用于集成電路的具有墊緣強化結構的接線墊的制作方法

專利名稱：用于集成電路的具有墊緣強化結構的接線墊的制作方法
技術領域：
本發明有關一種用于集成電路的半導體封裝的接線墊及其制造方法。
在印刷電路板或是其它集成電路(IC)的封裝過程中，在印刷電路板中的半導體裝置可通過一接線工序而分別與外界連接。在此工序中，提供一個或多個接線墊與最外面導電層上的半導體組件進行個別部份接觸。然后，一接線連接至所述接線墊以允許所述半導體裝置與所述IC封裝的內部導線進行電接觸。


圖1為顯示一種傳統接線墊以及所述金屬接線墊如何相對于芯片表面上多層半導體裝置中的其它層定位的剖面示意圖。一般來說，一底層4(或第一層)沉積在第一介電層2(或底部介電層)之上。之后，一第二介電層3(或中間介電層)形成在所述底層4之上。最后，一第三介電層5(或頂部介電層)沉積在所述第二介電層3之上，并使用照相制板技術而留下一接線墊窗8，并于其中沉積一金屬接線墊層6(或第二層)。另外，一具有化學抗性的密封材料(例如聚酰亞胺(polyimide))沉積在所述第三介電層5的上而形成一保護層7，以提供良好的抗性來抵抗水氣，污染物等。然后，借助照相制板過程來蝕刻所述保護層7而暴露出接線墊開口8。此完成了最基本的接線墊形成程序，而所述接線墊可預備連接至一接線。在所述第二介電層3之內可形成一個或多個導電結構以提供所述金屬接線墊6及所述底層4之間的電連接。另外，一個以上的接線墊可以堆棧在一起，每個接線墊連接至不在接線墊下方的個別導電層。然而，此部份的接線墊的形成為現有技術，于是在此予以省略。
當所述金屬接線墊6及所述第二介電層3之間的附著力強度不足以抵抗接合接線到所述接線墊的接線過程中所發生的熱應力或機械應力時，則接線剝落的問題便會發生。此情況也會發生在任何鄰接層之間，例如金屬接線墊及下面的復晶硅層之間，金屬層與介電層之間，介電層與復晶硅層之間，以及阻障層與介電層之間等等。隨著半導體裝置的尺寸愈變愈小，接線墊剝落的問題實質上變得更為嚴重，并且已變成阻礙生產率更進一步提高的主要因素。
圖2為顯示被設計成減緩剝離問題來改善接線墊的穩定性的現有接線墊的剖面示意圖。一接觸區12，即一通道形成在第二介電層之中，以一第二層材料填充而形成一接線墊開放區域，且與下面的第一層4接觸。第一層和第二層可以是金屬或半導體(如復晶硅)材料。此可以為M2-通道-M1結構或M2-接觸區-復晶硅結構。M1表示第一種金屬，M2表示第二種金屬。圖2也顯示形成一小的突出部份11，它自所述接線墊開放區域延伸而出并沉積在所述第二介電層3之上。如上面所述，所述底層4可以是金屬層或復晶硅層。一般來說，所述接線墊與所述底層具有良好的附著特性，且借助通道的形成所提供的大接觸表面而實質上提供經強化的附著性。然而，在接線過程中所遭遇的高熱應力及/或震動應力作用之下，裂縫9會在所述突出部份11下方的第二介電層中形成。一旦形成裂縫，它便會延著所述金屬接線墊12及所述第二介電層3之間的界面傳播，因此造成接線墊剝落的發生。
一般而言，接線工序可以大致歸類成兩種形式即金線/金球接線工序以及鋁線楔形接線工序。鋁線楔形接線工序廣泛地被使用在板芯片(COB)的應用中，其中鋁線是經過超聲波震蕩及施加于楔形上的壓力的合并使用而被焊接到接線墊上。金線/金球接線工序一般是通過于溫度升高時先被形成為一個球形的金線施壓于接線墊上而完成。鋁線楔形接線工序在建立接線位置方面不夠精確，且在施加接線壓力時也較不均勻，所以相對于金線/金球的接線工序，它更傾向于使接線墊剝落，其主要是由于不均勻的機械及/或熱應力所造成。
