專利名稱：使用母版測(cè)度的光刻臨界尺寸控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般地講，本發(fā)明涉及光刻領(lǐng)域；更具體地講，涉及一種通過(guò)使用簡(jiǎn)單控制算法與反饋的處理控制系統(tǒng)取得晶片設(shè)計(jì)尺寸的方法。該反饋使用掩模設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)、掩模尺寸數(shù)據(jù)、以及歷史晶片圖形測(cè)量，以將臨界尺寸(CD)居中對(duì)準(zhǔn)(centre)到晶片圖形(feature)設(shè)計(jì)尺寸。本發(fā)明使用不同的母版測(cè)度(measurement)，提供了一種通過(guò)確保對(duì)于每個(gè)晶片使用正確的曝光條件被處理來(lái)控制圖形大小、即線條或空間的臨界尺寸的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路(IC)領(lǐng)域，光刻技術(shù)被用來(lái)將圖案(即圖像)從包含電路設(shè)計(jì)信息的掩模轉(zhuǎn)移到基底(例如硅晶片)表面上的薄膜上。圖案轉(zhuǎn)移借助光致抗蝕劑(例如紫外光敏感的有機(jī)聚合物)來(lái)完成。在典型的圖像轉(zhuǎn)移處理中，通過(guò)掩模(即母版(reticle))照射涂敷有光致抗蝕劑的基底，而通過(guò)化學(xué)顯影劑將掩模圖案轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑。下文中，名詞“母版”與名詞“掩?！笨梢曰Q使用。進(jìn)一步的圖案轉(zhuǎn)移使用化學(xué)蝕刻劑來(lái)完成。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在集成電路的加工過(guò)程中通常重復(fù)幾次這樣的掩模處理。
圖1顯示光刻處理(加工)環(huán)境，包括母版80、分步光刻機(jī)(stepper)90，母版80具有(例如)測(cè)定誤差，即偏離設(shè)計(jì)尺寸120的偏差100，分步光刻機(jī)設(shè)備90具有鏡頭140，通過(guò)該鏡頭代表了曝光能量130的曝光條件在涂敷了光致抗蝕劑150的晶片95上聚焦，從而產(chǎn)生具有設(shè)計(jì)尺寸160的印刷晶片。
在光刻領(lǐng)域中人們都知道在同時(shí)處理許多產(chǎn)品的邏輯加工廠中臨界尺寸控制最困難、最富有挑戰(zhàn)性。隨著越來(lái)越多的產(chǎn)品被引入加工廠中，其中每個(gè)產(chǎn)品都具有多個(gè)掩模層與特有CD定制，曝光劑量計(jì)算的復(fù)雜度也隨著增加?？紤]到為了緊跟增長(zhǎng)的制造數(shù)量與復(fù)雜度，必須引入其他光刻工具與工具類型，其中每個(gè)都具有其自己的校準(zhǔn)與處理可變性，對(duì)于在加工廠中CD控制的需求已經(jīng)成為一項(xiàng)必須處理的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)?？紤]到所有工具/母版設(shè)置中有許多第一次使用特定母版，以及需要許多遍次來(lái)將產(chǎn)品居中對(duì)準(zhǔn)到目標(biāo)臨界尺寸，從而存在對(duì)于降低在使用新母版/工具組合的產(chǎn)品初始制造過(guò)程中誤差的緊迫需求。
在Adams(US 5,989,764)中描述了對(duì)于在加工廠中CD控制的相關(guān)技術(shù)，其針對(duì)通過(guò)分散能量測(cè)定的光刻(lithgraphy)工具調(diào)整方法。然而，該處理不包括在反饋回路中使用母版大小數(shù)據(jù)以將CD分布置中。
在Hitachi(US 6,225,011)中描述了另一相關(guān)技術(shù)方法，其使用多個(gè)曝光系統(tǒng)。再一次地，在該技術(shù)中沒(méi)有將母版大小數(shù)據(jù)用于關(guān)鍵尺寸控制。
在Kerszkowski(US 5,969,972)中描述了另一相關(guān)技術(shù)方法，其涉及自動(dòng)機(jī)器程序生成器，用于制造半導(dǎo)體組件。雖然該相關(guān)技術(shù)方法使用了優(yōu)化器，但該優(yōu)化器沒(méi)有處理在母版尺寸與設(shè)計(jì)目標(biāo)不同的情況下以及新母版對(duì)于可能使用該母版的所有工具都沒(méi)有歷史記錄的情況下對(duì)于CD控制的需求。
