光混合模塊和光器件以及該光器件用半成品的制作方法

專利名稱：光混合模塊和光器件以及該光器件用半成品的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種在基板上搭載了激光電二極管、光電二極管和光纖等光元件的光混合模塊和光器件以及該光器件用半成品。
為了實現光混合模塊的低價格化，要求構成光混合模塊的各光元件的制造以及光混合模塊的組裝的容易性。另外，為了實現光混合模塊的高質量化，要求將構成光混合模塊的各光元件以低的連接損耗進行光學性連接，獲得所希望的特性。
依據本發明的光器件，包括具有基板的基底；在上述基底上由融點比玻璃的燒結透明化溫度或者玻璃的退火溫度更高的高融點材料形成的定位模樣；覆蓋上述基底并形成的玻璃層；將上述定位模樣形成區域上的上述玻璃層除去，在上述基底上露出形成定位模樣，以除去上述玻璃層后所露出的基底上的面作為元件搭載面。
圖8A、圖8B、圖8C為模式性表示伴隨高溫處理的定位標記的變形狀態的截面說明圖；圖9為表示本發明之前所探討的光混合模塊的構成的說明圖；圖10A、圖10B為模式性表示定位模樣的間隔與異向性蝕刻方案之間的關系的說明圖。
光波導形成區域2包括具有兩條光芯3(3a、3b)的光波導回路。這些光芯3a、3b埋入在覆蓋玻璃層內。光芯3a、3b的一端面(圖中的左端面)分別終結在元件搭載面4和光波導形成區域2的邊界的段差端面13a、13b上。光芯3a的終結端面與光接收元件8的光接收部對向，光芯3b的終結端面與發光元件9的光發射部對向。在該狀態下，光芯3a與光接收元件8被光連接，光芯3b與發光元件9光連接。
此外，在圖9中，103a為根據需要所設置的絕緣膜，由SiO2等形成。另外，圖中，5、6、6’分別表示電極布線模樣，10表示線等布線材料。
如上所述，光混合模塊包括搭載了光接收元件(PD)8、發光元件(LD)9以及監視器PD21等光元件的光器件。該光器件通常具有光波導回路，根據需要也裝入讓LD、PD等有源元件(能動光元件)動作的電路。
在這樣的光器件中，要求光接收元件8、發光元件9等光元件的光軸與光器件的光路的光軸(例如光波導回路的光軸)能夠高精度地保持一致。
為了滿足其要求，在光器件的元件搭載面4上設置有定位標記，考慮由定位標記定位的光接收元件8、發光元件9分別與光芯3a、3b連接。該定位標記針對與基板面平行的方向(水平方向)可以正確定位。作為定位標記，可以考慮采用例如現有的電布線用的Au、Al、Cr/Ni/Au等材料。
但是，在圖9所示的光混合模塊中，如上所述，元件搭載面4和光波導形成區域2的面12之間的邊界上有段差。在具有該段差的狀態下，上述定位標記要以正負數μm的精度在元件搭載面4上形成是很困難的。
為此，為了克服該位置標記形成的困難，可以考慮采用以下的制造方法。例如在元件搭載面4上預先形成定位標記。在該狀態下，讓為形成光波導形成區域2的玻璃層覆蓋在定位標記和基板1上來形成。然后，除去上述定位標記的上側以及周圍區域的玻璃層，獲得讓定位標記露出的光器件。
但是，采用該制造方法形成定位標記時，作為形成光波導形成區域2的方法，如果采用一般周知的火焰沉積法，會產生以下的問題。即，由火焰沉積法沉積玻璃微粒子之后，再進行玻璃微粒子的燒結透明化。這時，如圖8B所示，在燒結透明化的工序中，在采用上述電布線用材料所形成的定位標記的周圍部上會產生氣泡，將產生所謂定位標記變形的問題。
另外，作為光波導形成區域2的形成方法，可以考慮采用利用濺射成膜的方法、或者利用周知的CVD(化學氣相沉積)法和EB(電子束)蒸發法等的玻璃成膜的方法。但是，即使在這種情況下，在介入圖7A所示的間隔所形成的光芯3的上部側，如果形成圖7B所示的上部覆蓋層，會出現在光芯3之間的上部覆蓋層上產生空隙的問題。為了消除該空隙，需要進行在900℃以上的高溫的退火處理。于是，和火焰沉積法的情況相同，在定位標記上采用電布線用材料時，在進行該退火處理時，例如如圖8C所示，會產生所謂的定位標記變形的問題。