圖3顯示另一種現有的經改進的接線墊，其中數個固定物13形成于連接金屬接線墊6及底層4的所述第二介電層3之內。所提供的固定物增加了與底層4的水平接觸表面以及與第二介電層3的垂直接觸表面。這兩個部份都可以增加附著力和增加所述金屬接線墊的穩定性。
接線墊的剝落或是剝離已是困擾與接線技術有關的集成電路封裝工業的一個主要不穩定問題。許多可能的解決方案已經被提出和實施，誠如下列的現有技術參考文獻所示。
美國專利第4,060,828號揭示了一種具有多層接線結構的半導體裝置，在其接線層的接線墊之下的絕緣層中具有額外的穿透孔互連結構。此’828號專利的目的是要在所述接線墊與其下的另一接線層之間提供一額外且經保護的電接觸，當那些接線墊的暴露部份被腐蝕且變成斷開時，穿過絕緣層所形成的額外電接觸仍可提供所需的連接。雖然此’828號專利并不直接涉及所述接線墊剝落的問題，但是此第’828號專利所揭示的于直接位于金屬層之下的絕緣層中提供一穿透孔互連結構的觀念已被采用，縱使大部分為改進形式，基本上所有的現有技術都是以提供固定結構的方式來處理解決接線墊剝落問題。
美國專利第4,981,061號揭示了一種在包含一主動區域的半導體基材的主要表面上形成一第一絕緣層的半導體裝置。一第一接觸孔形成于對應所述主動區域的所述第一絕緣層中的一位置上，以及一第一導電層形成于所述第一接觸孔及環繞所述接觸孔的部分第一絕緣層的中。之后，一第二絕緣層形成在所述第一導電層及所述第一絕緣層之上，以及一第二接觸孔形成于對應所述第一導電層的所述第二絕緣層中的一位置上且定位于所述第一接觸孔之上。之后，一第二導電層形成在所述第二絕緣層之上并填充所述第二接觸孔。最后，一接線連接到位于所述第一及第二接觸孔之上的第二導電層區域中。在第’061號專利所揭示的結構中，于接線期間施加在所述第二絕緣層上的壓力由填充于第一及第二接觸孔中的第一及第二導電層的柱狀部分所支撐，因此減少了作用在所述第二絕緣層上的壓力而壓抑裂縫的發生。
美國專利第5,309,205號揭示了一種接線結構，它是通過在一半導體裝置之一下面區域上沉積一阻障層并于所述阻障層上沉積一第一導電層而形成。然后，將所述阻障層和導電層圖案化并蝕刻以形成一導電區域。于此’205號專利中，此導電區域可以為一網格狀，而一第二導電層沉積在所述導電區域及暴露的下面區域的一部份之上。所述第二導電層與所述下面區域之間有良好的粘著接觸，因而避免了接線墊的剝落。
美國專利第5,248,903號和美國專利第5,248,797號揭示了一種接線墊，它通過提供一復合的接線墊而減輕了于接線期間所遭遇到的接線墊剝落問題，它包括一上接線墊及一下接線墊，以及在此兩者間的一絕緣成分區。至少有一開口通過所述絕緣成分區且自所述下接線墊延伸到所述上接線墊。所述至少一開口與所述下接線墊的一周圍區域對齊。然后，提供一導電材料來填充所述數個開口并電連接所述上及下接線墊。所述至少一個開口可以是數個導電通道(via)、環繞所述周圍區域延伸的環狀開口、或一個或多個延長的細縫般開口。然而，在單一接線墊中形成上及下接線墊的需求將會增加生產成本。
美國專利第5,309,025號揭示了一種可減輕接線墊剝落問題的改進接線墊。此第’025號專利中所揭示的接線墊包括一阻障層，且通過先沉積所述阻障層在一半導體裝置的下面區域上以及再沉積一第一導電層于所述阻障層之上而形成。而后，將所述阻障層及所述導電層圖案化并蝕刻以形成一導電區域。形成數個導電區域，每個導電區域通過形成一絕緣側壁而與外界隔離。一第二導電層沉積在所述導電區域及部份的暴露的下面區域之上。所述第二導電層與下面區域之間有良好的附著接觸，因此避免了接線墊的剝落。
