專利名稱：具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法
技術領域：
本發明有關一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，尤指一種反射式或半穿透式式薄膜晶體管液晶顯示器。
背景技術：
隨著制造技術的日益進展，液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)已經是一種被廣泛應用的顯示元件，而其工作原理主要利用電場來控制液晶分子的排列狀態，借助光線可通過液晶分子與否以實現屏幕上明暗的顯示效果。因此，對于液晶顯示器來說，如何有效獲得較明亮的顯示效果，實為一重要的研究目標。
對于反射式或穿透反射式薄膜晶體管液晶顯示器而言，由于其亮度是由光源的入射光及其反射光所決定，因此若要獲得較明亮的顯示效果，則必須增加光在垂直于屏幕方向的光散射強度。為達到上述目的，勢必加強反射特性，于是便有在一第一透明電極板111上形成包含有數個具穿透性的樹脂珠粒113之一樹脂層114，如圖1(a)所示，以使一光線透過該彩色濾光片112及該第一透明電極板111后而進入該樹脂層114時，借助該數個具穿透性的樹脂珠粒113而使該光線因碰撞而產生偏移，且經由薄膜晶體管的陣列基板115上的第二透明電極板116及第一透明電極板間的電場效應使的液晶分子產生光的散射，并透過反射板117將散射光反射出去。此法的優點是可以增加光散射角度，以間接控制光反射方向，但缺點是很難借助調整數個具穿透性的小球114位置以達到準確控制散射方向的目的。
針對以上的缺失，后來還有直接在薄膜晶體管的陣列基板125的第二透明電極板126上成長一樹脂層124的工藝步驟，如圖1(b)所示，當一光線透過該彩色濾光片122時，經由第二透明電極板126及第一透明電極板121間的電場效應使的液晶分子產生光的散射，再由該樹脂層124將該散射光反射出來，因該樹脂層124為一曲狀結構，其不平整的表面可用以控制反射角度的大小，因此可有效控制光反射方向。
雖然現有技術以形成一樹脂層來增加光在垂直于屏幕方向的光散射強度，但其制作成本相對提高，而工藝也較為繁復(多一道光罩)。因此，如何能更節省成本及使用更簡單的工藝而能同樣達到上述的目的，實為本發明的首要目標。
發明內容
本發明的主要目的為提供一種成本節省、工藝簡單的具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法。
根據本發明一方面的制造方法包括下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導體層；去除部份該第一導體層，借以形成一第一導體結構及一第一凸狀結構，且該第一凸狀結構位于一像素區域；于該第一導體結構及具有該第一導體層的該絕緣基板上依序形成一絕緣層及一半導體層；去除部份該半導體層，借以形成一半導體結構；于該半導體結構上形成一第二導體層；以及去除部份該第二導體層，借以形成一第二導體結構。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該第一導體層為一金屬層。
根據上述構想，該第一凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第二導體層為一金屬層。
根據上述構想，該步驟(e)中又包含一步驟(e1)，即定義該半導體結構時，同時定義一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，該步驟(g)中又包含一步驟(g1)，即定義該第二導體結構時，同時定義一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，該第二凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第三凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據本發明另一方面的具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器，其包括一絕緣基板；一第一導體結構及一第一凸狀結構，形成于該絕緣基板上，且該第一凸狀結構位于一像素區域；一絕緣層，形成于該第一導體結構及該第一凸狀結構上；一半導體結構，形成于該絕緣層上；以及一第二導體結構，形成于該半導體結構。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該第一導體結構為一金屬結構。
根據上述構想，該第一凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第二導體結構為一金屬結構。
根據上述構想，于形成該半導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，于形成該第二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，該第二凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第三凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據本發明又一方面的具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，該制造方法包括下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一半導體層；去除部份該半導體層，借以形成一半導體結構及一第一凸狀結構，且該第一凸狀結構位于一像素區域；于該半導體結構及具有該半導體結構的該絕緣基板上依序形成一第一絕緣層及一第一導體層；去除部份該第一導體層，借以形成一第一導體結構；于該第一導體結構上形成一第二絕緣層；去除部份該第一絕緣層及該第二絕緣層，借以形成一第一通道及一第二通道；于該第二絕緣層上形成一第二導體層；以及去除部份該第二導體層，借以形成一第二導體結構。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPSTFT-LCD)。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該半導體層為一多晶硅層(P-Si)。