上述事情表明，還沒有開發出在元件搭載面4上高精度地定位配置光接收元件8、發光元件9，并且以能夠將這些光接收元件8、發光元件9分別與光芯3a、3b有效連接的方式，制造出成品率高的光器件。
本發明的目的在于提供一種克服上述問題的光器件和這種光器件用半成品以及采用上述光器件的光混合模塊。
以下參照


本發明的幾個實施例。此外，在以下的說明中，和圖9所示本發明前的探討對象例相同的構成部分采用相同的符號，另外，在各實施例之間相同的構成部分也采用相同的符號，并省略或者簡化其相同構成部分的重復說明。圖1為表示包含有關本發明的光器件的光混合器件的第1
用于該光混合器件中的第1實施例的光器件，如圖1所示，包括具有基板1的基底20。該基底20是在基板1的上面形成基底玻璃膜19所構成。在該基底20上，形成由融點比玻璃的燒結透明化溫度更高的高融點材料所形成的定位模樣15。然后，在該定位模樣15和上述基底20上覆蓋玻璃層24、26。然后，在對該玻璃層24、26進行燒結透明化之后，除去上述定位模樣形成區域的上側的玻璃層24、26。經過除去該玻璃層24、26，所露出的露出區域成為元件搭載面4。在該元件搭載面4上露出定位模樣15。
在該實施例中，玻璃層24通過用火焰沉積法進行玻璃微粒子的沉積以及對該沉積微粒子進行燒結透明化而形成。由該玻璃層24形成光波導形成區域2。定位模樣15由融點為1772℃的高融點材料的Pt所形成。第1實施例的光器件，具有在上述基底20上元件搭載面4和光波導形成區域2鄰接形成的結構。
以下具體說明第1實施例的光器件的制造方法。首先，如圖2A所示，在基板1上采用公知的CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成基底玻璃膜19作為基底20。基板1的材料沒有特別限定，但是在此采用硅基板。然后，如圖2B所示，在基底20上作為一個例子通過濺射形成厚度為0.05μm的Ti膜23，然后作為一個例子通過濺射在其上形成厚度為0.5μm的Pt膜22。再有，薄膜的Ti膜23是為了提高向基底玻璃膜19上的Pt成膜性(使Pt膜不容易從基底玻璃膜19上剝落)。Ti膜23的融點為1675℃。
之后，采用公知的光刻法和RIE的干蝕刻，如圖2C所示，進行Ti膜23和Pt膜22的模樣化，形成定位模樣15。
然后，如圖2D～2G所示，通過包含用火焰沉積法進行玻璃微粒子的沉積以及對該沉積微粒子進行燒結透明化的工序形成具有光波導回路的玻璃層。通過到圖2G為止的工序所獲得的制品作為光器件用的半成品。
具體講，如圖2D所示，在基底20上，用火焰沉積法沉積下部覆蓋玻璃微粒子來形成下部覆蓋層24。由該下部覆蓋層24覆蓋定位模樣15。該下部覆蓋層24，在該例中，具有和上述基底玻璃膜19相同的折射率。然后，如圖2E所示，在下部覆蓋層24上沉積比下部覆蓋層24的折射率更高的光芯玻璃微粒子來形成光芯層25。然后，對下部覆蓋層24和光芯層25進行1100℃～1400℃的高溫的燒結透明化處理。
然后，如圖2F所示，進行光芯層25的模樣化，獲得光芯3。如果對該光芯3的形成方法進行更詳細的說明的話，例如，首先，在光芯層25上，利用濺射法依次形成WSi膜和SiO2膜。然后，描繪在光罩上的波導形狀的模樣，采用公知的光刻法和RIE的干蝕刻依次刻去SiO2膜、WSi膜、光芯層25，獲得圖2F所示的光芯3。
接著，如圖2G所示，在光芯3的上部側，用火焰沉積法沉積上部覆蓋玻璃微粒子，形成上部覆蓋層26。然后，和上述方法相同，對上部覆蓋層26進行燒結透明化，獲得光器件用半成品。
