混合集成電路裝置及其制造方法

專利名稱：混合集成電路裝置及其制造方法
技術領域：
本發明涉及混合集成電路裝置及其制造方法，涉及在混合集成電路襯底上利用傳遞模形成樹脂封裝體的混合集成電路裝置及其制造方法。
背景技術：
通常，用于混合集成電路裝置的封裝方法主要有兩種。
第一方法是采用象在安裝有半導體元件等電路元件的混合集成電路襯底之上蓋蓋子那樣形狀的裝置、即通常被稱作箱體構件的裝置進行封裝。該結構有時采用中空結構或在其中另外注入樹脂的結構。
第二方法是作為半導體IC的模裝方法的注入模法。例如特開平11-330317號公報所示。該注入模法通常采用熱塑性樹脂，例如將加熱到300℃的樹脂利用高的注入壓力注入并一度充填在模型內來封裝樹脂。與傳遞模相比，由于不需要將樹脂充填在模型內后樹脂的聚合時間，故具有可縮短作業時間的優點。
下面參照圖10至圖13C說明使用注入模的現有混合集成電路裝置及其制造方法。
首先，如圖10所示，作為金屬襯底這里采用鋁(以下稱Al)襯底1來說明。
該Al襯底1表面被陽極氧化，其上整個面上形成有絕緣性好的樹脂2。但是，若考慮到耐壓，則也可省去該氧化物。
樹脂封裝體10由支承部件10a和熱塑性樹脂形成。即通過注入模模裝用熱塑性樹脂覆蓋了載置于支承部件10a上的襯底1。然后，支承部件10a和熱塑性樹脂的接觸部利用注入的高熱的熱塑性樹脂溶化支承部件10a的接觸部，實現全模裝結構。
這里，熱塑性樹脂采用的是被稱作PPS(聚亞苯基硫醚)的樹脂。
熱塑性樹脂的注入溫度非常高，約為300℃，存在高溫的樹脂使焊料12溶化產生焊料不良的問題。因此，預先罐封熱硬性樹脂(例如環氧樹脂)，覆蓋焊料的結部、金屬細線7、有源元件5及無源元件6，形成外敷層9。由此，防止在熱塑性樹脂成型時注入樹脂壓使尤其是細線(約30～80μm)倒下或斷線。
樹脂封裝體10分兩階段形成。第一階段為了確保在襯底1背面和模型之間設置間隙并在其間充填高注入壓力樹脂時襯板1背面的厚度，在襯板1背面載置支承部件10a。第二階段通過注入模由熱塑性樹脂覆蓋載置于支承部件10a上的襯底1。然后，支承部件10a和熱塑性樹脂的接觸部由注入的高熱的熱塑性樹脂溶化支承部件10a的接觸部，實現全模裝結構。這里作為支承部件10a的熱塑性樹脂最好是與襯底1熱膨脹系數同等的樹脂。
下面，參照圖11～圖13C說明使用注入模的現有混合集成電路裝置的制造方法。
圖11是工序流程圖，包括準備金屬襯底的工序、絕緣層形成工序、銅箔壓裝工序、局部鍍鎳工序、銅箔蝕刻工序、裝片工序、引線接合工序、罐封工序、導線連接工序、支承部件安裝工序、注入模工序、導線切斷工序等各工序。
圖12A、圖12B、圖12C及圖13A、圖13B、圖13C表示各工序的剖面圖。另外，不需圖示也清楚的工序則省略附圖。
首先，在圖12A及圖12B中，表示準備金屬襯底的工序、絕緣層形成工序、銅箔壓裝工序、局部鍍鎳工序及銅箔蝕刻工序。
在準備金屬襯底的工序中，作為襯底的作用根據散熱性、襯底強度及襯底屏蔽性等而準備。而且，在本實施例中，使用散熱性好的例如厚1.5mm左右的Al襯底1。
其次，在鋁襯底1上，還在整個面上形成絕緣性好的樹脂2。在絕緣性樹脂2上壓裝構成混合集成電路的銅的導電箔3。在銅箔3上，根據其與例如電連接作為取出電極的銅箔3和有源元件5的金屬細線7的粘接性，在整個面上實施鍍鎳4。
然后，利用公知的網印等形成鍍鎳4及導電路3a。
其次，圖12C表示裝片工序及引線接合工序。
在前工序形成的導電路3a上通過焊劑等導電糊安裝有源元件5及無源元件6，實現規定的電路。
圖13A、圖13B表示罐封工序、導線連接工序及支承部件安裝工序。
