖。虛擬網格和邊緣粗糙度都和像素尺寸有關。
圖14示出了具有長的邊緣像素周期的四個通路1401。單獨取出的每一通路將產生大的線邊緣粗糙度1402。通過在通路間將圖案移位若干數量的像素以及將通路疊放會明顯減小線邊緣粗糙度1403。
圖15示出了兩個顯示每個通路的仿真邊緣粗糙度和組合粗糙度的圖。兩個圖顯示兩個對應于不同特征邊緣布置的不同序列。該圖表明一些布置較好而另一些則較差，但對于每一種布置都可以大大減小粗糙度。圖15中的左側圖示出了規則像素邊緣圖案變位而右側圖顯示了不規則像素邊緣圖案的疊放。
圖16示出了和圖13相同的圖，但是這里為具有移位邊緣像素序列的四通路后的邊緣粗糙度。圖是根據典型的輸入參數而仿真的并可顯示四通路的直到16的序列長度。大的序列長度可能引起比網格大的粗糙度。
圖17示出了計算具有二進制(on/off，接通/斷開)像素和序列周期為5的邊緣像素值的算法。特征邊緣位于中間列的像素上的0.409個單位處。預先決定的序列為0、2、4、1、3。在特征邊緣列設定像素到一個接通狀態的標準是P+(si/L)＞1，其中P是特征邊緣的位置、si是序列中的單個的號而L是序列的長度。
圖18示出的基本和圖17相同，但這里利用了65值像素。在這種情況下，0.409＝16/64+0.009＝(16+0.576)/64。因為使用多值像素我們希望知道的是何時要從16/64改變到17/64狀態。因此P＝0.576。
圖19示出了得到較精細地址網格的兩種方法的組合。一個例子是在多于一個行中使用模擬邊緣像素，如圖9、圖32和圖33所示。不同列中像素的效果可能不同并且列可以組合成線性的或非線性的方式。這兩種方法的使用可以用于具有校準查找表的本發明中。在列中模擬值的例子中，輸入的數據給出每一種方法的一個查找值。該查找表典型地比地址位有更多的輸出位，所以一個6-bit地址可能產生兩個8-bit的值。在校準期間不同數值組合的邊緣位置被測量并映射到輸入值中時產生該8-bit的值。在單個方法的更加簡單的例子中，可以使用同樣的查找表結構，但是每一個輸入僅有一個輸出。
圖20a和20b示出了在不同的通路中具有不同邊緣序列且通路彼此相對移位的多通路方案。圖20a示出了特征邊緣像素的不同序列。圖20b示出了通路是如何疊放的。因為通路間的變位，表示特征邊緣的虛線將顯示在不同通路中的不同位置。對于最后邊緣位置的每一位置至少有一個特征邊緣圖案的組合，很可能所有的均不同，其將導致基本上平滑的邊緣。圖20a和20b的像素是接通/斷開(on/off)像素。
圖21a和21b示出了當輸入邊緣僅移動一個地址單位時在該通路中可能已完全重配置。圖21a示出了在一個邊緣位置的兩個通路。圖21b示出了當輸入邊緣和圖21a相比已向左移動一個虛擬網格單位時的兩個相同的通路。一個像素值從接通(on)變為斷開(off)(在特征邊緣列中，圖21a中六個像素處于接通狀態而在圖21b中5個像素處于接通狀態)且之后像素已經重配置為最好的LER和邊緣銳度。
圖22示出了具有長且不等的周期序列，其給出像素尺寸1/28的虛擬網格。序列長度為7。對于每一個虛擬網格分步，一個像素從斷開(off)改變為接通(on)。7步以后可以再次使用同樣的序列，但是通路間的次序發生改變或轉動。該序列沒有必要為周期性的，可以發現非周期性序列具有基本上同樣的特性。同樣，可以利用更多或較少的通路及通路間不同的變位或根本不用變位。
圖23a和23b中示出了兩個顯示每個通路和四個組合通路中的邊緣粗糙度的圖。圖23a顯示一個特征邊緣布置的位圖，而圖23b是另一個特征邊緣布置的位圖。在圖23a中沒有低頻成分。