之后，如圖2H所示，在上部覆蓋層26上利用濺射依次形成WSi膜27和SiO2膜28。然后，在成為光波導形成區域2的區域(形成有光芯3的區域)上進行掩膜。該方法，例如，和上述相同，利用濺射等依次形成WSi膜27和SiO2膜28。接著，將描繪在光罩上的模樣，采用公知的光刻法和RIE的干蝕刻依次刻去SiO2膜28和WSi膜27。
然后，采用公知的RIE的干蝕刻、如圖3A所示，通過除去上述定位模樣15形成區域的上側以及周圍區域的玻璃層，讓定位模樣15和該周圍區域的基底20的表面露出。該露出區域為元件搭載面4。再有，這時，在該例中，對基底20的基底玻璃膜19的一部分進行蝕刻。
之后，如圖3B所示，將WSi膜27蝕刻除去。進一步，如圖3C所示，將定位模樣15的除去了Pt膜22和Ti膜23的部分(元件搭載部分)除去。另外，最終，如圖3D所示，例如利用Cr/Ni/Au材料，通過公知的光刻和EB蒸發形成電極布線模樣5，完成光器件。
利用該光器件制作光混合模塊的工序如圖3E、3F所示。即，如圖3E所示，將SuAu等的焊錫片7配設在指定位置。接著，如圖3F所示，將光接收元件8對準定位模樣15進行焊接固定。然后，由布線材料10進行結合，形成光混合模塊。
依據該第1實施例，通過采用融點比玻璃的燒結透明化溫度更高的高融點材料的Pt膜22形成定位模樣15。為此，在定位模樣15以及覆蓋上述基底20上的玻璃層形成時，即使以約1100℃～1400℃的高溫進行沉積玻璃微粒子的燒結透明化處理，也可以抑制定位模樣15的變形和在定位模樣15的周圍產生氣泡的情況發生。為此，可以獲得具有正確定位模樣15的光器件。
特別是，如果利用上述材料Pt的定位模樣象上述那樣形成光器件的話，當在Pt上形成玻璃層時，玻璃層和Pt膜之間的濕潤性良好。為此，可以確切地抑制定位模樣的變形和氣泡的產生。這一點由本發明者通過實驗首次探明。
另外，依據第1實施例，如上所述，在元件搭載面4上，形成正確的、無變形的平坦面的定位模樣15。然后，如圖3C所示，通過將成為光元件(光接收元件8)的搭載部分的定位模樣15的除去部分加以除去，對于基板1的高度方向可以形成無變形的元件搭載面。
因此，第1實施例，利用上述正確的定位模樣15，相對于基板面，在水平方向和垂直方向的兩個方向上，即在3維空間上可以確切地定位光接收元件8。為此，光接收元件8和光波導形成區域2的光波導回路(光芯3)之間能夠以低損耗連接，獲得優異的光器件。
進一步，依據第1實施例，基底20通過在基板1上設置基底玻璃膜19形成，以該基底玻璃膜19上作為元件搭載面4。為此，可以減少影響光接收元件8的動作特性的基板1和光接收元件8之間的電容量。因此，在元件搭載面4上搭載的光元件(在此為光接收元件8)可以獲得良好的動作特性。
進一步，依據第1實施例，光波導形成區域2的形成適用利用火焰沉積法的玻璃微粒子沉積。為此，容易形成厚的覆蓋玻璃層24、26，可以形成光學上低損耗的光波導回路。
以下，說明有關本發明的光器件的第2實施例。第2實施例和上述第1實施例的光器件不同的點在于，玻璃層采用濺射法和蒸發法中的某種玻璃成膜方法被形成、以及對玻璃層施行退火處理。除此之外和第1實施例相同，由融點比玻璃的退火處理溫度更高的高融點材料形成定位模樣。在此，省略和第1實施例重復的說明。
第2實施例，圖2D所示的下部覆蓋玻璃層24的形成和圖2E所示的光芯層25的形成，采用公知的CVD法形成。光芯層25形成之后，和上述第1實施例同樣，進行光芯的模樣化。然后，圖2G所示的上部覆蓋玻璃層26的形成，采用上述CVD法進行。
然后，由上述方法形成玻璃層后，以1100℃～1400℃的溫度進行退火處理，獲得圖2G所示的光器件用半成品。在第2實施例中，通過該退火處理，如圖7C所示，填埋光芯3之間的空隙，可以獲得精度良好地形成了符合設計要求的光波導回路的光器件用半成品。
