引線的接觸結構及其制造方法,包括該接觸結構的薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法

專利名稱：引線的接觸結構及其制造方法,包括該接觸結構的薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種用于薄膜晶體管陣列襯底的引線接觸結構，及其制造方法。
背景技術：
一般而言，引線組件形成在半導體器件中，用于傳送信號，同時要考慮最小化信號延遲的需求。
為了最小化信號延遲，引線組件通常由低電阻金屬材料(例如鋁和鋁合金)形成。然而，由于鋁基金屬材料具有很弱的物理化學特性，因此當引線組件與接觸區的其它導電材料相接觸時，易于在引線組件處發生侵蝕，并且這使得半導體器件的性能特征劣化。特別是對于液晶顯示器的情況，由于像素電極是以透明導電材料(諸如氧化銦錫(ITO))形成，因此與ITO基電極相接觸的鋁基層易于受到侵蝕。為了解決這類問題，已經提出了使用表現出具有對鋁基金屬材料的良好接觸特性的氧化銦錫(ITO)來形成像素電極。然而，在此情況下，接觸電阻在接觸區變大。

發明內容
本發明的目的在于提供一種利用低電阻材料形成并具有低電阻接觸特性的引線接觸結構。
本發明的另一個目的在于提供一種包括出色接觸特性的、用于薄膜晶體管陣列襯底的引線接觸結構。
這些及其它目的可以通過如下特征實現。利用鋁或鋁合金基層和另一層導電層形成引線組件。引線組件的側壁通過接觸區處的接觸孔暴露，或者在這些層中的一層處形成開口部分同時暴露其它層。
通過接觸孔將IZO基層連接至引線組件。為了防止IZO基層由于接觸區域的臺階差異而切斷，接觸孔邊界與引線組件邊界之間的距離為2μm或更小。
根據本發明的另一個方面，在形成引線接觸結構的方法中，利用第一導電層在襯底上形成引線組件。在引線組件上沉積絕緣層，使得絕緣層覆蓋引線組件。構圖絕緣層從而形成暴露引線組件側壁的接觸孔。形成第二導電層，使得第二導電層通過接觸孔與引線組件側壁接觸。
利用基于鋁或鋁合金的上層和基于鉬、鉬合金或鉻的下層形成第一導電層。第二導電層利用IZO形成。
接觸孔的邊界與引線組件的邊界之間的距離為2μm或更小。
根據本發明的另一方面，在引線接觸結構的形成方法中，在襯底上形成引線組件，使得引線組件具有開口部分。在襯底上沉積絕緣層，使得絕緣層覆蓋引線組件。構圖絕緣層，從而形成暴露開口部分的接觸孔。在絕緣層上形成第一導電層，使第一導電層通過接觸孔與引線組件接觸。
利用第二導電層形成具有基于鋁或鋁合金的上層和基于鉬、鉬合金或鉻的下層的引線組件。第一導電層利用IZO形成。開口僅形成在上層處，同時具有4×4μm或更小的面積。可以通過光刻使用一個光致抗蝕劑圖形形成上層和下層。
根據本發明的又一方面，薄膜晶體管陣列襯底包括形成在絕緣襯底上的柵極引線組件。柵極絕緣層覆蓋柵極線組件。半導體層形成在柵極絕緣層。在柵極絕緣層上，利用半導體層形成數據線組件。保護層覆蓋在數據線組件上。透明導電圖形形成在柵極絕緣層或保護層上。導電圖形通過形成在柵極絕緣層與或保護層處的第一接觸孔與柵極線組件和數據線組件的側壁接觸。
柵極線組件或數據線組件利用基于鉻、鉬或鉬合金的下層和基于鋁或鋁合金的上層形成。柵極絕緣層和保護層用氮化硅形成。透明導電圖形用IZO形成。
柵極線組件具有沿水平方向延伸的柵極線、與柵極線連接的柵極電極、以及與柵極線連接以接受來自外界的掃描信號并將掃描信號發送至柵極線的柵極墊。數據線組件具有沿垂直方向延伸的數據線、與數據線連接的源極電極、與源極電極分開同時圍繞柵極電極而面對源極電極的漏極電極、以及與數據線連接以接受來自外界的圖像信號并將圖像信號發送至數據線的數據墊。漏極電極的側壁通過第一接觸孔暴露出來。
保護層具有暴露數據墊的第二接觸孔，以及暴露柵極墊連同柵極絕緣層的第三接觸孔。第一至第三接觸孔的面積形成為4×4μm至10×10μm。利用接觸漏極電極側壁的像素電極以及通過第二和第三接觸孔與數據墊和柵極墊連接的輔助數據墊和輔助柵極墊成透明導電圖形。數據墊或柵極墊的側壁通過第二接觸孔或第三接觸孔暴露，而輔助柵極墊或輔助數據墊與數據墊或柵極墊的側壁接觸。
在制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的方法中，在絕緣襯底上形成柵極線組件。柵極線組件具有柵極線和連接柵極線的柵極電極。在絕緣襯底上沉積柵極絕緣層，使得柵極絕緣層覆蓋柵極線組件。在柵極絕緣層上形成半導體層。利用半導體層在柵極絕緣層上形成數據線組件。數據線組件具有橫跨柵極線的數據線、連接數據線同時靠近柵極電極的源極電極、以及圍繞柵極電極而面對源極電極的漏極電極。在襯底上沉積并構圖保護層，從而形成暴露漏極電極側壁的接觸孔。在保護層上形成像素電極，使得像素電極通過接觸孔與漏極電極的側壁相接觸。
通過光刻使用厚度不同的光致抗蝕劑圖形形成數據線組件和半導體層。光致抗蝕劑圖形包括具有第一厚度的第一部分，具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分，以及沒有厚度的第三部分。
在光刻工藝中，使用光掩模形成光致抗蝕劑圖形，光掩模包括具有第一光透射率的第一區域、具有低于第一區域光透射率的光透射率的第二區域、以及具有高于第一區域光透射率的光透射率的第三區域。光致抗蝕劑圖形的第一部分位于源極電極與漏極電極之間，而光致抗蝕劑圖形的第二部分位于數據線組件上方。
光掩模具有半透膜或狹縫圖形，狹縫圖形具有小于曝光器件的光分解能力的狹縫寬度，從而按不同的方式控制第一至第三區域的光透射。第一部分的厚度為第二部分厚度的1/2或更小。
可在半導體層與數據線組件之間形成歐姆接觸層。數據線組件、歐姆接觸層和半導體層用一個掩模形成。