如圖13A所示，在罐封工序中，在其后的注入模工序之前，預先用熱硬性樹脂(例如環氧樹脂)罐封焊料的結部、金屬細線7、有源元件5及無源元件6，形成外敷層9。
接著，準備用于將來自上述混合集成電路的信號輸出及輸入的外部導線8。然后，通過形成于襯底1外周部的外部連接端子11及焊料12連接外部導線8。
然后，如圖13B所示，在連接了外部導線8等的混合集成電路襯底1上載置支承部件10a，將襯底1載置在支承部件10a上，從而可確保下工序所述的注入模模裝時襯底1背面的樹脂封裝體10的厚度。
圖13C表示注入模工序及導線切斷工序。
如圖所示，在襯底1上用熱硬性樹脂罐封并形成外敷層9之后，利用注入模形成樹脂封裝體10。此時，支承部件10a和熱塑性樹脂的接觸部利用注入的高熱的熱塑性樹脂使支承部件10a的接觸部溶化，形成全模裝結構的樹脂封裝體10。
最后，根據使用目的切斷外部導線8，調節外部導線8的長度。
利用上述工序，完成圖10所示的混合集成電路裝置。
另外，在半導體產業中，通常實施傳遞模法。在現有的傳遞模形成的混合集成電路裝置中，例如是在銅構成的導線架上固定安裝半導體元件。而且，半導體元件和引線是通過金(以下稱Au)線電連接。這是由于Al細線彈性差，容易折曲，接合時需要超聲波，故接合時間較長，因此不能采用。因此，目前將由一張金屬板構成、金屬板上形成電路并且由Al細線引線接合的金屬襯底直接傳遞模模裝的混合集成電路裝置不存在。

發明內容
在注入模型的混合集成電路裝置中，需要防止模裝時的注入壓力使金屬細線7折曲或斷線，防止注入時的溫度使焊料12流動。因此，在圖10所示的現有結構中采用罐封形成的外敷層9來對應上述問題。
但是，在用熱硬性樹脂(例如環氧樹脂)罐封并形成外敷層9后，進行注入模模裝，故存在耗費熱硬性樹脂的材料成本及操作成本的問題。
在現有的傳遞模形成的混合集成電路裝置中，將半導體元件等固定安裝在隔離島上，故半導體元件等產生的熱自固定安裝區域發散，但散熱區域有限，存在散熱性差的問題。
如上所述，在樹脂封裝體的引線接合中，采用了抗樹脂注入壓能力強的Au線，故采用Al線的傳遞模目前也未實施。而且，Al細線由于用超聲波接合進行，收縮的部分弱，并且，彈性系數低，不能抗樹脂的注入壓等原因，故會迅速彎曲。
在由傳遞模全部封裝混合集成電路襯底的情況下，需要在模型內進行混合集成電路襯底的水平及厚度方向的位置固定，但是，存在可抵抗模裝注入壓的固定裝置還未開發的問題。
本發明的目的在于提供一種在傳遞模工序中將混合集成電路襯底在模型內固定在規定位置的裝置。
為了解決上述問題，在本發明的混合集成電路裝置中，具有固定安裝在所述混合集成電路襯底上的引線和將所述襯底及所述引線傳遞模模裝而成的樹脂封裝體，在進行所述傳遞模模裝時，將固定所述襯底的壓銷按壓的部分設在所述襯底上。
并且，所述壓銷按壓的部分配置在所述襯底的外周部上。由此，壓銷可按壓所述襯底的未設導電圖形或電路元件的部分。
在由所述壓銷形成的孔的底部所述襯底和絕緣樹脂露出。由此，通過確認孔底部露出的襯底和絕緣性樹脂的比例可確認絕緣性樹脂內部的襯底的位置。
本發明的半導體集成電路裝置的制造方法包括下述工序準備至少表面進行過絕緣處理的混合集成電路襯底；在所述襯底上形成導電圖形；在所述導電圖形上固定安裝半導體元件或無源元件；將引線電連接在所述襯底上；利用傳遞模在所述襯底的至少表面上模裝熱硬性樹脂。
在本發明中，在模裝工序中，通過利用至少一個壓銷向混合集成電路襯底施加向下的壓力，防止混合集成電路襯底因樹脂封裝的壓力而在模型模腔內移動。由此可進行混合集成電路襯底的定位，故可解決現有問題。并且，通過進行混合集成電路襯底的定位，可用散熱性良好的樹脂對混合集成電路襯底的背面進行一定厚度的覆蓋，可提高混合集成電路裝置的散熱性。
