專利名稱：晶片封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種電路基板，特別是有關(guān)于一種晶片封裝基板，可降低該晶片封裝基板于封裝晶片過程中的可能毀損。
BGA基板依材質(zhì)可分為PBGA(Plastic Ball Grid Array；塑封球柵陣列)、MBGA(Metal BGA)及TBGA(Tape BGA)。其中，PBGA基板是有機(jī)材質(zhì)基板，例如為由BT樹脂及玻纖布復(fù)合而成，且重量輕，為目前業(yè)界最常使用的BGA封裝基板。
圖1顯示進(jìn)行PBGA封裝時(shí)所使用的基板總成的俯視圖，是以1×4矩陣方式排列，可構(gòu)裝4個(gè)晶片，但是依照實(shí)際應(yīng)用所需亦可能有其他的矩陣排列方式。
圖2顯示圖1中基板總成的一單元基板100的示意圖，基板100包含一四方形封裝區(qū)102；一四方形外框區(qū)104包圍封裝區(qū)102，外框區(qū)104的內(nèi)緣與封裝區(qū)102的外緣之間保留有間隙；四個(gè)連結(jié)區(qū)106分別由外框區(qū)104的內(nèi)緣的四個(gè)角落延伸至封裝區(qū)102的外緣的四個(gè)角落。上述封裝區(qū)102與外框區(qū)104，通過連結(jié)區(qū)106的作用而構(gòu)成基板本體。
上述封裝區(qū)102的第一表面或基板100的正面上設(shè)置有第一線路層，例如由銅線層所構(gòu)成，上述第一線路層上涂布有絕緣綠漆，僅露出特定位置上的第一線路層。上述封裝區(qū)102的第二表面或基板100的反面上設(shè)置有第二線路層，上述第二線路層，例如由銅線層所構(gòu)成上亦涂布有絕緣綠漆，僅露出特定位置上的第二線路層，上述第一、第二電路層有對應(yīng)的電性連接關(guān)系。
使用圖1所示的PBGA基板100進(jìn)行晶片封裝的主要流程包括如下步驟，如圖3所示①組合(assembly)主要是將由晶圓上切割而得的晶粒構(gòu)裝于PBGA基板100正面的封裝區(qū)102上，再打上金線，使晶粒與上述第一電路層構(gòu)成對應(yīng)的電性連接。
②壓模(molding)主要是使用一封合體配合上塑膠料，將構(gòu)裝于封裝區(qū)102上的晶粒予以密封。
③植球主要是將導(dǎo)電性材料，以球狀形成于PBGA基板100反面上的第二電路層上。
④切單(singulation)利用沖壓或是切刀，破壞連結(jié)區(qū)106，使完成構(gòu)裝的封裝區(qū)102與外框區(qū)104分離。其主要缺陷在于1、上述PBGA基板100的連結(jié)區(qū)106，在平行外框區(qū)104的內(nèi)緣而延伸的距離為L1。在現(xiàn)有40mm×40mm(即約為封裝區(qū)的面積)的PBGA封裝技術(shù)而言，上述連結(jié)區(qū)106的延伸距離L1太長(約3mm-4mm)，亦使得間隙槽108的長度L2變小。如此在進(jìn)行切單動作時(shí)，對于封裝區(qū)102而言，易會產(chǎn)生龜裂(crack)或崩角(chip-out)等毀損的情形。
2、上述PBGA基板100的外框區(qū)104上由于完全未設(shè)置有銅線層，導(dǎo)致外框區(qū)104的表面與封裝區(qū)102的表面彼此間會有大落差產(chǎn)生，在進(jìn)行壓模過程時(shí)，將會造成溢膠，使外觀不良或壓傷基板的情形。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種晶片封裝基板，通過縮小封裝基板的連結(jié)區(qū)，使得基板的封裝區(qū)和外框區(qū)之間的間隙槽的長度增大，使上述封裝基板在進(jìn)行切單動作時(shí)，其封裝區(qū)可避免龜裂或崩角等毀損的情形，達(dá)到提高質(zhì)量的目的。
本發(fā)明的另一目的是提供一種晶片封裝基板，通過在封裝基板的外框區(qū)上增設(shè)線路層，以減小外框區(qū)的表面與封裝區(qū)的表面彼此間的落差，達(dá)到在進(jìn)行壓模過程時(shí)，避免溢膠或壓傷基板的目的。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種晶片封裝基板，它至少包含方形封裝區(qū)、方形外框區(qū)包圍該封裝區(qū)及該外框區(qū)的內(nèi)緣與該封裝區(qū)的外緣之間保留有間隙；第以、第二、第三及第四連結(jié)區(qū)，分別由該外框區(qū)的內(nèi)緣的四個(gè)角落延伸至該封裝區(qū)的外緣的四個(gè)角落，其特征是至少該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)，分別在平行該外框內(nèi)緣方向上的延伸距離小于2mm。
該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)中設(shè)有貫穿孔。該貫穿孔為圓形，直徑介于0.8-1.2mm之間。該封裝區(qū)與該外框區(qū)的第一表面上分別設(shè)置有一線路層及第一虛擬層。該封裝區(qū)與該外框區(qū)的第二表面上分別設(shè)置有一植球?qū)蛹暗诙摂M層。該第一虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。該第一虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。該第二虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。該第二虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。該外框區(qū)上設(shè)置有多數(shù)個(gè)定位孔。
