專利名稱：防止焊墊氟化的晶片儲存方法及晶片儲存運送裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種防止芯片氟化的儲存方法及晶片儲存運送裝置，特別涉及一種在完成護層的覆蓋和蝕刻后，可防止焊墊氟化的晶片儲存方法及晶片儲存運送裝置。
背景技術：
通常在芯片制造完后，會利用真空包裝步驟，將芯片密封在晶片運送儲存盒(shipping box)內，以確保在運送過程中芯片不會受到粒子和水氣的污染。而傳統的真空包裝步驟是將晶片放入晶片運送儲存盒后，將密封的晶片運送儲存盒套進包裝袋，放進真空包裝機中，以抽出包裝袋和晶片運送儲存盒之間的空氣和水氣。以避免晶片在運送過程中受到粒子和水氣的污染。
然而，晶片在裝入晶片運送儲存盒后，晶片運送儲存盒即呈密封狀態，此時，如圖1所示，晶片表層所覆蓋的保護膜32內的氟會擴散至晶片運送儲存盒內的環境中(如圖中的箭頭所示)，而與鋁焊墊30接觸后，造成鋁焊墊30表面氟化，使得后續的拉線封裝過程不易進行。
發明內容
本發明的目的在于提供一種防止焊墊氟化的晶片儲存方法及晶片儲存運送裝置，在完成護層的覆蓋和蝕刻后，可防止焊墊氟化。
本發明的另一目的在于提供一種防止焊墊氟化的晶片儲存方法及晶片儲存運送裝置，將晶片儲存在晶片運送儲存盒中時，可減少晶片運送儲存盒的氟的濃度，以避免暴露出的焊墊氟化。
本發明的目的是這樣實現的本發明提供一種防止焊墊氟化的晶片儲存方法，其方法簡述如下首先，在晶片運送儲存盒表面鉆孔，并清干凈后，再將晶片放進晶片運送儲存盒內。接著，將其套進包裝袋內，整個放進真空包裝機中。之后，將晶片運送儲存盒內的雜質(例如氟)、空氣和水氣抽出，直至壓力降低至350--400毫米汞柱(mmHg)后停止抽氣。接著灌入干燥的惰性氣體(例如氮氣)，使晶片運送儲存盒內的壓力與大氣壓力平衡，以避免晶片運送儲存盒變形，再將包裝袋密封住，即完成真空包裝的動作。
本發明還提供一種晶片儲存運送裝置，適用于已形成焊墊和保護層的晶片，此裝置包括一晶片運送儲存盒、置于晶片運送儲存盒內的一晶片、置于該晶片運送儲存盒外的一包裝袋、以及充滿于該晶片運送儲存盒內的一干燥的惰性氣體。其中，包裝袋可使晶片運送儲存盒與外界隔離，并使置于晶片運送儲存盒內的晶片為干燥的惰性氣體所包圍，依據本發明的實施例，上述的晶片運送儲存盒表面具有至少一孔洞，用以連通晶片運送儲存盒內與包裝袋和晶片運送儲存盒外之間。上述的干燥的惰性氣體為氮氣，用以置換原晶片運送儲存盒內的雜質。
為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。
圖1表示將晶片放入晶片運送盒后，晶片表層所覆蓋的保護膜內的氟擴散至與鋁焊墊接觸的情況的示意圖；圖2表示本發明的晶片儲存運送裝置的示意圖；圖3表示本發明的真空包裝步驟的示意圖。
具體實施例方式
當晶片在完成護層的覆蓋和蝕刻后，需將其運送至下游工廠，以進行下一階段的封裝過程。而在儲存運送的期間，晶片需利用真空包裝，以避免與外界環境接觸。然而當晶片置于晶片運送儲存盒(shipping box)中時，由于環境為密閉，使得護層內的氟易擴散于整個晶片運送儲存盒內，此外原本的晶片運送儲存盒內的環境亦可能存在水氣和其它雜質，這些都會污染晶片。因此，本發明提供一種晶片儲存運送裝置及防止焊墊氟化的晶片儲存方法，并將配合附圖做詳細說明。
晶片儲存運送裝置圖2為本發明的一種晶片儲存運送裝置，較適用于已形成焊墊和保護層的晶片，此裝置包括一晶片運送儲存盒10供容納一晶片22、置于晶片運送儲存盒10外的一包裝袋14、以及充滿于晶片運送儲存盒10內的一干燥的惰性氣體24。其中，包裝袋可使晶片運送儲存盒10與外界26隔離，并使置于晶片運送儲存盒10內的晶片22為干燥的惰性氣體24所包圍。
此外，上述的晶片運送儲存盒10表面具有至少一孔洞12，使包裝袋14里頭的晶片運送儲存盒10內與晶片運送儲存盒10外互相連通。上述的干燥的惰性氣體24可為氮氣，用以置換原晶片運送儲存盒10內的雜質。