本發明可確認壓銷形成的孔的底部露出的混合集成電路襯底和熱硬性樹脂的面積的比例。由此，可確認混合集成電路襯底在混合集成電路裝置內的位置。


圖1A、圖1B是本發明的混合集成電路裝置的(A)剖面圖，(B)平面圖；圖2A、圖2B是本發明的混合集成電路裝置的(A)平面圖，(B)剖面圖；圖3是本發明混合集成電路裝置的制造方法的流程圖；圖4A、圖4B、圖4C是說明本發明混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖5A、圖5B是說明本發明混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖6A、圖6B是說明本發明混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖7A、圖7B是說明本發明混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖8A、圖8B是說明本發明混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖9A、圖9B是說明本發明混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖10是現有混合集成電路裝置的剖面圖；圖11是現有混合集成電路裝置的制造方法的流程圖；圖12A、圖12B、圖12C是說明現有混合集成電路裝置的制造方法的圖；圖13A、圖13B、圖13C是說明現有混合集成電路裝置的制造方法的圖；具體實施方式
下面，參照圖1A、圖1B及圖2A、圖2B說明本發明實施例1的混合集成電路裝置。
首先，參照圖1A、圖1B說明本混合集成電路裝置的結構。如圖1A所示，混合集成電路裝置31考慮到固定安裝在襯底31上的半導體元件等產生的熱，采用散熱性好的襯底。在本實施例中，就使用鋁襯底31的情況進行說明。另外，雖然在本實施例中襯底31采用了鋁(以下稱Al)襯底，但不必特別限定。例如采用印刷電路板、陶瓷襯底、金屬襯底等作為襯底31也可實現本實施例。而且，金屬襯底可以用銅襯底、鐵襯底、鐵鎳襯底或AlN(氮化鋁)襯底等。
Al襯底31表面被陽極氧化，其上在整個面上還形成絕緣性良好的例如環氧樹脂構成的絕緣樹脂32。不過，若不考慮耐壓，則也可不設該金屬氧化物。
在該樹脂32上，形成有銅箔33(參照圖5A、圖5B)構成的導電路33a，Al襯底31上除電連接部位外例如由環氧系樹脂形成外敷層，以保護導電路33a。導電路33a上通過焊料40安裝有功率晶體管、小信號晶體管或IC等有源元件35、片狀電阻、片狀電容器等無源元件36，實現規定的電路。這里，也可以局部不采用焊料，而用銀糊等電連接。在半導體元件等有源元件8面朝上安裝的情況下，通過金屬細線37連接。金屬細線37在功率系半導體元件的情況下例如使用約150～500μmφ的Al線。通常將其稱作粗線。在半功率系或小信號系半導體元件的情況下使用例如約30～80μmφ的Al線。通常將其稱作細線。在設于Al襯底31外周部的外部連接用端子38上通過焊料40連接有銅或鐵鎳等導電性部件構成的外部導線39。
本發明的特征在于，在混合集成電路襯底31上的有源元件35、無源元件36及Al細線37等上直接形成樹脂封裝體。
也就是說，在樹脂封裝體41中，傳遞模使用的熱硬性樹脂粘度低且硬化溫度低于上述連接裝置所用的焊料40等的熔點例如183℃。由此，如圖10所示，可除去現有混合集成電路裝置中利用熱硬性樹脂(例如環氧樹脂)的罐封形成的外敷層9。