圖24a和24b示出了計算不同的邊緣位置最佳或接近最佳邊緣像素序列的兩種方法。計算的序列是脫機進行的且是用于光柵化過程中的制表的。圖24a示出了表示在不同的通路中的邊緣像素的二進制序列。使用的像素是雙值像素。四通路是用如上文所述的發明的變位方案。邊緣像素的序列示出為非周期性的。在圖24a中的這一示圖僅是完成本發明的多個可選方法之一。圖24a示出了每一通路中的像素的一列是由序列控制的，即這里有四列在四個通路方案中被控制。當然可以由其它數量的列控制四通路方案。
圖24b示出了產生對由輸入地址網格給出的每個邊緣位置具有好的特性的序列的算法。誤差擴散算法(error diffusion algorithm)可以用來產生起始二進制序列。誤差擴散算法可以在涉及到計算機圖形的課本中找到。誤差擴散算法給出0和1的近似均勻分布。序列可以由短序列的迭代置換而進一步改善。置換保護了平均邊緣位置同時另一方面影響了在成像模式中被評估的邊緣粗糙度。一個簡單的成像模式可以首先用來快速產生候選的序列。然后，候選的序列可以被更加綜合的模式進行進一步分析/評估，例如通過市售的光刻仿真程序。一旦發現一個達到可接受水平的序列，就接受這一序列且算法進入到下一邊緣位置。
圖25a和25b示出了一個非線性的光柵化函數。像素或平均列作為輸入數據中的特征和像素區域間疊加的函數。圖25a示出了表示線性函數、分段直線式非線性函數和平滑的非線性函數的圖。所有三個函數都是理想化的，因為實際中它們斜截為階梯函數。圖25b的示圖和圖20相同，但是此處非線性光柵化函數給出了更好的邊緣銳度，因為只有通路中的兩個具有邊緣像素。特征邊緣的每一個位置可以單獨優化。圖25b中的虛擬網格是像素尺寸的1/16。通過看特征邊緣的像素和利用四個寫通路，在特征邊緣像素的一個通路中可以利用100％的曝光而在特征邊緣像素的另一寫通路中利用0％的曝光。對于余下的兩個通路，可以利用分檔器(steeper)來光柵化函數。
圖26a-c示出了在超抽樣光柵化器中非線性光柵化是如何完成的。在每個像素中在細網格上對一個特征進行光柵化，即超采樣超細網格。像素值是由光柵化器設定的超細網格點的數量。對每一個超細網格點進行相同的加權，光柵化是線性的，如果一個較大的權函數作用在接近中心的超細網格點上將導致一個非線性光柵化函數。在圖26b中示出了具有較高的加權的中心方形區域權函數。在圖26c中圖示了在中心部位比靠近邊緣高的加權的一個連續的權函數。通過這一超抽樣可以完成分檔器光柵化函數。
圖27a示出了利用圖7所示的變位方案進行非線性光柵化的權函數。圖27a示出了通路2701內的像素區域，通路2701在四通路后四次疊加填充該區域。具有較高權函數的矩形區域2702較小且在四通路后沒有疊加地填充該區域。在通路2703的兩個通路中該矩形必須轉動90度。這兩個區域尺寸任一個上的超抽樣都給出了表示輸入圖案的正確的像素，即不可能在任何地方設置小的特征以使其區域不由像素值精確地反映。存在對不同的疊加系數如2或8具有同樣特性的其它區域形狀。因為兩個區域形狀中的每一個都給出了正確的光柵化，它們的每一個線性組合也都是正確的。
圖27b示出了具有超抽樣網格的像素。一個權函數被作用在中心矩形而另一個作用在其余像素上。
圖27c示出了圖27b在三維上的權函數。可以根據需要的非線性度而任意地選擇中心區域的高度和平頂。
圖28a和28b示出了與圖27b和27c相似的權函數，是針對在x方向偏轉半個像素尺寸和在y方向偏轉半個像素尺寸的兩個通路。通過改變矩形區域內及所述矩形外部之間的加權可以改變非線性特性，即，將改變非線性函數的斜度。
圖29示出了用于在工件60上構圖的裝置1的示范性實施例。所述裝置1包括用于發射電磁輻射的輻射源10、第一透鏡組件50、計算機控制的分劃板30、光束調節器組件20、位于傅立葉平面內的空間濾光器70、第二透鏡組件40。