在該第2實施例中，定位模樣15也采用融點為1772℃的高融點材料的Pt膜22。由于Pt是比上述退火溫度更高的高融點材料，通過進行退火處理，可以抑制定位模樣15的變形或者在定位模樣15的周圍產生氣泡的情況發生。
然后，采用該光器件用半成品，和上述第1實施例相同，通過圖2H～圖3F的工序，形成和上述第1實施例大致相同的第2實施例的光器件。
該第2實施例可以起到和上述第1實施例實質上相同的效果。
圖4為表示有關本發明的第3實施例的光器件搭載了光纖14和光接收元件8形成光混合模塊的方案。
第3實施例的光器件，玻璃層33的上面成為光接收元件8的搭載面以及電布線模樣6的形成面。另外，元件搭載面4作為光纖14的搭載面。該第3實施例的光器件，也在元件搭載面4和玻璃層33的上面16之間的邊界形成有段差。
該第3實施例的光器件的制造方法，參照圖5A～5F、圖6A～6F進行說明。首先，如圖5A所示，在Si的基板1(基底20)上采用公知的方法形成熱氧化膜31。然后，如圖5B所示，在熱氧化膜上采用濺射法形成Al2O3膜32。
接著，如圖5C所示，采用公知的光刻法和蝕刻對Al2O3膜32進行模樣化，形成Al2O3的定位模樣15。該Al2O3膜32的融點為2015℃。之后，如圖5D所示，在基底20(基板1)上進行包含利用火焰沉積法的玻璃微粒子沉積和該沉積玻璃微粒子的燒結透明化的工序。依據該工序，形成作為絕緣膜作用的例如厚度為25μm的玻璃層33。這樣，如果采用火焰沉積法，由于成膜率高，因此很容易形成數十μm的優質膜厚的玻璃層。
然后，如圖5E所示，在玻璃層33上，形成電布線模樣6。該電布線模樣6例如利用Cr/Ni/Au材料，通過光刻和EB蒸發形成。之后，如圖5F所示，在玻璃層33上形成SiO2膜34和WSi膜27。進而，在WSi膜27的上面的整個面上通過濺射形成SiO2膜28，獲得光器件用半成品。
接著，如圖6A所示，對WSi膜37和SiO2膜28、34在電布線模樣6一側的面16(參見圖4、圖6E、圖6F)上實行掩膜。該掩膜按如下方式進行。即，首先，在面16側的SiO2膜28上涂敷公知的光阻劑。然后，在光罩上描繪的模樣，采用公知的光刻法和RIE的干蝕刻依次刻去SiO2膜28、WSi膜27、SiO2膜34。依據該刻去工序，讓沒有實行掩膜的區域一側的玻璃層33露出。
進一步，以上述SiO2膜28和WSi膜37作為掩膜，如圖6B所示，對玻璃層33進行蝕刻直到基板1的表面露出為止(SiO2膜28在中途消失)。在此，定位模樣15以及其周圍的基底(在此為基板1)露出，該露出區域成為元件搭載面4。再有，這時，利用比熱氧化膜31的蝕刻率要低的Al2O3膜32的存在，讓Al2O3膜32的下層的熱氧化膜31殘存。
之后，如圖6C所示，通過干蝕刻將WSi膜37除去。接著，如圖6D所示，利用公知的KOH溶液通過蝕刻露出的元件搭載面4的Si被異向性蝕刻，形成光纖搭載用的V字形溝30。
之后，如圖6E所示，除去定位模樣15的Al2O3膜32。另外，對元件搭載面4以及電布線模樣6形成的面16(參見圖4、圖6E、圖6F)上不需要的SiO2膜34通過蝕刻除去。然后，通過切割形成溝60，獲得光器件。
采用該光器件制作光混合模塊的工序按如下方式進行。即，如圖6F所示，將V字形溝30作為定位模樣15加以代用，在V字形溝30上定位配置光纖14。另外，在電布線模樣6上通過焊錫搭載光接受元件8，通過由布線材料10進行的線結合，形成光混合模塊。
依據該第3實施例，和上述第1實施例相同，通過采用融點比玻璃的燒結透明化溫度更高的高融點材料的Al2O3膜32形成定位模樣15。為此，可以抑制由于玻璃層的燒結透明化時的高溫引起的變形和在定位模樣15的周圍的氣泡的產生。