其結果，尤其是將小信號系的IC等與導電路33a電連接的、例如約40μm左右的直徑的金屬細線等，即使直接填充傳遞模模裝時的熱硬性樹脂，也不會躺倒、斷線或折曲。尤其對Al細線而言，可防止折曲是要點。
下面如圖1B所示，外部導線39向樹脂封裝體41的外部導出，外部導線39根據使用目的而調節長度。樹脂封裝體41上在與導出外部導線39的側邊相對的一側，在兩處作為壓銷痕形成有孔42。孔42是在上述傳遞模模裝時壓銷47(參照圖6A、圖6B)固定襯底31所產生的，在樹脂封裝體41形成后仍存在。
參照圖2A，孔42形成于襯底31的外周部43即襯底31上未形成電路等的部分。另外，孔42在襯底31的外周部43形成于絕緣樹脂32上，故形成品質和耐濕性方面沒有問題的結構。外周部43是為了在一個個沖壓襯底31時確保與電路區域的距離而設置的邊界。
如圖2A、圖2B所示，在Al襯底31上交錯地形成有導電路33a，該導電路33a上通過焊料40等安裝有功率晶體管、小信號晶體管或IC等有源元件35、片狀電阻、片狀電容器等無源元件36，通過外部連接用端子38連接有外部導線39，實現規定的電路。
如圖所示，襯底31上以小的空間形成有復雜的電路。本發明的混合集成電路裝置的特征在于，在Al襯底31整個面上形成絕緣樹脂32后，在樹脂32上形成復雜的電路，然后，在襯底31上粘接外部導線39，利用傳遞模直接一體形成樹脂封裝體41。
以往，在利用傳遞模形成混合集成電路裝置的情況下，例如由銅構成的導線架利用蝕刻、沖孔或沖壓等進行加工，形成配線、隔離島等，故不能形成象混合集成電路的導電圖形那樣復雜的電路。傳遞模形成的導線架，在形成圖2A那樣的配線時，為了防止導線的彎曲需要在不同的部位用吊線固定。這樣，在使用通常的導線架的混合集成電路中最多只安裝幾個有源元件，形成具有圖2A那樣的導電圖形的混合集成電路受到了限制。
也就是說，通過采用本發明的混合集成電路裝置的結構，可利用傳遞模形成具有復雜電路的襯底31。在本發明中，襯底31是使用導熱系數高的襯底進行傳遞模模裝的，故可發散襯底31整體產生的熱。因此，與傳遞模模裝的現有導線架構成的混合集成電路裝置相比，由于直接模裝金屬襯底31，故該襯底作為大的散熱片起作用，散熱性好，可改善電路特性。
如圖1B所示，本發明的混合集成電路裝置的特征在于，自模裝工序中形成的兩個孔42的底部露出熱硬性樹脂和混合集成電路襯底。
在模裝工序中，在混合集成電路襯底31在正確的位置固定的情況下，例如設定為熱硬性樹脂和襯底一半一半地在孔42的底部露出。在兩個孔42的兩側的底部，在襯底未全部露出的情況下，在模裝工序中，混合集成電路襯底31向厚的方向移動。
因此，在模裝工序之后，通過確認孔42的底部可確認熱硬性樹脂內部混合集成電路襯底的位置。
下面，參照圖3～圖9B說明本發明的混合集成電路裝置的制造方法。
圖3是工序流程圖，包括準備金屬襯底的工序；絕緣層形成工序；銅箔壓裝工序；局部鍍鎳工序，銅箔蝕刻工序；裝片工序；引線接合工序；導線連接工序；傳遞模工序；導線切斷工序等各工序。由該流程圖可知，雖然目前是通過注入模形成樹脂封裝體，但本發明實現了由傳遞模形成樹脂封裝體的工序。
圖4A～圖9B表示各工序的剖面圖。另外，不用圖示也清楚的工序則不再圖示。
如圖4A所示，本發明的第一工序是準備金屬襯底、形成絕緣層、壓裝銅箔和進行鍍鎳的工序。
在準備金屬襯底的工序中，作為襯底的作用要考慮散熱性、襯底強度、襯底模裝性等而準備。此時，尤其是當將功率晶體管、大規模LSI、數字信號處理電路等利用高密度安裝集成在一個小型混合IC時，由于高密度化而形成熱集中，故散熱性受到重視。在本實施例中，就使用散熱性好的、例如厚1.5mm左右的Al襯底31的情況進行說明。在本實施例中，對襯底31使用Al襯底的情況進行說明，但是不必特別限定。