在Marchman(US 5,656,182)中描述了另一相關(guān)技術(shù)，其使用反饋控制，然而沒(méi)有處理對(duì)于最優(yōu)CD的取得。其只是按照在基底上產(chǎn)生的潛象的函數(shù)進(jìn)行階段位置控制。
雖然在本領(lǐng)域中人們公知曝光劑量偏移可以用來(lái)補(bǔ)償晶片測(cè)定偏差，以及先前所使用的母版的母版因子可以使用反饋曝光控制回路從歷來(lái)的晶片測(cè)定導(dǎo)出，但還是有在對(duì)于新母版與產(chǎn)品不需要預(yù)先送達(dá)或者測(cè)試晶片的情況下確定正確曝光劑量偏移的問(wèn)題。
圖2顯示使用每個(gè)母版與分步光刻機(jī)工具的歷史尺寸數(shù)據(jù)的反饋系統(tǒng)。對(duì)于成熟的產(chǎn)品，臨界尺寸度量步驟210生成有關(guān)該成熟產(chǎn)品的歷史數(shù)據(jù)220，該歷史數(shù)據(jù)被反饋，導(dǎo)致反饋計(jì)算230，該反饋計(jì)算230產(chǎn)生曝光劑量設(shè)置240。成熟產(chǎn)品不需要返工步驟，因此曝光劑量設(shè)置240被認(rèn)為是使用反饋曝光控制回路求得的最優(yōu)劑量。
圖3顯示其中有新產(chǎn)品或新母版要用于分步光刻機(jī)工具300的現(xiàn)有技術(shù)方法。如圖所示，當(dāng)沒(méi)有來(lái)自新工具305的歷史數(shù)據(jù)時(shí)進(jìn)行臨界尺寸度量步驟310。這要求第一次運(yùn)行使用來(lái)自其他工具/母版組合340的歷史數(shù)據(jù)，這些歷史數(shù)據(jù)用于反饋計(jì)算360以產(chǎn)生曝光劑量設(shè)置370。一般地，該反饋安排沒(méi)有考慮新掩模偏置，并且結(jié)果的產(chǎn)品制造運(yùn)行不滿足圖1的設(shè)計(jì)尺寸規(guī)格160。任何不滿足設(shè)計(jì)尺寸規(guī)格的產(chǎn)品都要返工320，從而使以后的生產(chǎn)運(yùn)行330能夠從該新母版的生產(chǎn)數(shù)據(jù)350中獲益。
考慮到相關(guān)技術(shù)的上述缺點(diǎn)，存在以下需要提供可以對(duì)于新母版/工具組合成功預(yù)測(cè)初始曝光劑量的CD控制，由此有利于在大產(chǎn)量、高復(fù)雜度加工環(huán)境中縮短周期時(shí)間。即需要這樣一種方法其能夠使用母版的測(cè)定與設(shè)計(jì)尺寸作為該方法的輸入，使用適當(dāng)?shù)姆答亝?shù)，以產(chǎn)生最優(yōu)曝光劑量設(shè)置。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光刻系統(tǒng)與處理，當(dāng)使用新母版/工具組合生產(chǎn)集成電路產(chǎn)品時(shí)，該光刻系統(tǒng)與處理能夠降低CD誤差。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種光刻系統(tǒng)與處理，在母版的實(shí)際CD測(cè)度對(duì)于其設(shè)計(jì)規(guī)格存在偏差的情況下，該光刻系統(tǒng)與處理使在制造CD與所確定的目標(biāo)CD之間的差異最小化。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種方法，該方法用于設(shè)置達(dá)到滿足晶片設(shè)計(jì)規(guī)格的晶片圖形大小(即設(shè)計(jì)尺寸+/-對(duì)于給定半導(dǎo)體產(chǎn)品的所需公差)的光刻曝光劑量。
本發(fā)明的另一目的在于消除對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)預(yù)先送達(dá)處理與在所需CD測(cè)度步驟(圖3的310)之后的相伴隨的返工步驟(圖3的320)的需要，由此降低處理周期時(shí)間。
這些以及其他目的與優(yōu)點(diǎn)可以由本發(fā)明通過(guò)使用測(cè)度-反饋方法(即控制算法)取得，其中母版測(cè)定被用做曝光控制的反饋機(jī)制的一部分，包括計(jì)算初始曝光劑量的步驟，由此控制CD圖形大小并消除了對(duì)于預(yù)先送達(dá)晶片的需要。在反饋系統(tǒng)的被設(shè)計(jì)母版CD除的實(shí)際母版CD與母版因子(即特定母版的所需曝光條件相對(duì)于類似母版的所需曝光條件)之間的觀測(cè)相關(guān)被使用以在單一遍次(pass)中收斂到最優(yōu)曝光劑量或者曝光條件，即最優(yōu)劑量。