因此，依據第3實施例，利用定位模樣15可以正確形成光纖14插入用的V字形溝30。為此，可以正確進行光纖14和光接收元件8的定位，獲得優異的光器件。
即，在該第3實施例的光器件中，以沒有變形、按照設計要求形成的定位模樣15作為掩膜，可以正確形成凹部(在此為V字形溝30)。因此，可以將嵌入該V字形溝30的光元件(在此為光纖14)，與光部件以及光波導對位并高精度地進行光連接。
即，例如通過結晶的異向性蝕刻形成V字形溝時，在V字形溝中嵌入元件的高度位置由定位模樣的形成精度所左右。即，如圖10A所示，相隔一定間隔并排設置的定位模樣的并排間隔W窄小時，V字形溝30的深度變淺。相反，如圖10B所示，當定位模樣的并排設置間隔W寬時，V字形溝30的深度變深。
然后，例如在V字形溝30上插入作為光元件的光纖14時，如果V字形溝30的深度變淺，則光纖14的光芯位置變高，如果V字形溝30的深度變深，則光纖14的光芯位置變底。
第3實施例的光器件，象上述那樣可以正確形成定位模樣，利用該定位模樣進行結晶的異向性蝕刻等，因此可以形成精度良好的V字形溝。為此，在V字形溝中嵌入的光纖等光元件可以相對于基板面在水平方向(水平面方向)和高度方向(垂直方向)的兩個方向進行正確定位而連接。
特別是，如果利用上述材料Al2O3的定位模樣象上述那樣形成光器件的話，在Al2O3上形成玻璃層時，玻璃層和Al2O3膜的濕潤性良好。為此，可以確切地抑制定位模樣的變形和氣泡的發生。這也和上述Pt的情況相同，是由本發明者通過實驗首次探明。
此外，在第3實施例中，玻璃層和上述第2實施例相同，也可以采用濺射法和蒸發法中的某種玻璃成膜方法來形成，并對玻璃層施行退火處理。這時，由于Al2O3膜32是融點比玻璃的退火溫度更高的高融點材料，因此可以正確地形成定位模樣15，起到和上述相同的效果。
再有，本發明并不限定于上述各實施例，可以采用各種各樣的實施方案。上述第1實施例是將光波導形成區域2的光波導回路和光接收元件8作為進行光連接的光器件。作為其替代例，例如，也可以在元件搭載面4上搭載發光元件9等的其他元件與光波導回路進行光連接。或者，也可以在元件搭載面4上搭載多個光元件，讓其中2個以上的預定的多個光元件與光波導回路作為進行光連接的光器件。
另外，在光波導形成區域2上所形成的光波導回路的形式并沒有特殊限定，也可以采用其他的回路結構。
進一步，在上述第3實施例中，具有V字形溝30的元件搭載面4和電布線形成區域在V字形溝的長軸方向鄰接配置。然后，嵌入到V字形溝30中的光纖14與配置在電布線形成區域上的光接收元件8進行光連接。作為其替代例，例如，也可以讓光波導形成區域在元件搭載面4的寬度方向(與V字形溝30的長軸方向相垂直的方向)的一方或者兩方鄰近形成，對光波導形成區域的光波導回路與光纖14進行光連接。
這樣，在本發明的光器件中，光波導回路和電路等的回路構成并沒有特別限定，可適當設定。通過在各種各樣的回路構成的光器件中采用本發明，如上述實施例那樣，元件和光部件或者光波導回路能夠以低損失進行連接，獲得優質的光器件以及光混合模塊。
進一步，在第3實施例中，在元件搭載面上形成的凹部雖然是利用例如KOH溶液形成的V字形溝30，但凹部的形狀并不限定于V字形溝，例如可以利用RIE的干蝕刻形成V字形溝以外的各種各樣的形狀。
權利要求
1.一種光器件，其特征是包括，具有基板的基底；在所述基底上由融點比玻璃的燒結透明化溫度或者玻璃的退火溫度更高的高融點材料形成的定位模樣；覆蓋所述基底并形成的玻璃層；將所述定位模樣形成區域上的所述玻璃層除去，在所述基底上露出形成定位模樣，以除去所述玻璃層后所露出的基底上的面作為元件搭載面。