美國專利第5,707,894號揭示了一種可降低接線墊及底層之間的接線墊剝落問題的接線墊以及形成此結構的工序。第’894號專利所揭示的方法包括先在接線墊區域中的基材表面上形成數個固定墊。其次，一第一絕緣層形成在所述基材表面及固定墊之上。數個通道孔穿過所述第一絕緣層并且為與所述第二金屬層(覆蓋第一絕緣層)相同的材料所填充，因而形成固定墊及所述第二金屬層之間的導電連接。所述通道孔具有較固定墊小的橫截面，使所述固定墊及所述第二金屬層的組合在所述第一絕緣層的中形成小″鉤″，因而將所述第二金屬層(即所述接線墊層)固定在所述底層上。
上述的現有技術都有其優缺點。然而，在高度競爭的半導體市場中，鑒于迫切要減少生產成本，因此非探究選擇其它方案不可，這些方案可以單獨作業或是附加到既有的技術上，以更確保接線墊剝落問題的不再發生并提高生產率。
本發明的目的是提供一種集成電路組件封裝操作接線用的具有邊緣強化結構的改進接線墊及其制造方法，它可通過提供邊緣強化結構以減緩剝落問題而且不需要使用任何現有技術的固定技術，并且還可以根據制造者的需求與現有技術結合使用。
為實現上述目的，本發明的用于集成電路的接線墊，其特點是，它包括一層迭結構，它包含一金屬接線墊層、一中間介電層及形成于一芯片表面的一底層，所述中間介電層形成于所述底層之上，所述金屬接線墊層至少部份形成于所述中間介電層之上；以及一防護帶結構，它緊鄰于所述金屬接線墊層形成，并與所述金屬接線墊層至少一部份相隔開；其中，所述防護帶結構包括至少一個形成在所述中間介電層之上的帶組件以及連接所述帶組件至所述底層的一孔填充物。
于本發明的接線墊中，邊緣強化構件包括一防護帶，它完全或部份地沿著接線墊的一個或多個邊緣形成并與接線墊相分隔。所述防護帶具有一延長″帶″結構并借助一個或多個填充孔而連接于第一層。所述防護帶的主要功能之一是有效地避免形成于鄰接接線墊的介電層(特別是沿著所述接線墊及所述介電層之間的界面)中的裂縫傳播，從而避免裂縫的傳播產生接線墊剝落。
隨著本發明的邊緣強化，也可提供一固定結構于所述接線墊之下以提供強化的附著力。較佳的是利用具有數個互聯機段的單一固定結構。
停止裂縫傳播的最有效方法的一是在接線墊及防護帶的相對邊緣上形成一連鎖結構。所述連鎖結構可以是一個簡單的齒型結構或是一個迷宮狀的結合結構，以獲得最大的效率。本發明的好處的一是由于不同的連鎖結構僅使用一種不同的光罩，所以不需要附加其它的工作。因此，本發明的改進接線墊的制作實質上不會造成任何生產成本的增加。
為實現上述目的，本發明的制造用于集成電路的接線墊的方法，其特點是，它包括以下步驟形成一底層于一芯片之上；形成一中間介電層于所述底層的頂部，其中，所述中間介電層包括至少一個第一穿透孔，它接近并與用于形成一金屬接線墊層的一區域相隔開；填充所述至少一個第一穿透孔，并且同時或依序形成所述金屬接線墊層及至少一個帶組件于所述中間介電層之上，其中，所述至少一個帶組件位于至少一個對應所述填充的第一穿透孔之上并與其接觸，使所述至少一個帶組件與所述底層連接。
采用本發明的上述技術方案可以有效地防止形成于鄰接接線墊的介電層中，特別是沿著接線墊及介電層之間的界面的裂縫傳播，以有效避免裂縫的傳播所造成的接線墊剝落；而且不僅提出了一種通過提供邊緣強化結構以減緩剝落問題，而不需要使用現有技術中的固定技術，而且還可根據制造者需求與現有技術一起結合使用，使生產率達到最大化。
為更清楚理解本發明的目的、特點和優點，下面將結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細的說明。
