專利名稱：芯片封裝焊接用錫球的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體芯片封裝焊接用錫球的生產方法。
目前，社會上大都采用噴霧式生產制造錫球的方法，即將事先確定的錫原料置于熔器中熔化成錫液再經噴射裝置噴射成粒狀后再將其粒狀錫料加工成錫球而成。這種方法雖可制成所需錫球，但由于該方法本身所至，存在有制作方法復雜、原料消耗大、產成品率低的不可克服的缺陷。
本發明的任務在于提供一種產成品率高，產品質量好，原料消耗少、制造方法簡單的非噴霧式錫球制造方法。
本發明的任務是以如下技術方案實現的本發明芯片封裝焊接用錫球的制造方法，主要按以下步驟依次完成裁切、球體成形、球體定形、清洗和防氧化處理、烘干、篩選、防氧化包裝，其特征在于1)裁切將帶狀或絲狀錫料裁切成與成品錫球重量相同的長度；2)球體成形將裁切好的焊料均勻分散后送入充滿有溫度為250℃-270℃的植物甘油的容器中，使其在植物甘油中受熱至臨界液滴狀態下成形為球形體錫料；3)球體定形將液滴狀態下的球形體錫料送入充滿有溫度為160℃-180℃的植物甘油的容器中，使其在植物甘油中以其物理慣性自由下落，在該下落過程中不規則的球形體錫料表面張力不斷得均衡而形成真圓球體狀錫球，將成形后的錫球送入充滿有溫度為20℃-30℃的植物甘油的容器中，冷卻至室溫狀態，使其定形為真圓錫球；4)清洗和防氧處理將定形后的錫球送入加有0.5-1％防氧化劑的工業乙醇清洗劑的呈45度角的清洗罐中，在每分鐘30-50轉、每間隔5分鐘返向運轉一次的條件下清洗30分鐘；5)烘干將清洗防氧化處理后的錫球送入烘干設備中在90℃-150℃條件下烘干5-10分鐘；
6)篩選將烘干后的錫球送入篩選機中將符合質量要求的錫球篩選出來，7)防氧化包裝將篩選后合格的錫球置入抽真空并充有1-3kg/米2氮氣的包裝瓶內封裝。
本發明由于采用了上述技術方案，具有以下明顯特點一是本發明上述方法中所述裁切、球體成形、球體定形步驟可通過專門設計的設備連續完成，所以與現有技術相比具有制造方法簡單的特點，二是由于采用了根據實際需要的錫球的重量裁切并加溫成形的技術方案，所以具有原料消耗少、產成品率高的特點，三是由于采用了在加溫后的植物甘油中以其物理慣性下落的方式實現成形和定形的技術方案，所以具有產成品質量好的特點。綜上所述可有效的實現本發明的任務。
以下將根據實施例對本發明作進一步描述。
實施例11)裁切將卷狀錫絲裁切成與成品錫球重量相同長度的錫料；2)成形將錫料從容器上口送入充滿有溫度為260℃的植物甘油的容器中，該容器內腔深度為900-1200mm，(其深度根據實際錫料的重量確定)，錫料自上而下在其植物甘油中以其慣性運動，錫料運動過程中受熱至臨界液滴狀態并逐步形成球形體錫料，3)球體定形將成形的球形體錫料，從容器上口送入充滿有溫度為170℃的植物甘油容器中，該容器內腔深度為900-1200mm(其深度根據實際錫料的重量確定)，球形體錫料在其植物甘油中以其物理慣性自由下落，在下落過程中逐步形成真圓球體狀錫球，將成形后的錫球送入充滿有溫度為25℃的植物甘油的容器中，冷卻至室溫狀態，使其定形為真圓錫球，4)本實施例一中的清洗和防氧化處理、烘干、篩選、包裝步驟與本發明技術方案中所述的方法相同，本發明還可列出更多的實施例，所有實施例的方法均和本發明所述的技術方案相同，所不同的一是裁切長度應根據所制造的錫球的重量確定，二是成形步驟中植物甘油的溫度和深度應滿足錫料受熱處于臨界液滴狀態并形成球形狀；三是定形步驟中植物甘油的溫度和深度應滿足成形后的錫球在植物甘油中自由下落時能形成真圓球狀體錫球。
權利要求
1.一種芯片封裝焊接用錫球的制造方法，其特征在于它按以下步驟依次完成裁切、球體成形、球體定形、清洗和防氧化處理、烘干、篩選、防氧化包裝。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的裁切步驟是將帶狀或絲狀錫料裁切成與成品錫球重量相同的長度。
3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的球體成形步驟是將裁切好的焊料均勻分散后送入充滿有溫度為250℃-270℃的植物甘油的容器中，使其在植物甘油中受熱至臨界液滴狀態下成形為球形體錫料；
4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的球體定形步驟是將液滴狀態下的球形體錫料送入充滿有溫度為160℃-180℃的植物甘油的容器中，使其在植物甘油中以其物理慣性自由下落，在該下落過程中不規則的球形體錫料表面張力不斷得均衡而形成真圓球體狀錫球，將成形后的錫球送入充滿有溫度為20℃-30℃的植物甘油的容器中，冷卻至室溫狀態，使其定形為真圓錫球；
5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的清洗和防氧化處理步驟是將定形后的錫球送入加有0.5-1％防氧化劑的工業乙醇清洗劑的呈45度角的清洗罐中，在每分鐘30-50轉、每間隔5分鐘返向運轉一次的條件下清洗30分鐘；
6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的烘干步驟是將清洗防氧化處理后的錫球送入烘干設備中在90℃-150℃條件下烘干5-10分鐘；
7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的篩選步驟是將烘干后的錫球送入篩選機中將符合質量要求的錫球篩選出來，對于不符合質量要求的錫球可按上述方法重新加工而成；
8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的防氧化包裝步驟是將篩選后合格的錫球置入抽真空并充有1-3kg/米2氮氣的包裝瓶內封裝。
全文摘要
本發明公開了一種芯片封裝焊接用錫球的制造方法,其特征是它按以下步驟依次完成:裁切、球體成型、球體定形、清洗和防氧化處理、烘干、篩選、防氧化包裝。它具有產成品率高、原料消耗少、產品質量好、制造方法簡單的特點。
文檔編號H01L21/50GK1320959SQ0111494
公開日2001年11月7日 申請日期2001年5月11日 優先權日2001年5月11日
發明者黃清池 申請人:黃清池