2.根據權利要求1所述的光器件，其特征是以所述定位模樣作為掩膜在所述元件搭載面上形成凹部，該凹部作為在所述元件搭載面上搭載的光元件的定位收納凹部。
3.根據權利要求2所述的光器件，其特征是在形成所述凹部后將高融點材料的定位模樣除去，所述凹部替代發揮定位模樣的功能。
4.根據權利要求1所述的光器件，其特征是所述定位模樣由Al2O3和Pt中的至少一種膜來形成。
5.根據權利要求1所述的光器件，其特征是所述玻璃層通過用火焰沉積法對玻璃微粒子進行沉積并對該沉積玻璃微粒子進行燒結透明化后形成。
6.根據權利要求1所述的光器件，其特征是所述玻璃層由濺射法和蒸發法中的至少一種玻璃成膜方法形成，所形成的玻璃層進行退火處理。
7.根據權利要求1所述的光器件，其特征是所述基底是通過在所述基板上設置基底玻璃膜形成。
8.根據權利要求1所述的光器件，其特征是所述基底正是所述基板本身。
9.根據權利要求8所述的光器件，其特征是所述定位模樣被形成在所述基板上所形成的熱氧化膜上。
10.根據權利要求1所述的光器件，其特征是所述定位模樣形成在相對于所述基板面在水平方向和垂直方向的兩方向上能夠將搭載在元件搭載面上的光元件定位的形式。
11.根據權利要求1所述的光器件，其特征是在所述基底上的元件搭載面的相鄰的玻璃層上，形成光波導回路。
12.一種如權利要求1所述的光器件用的半成品，其特征是包括，具有基板的基底；在所述基底上由融點比玻璃的燒結透明化溫度或者玻璃的退火溫度更高的高融點材料形成的定位模樣；包含所述定位模樣的基底上面通過由火焰沉積法形成的玻璃微粒子的沉積層所覆蓋；該沉積玻璃微粒子的沉積層被施行燒結透明化處理。
13.一種如權利要求1所述的光器件用的半成品，其特征是包括，具有基板的基底；在所述基底上由融點比玻璃的退火溫度更高的高融點材料形成的定位模樣；包含所述定位模樣的基底上面通過由濺射法和蒸發法中的至少一種玻璃成膜方法所形成的玻璃層所覆蓋；該玻璃層被施行退火處理。
14.根據權利要求12所述的光器件用半成品，其特征是所述定位模樣由Al2O3和Pt中的至少一種的膜來形成。
15.根據權利要求13所述的光器件用半成品，其特征是所述定位模樣由Al2O3和Pt中的至少一種的膜來形成。
16.一種光混合模塊，其特征是在權利要求11所述的光器件的元件搭載面上搭載光元件，所述光元件光連接于光波導回路上。
17.一種光混合模塊，其特征是在權利要求2所述的光器件的凹部上收納配置作為光元件的光纖，在玻璃層的上面搭載與所述光纖進行光連接的光元件。
18.一種光混合模塊，其特征是在權利要求3所述的光器件的凹部上收納配置作為光元件的光纖，在玻璃層的上面搭載與所述光纖進行光連接的光元件。
19.根據權利要求17所述的光混合模塊，其特征是所述凹部為V字形溝的凹部。
20.根據權利要求18所述的光混合模塊，其特征是所述凹部為V字形溝的凹部。
全文摘要
提供一種能夠以低損耗將所搭載的光元件與光波導回路進行光連接的光器件。在具有基板的基底上,形成融點比玻璃的燒結透明化溫度更高的高融點材料的Pt膜的定位模樣。然后,通過利用火焰沉積法進行玻璃微粒子的沉積和對沉積玻璃微粒子進行燒結透明化處理形成玻璃層。由該玻璃層覆蓋定位模樣以及基底。將定位模樣的形成區域上側和其周圍區域的玻璃層除去,讓定位模樣以及其周圍區域的基底露出。該露出區域成為元件搭載面。由定位模樣讓光接收元件正確定位固定在元件搭載面上。光接收元件與在沒有除去而殘留的玻璃層上形成的光波導形成區域的回路能夠以低損耗進行連接。
文檔編號H01S5/022GK1356566SQ0114017
公開日2002年7月3日 申請日期2001年11月28日 優先權日2000年11月28日
發明者根角昌伸, 川島洋志, 奈良一孝, 大山功, 柏原一久 申請人:古河電氣工業株式會社