圖1是一示意側面圖，它顯示一種傳統接線墊以及金屬接線墊如何相對于芯片表面上多層半導體裝置的其它層定位；圖2為一種現有接線墊的示意側面圖，圖中示出它被設計成通過與所述金屬層直接接觸的通道形式形成接線墊來減緩剝落問題，進而改善所述接線墊的穩定性；圖3為另一種現有的改進接線墊的示意側面圖，圖中示出其中數個固定物形成在連接所述金屬墊及所述底層的所述第二介電層內部；圖4為顯示根據本發明的第一較佳實施例的接線墊的示意側視圖；圖5是一示意側視圖，圖中顯示根據本發明的第二較佳實施例的接線墊，其中所述接線墊包含與底層接觸的一通道；圖6為顯示圖4所示的防護帶區域配置的示意平面圖，其中所述防護帶包括沿著所述接線墊邊緣及部份沿著兩個相鄰邊緣的延長帶，所述防護帶提供連續且類似U型的填充孔而連接于第一層；圖7為顯示根據圖5所示的構造的防護帶區域配置的示意平面圖，其中所述防護帶及所述接線墊的相對邊緣上具有相配合的齒狀周圍而且所述防護帶通過數個填充孔而連接于第一層；圖8為顯示防護帶區域配置的示意平面圖，其中所述防護帶及所述接線墊的相對邊緣上具有相配合的迷宮狀結合周圍，且所述防護帶通過數個填充孔而連接于第一層；圖9為顯示除了所述防護帶通過數個孔填充物而連接于第一層外而類似于圖4所示的接線墊的側視圖；圖10為顯示除了所述接線墊通過一固定結構而連接于第一層外而類似于圖9所示的接線墊的側視圖；圖11為顯示除了連接到所述防護帶的部份第一層與位于所述接線墊區域之下的主要第一層相隔絕外而類似于圖10所示的接線墊的側視圖；圖12為顯示除了連接到所述防護帶的部份第一層與位于所述接線墊區域之下的主要第一層相隔絕外而類似于圖5所示的接線墊的側視圖；以及圖13為顯示圖12所示的防護帶區域具體構造的使用實例的示意平面圖。
本發明揭示了一種使用于集成電路裝置封裝操作期間接線用的具有邊緣強化結構的改進接線墊。所述邊緣強化結構包括一防護帶，它完全或部分沿著所述接線墊的一個或多個邊緣形成且與接線墊相分隔。所述防護帶具有一延長的″帶″結構并且通過一個或多個填充孔而連接于第一層。為了簡化的目的，第一層可視為是底下的金屬層。
所述防護帶的主要功能之一是有效地防止形成于鄰接接線墊的介電層中的裂縫傳播，特別是沿著接線墊及介電層的間的界面的裂縫的傳播。本案的發明人也發現到裂縫的傳播是造成接線墊剝落的主要因素之一。本發明不僅提出了一種通過提供邊緣強化結構以減緩剝落問題的替代接線墊強化構造而不需要使用現有技術所提議的固定技術，而且若制造者有需求時，本發明所揭示的技術還可以與現有技術一起結合使用，使生產率達到最大化。
現在請參閱附圖。圖1顯示了一種未改進的傳統接線墊以及金屬接線墊如何相對于芯片表面上多層或層迭的半導體裝置中的其它層定位。一般來說，一底層4沉積在第一介電層2(或″底部介電″層)的上。之后，第二介電層3(或″中間介電″層)形成在所述底層4之上。所述底層4可以被看成是第一層，可由金屬或非金屬材料所組成，也可以是半導體或介電材料。
最后，一第三介電層5(或″頂部介電″層)沉積在所述第二介電層3，并使用照相制板蝕刻技術于其上留下一接線墊窗，而一金屬接線墊層6(或″第二層″)沉積于其中。另外，一具有化學抗性的密封材料(如聚酰亞胺)可以沉積在所述第三介電層層5之上以形成一保護層7，它可抵抗水氣和污染物等。然后以照相制板技術蝕刻所述保護層7而暴露出接線墊開口8。如此完成最基本的接線墊形成過程，且所述接線墊可以預備連接至一接線。一個或多個導電填充孔(未圖示)形成在所述第二介電層的內部，而在所述金屬接線墊及所述底層之間提供一電連接。此部份的接線墊的形成是現有技術，因此在圖式中予以省略。
圖2是一種現有接線墊的側視圖，接線墊被設計成通過減緩接線墊剝落問題來改善接線墊的穩定性。如圖2所示，一接觸區，即一通道12形成在所述第二介電層之中，它由第二種金屬材料所填充，作為第二層的一部份，進而形成與下面第一層接觸的接線墊開放區域。第一層或第二層皆可以是金屬或是半導體(例如復晶硅)材料。它可以是M2-通道-M1結構或是M2-接觸區-復晶硅結構。M1表示第一種金屬，而M2表示第二種金屬，兩者可以相同或不同。