根據上述構想，該第一導體層為一金屬層。
根據上述構想，該第一凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第二導體層為一金屬層。
根據上述構想，該步驟(e)中又包含一步驟(e1)，即定義該第一導體結構時，同時定義一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，該步驟(h)中又包含一步驟(h1)，即定義該第二導體結構時，同時定義一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，該第二凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第三凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據本發明再一方面的具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器，其包括一絕緣基板；一半導體結構及一第一凸狀結構，形成于該絕緣基板上，且該第一凸狀結構位于一像素區域；一第一絕緣層，形成于該半導體結構及該第一凸狀結構上；一第一導體結構及一第二凸狀結構，形成于該第一絕緣層上；一第二絕緣層，形成于該第一導體層及該第二凸狀結構上；一第一通道及第二通道，皆穿透該第一絕緣層及該第二絕緣層；以及一第二導體結構及一第三凸狀結構，形成于該第二絕緣層上。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPSTFT-LCD)。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該半導體層為一多晶硅層(P-Si)。
根據上述構想，該第一導體結構為一金屬結構。
根據上述構想，該第一凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第二導體結構為一金屬結構。
根據上述構想，于形成該第一導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，于形成該第二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
根據上述構想，該第二凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據上述構想，該第三凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據本發明又一方面的具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，該制造方法包括下列步驟(a)提供一絕緣基板；以及(b)于該絕緣基板上形成一多層堆疊凸狀結構、一薄膜晶體管結構及一透明電極結構，且該透明電極層連接該薄膜晶體管結構的源/汲極端。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPSTFT-LCD)。
根據上述構想，該多層凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
根據本發明另一方面的具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器，其包括一絕緣基板；一多層堆疊凸狀結構，形成于該絕緣基板上；一薄膜晶體管結構，形成于該絕緣基板上；以及一透明電極結構，形成于該絕緣基板上，且該透明電極結構連接該薄膜晶體管結構的源/汲極端。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
根據上述構想，該薄膜晶體管液晶顯示器為一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPSTFT-LCD)。
根據上述構想，該多層凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
為更清楚理解本發明的目的、特點和優點，下面將結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細說明。
圖1(a)(b)是現有的于透明電極板上成長一樹脂層的薄膜晶體管液晶顯示器的示意圖。
圖2(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)是本發明較佳實施例的薄膜晶體管液晶顯示器制造方法步驟示意圖。
圖3(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)(i)是本發明又一較佳實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器制造方法步驟示意圖。
圖4(a1)(b1)(c1)(d1)是本發明較佳實施例的薄膜晶體管液晶顯示器的凸狀結構的直徑/厚度列表。
圖4(a2)(b2)(c2)(d2)是本發明較佳實施例的薄膜晶體管液晶顯示器的凸狀結構的俯視圖。
圖4(a3)(b3)(c3)(d3)是本發明較佳實施例的薄膜晶體管液晶顯示器的凸狀結構的側視圖。
具體實施例方式
請參閱圖2，其是本發明為改善現有技術手段而發展出來的薄膜晶體管液晶顯示器制造方法的較佳實施例步驟示意圖，其中圖2(a)表示出在一絕緣基板211上形成一第一導體層(可用鉻、鉬化鎢、鉭、鋁或銅來完成，可作為薄膜晶體管液晶的閘導電層)后以第一道光罩微影蝕刻步驟來形成一第一導體結構212及一第一凸狀結構2121，且該第一凸狀結構2121位于一像素區域接著如圖2(b)所示，由下而上依序形成一絕緣層213、一半導體層214(通常為非晶硅層(A-Si))、一高摻雜半導體層215(通常為N+非晶硅層(n+-A-Si))，然后如圖2(c)所示，接著連續利用第二道光罩微影蝕刻步驟來形成半導體結構216、一高摻雜半導體結構217及一第二凸狀結構2161、2171，且該第二凸狀結構2161、2171的凸起部份與該第一凸狀結構2121的凸起部份相對應，又第二凸狀結構2161、2171的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構2121的凸起部份的表面積。