另一種晶片封裝基板，它至少包含多數(shù)方形封裝區(qū)；以陣列的形態(tài)設(shè)置的多數(shù)方形外框區(qū)，該外框區(qū)包圍該封裝區(qū)之一，該外框區(qū)的內(nèi)緣與其應(yīng)對的該封裝區(qū)的外緣之間保留有間隙；多數(shù)個(gè)第一、第二、第三及第四連結(jié)區(qū)，該第一至第四連結(jié)區(qū)分別由該外框區(qū)的內(nèi)緣的四個(gè)角落延伸至其對應(yīng)的該封裝區(qū)的外緣的四個(gè)角落，其特征是至少該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)，分別在平行該外框內(nèi)緣方向上的延伸距離小于2mm。
該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)中設(shè)有貫穿孔。該貫穿孔為圓形，直徑介于0.8-1.2mm之間。該封裝區(qū)與外框區(qū)的第一表面上分別設(shè)置有一線路層及第一虛擬層。該封裝區(qū)與外框區(qū)的第二表面上分別設(shè)置有一植球?qū)蛹暗诙摂M層。該第一虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。該第一虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。該第二虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。該第二虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。該外框區(qū)上設(shè)置有多數(shù)個(gè)定位孔。
下面結(jié)合較佳實(shí)施例和附圖進(jìn)一步說明。
圖2是圖1的一單元基板的示意圖。
圖3是圖1的PBGA基板進(jìn)行晶片封裝的流程示意圖。
圖4是本發(fā)明的PBGA封裝基板本體的俯視示意圖。
圖5是圖4的一單元基板的示意圖。
圖5是圖4的基板總成的一單元基板300的示意圖，在此實(shí)施例中，是使用40mm×40mm的PBGA基板?；鍐卧?00為四方形，至少包含一四方形封裝區(qū)302，四方形外框區(qū)304包圍上述封裝區(qū)302，外框區(qū)304的內(nèi)緣與封裝區(qū)302的外緣之間保留有間隙，以及，第一至第四連結(jié)區(qū)306a-306d分別由外框區(qū)304的內(nèi)緣的四個(gè)角落延伸至該封裝區(qū)302的外緣的四個(gè)角落。上述封裝區(qū)302與外框區(qū)304，通過第一至第四連結(jié)區(qū)306a-306d的作用，構(gòu)成基板本體。
本發(fā)明的特征是上述第一、第二及第三連結(jié)區(qū)306a-306c，各別在平行該外框區(qū)304內(nèi)緣方向上的延伸距離均不大于2mm，以第二連結(jié)區(qū)306b為例，其延伸距離L3是不大于2mm。
由于本發(fā)明將封裝基板300的連結(jié)區(qū)306a-306d予以縮小，故促使得基板的封裝區(qū)302和外框區(qū)304之間的間隙槽308的長度增大，所以上述封裝基板在進(jìn)行切單動作時(shí)，封裝區(qū)302和外框區(qū)304可很容易地分離，避免龜裂或崩角等毀損的情形發(fā)生。
此外，在第一、第二及第三連結(jié)區(qū)中，更分別設(shè)置有貫穿孔310。在此，貫穿孔310為圓形，直徑介于0.8-1.2mm。
又，上述封裝區(qū)302的第一表面(或基板300的正面)上，設(shè)置有第一線路層，例如由銅線層所構(gòu)成(圖未示)。上述線路層上涂布有絕緣綠漆，僅露出特定位置上的第一線路層。上述封裝區(qū)302的第二表面(亦或基板300的反面)上，設(shè)置有第二線路層(圖未示)，上述第二線路層，例如由銅線層所構(gòu)成，亦涂布有絕緣綠漆，僅露出特定位置上的第二線路層，用以植入導(dǎo)電金屬球。上述第一、第二電路層有對應(yīng)的電性連接關(guān)系。
本發(fā)明的第二特征是，上述外框區(qū)304的第一表面上更設(shè)置有第一虛擬層312，例如為銅線層，在虛擬層312上涂布有彩漆。通過該第一虛擬層312，能夠使該外框區(qū)304與該封裝區(qū)302在該第一表面上避免有平面落差產(chǎn)生，在進(jìn)行壓模時(shí)，可避免溢膠及壓傷基板的情形。
同理，上述外框區(qū)304的第二表面上也可設(shè)置有第二虛擬層(圖未示0，例如為銅線層，在第二虛擬層上亦涂布有綠漆。
上述第一虛擬層312及第二虛擬層均是均勻地分布于該外框區(qū)304上的第一、第二表面上；第一虛擬層312及第二虛擬層的形狀可為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀等，在此實(shí)施例中是為網(wǎng)狀。