在結合附圖考慮時，通過參照下面的詳細介紹，對本發明及其伴隨的優點將變得更好理解，因此對它更完整的評價將更加明顯易懂，附圖中相同的附圖標記表示相同或相似的部件，其中
圖1A至3E示出了根據本發明的引線接觸結構；圖4為根據本發明第一優選實施例的，用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的平面圖；圖5為沿著圖4的V-V’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖；圖6A、7A、8A和9A順序示出了制造圖4所示薄膜晶體管陣列襯底的步驟；圖6B為沿著圖6A的VIb-VIb’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖；圖7B為沿著圖7A的VIIb-VIIb’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖，其示出了繼圖6B所示步驟之后的處理步驟；圖8B為沿著圖8A的VIIIb-VIIIb’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖，其示出了繼圖7B所示步驟之后的處理步驟；圖9B為沿著圖9A的IXb-IXb’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖，其示出了繼圖8B所示步驟之后的處理步驟；圖10為示出圖4所示的薄膜晶體管陣列襯底周邊處形成的測試圖形的接觸電阻的表格；圖11為根據本發明第二優選實施例的，用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的平面圖；圖12和13為沿著圖11的XII-XII’線和XIII-XIII’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖；圖14A示出了制造圖11所示的薄膜晶體管陣列襯底的第一步；圖14B和14C為沿著圖14A的XIVb-XIVb’線和XIVc-XIVc’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖；圖15A和15B示出了接著圖14B和14C所示的制造薄膜晶體管陣列襯底的步驟；圖16A示出了繼圖15A和15B所示步驟之后的制造薄膜晶體管陣列襯底的步驟；圖16B和16C為沿著圖16A的XVIb-XVIb’線和XVIc-XVIc’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖；圖17A至19B順序示出了繼圖16B和16C所示步驟之后的制造薄膜晶體管陣列襯底的步驟；圖20A示出了繼圖19A和19B所示步驟之后的制造薄膜晶體管陣列襯底的步驟；以及圖20B和20C為沿著圖20A的XXb-XXb’線和XXc-XXc’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的橫截面圖。
具體實施例方式
下面，將參照

本發明的優選實施例。
圖1A至3E示出了根據本發明的引線接觸結構。具體地說，圖1A、2A、2C、3A至3E為引線接觸結構的平面圖，而圖1B、2B和2D為沿著圖1A的Ib-Ib’線、圖2A的IIb-IIb’線和圖2C的IId-IId’線截取的引線接觸結構的截面圖。
為了使信號延遲最小化，很好地利用具有15μΩ·cm或更小的低電阻率的鋁或鋁合金基金屬材料為半導體器件形成信號傳輸線。信號傳輸線與其它導電層連接，以接收相應的信號并將信號發送至所需的位置。由于信號傳輸線與附近的導電層接觸，因此應該盡可能地降低接觸電阻。
為此，如圖1A和1B所示，在襯底10上沉積并構圖第一導電層，使其包括具有相對于IZO的低接觸電阻的上層111(諸如鉬、鉬合金及鉻)，以及具有低電阻的上層112(諸如鋁或鋁合金)，由此形成引線組件11。然后，在襯底10上沉積絕緣層12，使其覆蓋引線組件11。其后，構圖絕緣層12，使其具有暴露引線組件11的接觸孔13。在絕緣層12上，利用IZO形成第二導電層14，使其通過接觸孔13直接與引線組件11接觸。引線組件11的側壁，特別是下層111的側壁，通過接觸孔13充分地暴露于外界，使得IZO基層14充分與下層111接觸。接觸孔13優選形成為使得通過接觸孔13暴露的引線組件11的側壁與鄰近它的接觸孔13的側壁之間的距離為2μm或更小。這樣就避免了第二導電層14由于接觸孔13的臺階差而被切斷。
另外，如圖2A和2B所示，可以在引線組件11的上層112處形成至少一個開口部分15，并且構圖覆蓋引線組件11的絕緣層12，由此形成暴露出開口部分15的接觸孔13。其后，在絕緣層12上形成第二導電層14，使得它通過開口部分15與引線組件11的下層111相接觸。優選，開口部分15具有4×4μm或更小的面積。由于開口部分15具有如此小的尺寸，因此在上層112和下層111的形成中，可僅使用一個掩模。即，在構圖形狀不同的上層112和下層111時，上層112使用光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模來蝕刻。其后，使用保留的光致抗蝕劑圖形或上層602作為蝕刻掩模，蝕刻下層601。由于開口部分15具有4×4μm或更小的小面積，因此蝕刻速度在開口部分15處變得更慢。按此方式，可以通過光刻工藝使用一個光致抗蝕劑圖形形成形狀不同的上層112和下層111。