圖2還顯示一突出部分11，它自所述接線墊開放區域延伸而出并沉積在所述第二介電層之上。如上面所述，第一層可以是金屬層或復晶硅層。一般來說，所述底層(第一層)與第二層間具有良好的粘著特性，而由通道的形成所提供的較大接觸表面則提供了實質上強化的附著力。然而，在接線過程中所遭遇的高溫及或震動應力作用下，裂縫9形成在位于所述突出部份11之下的部分的第二介電層中。一旦形成裂縫，它便可以沿著金屬接線墊及第二介電層之間的界面傳播，因而發生接線墊的剝落。
圖3為顯示另一種現有的改進接線墊的剖面圖，其中數個固定物13形成在連接所述金屬接線墊6及所述底層4的第二介電層3內部。所述數個固定物13增加了與底層4的水平接觸表面，以及與第二介電層3的垂直接觸表面，此兩者皆可強化粘著力并增加金屬接線墊的穩定性。
隨著本發明的邊緣強化，可提供一固定結構于所述接線墊之下來提供一強化的附著力。較佳的是利用具有數個互聯機段的單一固定結構。
阻止裂縫傳播的最有效方法的一是在接線墊及防護帶的相對邊緣上形成連鎖結構。所述連鎖結構可以是簡單的齒狀結構或迷宮狀結合結構，以獲得最大的有效性。本發明的好處之一是不同的連鎖結構僅需使用一種不同的光罩而不需要額外的工作。因此，本發明的改進接線墊的制作將不會造成實質上生產成本的增加。
本發明的接線架構可以多種變化的構造來制作。為說明此變化彈性，本發明將通過參閱下列的應用實例來而更清楚地予以說明。要注意的是下述的實例是為了說明及描述，而并不是用于限制本發明。
實例1圖4為根據本發明第一較佳實施例的接線墊的示意側視圖，所述接線墊層6(或″第二層″)位于所述底層4之上(或是第一層)，兩者為第二介電層3所分隔。所述底層4沉積在第一介電層2的上，而所述第一介電層2沉積在一基材1之上。圖4還顯示所述防護帶10是沿著位于第一層之上的所述接線墊層6的側邊而形成。最后，沉積一保護層在整個芯片表面，通過一照相制板工序而形成一接線墊開放窗口8。所述防護帶10的存在可避免第二介電層3中的裂縫成長，所以免除了接線墊6自第二介電層5剝落。
本發明的防護帶10包括形成在第二層之中的一帶組件21。所述帶組件21通過一開放區域23而與所述接線墊6分隔。提供一孔填充物(或是接觸區)22來連接所述帶組件21及第一層。所述防護帶可完全或部份在所述保護層的下方。應注意的是第一層可以是金屬層或非金屬層，或者可以是半導體層(例如復晶硅)或與用于接線框架結構的金屬材料有良好附著性的介電層。換言之，第二層及第一層的構成材料可以分別是M2(第二種金屬)以及M1(第一種金屬)。或者，它們也可以分別是M2以及復晶硅。M1及M2也可以彼此相同或不同。
實例2圖5為根據本發明第二較佳實施例的接線墊的示意側視圖，其中所述接線墊6包含與底層4接觸的一通道12。
實例3圖6為圖4所示的防護帶區域配置實例的示意平面圖。所述防護帶包括沿著所述接線墊6的一邊緣及部份沿著其兩相鄰邊緣形成的延長帶組件21。所述帶組件通過一連續而有轉角且類似U型的填充孔22而連接于第一層。圖6還顯示一接線31接在接線墊開放窗口8之上。
實例4圖7為根據圖5所示的防護帶區域配置實例的示意平面圖。圖5顯示了帶組件21及接線墊6的相對邊緣分別具有相匹配的齒狀周圍23’及24’，并且所述帶組件21通過數個填充孔而連接到第一層。
實例5圖8為本發明的另一較佳的防護帶區域配置實例的示意平面圖，其中所述帶組件21’及所述接線墊6’的相對邊緣分別具有迷宮狀結合周圍23″及24″，而且所述帶組件21’通過數個填充孔22’而連接到第一層4。