輻射源10可以發射在波長范圍從紅外(IR)到遠紫外(EUV)的輻射，紅外(IR)光限定在780nm到約20nm；遠紫外光(EUV)在本申請中被限定在從100nm向下直到可以作為電磁輻射處理的輻射的范圍，即用光學元件進行反射和聚焦。輻射源10發射輻射是脈沖或連續的。從連續輻射源10發射的輻射可以通過位于所述輻射源10和所述計算機控制的分劃板30之間的輻射光路上的快門形成脈沖式輻射。作為一個例子輻射源10，即曝光束的源可以是脈沖輸出為248nm、脈沖長度大約為10ns、重復頻率為1000Hz的KrF準分子激光器。重復頻率可以在1000Hz以上或以下。
光束調節器單元可以是簡單的透鏡或透鏡組合或其它的光學組件。光束調節器單元20將從輻射源10發出的輻射均勻地分布在計算機控制的分劃板30的至少一部分表面上。在連續輻射源的情況下，這種源的光束可以在計算機控制的分劃板表面上掃描。
在輻射源10和可以例如是空間光調制器(SLM)的計算機控制的分劃板30之間，設置有所述光束調節器組件，組件20將光束進行擴展及整形以便均勻地照射到SLM表面上。在一個用準分子激光器作為源的優選實施例中，光束形狀為矩形，光束在x-方向和y-方向進行不同的發散且在光束截面上輻射強度常為不均勻的。光束可以具有SLM 30的形狀和尺寸并被均勻化以使頗有些不可預料的光束輪廓轉換成一個具有如1-2％均勻性的平的照射。這可以分步進行第一光束整形步驟、均質化步驟和第二光束整形步驟。光束也進行角濾光和整形，使得照射到SLM上每一個點的輻射具有可控的角度輔助強度(angular sub tense)。
本發明的光學裝置和晶片分檔器相似。在分檔器中光束在為光管、具有反射內壁的矩形或棱形桿中被均質化，其中形成許多光源的鏡圖像，以使照射為許多單獨的光源的疊放。也可以通過由折射、反射或衍射光元件分光或重組這些光束來執行均質化操作。
供給SLM 30一個將要印制圖案的數字描述。該圖案首先可用一個通用的市售的繪圖程序制出。在圖案文件供給到SLM以前，所述圖案文件被分割并轉換成SLM可識別的格式。
圖30示出了一個空間光調制器(SLM)200，該空間光調制器包括一個二維像素陣列，在本實施例中，8行3001和8列3002即總共64個像素。在實際中，SLM可以包括幾百萬個像素，但為了清晰起見，選擇一個具有幾個像素的SLM。
微鏡像素可以例如是20×20μm。一個縮小率為200×的投影透鏡使SLM上的一個像素和工件上圖像的0.1μm對應。每一像素可以控制在64個水平上，因此將100nm的像素插補成64個，每個插補增量為1.56nm。
最左側兩列像素3010、3011和最右側兩列像素3016、3017設定為稱為暗的狀態，即這些像素處于不會在工件上產生任何輻射的狀態，在圖30中指示為“0”。中間兩列3013、3014設定為稱為白的狀態，即，這些像素處于將在工件上產生最大輻射的狀態，在圖30中表示為“100”。列3010、3011、3016和3017中的像素是外側特征像素，列3013、3014中的像素是內側特征像素。列3012、3015中的像素邊界特征像素。邊界特征像素如圖30所示地沿特征的邊界線設定為交替狀態，在這一例中指示為74和75。在這一實施例中，每一第二邊界特征像素設定為74其余的設定為75。可以從同一圖中看出，列3012中的邊界特征像素的狀態和列3015中的邊界特征像素不匹配，即，由75指示的邊界特征像素不屬于同一行。在另一的實施例中，邊界特征像素彼此匹配，即，由同一灰度值表示的邊界特征像素位于同一行中。