如圖2C和2D所示，下層111的頂面可暴露于上層112之外，使引線組件的側壁具有臺階結構。這樣確保了下層111與第二導電層14之間充分的接觸面積。為了使用一個光致抗蝕劑圖形構圖形狀不同的上層112和下層111，可以使用狹縫圖形或半透膜。或者，可以通過回流工藝形成具有相對薄的周邊部分的光致抗蝕劑圖形，并按兩種方式蝕刻。這將關于使用四個掩模的制造薄膜晶體管陣列襯底的工藝來解釋。
同時，如圖3A至3D所示，可以按各種方式使引線組件11和接觸孔13變形，使它們具有用于未對準的空邊。如圖3E所示，可以在引線組件11處形成多個的開口部分15。
上述引線接觸結構可應用于液晶顯示器用薄膜晶體管陣列襯底的制造。
圖4為根據本發明第一優選實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的平面圖，而圖5為沿著圖4的V-V’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的截面圖。
利用低電阻金屬材料(例如鋁和鋁合金)在絕緣襯底10上形成柵極線組件。柵極線組件包括沿水平方向延伸的柵極線22、與柵極線22連接以接收來自外界的柵極信號并將信號發送至柵極線22的柵極墊24、以及與柵極線22連接以同其它電極部件一起形成薄膜晶體管的柵極電極。
利用氮化硅SiNx在襯底10上形成柵極絕緣層30，同時覆蓋柵極線組件。
利用非晶硅在柵極絕緣層30上并在柵極電極26的上方形成島形半導體層40。利用n+摻氫非晶硅在半導體層40上形成歐姆接觸層55和56，n+摻氫非晶硅是以很高的濃度摻雜硅化物或n型雜質。
利用金屬或導電材料(例如鋁Al、鋁合金、鉬Mo、鉬鎢合金MoW、鉻Cr、鉭ta、以及鈦Ti)在歐姆接觸層55和56以及在柵極絕緣層30上形成數據線組件。數據線組件包括沿垂直方向延伸同時跨過柵極線22以限定像素區域的數據線62、從數據線62分支出來同時延伸至一側的歐姆接觸層54之上的源極電極65、連接至數據線62一端以接收來自外界的圖像信號的數據墊68、以及在柵極電極26周圍與源極電極64分開同時在另一側的歐姆接觸層56上的漏極電極66。
可以利用鋁或鋁合金基單層結構或多層結構形成數據線組件。在形成具有雙層結構的數據線組件的情況下，優選有一層是用低電阻材料形成的，而另一層用具有與其它材料之間(特別是對于IZO)的良好接觸特性的材料形成。例如，Al(或Al合金)/Cr或Al(或Al合金)/Mo(或Mo合金)可用于該目的。在此優選實施例中，利用Cr基下層601和鋁/釹(Al/Nd)基上層602形成數據線組件。
利用氮化硅在數據線組件和柵極絕緣層30上形成保護層70。在保護層70處形成接觸孔76和78，同時分別暴露出漏極電極66和數據墊68。另外，在保護層70處形成接觸孔74，同時暴露出柵極墊24，連同柵極絕緣層30。漏極電極66的邊界透過接觸孔76暴露出來，使得下層601和上層602的側壁暴露于外界。接觸孔76和漏極電極66的形狀可以如圖3A至3E所示地變化。暴露出漏極電極66的接觸孔76的面積優選為4×4μm至10×10μm。另外，可以透過接觸孔74和78暴露墊24和68的邊緣。為了最小化接觸區的接觸電阻，接觸孔74和78優選形成得比接觸孔76要大。
在各個像素區處的保護層70上形成像素電極82，同時像素電極82通過接觸孔76與漏極電極66電連接。像素電極82與透過接觸孔76暴露的漏極電極66的側壁接觸，特別是與下層601的側壁接觸。在此結構中，可以最小化接觸區的接觸電阻。
在保護層70上形成輔助柵極墊和輔助數據墊86和88，同時輔助柵極墊和輔助數據墊86和88通過接觸孔74和78與柵極墊和數據墊24和68連接。像素電極82、輔助柵極墊86和輔助數據墊88是利用氧化銦鋅(IZO)形成的。
如圖1和2所示，像素電極82與柵極線22交疊，從而形成存儲電容器。在不期望通過交疊獲得存儲電容器的情況下，可以在與柵極線組件相同的平面處形成存儲電容線組件。
下面將參照圖6A至9B以及圖4和5說明制造薄膜晶體管陣列襯底的方法。
如圖6A和6B所示，通過在150℃下濺射，在襯底10上沉積基于低電阻目標材料(諸如包括2at％的Nd成分的鋁/釹(Al/Nd)合金)的導電層，使得其具有2500的厚度，并且對其構圖，以形成具有細尖(tapering)結構的柵極線組件。柵極線組件具有柵極線22、柵極電極26和柵極墊24。
其后，如圖7A和7B所示，在襯底10上順序沉積氮化硅基柵極絕緣層30、非晶硅層40和摻雜非晶硅層50，并且通過光刻構圖非晶硅層40和摻雜非晶硅層50，從而在柵極電極24上方的柵極絕緣層30上形成半導體層40和歐姆接觸層50。優選柵極絕緣層30通過在250至400℃下沉積氮化硅層形成，使其具有2000至5000的厚度。
如圖8A和8B所示，通過在150℃下濺射，在襯底10上順序沉積基于鉬、鉬合金或鉻并具有500 厚度的下層601和基于低電阻目標材料(諸如包括2at％的Nd成分的Al-Nd合金)并具有2500厚度的上層602，并通過光刻構圖，從而形成具有細尖結構的數據線組件。數據線組件包括橫跨柵極線22的數據線62、與數據線62連接同時延伸于柵極電極62上方的源極電極65、與數據線62一端連接的數據墊68、以及圍繞柵極電極26與源極電極65面對同時與源極電極65分開的漏極電極66。
上層602和下層601可都通過濕法蝕刻進行蝕刻。還可以通過濕法蝕刻來蝕刻上層602，而通過干法蝕刻來蝕刻下層601。在下層601是以鉬或鉬合金形成的情況下，可以在相同的蝕刻條件下，將其與上層602一起蝕刻。
可以僅在漏極電極66的上層602處形成開口部分，同時形成圖2A和2B所示的接觸結構。開口部分的面積優選形成為4×4μm或更小，使得無需分別進行光刻。