上述封裝基板300中，在其外框區(qū)304上更設(shè)置有多數(shù)個(gè)定位孔314。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所做些許的更動和潤飾，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝基板，它至少包含方形封裝區(qū)、方形外框區(qū)包圍該封裝區(qū)及該外框區(qū)的內(nèi)緣與該封裝區(qū)的外緣之間保留有間隙；第以、第二、第三及第四連結(jié)區(qū)，分別由該外框區(qū)的內(nèi)緣的四個(gè)角落延伸至該封裝區(qū)的外緣的四個(gè)角落，其特征是至少該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)，分別在平行該外框內(nèi)緣方向上的延伸距離小于2mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝基板，其特征是該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)中設(shè)有貫穿孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝基板，其特征是該貫穿孔為圓形，直徑介于0.8-1.2mm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝基板，其特征是該封裝區(qū)與該外框區(qū)的第一表面上分別設(shè)置有一線路層及第一虛擬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝基板，其特征是該封裝區(qū)與該外框區(qū)的第二表面上分別設(shè)置有一植球?qū)蛹暗诙摂M層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝基板，其特征是該第一虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝基板，其特征是該第一虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝基板，其特征是該第二虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝基板，其特征是該第二虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝基板，其特征是該外框區(qū)上設(shè)置有多數(shù)個(gè)定位孔。
11.一種晶片封裝基板，它至少包含多數(shù)方形封裝區(qū)；以陣列的形態(tài)設(shè)置的多數(shù)方形外框區(qū)，該外框區(qū)包圍該封裝區(qū)之一，該外框區(qū)的內(nèi)緣與其應(yīng)對的該封裝區(qū)的外緣之間保留有間隙；多數(shù)個(gè)第一、第二、第三及第四連結(jié)區(qū)，該第一至第四連結(jié)區(qū)分別由該外框區(qū)的內(nèi)緣的四個(gè)角落延伸至其對應(yīng)的該封裝區(qū)的外緣的四個(gè)角落，其特征是至少該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)，分別在平行該外框內(nèi)緣方向上的延伸距離小于2mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝基板，其特征是該第一、第二及第三連結(jié)區(qū)中設(shè)有貫穿孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝基板，其特征是該貫穿孔為圓形，直徑介于0.8-1.2mm之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝基板，其特征是該封裝區(qū)與外框區(qū)的第一表面上分別設(shè)置有一線路層及第一虛擬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝基板，其特征是該封裝區(qū)與外框區(qū)的第二表面上分別設(shè)置有一植球?qū)蛹暗诙摂M層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝基板，其特征是該第一虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝基板，其特征是該第一虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝基板，其特征是該第二虛擬層是均勻地分布于該外框區(qū)上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝基板，其特征是該第二虛擬層的形狀為網(wǎng)狀、格子狀、多數(shù)平行線狀或塊狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝基板，其特征是該外框區(qū)上設(shè)置有多數(shù)個(gè)定位孔。
全文摘要
一種晶片封裝基板，主要將封裝基板的連結(jié)區(qū)予以縮小，使得基板的封裝區(qū)和外框區(qū)之間的間隙槽的長度增大，使封裝基板在進(jìn)行切軍動作時(shí)，其封裝區(qū)可避免龜裂或崩角等的毀損情形。通過封裝基板的外框區(qū)上增設(shè)線路層，以減小外框區(qū)的表面與封裝區(qū)的表面彼此間的落差，在進(jìn)行壓模過程時(shí)，避免溢膠或壓傷基板的情形。
文檔編號H01L23/12GK1426102SQ0114035
公開日2003年6月25日 申請日期2001年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月10日
發(fā)明者林蔚峰, 吳忠儒, 蔡進(jìn)文 申請人:矽統(tǒng)科技股份有限公司