具體地，對(duì)于在生產(chǎn)中所使用的每個(gè)母版，計(jì)算并在數(shù)據(jù)庫(kù)中存儲(chǔ)母版因子。對(duì)于在給定光刻工具上缺少適當(dāng)?shù)淖罱鼩v史晶片數(shù)據(jù)的母版，使用所計(jì)算的母版因子來(lái)到達(dá)最優(yōu)曝光條件。然而，對(duì)于新的母版，計(jì)算在類似母版的大小偏差與其母版因子之間的相關(guān)。因?yàn)樾履赴娴臏y(cè)定尺寸與設(shè)計(jì)尺寸已知，所以從歷史相關(guān)數(shù)據(jù)中“挑選”導(dǎo)出母版因子。然后，將導(dǎo)出母版因子植入反饋曝光控制回路，并且使用導(dǎo)出母版因子來(lái)計(jì)算對(duì)于新母版的初始曝光條件。
本發(fā)明提供了臨界尺寸控制(即CD控制)的光刻方法，現(xiàn)在將更詳細(xì)地參照伴隨本申請(qǐng)的附圖來(lái)進(jìn)行描述。應(yīng)該注意在附圖中，類似的標(biāo)號(hào)用來(lái)描述類似的與相應(yīng)的部件。
圖1描繪了表示申請(qǐng)人的發(fā)明的光刻處理系統(tǒng)主要組件。
圖2描繪了用來(lái)設(shè)定曝光劑量設(shè)置的CD度量與歷史數(shù)據(jù)反饋回路。
圖3顯示了用于確定初始曝光劑量設(shè)置的現(xiàn)有技術(shù)的方法。
圖4顯示了使用母版CD數(shù)據(jù)作為用于最優(yōu)曝光劑量設(shè)置的反饋計(jì)算的一部分的本發(fā)明的控制方法。
圖5為測(cè)定母版/設(shè)計(jì)相對(duì)母版因子的圖形顯示。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明，將描述如圖4中所示的系統(tǒng)(490)，其中在臨界尺寸度量步驟420取得的度量數(shù)據(jù)被記錄為產(chǎn)品歷史數(shù)據(jù)430。該數(shù)據(jù)通過(guò)算法與類似母版(即具有同樣技術(shù)與水平的母版)的母版CD數(shù)據(jù)440混合，作為反饋計(jì)算450的一部分，以調(diào)整曝光劑量設(shè)置。由本發(fā)明所計(jì)算的初始曝光劑量不需要對(duì)于進(jìn)行生產(chǎn)運(yùn)行的首次運(yùn)行返工。母版尺寸數(shù)據(jù)、母版因子、歷史晶片曝光條件與歷史晶片尺寸數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在每個(gè)母版的數(shù)據(jù)庫(kù)中。當(dāng)對(duì)于給定運(yùn)行需要特定母版時(shí)使用這些數(shù)據(jù)。
應(yīng)該注意本發(fā)明可以用于包括鄰近印刷以及投影印刷的光刻技術(shù)中。然而本發(fā)明可以用于任何傳統(tǒng)的光電曝光系統(tǒng)。不管使用了哪種印刷技術(shù)，圖4中所示的系統(tǒng)都包括具有圖像的母版。該母版可以包括任意傳統(tǒng)的掩模(圖1，80)，包括石英上鉻掩模(chrom on quartz)或者衰減移相掩模(attenuatingphase shift)，其包括至少一個(gè)圖形。還提供了諸如分步曝光工具(圖4，410)的工具，用來(lái)將通過(guò)該母版的能量聚焦到經(jīng)光致抗蝕劑處理的半導(dǎo)體晶片上。
另外，提供了具有非易失存儲(chǔ)能力(455)(即硬盤驅(qū)動(dòng)器)的計(jì)算機(jī)(圖4，460)，用來(lái)進(jìn)行產(chǎn)生曝光劑量設(shè)置所需的母版因子與最優(yōu)劑量的計(jì)算。所述存儲(chǔ)器用來(lái)維護(hù)數(shù)據(jù)庫(kù)(圖4，430、440)，其中存儲(chǔ)了相關(guān)歷史晶片生產(chǎn)數(shù)據(jù)，包括但不限于母版尺寸數(shù)據(jù)、母版因子、歷史晶片曝光條件、以及歷史晶片尺寸數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)(460)執(zhí)行支持所要求的數(shù)據(jù)訪問(wèn)、劑量與母版因子計(jì)算所需的所有處理。計(jì)算機(jī)(圖4，460)也可以配有用于發(fā)送曝光劑量設(shè)置(圖4，470)給分步曝光工具(圖4，410)的接口，以用于曝光控制。