為了使下層601能與后面將形成的IZO基層形成良好的接觸，優選防止下層601底切(undercut)至上層602的底部，或者是下層601延伸至上層602外。在下層601是以鉬或鉬合金形成的情況下，下層601對上層602的厚度比為1/5或更大，并且其沉積是利用DIP模式進行的，從而防止下層601底切。另外，在下層601是以鉻形成的情況下，在清除或去除光致抗蝕劑膜期間部分地去除鋁或鋁合金基上層602，使得鉻基下層601暴露于外界。
其后，蝕刻通過柵極線組件暴露的摻雜非晶硅層50，使得其分為圍繞柵極電極26的兩部分，同時暴露其間的半導體層40。為了穩定半導體層40的暴露表面，優選對其施用氧氣等離子體。
如圖9A和9B所示，在250至400℃的溫度下，在襯底10上沉積基于氮化硅的無機絕緣層，從而形成保護層70。通過光刻構圖保護層70連同柵極絕緣層30，從而形成分別暴露出柵極墊24、漏極電極66和數據墊68的接觸孔74、76和78。蝕刻條件優選為使得不蝕刻鋁或鋁合金基金屬層。可使用F基氣體作為蝕刻氣體。通過接觸孔76暴露漏極電極66的邊界，使得上層602和下層601的側壁暴露于外界。優選接觸孔76的邊界和漏極電極66的邊界彼此以2μm或更小的距離分開。這樣最小化了像素電極82與漏極電極66之間的接觸電阻，同時防止漏極電極66由于接觸孔76的形成而發生底切。即，接觸孔76的邊界與漏極電極66的邊界之間的距離形成為3μm或更大時，柵極絕緣層30極端地蝕刻至漏極電極66的底部，同時在接觸孔76處發生底切。結果，將在后面形成的像素電極82會由于柵極絕緣層30的臺階差而在漏極電極66的底部切斷，同時增大了接觸區的接觸電阻。然而，在本優選實施例中，由于接觸孔76的邊界與漏極電極66的邊界之間的距離形成為2μm或更小，因此柵極絕緣層30沒有過度地蝕刻至漏極電極66的底部，同時完整地暴露出漏極電極66的側壁。當然，可以通過圖1A和1B所示的接觸孔74將墊24和68的邊界暴露于外界。
最后，如圖4和5所示，通過濺射，在襯底10上沉積IZO基層，并且通過光刻構圖，從而分別形成通過接觸孔76與漏極電極66連接的像素電極82，以及通過接觸孔74和78與柵極墊和數據墊24和68連接的輔助柵極墊和輔助數據墊86和88。保護像素電極82不被切斷，同時可靠地與下層601接觸，由此最小化接觸區的接觸電阻。由Idemitsu公司制造的銦x金屬氧化物(IDIXO)被用作用于形成IZO基層82、86和88的目標材料。目標材料包括In2O3和ZnO。優選，Zn含量為15至20at％。為了最小化接觸電阻，IZO基層的沉積是在250℃或更低的溫度下進行的。
在襯底的周邊形成向外超出其顯示區的接觸結構作為測試圖形，使其具有與形成在顯示區的相同的結構，并且在三種可能的情況下測量接觸電阻。在第一種情況下，接觸孔76形成在漏極電極66的上方。在第二種情況下，接觸孔76的邊界與漏極電極66的邊界分開3μm或更大的距離。在第三種情況下，接觸孔76的邊界與漏極電極66的邊界分開2μm或更小的距離。對于第一至第三種情況，進行了200次測試，并測量了其接觸電阻。結果，與第一和第二種情況相關的接觸電阻增長至E7Ω或更大，而對于第三種情況的則為E6Ω或更小。
同時，接觸區的接觸電阻對于各種工藝條件以各種測試圖形測量。
圖10為示出薄膜晶體管陣列襯底邊緣處形成的測試圖形的接觸電阻的圖表。
測試圖形形成在襯底周邊、超出其顯示區域以外。如圖1A和1B所示，利用具有鉻基下層和鋁合金基上層的引線組件、具有接觸孔的氮化硅基絕緣層、以及IZO基層來簡化接觸結構。形成200個接觸結構，并且測量其接觸電阻。在第一種圖形中，接觸孔的邊界位于引線組件的上方。在第二種圖形中，引線組件的側壁與IZO基層相接觸。絕緣層的接觸電阻在這樣的條件下測量，即保護層和柵極絕緣層分別在235℃和310℃下沉積為2000和3000的厚度。引線組件的接觸電阻在這樣的條件下測量，即鋁合金基層分別在150℃和50℃下沉積。另外，還在幾種不同的情況下測量引線組件的接觸電阻。在第一種情況下，引線組件暴露于氣體中，用于蝕刻1500和3000的歐姆接觸層。在第二種情況下，絕緣層通過PE模式的方式蝕刻63秒和68秒，從而形成接觸孔。在第三種情況下，在1000W和400W下通過ICP模式的方式蝕刻絕緣層，從而形成接觸孔。在第四種情況下，清洗透過接觸孔暴露的引線組件70秒，或者不這樣。
如圖10所示，當接觸孔形成為10×10μm時，第一種圖形的接觸電阻為5.3MΩ至4.0GΩ，而第二種圖形的接觸電阻為14KΩ至515KΩ。存在這樣的情況，即第一種圖形的接觸電阻測量為60KΩ。在此情況下，第一種圖形的接觸結構形成得類似于第二種圖形，使得引線組件的邊界透過接觸孔暴露出來，而IZO基層充分地與引線組件的側壁，特別其是下層的側壁相接觸。
另外，在接觸孔形成為7×7μm的情況下，第一種圖形的接觸電阻為12MΩ至7.9GΩ，而第二種圖形的接觸電阻為18KΩ至664KΩ。在接觸孔形成為4×4μm的情況下，第一種圖形的接觸電阻為48MΩ至85GΩ，而第二種圖形的接觸電阻為3KΩ至1.2MΩ。
在上述構造的薄膜晶體管陣列襯底中，柵極線組件和數據線組件包括基于鋁或鋁合金的低電阻導電層，而數據線組件與IZO基像素電極82之間在接觸區的接觸電阻被最小化。因此，此襯底可以較好地用于寬屏幕高清晰液晶顯示器的制造中。
或者，上述工藝可以進使用四個掩模來完成。
圖11為根據本發明第二優選實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的平面圖，而圖12和13為沿著圖11的XII-XII’線和XIII-XIII’線截取的薄膜晶體管陣列襯底的橫截面圖。