為了代替將每一個第二邊界特征像素設定為一個灰度值而其余的設定為另一灰度值，將邊界特征像素的每一第二對設定為交替狀態。對于將工件上的像素尺寸為100nm的每一個像素控制為64個水平、并且通過設定SLM中的邊界特征像素為交替狀態，在一個寫步驟中可獲得0.78nm的地址網格。在圖30中，邊界特征像素由單個列3012、3015表示。
將每一個邊界特征像素設定為第一灰度值而將其余的像素設定為相近的灰度值，可以產生較平滑的特征邊緣。與是否在單個寫通路中選擇交替狀態的長序列相比，該相近的灰度值可以更高也可以更低。
在可選擇的實施例中，如圖31所示，邊界特征像素由兩列表示。在圖31中最左側和最右側列3110、3117分別設定為暗狀態且在這兩列中的像素代表外側特征像素。內側特征像素表示在圖中為兩列3113和3114。邊界特征像素表示為3111、3112、3115和3116列。
在本實施例中，最左側邊界特征像素列3111和最右側邊界特征像素列3116的每一第二個像素設定為“1”灰度水平其余的設定為“0”灰度水平。這里最左側邊界特征像素列3111的像素設定為“0”和其余邊界特征像素列3112的較高的值相匹配，這里為75，在工件上共同產生其中之一個特征邊緣。同樣適用于兩列3115和3116，在工件上共同產生另一個特征邊緣，即最右側列3116的“0”匹配其它邊界特征像素列3115中的像素較高的值，這里為75；且最右側列3116的“1”匹配其它邊界特征像素列3115中的像素較低的值，這里為74。
另外，可以進行反轉，即，具有兩個邊界特征像素列在工件上產生一個特征邊緣，在這些列的一個中的較高的交替狀態(灰度值)可能和這些列的其它較高交替狀態(灰度值)相匹配。
替代延伸邊界特征像素列到外側特征像素列，所述列可以如圖32所示地延伸進內側特征像素列。在圖32中，列3210、3211、3216和3217表示外側特征像素列。列3212、3213、3214、3215表示邊界特征像素列。這里因為要寫的線僅表示為4列且兩列表示該線的兩個邊緣，所以沒有內側特征像素列。可以從圖32中可以看出，所有較高的交替值彼此匹配，即列3213和3214的“100”與列3212和3215的“75”匹配。另外，也可以將最外側邊界特征像素列3212和3215中的較高值和最內側的邊界特征像素列3213和3214的較低值相匹配。
圖33示出了一個空間光調制器(SLM)內的發明特征邊緣圖案的另一個實施例。這里，三列表示邊界特征像素。最左側和最右側列3310和3317分別設定為暗狀態且這兩列中的像素表示外側特征像素。邊界特征像素表示在列3311、3312、3313、3314、3315和3316中。在圖33中沒有表示內側特征像素。
在本實施例中，最左側邊界特征像素列3311和最右側邊界特征像素列3316中的每一第二個像素設定為“1”灰度水平而其余的設定為“0”灰度水平。這里最左側邊界特征像素列3311中的像素設定為“0”且它們和邊界特征像素列3312、3313、3314、3315內的像素的較高灰度值相匹配。0灰度值和本實施例中的列3312、和3315中的灰度值75匹配，其中列3312和3315中的其余像素設定為74。0灰度值和本實施例中的列3313和3314中的灰度值100匹配，其中列3313和3314中的其余像素設定為灰度值99。列3311、3312、3313、3314、3315、3316、3317共同產生直線的特征邊緣。