例如使用印刷電路板、陶瓷襯底、金屬襯底等作為襯底31也可實現本實施例。金屬襯底可考慮銅襯底、鐵鎳襯底或由導電性好的金屬構成的化合物等。
接著，襯底31表面被陽極氧化，生成氧化物，其上整個面還形成絕緣性好的例如由環氧樹脂構成的樹脂32。不過，若不考慮耐壓，則也可省去該金屬氧化物。然后，在絕緣性樹脂32上壓裝構成混合集成電路的銅的導電箔33。在銅箔33上考慮到與例如將作為取出電極的銅箔33和有源元件35電連接的金屬細線37的粘接性，在整個面上形成鍍鎳34。
如圖4B所示，本發明的第二工序是形成局部鍍鎳和進行銅箔蝕刻的工序。
在鍍鎳34上，利用公知的網印等僅在需要鍍鎳34的部分殘留抗蝕劑，形成選擇掩模。然后，利用蝕刻在銅箔33上在例如形成取出電極的部位形成鍍鎳34a。然后，除去抗蝕劑，再次利用公知的網印等僅在作為銅箔33構成的導電圖形33a需要的部分殘留抗蝕劑形成選擇掩模。然后通過蝕刻，在絕緣性樹脂32上形成銅箔33構成的導電圖形33a。然后，在導電圖形上例如利用網印由環氧樹脂形成外敷層。
如圖4C所示，本發明第三工序是進行裝片和引線接合的工序。
在前工序形成的導電圖形33a上通過焊劑40等導電性糊劑安裝功率晶體管、小信號晶體管或IC等有源元件35、片狀電阻、片狀電容器等無源元件36，實現規定的電路。這里，也可以局部不采用焊料，而用銀糊等電連接。在半導體元件等有源元件8面朝上安裝的情況下，通過金屬細線37連接。在安裝功率晶體管、半功率晶體管等有源元件35時，考慮到散熱性，在有源元件35和導電路33a之間設置散熱片。
其次，在半導體元件等有源元件35面朝上安裝的情況下，通過接合由金屬細線37電連接。如上所述電連接有源元件35和導電路33a的金屬細線37考慮到和銅箔33構成的導電路33a的粘接性，經導電路33a上的鍍鎳34a進行引線接合。
這里，金屬細線37特別使用Al細線37，Al細線37在空氣中難于進行正球狀連接，故使用針腳式接合法。但是，針腳式接合法中針腳部容易因樹脂的應力而破壞，且與Au細線相比，彈性系數小，具有容易受樹脂壓力而被壓倒的特征。因此，使用Al細線37時，尤其是形成樹脂封裝體41時要注意。
如圖5A、圖5B所示，本發明第四工序是進行導線連接的工序。
如圖5A所示，準備用于將來自上述混合集成電路的信號輸出及輸入的外部導線39。外部導線39為了用作輸出輸入端子由導電性的Cu、Fe-Ni等材質構成，并且，根據電流容量等決定外部導線39的寬度和厚度。在本發明的實施例中，外部導線39的強度、彈性是需要的，這一點在下道工序即傳遞模模裝工序會詳細說明，故要準備例如0.4～0.5mm左右厚的外部導線39。然后，將外部導線39經焊料40和襯底31外周部形成的外部連接用端子38連接。此時，連接裝置不限于焊料，也可以由點焊等進行連接。
這里，如圖5B所示，本發明的特征在于，外部導線39相對于襯底31的安裝面稍稍成一角度連接。襯底31和外部導線39所成的角度例如可考慮為10度左右。下道工序即傳遞模模裝工序所用的熱硬性樹脂的硬化溫度設定得低于連接外部導線39和外部連接用電極38的焊料40的熔點。
本發明的第五工序是作為本發明特征的工序，如圖6A、圖6B、圖7A、圖7B及圖8A、圖8B所示，利用傳遞模模裝，用熱硬性樹脂總括封裝混合集成電路襯底31。
為了利用傳遞模模裝封裝混合集成電路襯底31，混合集成電路襯底31如圖6B所示在模腔70內必須定位。但是，在對混合集成電路襯底31總括進行傳遞模模裝時，難于直接固定混合集成電路襯底31。并且，也存在混合集成電路襯底31會因樹脂的注入壓力而在模型內移動的問題。