用諸如鋁和鋁合金的低電阻導電材料在絕緣襯底10上形成柵極線組件。柵極線組件包括柵極線22、柵極墊24和柵極電極26。柵極線組件還包括平行于柵極線22延伸的存儲電容電極28，用于接收來自外界的公共電極電壓。存儲電容電極28與連接至像素電極82的存儲電容器導電圖形68交疊，由此形成用于增強像素的電勢存儲電容量的存儲電容器。在期望通過交疊像素電極82與柵極線22來獲得存儲電容的情況下，存儲電容器電極28可以省略。
柵極線組件可以具有雙層結構。在此情況下，柵極線組件具有基于鉻、鉬、鉬合金、鉭或鈦的、表現出對于IZO的低接觸電阻的下層201，以及基于鋁或鋁合金的上層202。
利用氮化硅SiNx在柵極線組件上形成柵極絕緣層30，同時柵極絕緣層30覆蓋柵極線組件。
利用摻氫非晶硅在柵極絕緣層30上形成半導體圖形42和48。用其中以高濃度摻雜了諸如磷P的n型雜質的非晶硅在半導體圖形42和48上形成歐姆接觸圖形55、56和58。
利用諸如鋁和鋁合金的低電阻導電材料在歐姆接觸圖形55、56和58上形成數據線組件。數據線組件包括具有沿著垂直方向延伸的數據線62、與數據線62的一側連接用于接收來自外界的圖像信號的數據墊68、以及從數據線62分支出來的源極電極65的數據線單元。數據線組件還包括圍繞柵極電極26或者溝道部分C而與源極電極65相對、同時與源極電極65分開的漏極電極66，以及位于存儲電容器電極28上方的存儲電容器導電圖形64。在沒有存儲電容器電極28的情況下，也可以略去存儲電容器導電圖形64。
數據線組件可具有雙層結構。在此情況下，柵極線組件具有基于鉻、鉬、鉬合金、鉭或鈦的下層601，以及基于鋁或鋁合金的上層602。
歐姆接觸圖形55、56和58降低了半導體圖形42和48與數據線組件之間的接觸電阻，同時具有與數據線組件相同的形狀。即，數據線單元歐姆接觸圖形55具有與數據線單元62、65和68相同的形狀，而漏極電極歐姆接觸圖形56具有與漏極電極66相同的形狀，而存儲電容歐姆接觸圖形58具有與存儲電容器導電圖形64相同的圖形。
同時，除溝道部分C以外，半導體圖形42和48具有與數據線組件和歐姆接觸圖形55、56和58相同的圖形。特別是，存儲電容器半導體圖形46、存儲電容器導電圖形64和存儲電容器歐姆接觸圖形58具有相同的形狀，但薄膜晶體管半導體圖形42與數據線組件和歐姆接觸圖形稍有不同。即，源極以及漏極電極65和66在溝道部分C處彼此分開，而數據線單元歐姆接觸圖形55和漏極電極歐姆接觸圖形56也在溝道部分C處彼此分開。然而，薄膜晶體管半導體圖形42在溝道部分C處繼續延伸、沒有分開，由此形成了薄膜晶體管溝道。
用氮化硅在數據線組件上形成保護層70。
保護層具有分別暴露出漏極電極66、數據墊68和存儲電容器導電圖形64的接觸孔76、78和72。另外，保護層70具有暴露出柵極墊24連同柵極絕緣層30的接觸孔74。接觸孔72、74、76和78形成為使得它們暴露出存儲電容器導電圖形64、柵極墊24、漏極電極66和數據墊68的側壁，特別是表現出對于IZO基層的低接觸電阻的下層201和601。
像素電極82形成在保護層70上，用于連同形成在反面襯底處的公共電極一起，接收來自薄膜晶體管和來自電場的圖像信號。像素電極82用諸如氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料形成。像素電極82通過接觸孔76與漏極電極電連接，用于接收圖像信號。另外，像素電極82與鄰近的柵極線22和數據線62交疊，從而增大開口或孔徑比。該交疊可以省略。另外，像素電極82通過接觸孔72與存儲電容器導電圖形64連接，用于發送圖像信號至導電圖形64。輔助柵極墊和輔助數據墊86和88形成在柵極墊和數據墊24和68的上方，同時通過接觸孔74和78與其連接，用于加強墊24和68對外電路的附著強度，同時保護該些墊。輔助柵極墊和輔助數據墊84和88不是必須的，但是可以選擇性地采用。IZO基層82、86和88與存儲電容器導電圖形64、柵極墊24、漏極電極66和數據墊68的側壁相接觸，特別是它們表現出對于IZO基層的較低接觸電阻的下層201和601。
像素電極可以利用透明導電聚合物形成。在反射型液晶顯示器中，像素電極82可利用不透明的導電材料形成。
制造薄膜晶體管陣列襯底的方法將參照圖14A至21C以及圖11至13來說明。
如圖14A至14C所示，通過濺射，在襯底10上順序沉積基于鉬、鉬合金或鉻的下層201和基于Al-Nd合金的上層202，并且通過光刻使用掩模進行構圖，從而形成具有細尖結構的柵極線組件，其中鉬、鉬合金或鉻表現出相對于IZO比鋁更低的接觸電阻，而Al-Nd合金包括2at％的Nd成分。柵極線組件具有柵極線22、柵極墊24、柵極電極26和存儲電容器電極28。為了使下層201可以與后面將要形成的IZO基層充分接觸，要防止下層201底切至上層202的底部，或延伸至上層202外。因此，在下層201是以鉬或鉬合金形成的情況下，下層201對上層202的厚度比為1/5或更大，并且其蝕刻是利用DIP模式進行的，其中將襯底浸入蝕刻溶液中，使得下層201可以免于底切。另外，在下層201是以鉻形成的情況下，下層201沉積為500或更小，并且在清除工藝或光致抗蝕劑膜去除工藝期間，部分地去除鋁或鋁合金基上層。按此方式鉻基下層201將延伸至上層202外。
其后，參照圖15A和15B，通過化學汽相稱的方法，在襯底10上順序沉積柵極絕緣層30、半導體層40和歐姆接觸層50，使得它們分別具有1500至5000、500至2000和300至600的厚度。通過濺射，在半導體襯底10上沉積具有基于鋁或鋁合金的下層601和基于鉻、鉬或鉬合金的上層602的導電層60，使得其具有1500至3000的厚度。然后，在導電層60上涂覆1至2μm厚的光致抗蝕劑薄膜110。