圖34a示出了用于用精細地址網格產生直線的四個寫通路中的第一通路。列3410、3411、3416和3417中的像素設定為灰度值0。列3413和3414中的像素設定為灰度值100。根據前述實施例中用的先前的語言，列3410、3411、3416和3417是外側特征像素列，而使用相同的語言，列3413和3414為內側特征像素列。列3412和3415為邊界特征像素列。在該第一寫通路中，所述邊界特征像素列中的所有像素除了至少一個像素設定為第二灰度值以外都設定為第一灰度值。在本實施例中，如圖34a所示，相應列中的八個像素中的七個設定為灰度值75。列3412中的一個像素設定為灰度值74和列3415中的一個像素設定為灰度值74。這里列3412和列3415中的灰度值75相互匹配，即它們正好彼此相對。但是，在一個可選實施例中，所述第二灰度值在兩個邊界特征像素列中可以不等且可以不是正好彼此相對。
圖34b示出了用于產生直線的四個寫通路的第二寫通路。圖34b和圖34a之間僅有的不同是邊界特征像素列3412和3415的第二灰度值從圖34a的從頂上算起的第三個位置移到圖34b的頂部的位置。
圖34c示出了用于產生直線的四個寫通路的第三寫通路。圖34b和圖34c之間僅有的不同是邊界特征像素列3412和3415的第二灰度值從圖34b的頂部的位置移到圖34c的從頂部算起第五個位置。
圖34d示出了用于產生直線的四個寫通路的第四寫通路。圖34d和圖34c之間僅有的不同是邊界特征像素列3412和3415的第二灰度值從圖34c的從頂部算起第五個位置移到圖34d的底部位置。
當疊放所述第一、第二、第三和第四寫通路時，所述第二灰度值的效果實質上和圖1中的邊界特征像素列3412和3415的低的灰度值相同。
圖34e示出了在四個寫通路及像素序列長度為8個像素的實施例中的一個寫通路方案。第一列、第二列、第三列、第四列分別表示在第一、第二、第三和第四寫通路中的一個邊界特征像素列。如圖34e所示，在最左側列中，在第一寫通路的所述邊界特征像素列中的像素首先單獨設定為灰度值序列。至少其中8個像素所述序列中的一個灰度值和其它的不同。通過圖34e所示的寫通路方案，所述至少一個和其它像素不同的像素將在邊界特征像素列的周圍移動并且在相應的寫通路彼此疊放時產生更細的地址網格。
可替換的是，序列中的像素的數目可以使用任何數而不是圖示的8，例如6、12、14和16個像素。本發明并不限于如圖中所示的一個寫通路或四個寫通路，而是可以使用任何數目的寫通路，例如2、3和5。
權利要求
1.一種用改進的虛擬網格在對電磁輻射敏感的工件上構圖的方法，包括動作-發射電磁輻射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上，-根據一個數字描述設置所述計算機控制的分劃板上的這些像素，-在所述工件上產生所述計算機控制的分劃板的圖像，其中在所述計算機控制的分劃板上的所述像素沿至少一個特征邊緣的一部分以交替狀態設置以便產生一個較小的地址網格。
2.根據權利要求1的方法，其中在所述計算機控制的分劃板上的沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于像素的一維線。
3.根據權利要求1的方法，其中所述圖像是在一個寫通路中產生的。
4.根據權利要求1的方法，其中所述圖像是通過多個寫通路產生的。
5.根據權利要求4的方法，其中在所述計算機控制的分劃板上沿至少一個特征邊緣的所述像素是不同地設置在所述多個寫通路中的。
6.根據權利要求5的方法，其中在一個第一寫通路中，沿至少一個特征邊緣的至少一個第一像素被設定為第一灰度值并且被設定為至少一個其它灰度值的像素所圍繞，而在至少一個其它寫通路中沿所述至少一個特征邊緣的至少一個第二像素被設定為所述第一灰度值，圍繞有設定為至少一個其它灰度值的像素。
7.根據權利要求6的方法，其中所述圖案是通過四個寫通路產生的。