如圖2(d)所示再沉積一第二導體層218，然后如圖2(e)所示，以第三道光罩微影蝕刻制程來形成一第二導體結構220及一第三凸狀結構2201，且該第三凸狀結構2201的凸起部份與該第二凸狀結構2161、2171的凸起部份相對應，又第三凸狀結構2201的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構2161、2171的凸起部份的表面積，并于該高摻雜半導體結構217與該第二導體結構220形成一通道結構219以使該第二導體結構形成有一源/汲極結構。圖2(f)表示出于該源/汲極結構上形成一保護層(通常為氮化硅層)221后，再以第四道光罩微影蝕刻制程形成一接觸窗結構222。圖2(g)是表示出進行一透明電極層(通常為氧化銦錫(ITO))的沉積后，再以第五道光罩微影蝕刻步驟形成所需的一透明電極像素區域223。
請參閱圖3，其是本發明為改善上述習用手段而發展出來的低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器制造方法的另一較佳實施例步驟示意圖，其中圖3(a)表示出在一絕緣基板311上形成一半導體層(通常為多晶硅層(P-Si))后以第一道光罩微影蝕刻制程來形成一半導體結構316及一第一凸狀結構3161，且該第一凸狀結構3161位于一像素區域，接著如圖3(b)所示，由下而上依序形成一第一絕緣層3131及第一導體層31(可用鉻、鉬化鎢、鉭、鋁或銅來完成，可作為薄膜晶體管液晶的閘導電層)，然后如圖3(c)所示，接著利用第二道光罩微影蝕刻步驟來形成第一導體結構312及一第二凸狀結構3121，且該第二凸狀結構3121的凸起部份與該第一凸狀結構3161的凸起部份相對應，又第二凸狀結構3121的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構3161的凸起部份的表面積。如圖3(d)所示再沉積一第二絕緣層3132，然后如圖3(e)所示，以第三道光罩微影蝕刻步驟去除部份該第一絕緣層3131及該第二絕緣層3132，借以形成一第一通道321及一第二通道322，如圖3(f)所示，于該第二絕緣層3132上形成一第二導體層318，然后圖3(g)所示，并以第四道光罩微影蝕刻步驟來形成一第二導體結構3181及一第三凸狀結構3201，且該第三凸狀結構3201的凸起部份與該第二凸狀結構3121的凸起部份相對應，又第三凸狀結構3201的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構3121的凸起部份的表面積。圖3(g)表示出于該第二導體結構3181及該第三凸狀結構3201上形成一保護層(通常為氮化硅層)321后，再以第五道光罩微影蝕刻制程形成一接觸窗結構322。圖3(h)是表示出進行一透明電極層(通常為氧化銦錫(ITO))的沉積后，再以第六道光罩微影蝕刻步驟形成所需的一透明電極像素區域323。
本發明另一較佳處為該第一導體層及第二導體層皆可為一金屬層，又該第一凸狀結構、該第二凸狀結構及該第三凸狀結構皆具有數個凸起部份，并會隨蝕刻劑濃度、時間、溫度…控制而改變其傾斜角度但范圍介于3～20之間為最佳，由圖4(a1)(b1)(c1)(d1)的列表可顯示由各種不同沉積厚度及圖案直徑所形成的凸狀結構，且如圖4(a2)(b2)(c2)(d2)的俯視圖可見該凸狀結構更可有多種不同的形狀，其中再由圖4(a3)(b3)(c3)(d3)的側視圖可見因沉積厚度及圖案直徑的不同所形成的傾斜角度變化。
綜上所述，本發明相較于現有技術的薄膜晶體管液晶顯示器，是具有多層堆疊凸狀結構，且該凸狀結構所具有的特定傾斜角度可用以控制反射角度的大小，因此可有效控制光反射方向。多層堆疊結構是于成長薄膜晶體管結構時同時形成于像素區，因此，工藝步驟簡單，特別是利用本發明的制造方法比現有技術少一道光罩及不需使用昂貴的樹脂材料，因而更節省制造成本，是以本發明實具產業發展的價值。
權利要求
1.一種具有凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括下列步驟(a)提供一絕緣基板；(b)于該絕緣基板上形成一第一導體層；(c)去除部份該第一導體層，借以形成一第一導體結構及一第一凸狀結構，且該第一凸狀結構位于一像素區域；(d)于該第一導體結構及具有該第一導體層的該絕緣基板上依序形成一絕緣層及一半導體層；(e)去除部份該半導體層，借以形成一半導體結構；(f)于該半導體結構上形成一第二導體層；以及(g)去除部份該第二導體層，借以形成一第二導體結構。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器或一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該第一導體層是為一金屬層。
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該第一凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該第二導體層是為一金屬層。
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該步驟(e)中又包含一步驟(e1)，即形成該半導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積。
7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，該步驟(g)中又包含一步驟(g1)，即形成該第二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，該第二凸狀結構或該第三凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
9.一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，包括一絕緣基板；一第一導體結構及一第一凸狀結構，形成于該絕緣基板上，且該第一凸狀結構位于一像素區域；一絕緣層，形成于該第一導體結構及該第一凸狀結構上；一半導體結構，形成于該絕緣層上；以及一第二導體結構，形成于該半導體結構。