當(dāng)取得歷史晶片生產(chǎn)數(shù)據(jù)時(shí)，為每個(gè)所使用的母版計(jì)算并存儲(chǔ)母版因子。在優(yōu)選實(shí)施方式中，該因子為表示為所需曝光條件(即滿足目標(biāo)晶片尺寸的特定母版的曝光能量(圖1，130))，即最優(yōu)劑量當(dāng)前母版對(duì)類似母版的達(dá)到同一目標(biāo)晶片尺寸(即晶片設(shè)計(jì)尺寸)所需的平均曝光條件比率的關(guān)系。具體地，計(jì)算母版因子的公式為母版因子＝(最優(yōu)劑量當(dāng)前母版/(1∑n最優(yōu)劑量其他類似母版)/n其中n＝類似母版的數(shù)目，而表達(dá)式1∑n最優(yōu)劑量其他類似母版)/n表示對(duì)于n個(gè)類似母版的平均曝光條件。
在對(duì)于給定母版/工具組合沒(méi)有適當(dāng)?shù)淖罱鼩v史晶片處理數(shù)據(jù)的情況下，母版因子用來(lái)計(jì)算新晶片曝光條件。控制對(duì)于沒(méi)有適當(dāng)?shù)淖罱鼩v史晶片處理數(shù)據(jù)的母版的曝光條件(即最優(yōu)劑量沒(méi)有最近歷史的母版)的計(jì)算公式為最優(yōu)劑量沒(méi)有最近歷史的母版＝(1∑n最優(yōu)劑量其他類似母版/n)*母版因子這些母版因子以及測(cè)定母版尺寸與母版設(shè)計(jì)尺寸被用做本發(fā)明CD控制模型算法的輸入，該算法在使用新母版時(shí)在工具設(shè)置時(shí)執(zhí)行。在優(yōu)選實(shí)施方式中，該CD控制模型包括兩個(gè)組件，用于執(zhí)行以下功能1.從相關(guān)數(shù)據(jù)中確定導(dǎo)出母版因子，包括母版測(cè)定圖形尺寸與母版設(shè)計(jì)尺寸對(duì)求得的母版因子的比率。
2.將所導(dǎo)出的母版因子應(yīng)用到使用新母版的晶片生產(chǎn)中。
在該母版的以后的使用中，歷史晶片曝光條件與晶片尺寸數(shù)據(jù)以及母版因子被用來(lái)表征當(dāng)前曝光條件，即最接近的歷史數(shù)據(jù)被用來(lái)確保來(lái)自控制算法的更精確的劑量估計(jì)。
如圖4所示，反饋計(jì)算450由母版CD測(cè)定尺寸/設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)440修改，以確定補(bǔ)償母版離開設(shè)計(jì)尺寸的制造偏差的曝光設(shè)置。獲得母版測(cè)定尺寸與母版設(shè)計(jì)尺寸之間的關(guān)系，用于與母版因子進(jìn)行相關(guān)。在優(yōu)選實(shí)施方式中，對(duì)于母版制造偏差(即大小偏差)的測(cè)量包括母版測(cè)定尺寸對(duì)母版設(shè)計(jì)尺寸的比率。確定最優(yōu)劑量、所求得的母版因子、相關(guān)數(shù)據(jù)、以及所導(dǎo)出的母版因子所需的計(jì)算由計(jì)算機(jī)460進(jìn)行。
如上所述，在沒(méi)有適當(dāng)?shù)淖罱鼩v史晶片尺寸與曝光條件數(shù)據(jù)的情況下，母版因子用于計(jì)算曝光條件。新曝光條件作為反饋控制回路優(yōu)化劑量與母版因子的函數(shù)計(jì)算。
當(dāng)引入新母版時(shí)，從實(shí)際的、即測(cè)定的圖形尺寸/大小偏差與生產(chǎn)中所使用的其他母版的設(shè)計(jì)尺寸之間的比率對(duì)于其所求得的母版因子之間的相關(guān)中確定導(dǎo)出的母版因子，即“導(dǎo)出母版因子”。大小偏差(即測(cè)定圖形尺寸除以設(shè)計(jì)尺寸)以及所使用的母版因子的總體(population)限定于對(duì)于給定晶片設(shè)計(jì)尺寸的母版的相應(yīng)總體。所述導(dǎo)出因子用做初始母版因子，以確定新母版的適當(dāng)曝光條件，并且當(dāng)取得生產(chǎn)晶片數(shù)據(jù)時(shí)更新所述導(dǎo)出因子。最優(yōu)劑量當(dāng)前母版為對(duì)于當(dāng)前晶片設(shè)計(jì)尺寸使用反饋曝光控制回路經(jīng)校正的劑量/曝光條件。一旦對(duì)于類似母版的所希望的總體獲得所計(jì)算的母版因子，就在大小偏差與所計(jì)算的母版因子之間進(jìn)行相關(guān)。如上所述，所導(dǎo)出的母版因子從大小偏差對(duì)于所計(jì)算的母版因子的相關(guān)來(lái)確定。因此，根據(jù)以下公式計(jì)算對(duì)于新母版的最優(yōu)劑量最優(yōu)劑量新母版＝(1∑n最優(yōu)劑量類似母版/n)*導(dǎo)出母版因子圖5顯示母版度量對(duì)于母版因子的圖表。使用諸如最小二乘多項(xiàng)式曲線擬合方法等公知回歸技術(shù)來(lái)繪制在作為縱坐標(biāo)的母版大小偏差(即母版測(cè)定圖形尺寸/母版設(shè)計(jì)尺寸)(圖5，500)與作為橫坐標(biāo)的母版因子(圖5，510)之間的相關(guān)。