8.根據權利要求6的方法，其中在不同的寫通路中設定為所述第一灰度值的所述至少一個像素是沒有重疊的。
9.根據權利要求6的方法，其中將所述圍繞的像素設定為相同的灰度值。
10.根據權利要求6的方法，其中將所述圍繞的像素設定為不同的灰度值。
11.根據權利要求1的方法，其中在所述計算機控制的分劃板上沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于像素的至少兩條線。
12.根據權利要求11的方法，其中在所述至少兩條線內的所述像素在形成所述虛擬網格時進行不同的加權。
13.根據權利要求1的方法，其中所述像素是在一個SLM中的微鏡。
14.根據權利要求1的方法，其中所述像素是透射的。
15.一種用于在對電磁輻射敏感的工件上構圖的裝置，包括-一個用于發射電磁輻射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上的發射源，-一個用于在所述工件上產生所述計算機控制的分劃板的圖像的投射系統，其中在所述計算機控制的分劃板上的所述像素沿至少一個要構圖的元素的邊緣的至少一部分以交替狀態設置，以便精調所述元素在要產生圖像的工件上的所述圖像中的邊緣的位置。
16.根據權利要求15的裝置，其中在所述計算機控制的分劃板上沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于像素的一維線。
17.根據權利要求15的裝置，其中所述圖像是在一個寫通路中產生的。
18.根據權利要求15的裝置，其中所述圖像是通過多個寫通路產生的。
19.根據權利要求18的裝置，其中在所述計算機控制的分劃板上沿至少一個特征邊緣所述像素是不同地設置在所述多個寫通路中的。
20.根據權利要求19的裝置，其中，在一個第一寫通路中，沿至少一個特征邊緣的一部分的至少一個第一像素被設定為第一灰度值并且被設定為至少一個第二灰度值的像素所圍繞，而在至少一個第二寫通路中沿所述特征邊緣的所述部分的至少一個第二像素被設定為所述第一灰度值，圍繞有設定為至少所述第二灰度值的像素。
21.根據權利要求20的裝置，其中所述圖案是通過四個寫通路產生的。
22.根據權利要求20的裝置，其中在不同的寫通路中設定為所述第一灰度值的所述像素是沒有重疊的。
23.根據權利要求22的裝置，其中在不同的寫通路中設定為所述第一灰度值的所述像素是隔開至少一個像素的。
24.根據權利要求20的裝置，其中將所述圍繞的像素設定為相同的灰度值。
25.根據權利要求20的裝置，其中將所述圍繞的像素設定為不同的灰度值。
26.根據權利要求15的裝置，其中在所述計算機控制的分劃板上沿一個特征邊緣至少一部分的所述像素屬于具有兩個像素寬度的一條線。
27.根據權利要求15的裝置，其中在所述計算機控制的分劃板上沿至少一個特征邊緣的所述像素屬于具有三個像素寬度的一條線。
28.根據權利要求15的裝置，其中所述像素是在一個SLM中的微鏡。
29.根據權利要求15的裝置，其中所述計算機控制的分劃板是透射式SLM。
30.一種包括至少一個集成電路的半導體晶片，其中所述至少一個集成電路是通過將電磁輻射發射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上在至少一個寫通路中構圖的，在所述計算機控制的分劃板中的所述像素是根據數字描述進行設置的，在所述晶片上產生所述計算機控制的分劃板的一個圖像，其中在所述計算機控制的分劃板上的所述像素是沿至少一個特征邊緣的一部分以交替狀態設置的，以便產生較小的地址網格。