10.如權利要求9所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，該第一導體結構或該第二導體結構為一金屬結構。
11.如權利要求9所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，于形成該半導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積；且于形成該第二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
12.一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括下列步驟(a)提供一絕緣基板；(b)于該絕緣基板上形成一半導體層；去除部份該半導體層，借以形成一半導體結構及一第一凸狀結構，且該第一凸狀結構位于一像素區域；(c)于該半導體結構及具有該半導體結構的該絕緣基板上依序形成一第一絕緣層及一第一導體層；(d)去除部份該第一導體層，借以形成一第一導體結構；(e)于該第一導體結構上形成一第二絕緣層；(f)去除部份該第一絕緣層及該第二絕緣層，借以形成一第一通道及一第二通道；(g)于該第二絕緣層上形成一第二導體層；以及(h)去除部份該第二導體層，借以形成一第二導體結構。
13.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，該薄膜晶體管液晶顯示器為一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPSTFT-LCD)。
14.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，該半導體層為一多晶硅層(P-Si)。
15.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，該第一導體層或該第二導體層為一金屬層。
16.如權利要求12所述的制造方法，其特征在于，該步驟(e)中又包含一步驟(e1)，即形成該第一導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積；且該步驟(h)中又包含一步驟(h1)，即形成該第二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
17.一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，包括一絕緣基板；一半導體結構及一第一凸狀結構，形成于該絕緣基板上，且該第一凸狀結構位于一像素區域；一第一絕緣層，形成于該半導體結構及該第一凸狀結構上；一第一導體結構及一第二凸狀結構，形成于該第一絕緣層上；一第二絕緣層，形成于該第一導體層及該第二凸狀結構上；一第一通道及第二通道，皆穿透該第一絕緣層及該第二絕緣層；以及一第二導體結構及一第三凸狀結構，形成于該第二絕緣層上。
18.如權利要求17所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，于形成該第一導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構的凸起部份與該第一凸狀結構的凸起部份相對應，又第二凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第一凸狀結構的凸起部份的表面積；且于形成該第二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構的凸起部份與該第二凸狀結構的凸起部份相對應，又第三凸狀結構的凸起部份的表面積小于該第二凸狀結構的凸起部份的表面積。
19.如權利要求18所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，該第一凸狀結構、該第二凸狀結構或該第三凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
20.一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器的制造方法，其特征在于，包括下列步驟(a)提供一絕緣基板；以及(b)于該絕緣基板上形成一多層堆疊凸狀結構、一薄膜晶體管結構及一透明電極結構，且該透明電極層連接該薄膜晶體管結構的源/汲極端。
21.如權利要求20所述的制造方法，其特征在于，該多層凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
22.一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，包括一絕緣基板；一多層堆疊凸狀結構，形成于該絕緣基板上；一薄膜晶體管結構，形成于該絕緣基板上；以及一透明電極結構，形成于該絕緣基板上，且該透明電極結構連接該薄膜晶體管結構的源/汲極端。
23.如權利要求22所述的結構，其特征在于，該薄膜晶體管液晶顯示器為一反射式薄膜晶體管液晶顯示器、一半穿透式薄膜晶體管液晶顯示器或一低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器(LTPSTFT-LCD)。
24.如權利要求22所述的結構，其特征在于，該多層凸狀結構的傾斜角度范圍介于3～20°之間。
全文摘要
本發明是指一種具凸狀結構的薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，該制造方法包括下列步驟提供一絕緣基板；于該絕緣基板上形成一第一導體層；去除部份該第一導體層，借以形成一第一導體結構及一第一凸狀結構，且該第一凸狀結構位于一像素區域；于該第一導體結構及具有該第一導體層的該絕緣基板上依序形成一絕緣層及一半導體層；去除部份該半導體層，借以形成一半導體結構；于該半導體結構上形成一第二導體層；以及去除部份該第二導體層，借以形成一第二導體結構。
文檔編號H01L29/786GK1428641SQ0114522
公開日2003年7月9日 申請日期2001年12月27日 優先權日2001年12月27日
發明者林文堅, 徐宏輝, 劉鴻達, 唐文忠 申請人:元太科技工業股份有限公司