于是，本工序中利用設在上模45的至少一個壓銷47按壓混合集成電路襯底31的外周部，來進行模型70內混合集成電路襯底31的定位，然后進行樹脂注入。
具體地說，最初，如圖6A所示，將用焊料粘接了導線架39的混合集成電路襯底31搬送到模腔70內。
然后，如圖6B所示，利用上下模45及44固定導線架39，利用壓銷47按壓混合集成電路襯底31的外周部，從而固定混合集成電路襯底31在模腔70內的位置。
如圖5A、圖5B所示，導線架39是由第一連結部39d和第二連結部39c連結多個導線構成的，并且，不平行于混合集成電路襯底31，是用焊料向上方傾斜接合的。因此，如圖6A所示，在將導線架39平行載置時，混合集成電路襯底31在模腔66內就形成向上傾斜的狀態。
如圖6A所示，壓銷47是設置在上模45的至少一個凸起物，具有在上模45和下模44嵌合時按壓混合集成電路襯底31外周部的作用。并且，壓銷47在按壓混合集成電路襯底31時，具有使混合集成電路襯底31在模腔70內平行的長度。
因此，如圖6B所示，通過用壓銷47按壓因在模型上固定導線架39而產生傾斜的混合集成電路襯底31的外周部，利用壓銷47的向下的壓力和導線架39的向上的應力，可固定混合集成電路襯底31的垂直方向的位置。
如圖8A、圖8B所示，通過使連接在混合集成電路襯底70的導線架39的特定部分與設于模型上的導銷46接觸，可進行混合集成電路襯底31的水平方向的定位。
另外，在上述的說明中，如圖6A、圖6B所示，使用固定于上模的壓銷47進行混合集成電路襯底31的定位，但也有采用如圖7A、圖7B所示的可動式壓銷80的方法。當采用可動式壓銷80時，在樹脂注入結束后，拉出銷80，然后硬化，故沒有混合集成電路襯底31的露出部，可進一步提高混合集成電路裝置的耐濕性。
其次，如圖8B所示，在本發明的混合集成電路裝置的制造方法中，將自澆口注入模腔70內的熱硬性樹脂以首先與襯底31的側面接觸的方式注入。然后，如箭頭49所示注入的熱硬性樹脂自襯底31沿箭頭49a向襯底31的上部方向及下部方向分流。此時，向襯底31的上部的流入寬度56和向襯底31的下部方向的流入寬度55形成大致相等的寬度，故熱硬性樹脂向襯底31下部的流入也可順暢地進行。并且，熱硬性樹脂的注入速度及注入壓力也因曾于襯底31側面接觸而降低，可抑制Al細線37的折曲、斷線等的影響。
由此，在本工序中可利用熱硬性樹脂對混合集成電路襯底31總括進行傳遞模模裝。
如圖6A、圖6B所示，在用固定式壓銷47按壓混合集成電路襯底31時，如圖9A所示，混合集成電路襯底31外周部的一部分模裝工序結束時自壓銷用孔42的底部露出。但是，混合集成電路襯底31的外周部是在對混合集成電路襯底31沖切時必要的邊界，故未設置導電圖形等。因此，在混合集成電路襯底31上設有外敷層，金屬襯底未露出外部，故孔42不會降低混合集成電路裝置的耐濕性。而且，由于將邊界區域定為銷的接觸部，故與將電路區域定為接觸部相比，可有效地活用襯底表面。
并且，如圖9B所示，通過確認孔42的底部露出的金屬襯底42b和樹脂42a的面積的比例，可確認在模裝工序混合集成電路襯底31有無移動。在襯底31在所需位置模裝后，例如設計為混合集成電路襯底31占孔42的底部的一半。因此，在所需面積的金屬襯底未在孔42的底部露出的情況下，就表示混合集成電路襯底31在模裝工序中沿水平方向移動了。在混合集成電路襯底31在兩個孔42的哪個的底部也未露出的情況下，就表示混合集成電路襯底31在模裝工序中沿厚度方向移動了。如上所述，通過確認孔42的底部，可判斷模裝工序進行是否良好。