實例6圖9為類似于圖4所示的接線墊的側視圖，除了所述帶組件21是通過數個孔填充物22而連接到第一層4外。
實例7圖10為類似于圖9所示的接線墊的示意側視圖，除了接線墊6(特別是在接線墊開放窗口8之下)也是通過一固定結構25而連接到第一層4外。
實例8圖11為類似圖10所示的接線墊的示意側視圖，除了連接到所述防護帶的第一層(也就是4b)與位于所述接線墊開放窗口8下方的主要第一層(也就是4a)相隔離外。
實例九圖12為類似于圖5所示的接線墊的示意側視圖，除了連接到所述防護帶10的部份第一層4(也就是4b)與位于所述接線墊開放窗口8下方的主要第一層(也就是4a)相隔離(也即如圖所示，通過一開放區域9’而將4a和4b相隔開)外。
實例10圖13為圖12所示的防護帶區域構造實例的示意平面圖。
前述的較佳實施例是用來舉例及說明。而通過上述說明的提示做顯而易見的修改或是變化皆是可能的，所述選用并說明的具體實施例是為本發明的原理提供最好的舉證及說明，它的實際應用可使熟悉本技術的人員可以利用本發明來得到各式各樣的修改，而不同形式的修正可適合于特定的使用場合。然而，所述的各式各樣的修改皆不脫離本發明申請的專利保護范圍。
權利要求
1.一種用于集成電路的接線墊，其特征在于，它包括一層迭結構，它包含一金屬接線墊層、一中間介電層及形成于一芯片表面的一底層，所述中間介電層形成于所述底層之上，所述金屬接線墊層至少部份形成于所述中間介電層之上；以及一防護帶結構，它緊鄰于所述金屬接線墊層形成，并與所述金屬接線墊層至少一部份相隔開；其中，所述防護帶結構包括至少一個形成在所述中間介電層之上的帶組件以及連接所述帶組件至所述底層的一孔填充物。
2.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為金屬層、復晶硅層或與所述孔填充物有良好附著力的介電層。
3.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述底層為一復晶硅層。
4.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，它還包括一固定結構，它形成于連接于所述金屬接線墊層及所述底層之間的所述中間介電層內部。
5.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一通道結構，它形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層之中。
6.如權利要求1所述的接線墊，其特征在于，所述帶組件包括至少一個沿著所述金屬接線墊的一個或多個邊緣形成的延長組件。
7.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述帶組件與所述金屬接線墊的相對邊緣分別具有相匹配的齒形或迷宮狀結合結構。
8.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述帶組件與所述金屬接線墊的相對邊緣具有一連鎖結合結構。
9.如權利要求6所述的接線墊，其包含數個孔填充物，用來連接所述帶組件與所述底層。
10.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述底層包含與所述孔填充物接觸的第一部份，以及不與所述孔填充物接觸的第二部份。
11.如權利要求6所述的接線墊，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一通道結構，它形成于與所述底層直接接觸的所述中間介電層之中，所述接線墊還包括位于所述通道結構的頂部及形成在所述中間介電層之上的上介電層的鄰接區域的一上金屬層。