然后，在新母版使用之前，將母版因子、即所導(dǎo)出的母版因子植入反饋控制回路。因此即使新母版在系統(tǒng)中沒(méi)有歷史記錄，該控制系統(tǒng)對(duì)于該新母版使用所導(dǎo)出的母版因子。
因此，對(duì)于在系統(tǒng)中具有先前使用歷史的母版以及沒(méi)有歷史數(shù)據(jù)的新母版，本技術(shù)在第一個(gè)遍次中就可以取得目標(biāo)CD。
雖然本發(fā)明針對(duì)其優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了顯示與描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解在不脫離本發(fā)明的原理與范圍的前提下可以在形式與細(xì)節(jié)上進(jìn)行上述的以及其他修改。因此本發(fā)明并不限于此處所描述與描繪的確切形式，而是落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
工業(yè)適用性本發(fā)明的方法可以用于集成電路的光刻處理，尤其適用于取得晶片設(shè)計(jì)尺寸以及通過(guò)確保對(duì)于每個(gè)所處理的晶片使用正確的曝光條件來(lái)控制臨界尺寸。
權(quán)利要求
1.一種用于為在光刻工具(410)中使用的新母版確定初始曝光條件以達(dá)到晶片設(shè)計(jì)尺寸的方法，所述新母版具有已知的母版設(shè)計(jì)尺寸與已知的母版測(cè)定圖形尺寸(420)，所述方法包括以下步驟a)在存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備(455)中記錄所述新母版的所述母版設(shè)計(jì)尺寸與所述母版測(cè)定圖形尺寸(420)，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備還存儲(chǔ)i)來(lái)自其他母版的母版尺寸數(shù)據(jù)(440)；以及，ii)當(dāng)使用所述其他母版時(shí)的過(guò)去晶片的曝光條件，以及所述過(guò)去晶片當(dāng)使用所述其他母版被曝光時(shí)的結(jié)果晶片圖形尺寸(430)；b)在所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備中，記錄在所述新母版的所述母版測(cè)定圖形尺寸與所述新母版的所述母版設(shè)計(jì)尺寸之間的第一關(guān)系(500)，作為多個(gè)大小偏差中的一個(gè)，所述多個(gè)大小偏差包括對(duì)于所述其他母版的每一個(gè)的所述第一關(guān)系；c)對(duì)于所述多個(gè)其他母版的每一個(gè)，計(jì)算母版因子(510)，該因子包括在使用所述多個(gè)其他母版的每一個(gè)滿足所述晶片設(shè)計(jì)尺寸所需的所述曝光條件與類似母版為滿足所述晶片設(shè)計(jì)尺寸所需的平均曝光條件之間的第二關(guān)系，由此生成多個(gè)所計(jì)算的母版因子；d)對(duì)于所述新母版，通過(guò)將所述多個(gè)大小偏差的第一總體與所述多個(gè)所計(jì)算的母版因子的第二總體進(jìn)行相關(guān)，來(lái)確定所導(dǎo)出的母版因子(導(dǎo)出母版因子)；e)對(duì)于所述新母版，通過(guò)使用所述導(dǎo)出的母版因子，計(jì)算(450)初始曝光條件(最優(yōu)劑量新母版)；以及，f)在半導(dǎo)體器件的制造期間，向所述新母版應(yīng)用(470)所述初始曝光條件，由此到達(dá)所述晶片設(shè)計(jì)尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備(455)中，記錄對(duì)于所述新母版的所述初始曝光條件。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟在所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)設(shè)備(455)中，記錄通過(guò)所述新母版曝光的晶片的所述晶片圖形尺寸。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二關(guān)系根據(jù)以下確定最優(yōu)劑量當(dāng)前母版/((1∑n最優(yōu)劑量其他類似母版)/n)，其中最優(yōu)劑量當(dāng)前母版為對(duì)于不同于所述新母版的、當(dāng)前正在使用的母版的當(dāng)前晶片設(shè)計(jì)尺寸的經(jīng)校正的曝光條件；以及，(1∑n最優(yōu)劑量其他類似母版)/n為在n個(gè)類似母版上平均的、對(duì)于當(dāng)前晶片設(shè)計(jì)尺寸的經(jīng)校正的曝光條件。