如圖9A、圖9B所示，本發明第六工序是進行導線切斷的工序。
在前工序即傳遞模模裝工序自模型44、45泄漏的樹脂由形成于外部導線39的第二連結部39c擋住，直接硬化。其結果，自外部導線39的第二連結部39c起樹脂封裝體41側的導線間充填了流出樹脂50，自外部導線39的第二連結部39c起前端側的導線間未充填樹脂。
通過沖切第二連結部39c，使外部導線39的一個個導線獨立，然后，根據使用目的調節外部導線39的長度，例如，在虛線51的位置切斷外部導線39。與此同時，也除去流出樹脂50。
利用上述工序，完成圖1A、圖1B所示的混合集成電路裝置。
如上所述，本發明的混合集成電路裝置的制造方法的特征在于，在傳遞模模裝工序中，利用壓銷按壓混合集成電路襯底的外周部，從而進行混合集成電路裝置在模型內的定位。這樣，在本發明的混合集成電路裝置的制造方法中，可省略現有混合集成電路裝置的制造方法中的支承部件的載置，并且，可大幅度提高完成的混合集成電路裝置的散熱性。
對本發明的混合集成電路裝置及其制造方法，上面就全模裝型混合集成電路裝置進行了說明，但并不限于上述實施例。例如也可形成混合集成電路裝置的背面整面露出的混合集成電路裝置。這種情況下，在上述效果之外，還可得到散熱性的效果。
并且，在本實施例中，是就外部導線自襯底的一個側面導出的單側導線的情況進行的說明，并不限于該結構，兩側導線，四個方向導線的情況下，在上述效果之外，還可在使襯底溫度的狀態下實現傳遞模模裝工序。另外，只要不脫離本發明的要旨的范圍，就可進行種種變更。
如上所述，本發明的混合集成電路裝置及其制造方法可得到如下所述的優異效果。
在模裝工序中使用設于模型上的壓銷按壓混合集成電路襯底的外周部，可固定混合集成電路襯底在模腔內的位置。并且，可總括對混合集成電路襯底進行傳遞模模裝，故可以一定的厚度用導熱性好的熱硬性樹脂密封混合集成電路裝置的背面，可制作散熱性好的混合集成電路裝置。另外，通過使用壓銷形成混合集成電路襯底的未設導電圖形的外周部的一部分露出的狀態，但是混合集成電路襯底由于在金屬襯底上形成有絕緣層，故不會因此降低混合集成電路裝置的耐濕性。
另外，在本發明中，通過確認由壓銷形成的孔的底部，可確認混合集成電路襯底在混合集成電路裝置內部的位置。具體地說，通過確認孔底部露出的混合集成電路襯底和熱硬性樹脂的面積的比例，可確認混合集成電路襯底的水平方向的位置。通過確認孔底部有無混合集成電路襯底露出，可確認混合集成電路襯底的厚度方向的位置。
權利要求
1.一種混合集成電路裝置，其特征在于，具有由金屬襯底構成的混合集成電路襯底、固定安裝在所述混合集成電路襯底上的導線和將所述襯底及所述導線傳遞模模裝而成的樹脂封裝體，在進行所述傳遞模模裝時，將固定所述襯底的壓銷按壓的部分設在所述襯底上。
2.如權利要求1所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述壓銷按壓的部分配置在所述襯底的外周部上。
3.如權利要求2所述的混合集成電路裝置，其特征在于，在由所述壓銷形成的孔的底部所述襯底和熱硬性樹脂露出。
4.如權利要求3所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述孔至少在所述襯底的兩端部上的所述樹脂封裝體的兩處形成。
5.如權利要求3或4所述的混合集成電路裝置，其特征在于，所述熱硬性樹脂是環氧樹脂。