12.如權利要求11所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物為一鎢插塞。
13.如權利要求11所述的接線墊，其特征在于，所述孔填充物是用與所述帶組件相同的材料制成且與所述帶組件同時形成。
14.一種制造用于集成電路的接線墊的方法，其特征在于，它包括以下步驟形成一底層于一芯片之上；形成一中間介電層于所述底層的頂部，其中，所述中間介電層包括至少一個第一穿透孔，它接近并與用于形成一金屬接線墊層的一區域相隔開；填充所述至少一個第一穿透孔，并且同時或依序形成所述金屬接線墊層及至少一個帶組件于所述中間介電層之上，其中，所述至少一個帶組件位于至少一個對應所述填充的第一穿透孔之上并與其接觸，使所述至少一個帶組件與所述底層連接。
15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述底層為金屬層、復晶硅層或與用來填充所述第一穿透孔的材料有良好附著性的介電層。
16.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述底層為復晶硅層。
17.如權利要求14所述的方法，其特征在于，它還包括形成一固定結構于所述中間介電層內的步驟，所述固定結構連接所述金屬接線墊層及所述底層。
18.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述金屬接線墊層包括一于所述中間介電層之中的通道結構，所述通道位于所述金屬接線墊之下并連接所述金屬接線墊層與所述底層。
19.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述帶組件包括至少一個沿著所述金屬接線墊的一個或多個邊緣形成的延長組件。
20.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述帶組件與所述金屬接線墊的相對邊緣分別具有相匹配的齒形或迷宮狀結合結構。
21.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述帶組件及所述金屬接線墊的相對邊緣包含一連鎖結合結構。
22.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述接線墊包含連接所述帶組件及所述底層的數個孔填充物。
23.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述底層包含與所述孔填充物接觸的第一部份以及不與所述孔填充物接觸的第二部份。
24.如權利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一穿透孔是由一鎢插塞所填充。
全文摘要
一種用于集成電路的接線墊,它包括一層迭結構,含有一金屬接線墊層、一中間介電層及形成于一芯片表面上的一底層;及一防護帶結構,它通過孔填充物連接于底層并與金屬接線墊層相分隔。底層為金屬層、半導體層(例如復晶硅層)或與孔填充物材料良好附著的任何材料層。防護帶結構使中間介電層定位。防護帶結構在中間介電層中形成局部不連續以截斷形成于環繞金屬接線墊邊緣的中間介電層中的裂縫。本發明有效解決接線墊剝落問題。
文檔編號H01L21/02GK1381888SQ0111663
公開日2002年11月27日 申請日期2001年4月17日 優先權日2001年4月17日
發明者林錫聰, 陳慶宗 申請人:華邦電子股份有限公司