31.一種包括要印制在工件上的圖案的掩膜，其中掩膜基片是在至少一個寫通路中通過將電磁輻射發射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上進行構圖的，在所述計算機控制的分劃板中的所述像素是根據數字描述進行設置的，在所述掩膜基片上產生所述計算機控制的分劃板的一個圖像，其中在所述計算機控制的分劃板上的所述像素是沿至少一個特征邊緣的一部分以交替狀態設置的，以便產生較小的地址網格。
32.一種根據數據文件的描述在表面構圖的方法，包括動作-提供多個寫通路，-在至少兩個通路中偏置一個像素網格，-控制在不同通路中的邊緣像素值，-通過預定的光柵化規則調整至少兩個通路間的邊緣像素值，以便優化邊緣質量。
33.根據權利要求32的方法，其中所述邊緣質量限定為邊緣粗糙度。
34.根據權利要求32的方法，其中所述邊緣質量限定為邊緣銳度。
35.根據權利要求32的方法，其中所述邊緣質量限定為臨界尺寸控制(CDC)。
36.根據權利要求32的方法，其中在至少一個通路中的至少兩個相鄰邊緣像素具有不等值。
37.根據權利要求32的方法，其中所述光柵化是非線性的。
38.根據權利要求37的方法，其中所述非線性光柵化是通過將每一個像素分割成至少兩個區域而進行的，其中第一區域具有第一權函數，第二區域具有第二權函數。
39.一種根據數據文件上的描述在基片上構圖以產生虛擬網格的方法，包括動作-在一個第一寫通路中產生特征邊緣像素的序列，-在至少一個第二寫通路中移位所述特征邊緣像素的序列，-在所述基片上至少部分地疊放所述序列。
40.根據權利要求39的方法，還包括動作-在至少兩個通路中偏置一個像素網格。
41.根據權利要求39的方法，還包括動作-沿至少一個特征邊緣周期性地重復所述特征邊緣像素的序列。
42.根據權利要求39的方法，其中所述特征邊緣像素的序列是非周期性的。
43.一種根據數據文件上的描述在基片上構圖和產生虛擬網格的方法，包括動作-在第一寫通路中產生特征邊緣像素的一個第一序列，-在至少一個第二寫通路中產生特征邊緣像素的一個第二序列，-在所述基片上至少部分地疊放所述序列。
44.根據權利要求43的方法，其中所述第一和第二序列是周期性的。
45.根據權利要求43的方法，其中所述第一和第二序列是非周期性的。
46.根據權利要求43的方法，其中所述像素是接通/斷開(on/off)像素。
47.根據權利要求43的方法，其中所述像素是多值像素。
48.根據權利要求43的方法，還包括動作在至少兩個通路中偏置像素的一個網格。
49.根據權利要求43的方法，其中至少一個所述特征邊緣被分割成至少兩個具有不同的權函數的區域以完成非線性光柵化。
50.根據權利要求43的方法，其中所述特征邊緣的序列屬于像素的一條一維線。
51.根據權利要求43的方法，其中所述特征邊緣的序列屬于像素的至少兩條線。
52.根據權利要求51的方法，其中在所述至少兩條線中的所述像素在形成所述虛擬網格時進行不同的加權。
全文摘要
本發明涉及一種在對電磁輻射敏感工件上構圖的方法。電磁輻射被輻射到具有多個調制元素(像素)的計算機控制的分劃板上。這些像素根據數字描述設置在所述計算機控制的分劃板上。在所述工件上產生所述計算機控制的分劃板的圖像，其中在計算機控制的分劃板上的所述像素是沿至少一個特征邊緣像素的一部分呈交替狀態地設置以便產生較小的地址網格。本發明還涉及到在工件上構圖的裝置。本發明還涉及到半導體晶片和掩膜。
文檔編號H01L21/027GK1605046SQ02825034
公開日2005年4月6日 申請日期2002年12月11日 優先權日2001年12月14日
發明者托比約恩·桑德斯特羅姆 申請人:麥克羅尼克激光系統公司