6.一種混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序準備表面具有通過導電圖形電連接有電路元件的電氣回路的混合集成電路襯底；將作為輸入或輸出端子向外部延伸的導電裝置用焊料固定在所需的所述導電圖形上；通過用模裝的模型夾持所述導電裝置，固定所述混合集成電路襯底水平方向的位置；在模型內部通過用按壓裝置固定所述混合集成電路襯底垂直方向的位置；利用使用了熱硬性樹脂的傳遞模模裝總括模裝所述混合集成電路。
7.如權利要求6所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，所述導電裝置為導線，所述導線在所述模裝工序結束前是作為框體保持的導線架。
8.如權利要求6所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，所述導線架在與所述導電圖形電連接時，相對于所述混合集成電路襯底向上傾斜地連接。
9.如權利要求6所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，所述按壓裝置是固定在所述模型內部的至少一個壓銷。
10.如權利要求9所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，利用所述壓銷的向下的按壓力和所述導線架的向上的應力固定所述混合集成電路襯底的垂直方向的位置。
11.如權利要求9所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，所述壓銷按壓所述混合集成電路襯底的無導電圖形及所述電路元件的外周部。
12.如權利要求9所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，所述壓銷按壓所述混合集成電路襯底中形成有絕緣性樹脂的外周部。
13.如權利要求6所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，在進行所述傳遞模模裝的工序中，自所述模型的側面注入所述熱硬性樹脂，防止所述熱硬性樹脂的壓力引起的所述混合集成電路襯底的移動。
14.如權利要求9所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，利用所述壓銷在所述集成電路裝置上形成孔。
15.如權利要求14所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，使所述熱硬性樹脂和所述混合集成電路襯底的一部分露出在所述孔的底部。
16.如權利要求14所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，通過確認所述孔的底部露出的所述熱硬性樹脂和所述混合集成電路襯底的比例，確認所述集成電路裝置的位置。
17.如權利要求14所述的混合集成電路裝置的制造方法，其特征在于，通過確認所述混合集成電路襯底在所述孔的底部有無露出，確認所述集成電路裝置的位置。
全文摘要
一種混合集成電路裝置及其制造方法，在模裝工序中在模腔內要固定混合集成電路襯底的厚度方向的位置。本發明在混合集成電路襯底31上向上傾斜地連接導線架39，搬送到模腔內部70。用壓銷47向下按壓因在模型上水平固定導線架39而向上傾斜的混合集成電路襯底31。由此，固定混合集成電路襯底70在模腔內部70的位置，可總括進行傳遞模模裝。
文檔編號H01L21/56GK1395309SQ0212514
公開日2003年2月5日 申請日期2002年6月28日 優先權日2001年6月28日
發明者飯村純一, 大川克實, 小池保廣, 西塔秀史 申請人:三洋電機株式會社