如圖16B和16C所示，然后將光致抗蝕劑薄膜110通過第二掩模曝光，并且對其顯影，由此形成具有第一和第二圖形部分114和112的光致抗蝕劑圖形。第一光致抗蝕劑圖形部分114形成為具有小于第二光致抗蝕劑圖形部分112的面積。去除保留區域B處所有的光致抗蝕劑薄膜部分。第一光致抗蝕劑圖形部分114對第二光致抗蝕劑圖形部分112的厚度比應控制為根據后續處理步驟中的蝕刻條件而變化。優選，第一光致抗蝕劑圖形部分114的厚度應為第二光致抗蝕劑圖形部分112厚度的1/2或更小，例如4000或更小。
為了使光致抗蝕劑薄膜的厚度出現差異，可以在掩模處形成半透區域，其具有狹縫或柵格圖形或者半透薄膜。
優選，圖形的寬度應小于曝光器件的光分解量。在使用半透膜的情況下，光透射或厚度不同的薄膜可用于在制造掩模中控制光透射。
當光致抗蝕劑薄膜使用掩模曝光時，光致抗蝕劑薄膜直接暴露于光的部分的高分子完全分解，光致抗蝕劑薄膜具有狹縫圖形或半透膜部分處的高分子一定程度地分解，而由光阻擋膜阻擋的光致抗蝕劑薄膜部分的高分子幾乎不分解。在顯影光致抗蝕劑薄膜時，僅高分子未分解處的光致抗蝕劑薄膜部分保留，同時依據分子分解的程度具有不同的厚度。在曝光時間過長時，所有的分子都傾向于分解。
這種具有相對薄的厚度的光致抗蝕劑薄膜114可以使用能夠產生回流的材料形成。在此情況下，目標膜使用具有光透射區和光阻擋區的普通掩模曝光并顯影。薄膜部分部分地回流成非薄膜部分。
其后，蝕刻光致抗蝕劑圖形114、以及下面的導電層60、歐姆接觸層50和半導體層40。此時，數據線組件，以及下面的層保留在數據線組件區域A的上方，僅半導體層保留在溝道區C的上方，并且在保留區域B處所有的導電層60、歐姆接觸層50和半導體層40都被去除，同時將柵極絕緣層30暴露于外界。
具體地說，如圖14A和14B所示，暴露于B區域的導電層60被去除，同時暴露出下面的歐姆接觸層50。在此工藝中，可以在蝕刻導電層60同時幾乎不蝕刻光致抗蝕劑圖形112和114的條件下使用濕法蝕刻或干法蝕刻。然而，對于干法蝕刻的情況，很難發現其中僅蝕刻導電層60同時不蝕刻光致抗蝕劑圖形112和114的條件。因此，可能使光致抗蝕劑圖形112和114一同被蝕刻。在此情況下，第一光致抗蝕劑圖形部分114的厚度應形成為足以保護下面的導電層60免于通過蝕刻而暴露于外界。
在導電層60包括Mo、MoW合金、Al、Al合金或Ta的情況下，可使用干法蝕刻或濕法蝕刻。然而，對于Cr的情況，由于其未能通過干法蝕刻很好地去除，因此優選對鉻基層使用濕法蝕刻，同時使用CeNHO3作為蝕刻液。在導電層60是以Mo或MoW通過干法蝕刻制成的情況下，可使用CF4和HCl或CF4和O2作為蝕刻氣體。在后一種情況中，相對于光致抗蝕劑薄膜，其蝕刻比彼此近似。
結果，如圖17A和17B所示，源極/漏極導電圖形67和存儲電容器導電圖形64保留在溝道區C和數據線組件區域A上方，而保留區域B處的導電層60全部去除，同時暴露出下面的歐姆接觸層50。導電圖形67和64具有與數據線組件相同的形狀，除了源極和漏極電極65和66彼此不分開地連接。另外，在使用干法蝕刻的情況下，還要蝕刻光致抗蝕劑圖形112和114預定厚度。
其后，如圖18A和18B所示，暴露于區域B處的歐姆接觸層50以及下面的半導體層40同時通過干法蝕刻，連同第一光致抗蝕劑圖形部分114一起去除。對于歐姆接觸層50和半導體層40的蝕刻應在光致抗蝕劑圖形112和114、歐姆接觸層50和半導體層40(半導體層和歐姆接觸層不具有蝕刻選擇性)同時被蝕刻而同時不蝕刻柵極絕緣層30的條件下進行。特別地，對于光致抗蝕劑圖形112和114以及半導體層40的蝕刻比優選相同。例如，這兩層可以以近似相同的厚度，使用SF6和HCL或SF6和O2作為蝕刻氣體蝕刻。在對于光致抗蝕劑圖形112和114以及半導體層40的蝕刻比相同的情況下，第一光致抗蝕劑圖形部分114的厚度應等于或小于半導體層40和歐姆接觸層50的厚度之和。
因此，如圖18A和18B所示，溝道區C處的第一光致抗蝕劑圖形部分114被去除，同時暴露出源極/漏極導電圖形67，并且B區域處的歐姆接觸層50和半導體層40被去除，同時將下面的柵極絕緣層30暴露于外界。同時，還蝕刻了數據線組件區域A處的第二光致抗蝕劑圖形部分112，并減小其厚度。在此處理步驟中，半導體圖形42和48是完整的。附圖標記57和58分別表示源極/漏極導電圖形67和存儲電容器導電圖形64下的歐姆接觸圖形。
殘留在溝道區C處的源極/漏極導電圖形67表面上的光致抗蝕劑薄膜殘余通過灰化去除。
其后，如圖19A和19B所示，溝道區C處的源極/漏極導電圖形67和下面的源極/漏極歐姆接觸圖形57通過蝕刻去除。可以對源極/漏極導電圖形67和歐姆接觸圖形57都進行干法蝕刻。可以對源極/漏極導電圖形67進行濕法蝕刻，同時對歐姆接觸圖形57進行干法蝕刻。在前一種情況中，優選蝕刻是在對于源極/漏極導電圖形67和歐姆接觸圖形57的蝕刻選擇比很大的條件下進行的。在蝕刻選擇比不大的情況下，難以發現蝕刻終點，使得保留在溝道區C上方的半導體圖形42的厚度不易控制。例如，源極/漏極導電圖形67可以使用SF6和O2的混合物作為蝕刻氣體蝕刻。在后一種交替使用濕法蝕刻和干法蝕刻的情況中，受到濕法蝕刻的源極/漏極導電圖形67的橫向側面被去除，但受到干法蝕刻的歐姆接觸圖形57的橫向側面幾乎未被蝕刻，使得在那里產生了臺階部分。例如，歐姆接觸圖形57和半導體圖形42可以使用CF4和HCl或CF4和O2的混合物作為蝕刻氣體蝕刻。在使用CF4和O2的混合物作為蝕刻氣體的情況下，半導體圖形42可以具有均勻的厚度。此時，如圖19B所示，部分地去除半導體圖形42，同時減小其厚度，而第二光致抗蝕劑圖形部分112被蝕刻掉預定的厚度。蝕刻應在不蝕刻柵極絕緣層30的條件下進行。光致抗蝕劑薄膜應足夠厚，以保護第二光致抗蝕劑圖形部分112免受蝕刻，同時暴露下面的數據線組件。