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一關(guān)系(500)表示所述母版測(cè)定圖形尺寸對(duì)于所述母版設(shè)計(jì)尺寸的比率。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)出的母版因子(510)的確定步驟進(jìn)一步包括生成將所述類似母版的所述第一關(guān)系與在生產(chǎn)中所使用的所述類似母版的所述所計(jì)算的母版因子進(jìn)行相關(guān)的函數(shù)；以及，使用所述函數(shù)來(lái)從所述新母版的所述已知母版測(cè)定圖形尺寸與母版設(shè)計(jì)尺寸來(lái)確定所述導(dǎo)出的母版因子。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述函數(shù)至少包括將所述類似母版的所述第一關(guān)系與所述所計(jì)算的母版因子相關(guān)的最小二乘多項(xiàng)式曲線擬合。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述計(jì)算(450)初始曝光條件的步驟根據(jù)以下公式管理最優(yōu)劑量新母版＝(1∑n最優(yōu)劑量類似母版/n)*導(dǎo)出母版因子。
9.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品(430、440、450、455、470)，包括計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)(455)，其具有在其中實(shí)現(xiàn)的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼，該程序代碼用于控制為在光刻工具(410)中使用的新母版確定初始曝光條件以達(dá)到晶片設(shè)計(jì)尺寸的處理，所述新母版具有已知的母版設(shè)計(jì)尺寸與已知的母版測(cè)定圖形尺寸，該計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括用于使計(jì)算機(jī)(460)執(zhí)行權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法的計(jì)算機(jī)程序代碼。
10.一種用于為在光刻工具(410)中使用的新母版確定初始曝光條件以達(dá)到晶片設(shè)計(jì)尺寸的系統(tǒng)(490)，所述新母版具有已知的母版設(shè)計(jì)尺寸與已知的母版測(cè)定圖形尺寸，所述系統(tǒng)包括用于執(zhí)行權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法步驟的裝置。
全文摘要
一種使用新母版以在晶片上制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法涉及對(duì)母版進(jìn)行測(cè)量(420)，并通過(guò)使用預(yù)定算法(450)來(lái)指定初始曝光劑量(470)。曝光控制系統(tǒng)(490)使用母版CD數(shù)據(jù)(430、440)，以自動(dòng)計(jì)算母版曝光偏置值，即母版因子(510)。使用母版大小偏差(500)對(duì)所計(jì)算的母版因子(510)的相關(guān)來(lái)導(dǎo)出新母版的母版因子(510)。然后，所導(dǎo)出的母版因子(510)被用來(lái)預(yù)測(cè)(450)應(yīng)用到光刻工具(410)的新母版的初始曝光條件，以達(dá)到晶片設(shè)計(jì)尺寸。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1596384SQ02823702
公開日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2002年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月30日
發(fā)明者杰迪·H·蘭金, 克雷恩·E·施奈德, 約翰·S·史密斯, 安德魯·J·沃茨 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司