專利名稱:一種高分子ptc熱敏電阻器的制造及熱處理方法
技術領域:
本發明一種高分子PTC熱敏電阻器的制造方法,涉及以結晶高聚物為主要原料的電子元器件制造方法。
本發明目的可通過下述技術方案實現一種高分子PTC熱敏電阻器的制造方法,高分子PTC熱敏電阻器芯材配料、成片及制成芯片的過程中,在工藝沖片、輻照后,將芯片先置于高分子聚合物熔點以上40~80℃的加熱設備中足夠長的時間,一般4~6小時,然后迅速將其轉移至-20~-60℃的冷凍設備中使其迅速冷卻足夠長的時間,一般1~2小時。所述的芯片由高分子聚合物、導電填料、無機非導電填料以及各種助劑通過擠出機或密煉機或開煉機等混煉設備熔融混合成芯材成片后,再通過壓機將電極片復合于芯材兩面,由沖床沖成芯片。此制造方法可適用于如下幾種形式的這種高分子PTC熱敏電阻器,包括1)單一的由芯材和貼覆于上述芯材兩面的金屬箔片構成的芯片組成;2)由芯片以及焊接在芯片的金屬箔片外表面上的引出電極組成;3)由芯片、焊接在芯片的金屬箔片外表面上的引出電極以及包覆在芯片外面的絕緣層構成。
由于結晶性高聚物的結晶形態與冷卻速率密切相關,通過采用合適的高低溫相結合的熱處理工藝,有效地改善了PTC熱敏電阻器組成材料中結晶性高聚物的結晶形態,可使晶粒變得細小而均勻,并使PTC熱敏電阻器組成材料中導電填料、無機非導電填料、各種助劑在高聚物的基體中分布得更加均勻。這樣便提高了PTC熱敏電阻的內部組成的均勻性,使得其各種性能如室溫電阻、耐流或耐壓能力、耐流或耐壓后的電阻變化率更均一。
本發明的優越性在于,本發明采用合適的高低溫相結合的熱處理工藝,使得組成芯片的各種填料先在較高溫度下依靠熱運動充分分散于高聚物中,隨后在迅速冷卻的情況下使得高聚物的晶粒變得細小而均勻,從而制得性能均勻一致、成品率較高的高分子PTC熱敏電阻器。
權利要求
1.一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,高分子PTC熱敏電阻器芯材配料、成片及制成芯片的過程中,其特征在于在工藝沖片、輻照后,將芯片先置于高分子聚合物熔點以上40~80℃的加熱設備中,4~6小時,然后迅速將其轉移至-20℃~-60℃的冷凍設備中使其迅速冷卻1~2小時。
2.根據權利1要求所述的一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,其特征在于應用于單一的由芯材和貼覆于芯材兩面的金屬箔片所構成的芯片組成的高分子PTC熱敏電阻器。
3.根據權利1要求所述的一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,其特征在于應用于由芯片以及焊接在芯片的金屬箔片外表面上的引出電極組成的高分子PTC熱敏電阻器。
4.根據權利1要求所述的一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,其特征在于應用于由芯片、焊接在芯片的金屬箔片外表面上的引出電極以及包覆在芯片外面的絕緣層構成的高分子PTC熱敏電阻器。
5.根據權利1要求所述的一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,其特征在于應用于沖片、輻照以外的制造PTC熱敏電阻的其它工藝過程中。
6.根據權利1要求所述的一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,其特征在于應用于由結晶性高聚物以及導電填料等組成的其它類型的高分子PTC產品。
全文摘要
本發明涉及一種高分子PTC熱敏電阻器的制造及熱處理方法,高分子PTC熱敏電阻器芯材配料、成片過程中,在工藝沖片、輻照后,將芯片先置于高分子聚合物熔點以上40~80℃的加熱設備中,4~6小時,然后迅速將其轉移至-20℃~-60℃的冷凍設備中使其迅速冷卻1~2小時。本發明通過采用合適的高低溫相結合的熱處理工藝,有效地改善了PTC熱敏電阻器中結晶性高聚物的結晶形態,可使晶粒變得細小而均勻,并使PTC熱敏電阻器中導電填料、無機非導電填料、各種助劑在高聚物的基體中分布得更加均勻,提高了PTC熱敏電阻的內部組成的均勻性,使得其各種性能如室溫電阻、耐流或耐壓能力、耐流或耐壓后的電阻變化率等更均一。提高了高分子PTC熱敏電阻器性能的均勻性、一致性,進而提高了成品率。
文檔編號H01C17/00GK1416140SQ0213720
公開日2003年5月7日 申請日期2002年9月27日 優先權日2002年9月27日
發明者奉玉廷, 候李明, 王軍, 楊兆國 申請人:上海維安熱電材料股份有限公司