結果，源極和漏極電極65和66彼此分開，同時完成了數據線組件和下面的歐姆接觸圖形55、56和58。
最后，去除保留在數據線組件區域A處的第二光致抗蝕劑圖形部分112。然而，第二光致抗蝕劑圖形部分112的去除可以在溝道區C處的源極/漏極導電圖形67被去除之后但在下面的歐姆接觸圖形57被去除之前進行。
如上所述，濕法蝕刻和干法蝕刻可以交替使用，或者可以僅使用濕法蝕刻。在后一種情況中，處理步驟得到了簡化，但難以發現合適的蝕刻條件。相比之下，在前一種情況中，相對容易發現合適的蝕刻條件，但處理步驟復雜化了。
形成數據線組件之后，如圖20A和20B所示，通過在250至400℃下進行CVD沉積氮化硅層，由此形成保護層70。保護層70連同柵極絕緣層30一起，使用第三掩模蝕刻，由此形成暴露漏極電極66的下層201和601、柵極墊24、數據墊68、以及存儲電容導電圖形64的接觸孔76、74、78和72。
最后，如圖11至13所示，通過濺射，在襯底10上沉積IZO基層，使得其具有400至500的厚度。使用第四掩模蝕刻IZO基層，從而形成與漏極電極66和存儲電容器導電圖形64連接的像素電極82、與柵極墊24連接的輔助柵極墊84、以及與數據墊68連接的輔助數據墊88。用于構圖鉻基層的蝕刻溶液可以用于構圖IZO，同時保護數據線組件或柵極線組件免受侵蝕。HNO3/(NH4)Ce(NO3)6/H2O可用作蝕刻溶液。
在此優選實施例中，數據線組件和下面的歐姆接觸圖形55、56和58以及半導體圖形42和48使用一個掩模形成。在此工藝中，源極和漏極電極65和66彼此分開。按此方式，可以簡化處理步驟。
或者，參照圖2A至3E說明的接觸結構可以很好地應用于制造根據第一和第二優選實施例的薄膜晶體管陣列襯底中。另外，參照圖1A至3E說明的接觸結構還可以應用于具有不同結構的半導體器件的制造中。
如上所述，接觸區域內引線組件的側壁暴露于外界，而與IZO基層相接觸的導電層形成為具有很低的接觸電阻。按此方式，引線組件與IZO基層之間的接觸電阻被最小化，同時確保了接觸區域的可靠性。另外，由于引線組件包括低電阻的鋁或鋁合金基導電層，其可以很好地應用于寬屏幕高清晰顯示器。另外，在簡化處理步驟的同時降低了成本。
雖然，已經參照優選實施例詳細介紹了本發明，本領域技術人員將可以理解，可以在不脫離所附權利要求表現的本發明的精髓與范圍的前提下，對其進行各種改動與替換。
權利要求
1.一種形成引線接觸結構的方法，該方法包括步驟在襯底上形成引線組件，其具有第一導電層；在引線組件上沉積絕緣層，使絕緣層覆蓋引線組件；構圖絕緣層，從而形成暴露引線組件側壁的接觸孔；以及形成第二導電層，使第二導電層通過接觸孔與引線組件的側壁接觸。
2.如權利要求1所述的方法，其中利用基于鋁或鋁合金的上層和基于鉬、鉬合金或鉻的下層形成第一導電層。
3.如權利要求1所述的方法，其中接觸孔的邊界與引線組件的邊界之間的距離為2μm或更小。
4.如權利要求1所述的方法，其中利用透明導電材料形成第二導電層。
5.如權利要求4所述的方法，其中該透明導電材料為氧化銦鋅(IZO)。
6.一種形成引線接觸結構的方法，該方法包括步驟在襯底上形成引線組件，使引線組件具有開口部分；在襯底上沉積絕緣層，使絕緣層覆蓋引線組件；構圖絕緣層，從而形成暴露開口部分的接觸孔；以及在絕緣層上形成第一導電層，使第一導電層通過接觸孔與引線組件接觸。
7.如權利要求6所述的方法，其中利用第二導電層形成具有基于鋁或鋁合金的上層和基于鉬、鉬合金或鉻的下層的引線組件。
8.如權利要求7所述的方法，其中開口部分僅形成在上層處。
9.如權利要求8所述的方法，其中開口部分具有4×4μm或更小的面積。
10.如權利要求9所述的方法，其中通過光刻，使用一個光致抗蝕劑圖形形成上層和下層。
11.如權利要求6所述的方法，其中第一導電層利用IZO形成。
12.一種引線接觸結構，包括引線組件，形成在襯底上；絕緣層，覆蓋引線組件，絕緣層具有暴露引線組件側壁的接觸孔；以及導電層，利用IZO形成在絕緣層上，同時通過接觸孔與引線組件的側壁接觸。
13.如權利要求12所述的引線接觸結構，其中引線組件利用基于鉻、鉬或鉬合金的下層和基于鋁或鋁合金的上層形成。
14.一種引線接觸結構，包括引線組件，形成在襯底上，具有開口部分；絕緣層，覆蓋引線組件，同時具有暴露出開口部分的接觸孔；以及導電層，利用IZO形成在絕緣層上，同時通過接觸孔和開口部分與引線組件接觸。
15.如權利要求14所述的引線接觸結構，其中引線組件利用基于鉻、鉬或鉬合金的下層和基于鋁或鋁合金的上層形成。
16.如權利要求15所述的引線接觸結構，其中開口部分僅形成上層處。
17.如權利要求14所述的引線接觸結構，其中開口部分具有4×4μm或更小的面積。
18.一種薄膜晶體管陣列襯底，包括柵極線組件，形成在絕緣襯底上；柵極絕緣層，覆蓋柵極線組件；半導體層，形成在柵極絕緣層上；數據線組件，利用半導體層形成在柵極絕緣層上；保護層，覆蓋數據線組件；以及透明導電圖形，形成在柵極絕緣層或保護層上，導電圖形通過形成在柵極絕緣層或保護層處的第一接觸孔接觸柵極線組件和數據線組件的側壁。
19.如權利要求18所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中柵極線組件或數據線組件利用基于鉻、鉬或鉬合金的下層和基于鋁或鋁合金的上層形成。
20.如權利要求18所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中利用氮化硅形成柵極絕緣層和保護層。
21.如權利要求18所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中利用IZO形成透明導電圖形。