防止焊墊氟化的晶片儲存方法請參照圖3，首先，在晶片運送儲存盒10表面鉆至少一孔洞12，并將晶片運送儲存盒10清洗干凈。
接著，將已完成護層的覆蓋和蝕刻的晶片放在已鉆孔的晶片運送儲存盒10內，再將整個晶片運送儲存盒10套進包裝袋14內后，整個放進真空包裝機(vacuum packaging machine)16中。之后，將晶片運送儲存盒10內的雜質(例如氟)利用真空泵白排氣管18抽出，此外亦同時將晶片運送儲存盒10內空氣和水氣抽出，而此時包裝袋14和晶片運送儲存盒10之間的空氣亦被抽出，直至壓力降低至約350--400毫米汞柱(mmHg)后停止抽氣。
接著自進氣管20灌入干燥的惰性氣體，例如氮氣，使晶片運送儲存盒10內的壓力與大氣壓力平衡，以避免晶片運送儲存盒10變形，再將包裝袋14密封住。
經測試后，發現利用上述的真空包裝方法運送及儲存已完成護層的覆蓋和蝕刻的晶片，可減少晶片運送儲存盒的氟的濃度，以避免暴露出的焊墊氟化。
經上述的真空包裝步驟將晶片放置于晶片運送儲存盒后，即可將其運送至下游工廠，以進行下一階段的封裝過程。
與傳統的真空包裝步驟相較，傳統的方法并未將晶片運送盒內的雜質抽出，即將晶片運送盒套進包裝袋密封。而本發明在進行真空包裝的同時，會先將晶片運送盒內的雜質抽出，以降低晶片中擴散至晶片運送盒中的氟含量，再將晶片運送盒套進包裝袋后，放進真空包裝機中，將包裝袋和晶片運送盒之間的空氣和水氣抽出。
雖然本發明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發明，任何本領域普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作等效變化與修改，因此本發明的保護范圍以權利要求為準。
權利要求
1.一種防止焊墊氟化的晶片儲存方法，其特征在于，包括提供一晶片運送儲存盒，供容納一晶片，且于該晶片運送儲存盒設至少一貫穿內外的孔洞；提供一包裝袋，供容納包封該晶片運送儲存盒；將該包裝袋內和該晶片運送儲存盒內的空氣抽出；輸入一干燥的惰性氣體至該包裝袋內與該晶片運送儲存盒內，且其內壓力接近大氣壓力；以及密封該包裝袋。
2.如權利要求1所述的防止焊墊氟化的晶片儲存方法，其特征在于，將該包裝袋內和該晶片運送儲存盒內的空氣抽出的步驟，包括將已套入該包裝袋的該晶片運送儲存盒放進該真空包裝機中進行抽氣至該晶片運送儲存盒內的的壓力降至350--400毫米汞柱(mmHg)。
3.如權利要求1所述的防止焊墊氟化的晶片儲存方法，其特征在于，該干燥的惰性氣體為氮氣。
4.一種晶片儲存運送裝置，其特征在于，包括一晶片運送儲存盒，供容納一晶片于其中，且設有至少一貫通該晶片運送儲存盒內外的穿孔；一包裝袋，容納并包封該晶片運送儲存盒；以及一干燥的惰性氣體，充滿該包裝袋與該晶片運送儲存盒內，使置于該晶片運送儲存盒內的該晶片為該干燥的惰性氣體所包圍。
5.如權利要求4所述的晶片儲存運送裝置，其特征在于，該晶片運送儲存盒內的壓力接近大氣壓力。
6.如權利要求4所述的晶片儲存運送裝置，其特征在于，該干燥的惰性氣體為氮氣。
全文摘要
本發明涉及一種防止焊墊氟化的晶片儲存方法以及晶片儲存運送裝置，首先在晶片運送儲存盒表面鉆孔，并清干凈后，再將晶片放進晶片運送儲存盒內。接著，將其套進包裝袋內，整個放進真空包裝機中。之后，將晶片運送儲存盒內的雜質、空氣和水氣抽出。接著灌入干燥的惰性氣體(例如氮氣)，使晶片運送儲存盒內的壓力與大氣壓力平衡，以避免晶片運送儲存盒變形，再將包裝袋密封住，即完成晶片儲存運送。
文檔編號H01L21/02GK1466180SQ0214050
公開日2004年1月7日 申請日期2002年7月5日 優先權日2002年7月5日
發明者蘇炎輝, 吳敬斌, 李宏文 申請人:旺宏電子股份有限公司