22.如權利要求18所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中柵極線組件具有沿水平方向延伸的柵極線、與柵極線連接的柵極電極、以及與柵極線連接以接收來自外界的信號并將掃描信號發送至柵極線的柵極墊，而數據線組件具有沿垂直方向延伸的數據線、與數據線連接的源極電極、與源極電極分開同時圍繞柵極電極而與源極電極面對的漏極電極、以及與數據線連接以接收來自外界的圖像信號并將圖像信號發送至數據線的數據墊，漏極電極的側壁通過第一接觸孔暴露。
23.如權利要求22所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中保護層具有暴露數據墊的第二接觸孔，以及暴露柵極墊連同柵極絕緣層的第三接觸孔，第一至第三接觸孔的面積形成為4×4μm至10×10μm。
24.如權利要求23所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中利用與漏極電極側壁相接觸的像素電極、以及通過第二和第三接觸孔與數據墊和柵極墊連接的輔助數據墊和輔助柵極墊成透明導電圖形
25.如權利要求24所述的薄膜晶體管陣列襯底，其中數據墊或柵極墊的側壁通過第二接觸孔或第三接觸孔暴露，而輔助數據墊或輔助柵極墊與數據墊或柵極墊的側壁接觸。
26.一種制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的方法，該方法包括步驟在絕緣襯底上形成柵極線組件，柵極線組件具有柵極線和連接柵極線的柵極電極；在絕緣襯底上沉積柵極絕緣層，使柵極絕緣層覆蓋柵極線組件；在柵極絕緣層上形成半導體層；利用半導體層在柵極絕緣層上形成數據線組件，數據線組件具有橫跨柵極線的數據線、連接數據線同時靠近柵極電極的源極電極、以及圍繞柵極電極而面對源極電極的漏極電極；沉積保護層；構圖保護層，從而形成暴露漏極電極的側壁的第一接觸孔；以及在保護層上形成像素電極，使像素電極通過第一接觸孔與漏極電極的側壁相接觸。
27.如權利要求26所述的方法，其中柵極線組件或數據線組件利用基于鉻、鉬或鉬合金的下層和基于鋁或鋁合金的上層形成。
28.如權利要求26所述的方法，其中利用氮化硅形成柵極絕緣層和保護層。
29.如權利要求26所述的方法，其中利用氧化銦鋅(IZO)形成像素電極。
30.如權利要求26所述的方法，其中柵極線組件還具有與柵極線連接從而接受來自外界的掃描信號并將掃描信號發送至柵極線的柵極墊，數據線組件還具有與數據線連接從而接收來自外界的圖像信號并將圖像信號發送至數據線的數據墊，而保護層還具有暴露數據墊的第二接觸孔和暴露柵極墊連同柵極絕緣層的第三接觸孔，該方法還包括在與像素電極相同的平面內形成輔助柵極墊和輔助數據墊的步驟，使輔助柵極墊和輔助數據墊通過第三和第二接觸孔與柵極墊和數據墊電連接。
31.如權利要求26所述的方法，其中數據線組件和半導體層通過光刻使用不同厚度的光致抗蝕劑圖形形成。
32.如權利要求31所述的方法，其中光致抗蝕劑圖形包括具有第一厚度的第一部分、具有第二厚度的第二部分、以及沒有厚度的第三部分，第二厚度大于第一厚度。
33.如權利要求32所述的方法，其中在光刻工藝中，光致抗蝕劑圖形使用具有光掩模形成，光掩模包括具有預定光透射率的第一區域、光透射率低于第一區域光透射率的第二區域、以及光透射率高于第一區域光透射率的第三區域。
34.如權利要求33所述的方法，其中在光刻工藝中，光致抗蝕劑圖形的第一部分設置在源極與漏極電極之間，而光致抗蝕劑圖形的第二部分設置在數據線組件上方。
35.如權利要求34所述的方法，其中光掩模具有半透膜或狹縫寬度小于曝光器件的光分解能力的狹縫圖形，用于按不同的方式控制第一至第三區域的光透射率。
36.如權利要求35所述的方法，其中第一部分厚度為第二部分厚度的1/2或更小。
37.如權利要求21所述的方法，還包括在半導體層與數據線組件之間形成歐姆接觸層的步驟。
38.如權利要求37所述的方法，其中數據線組件、歐姆接觸層和半導體層使用一個掩模形成。
全文摘要
在制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列襯底的方法中，在襯底(10)上形成含鉻基下層(111，601)和鋁合金基上層(112，602)并水平延伸的柵極線組件(11)。柵極線組件具有柵極線(22)、柵極電極(26)和柵極墊(24)。在絕緣襯底(10)上沉積覆蓋柵極線組件的柵極絕緣層(30)。在柵極絕緣層(30)上順序形成半導體層(40)和歐姆接觸層(55，56)。在歐姆接觸層上形成含鉻基下層(601)和鋁合金基上層(602)的數據線組件(62)。數據線組件具有交叉在柵極線(22)上方的數據線(62)、源極電極(65)和漏極電極(66)、及數據墊(68)。在襯底上沉積保護層(70)并對其構圖，形成暴露漏極電極(66)、柵極墊(24)和數據墊(68)的接觸孔(13，74，76，78)。柵極線組件和數據線組件的下層(601)的側壁經接觸孔(13，74，76，78)暴露。在襯底上沉積IZO基層(14)并對其構圖，形成像素電極(82)、輔助柵極墊(86)及輔助數據墊(88)。像素電極(82)連接漏極電極(66)的側壁，輔助柵極及數據墊(86，88)連接柵極及數據墊(24，68)的側壁。
文檔編號H01L21/768GK1628389SQ02812690
公開日2005年6月15日 申請日期2002年4月2日 優先權日2001年4月26日
發明者林承澤, 洪雯杓, 盧南錫, 宋泳周, 郭相基, 崔權永, 宋根圭 申請人:三星電子株式會社