垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置的制造方法

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垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置。本發明的垂直磁記錄介質是在非磁性基板上依次至少層疊背襯層、基底層、中間層、垂直磁記錄層而成的，其中，所述背襯層至少具備具有非晶質結構的軟磁性膜，所述基底層是從所述非磁性基板側起層疊第1基底層和第2基底層而成的，所述第1基底層由非晶質結構的TiV合金構成，所述第2基底層包含NiW合金，所述中間層包含Ru或Ru合金，具有所述非晶質結構的軟磁性膜、第1基底層、第2基底層相接地設置。
【專利說明】
垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置
技術領域
[0001 ]本發明涉及在硬盤裝置(HDD)等中使用的垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置。
[0002] 本發明根據2015年4月13日在日本申請的日本特愿2015-081658號主張優先權，并將其內容引用于此。
【背景技術】
[0003] 垂直磁記錄方式是如下的方式:通過使以往朝向介質的面內方向的磁記錄層的易磁化軸朝向介質的垂直方向，使得作為記錄比特間的邊界的磁化轉移區域附近的反磁場減小，所以，記錄密度越高，越是靜磁穩定且熱波動耐性提高，因此，適合于面記錄密度的提尚。
[0004] 垂直磁記錄介質是在非磁性基板上依次層疊背襯層、基底層、中間層和垂直磁記錄層而成的。在非磁性基板與垂直磁記錄層之間設置了由軟磁性材料構成的背襯層的情況下，作為所謂的垂直雙層介質發揮功能，能夠得到較高的記錄能力。此時，軟磁性背襯層發揮使來自磁頭的記錄磁場回流的作用，由此，能夠提高記錄再現效率。
[0005] 并且，基底層是決定設置在其上方的中間層和垂直磁記錄層的粒徑和取向的支配性要素，所以，為了決定磁記錄介質的記錄再現特性，其材料的選擇非常重要。因此，提出了基底層所使用的各種材料。例如，可以舉出Ti合金(例如參照專利文獻l)、NiFeCr合金(例如參照專利文獻2)等hep結構或fee結構、以及Ta等非晶質結構等。并且，在專利文獻4中記載了使用將附、〇1、？1?(1中的任意一種作為主成分且包含1^、￥、了 &、0、1〇、1中的任意一種以上的添加元素的合金作為基底層。
[0006] 提出了使用Ru作為中間層(參照專利文獻5)。并且，已知Ru在柱狀晶的頂部形成圓頂狀的凸部，所以，具有如下效果:使記錄層等晶粒子在該凸部上成長，促進所成長的晶粒子的分離結構，使晶粒子孤立化，使磁性粒子成長為柱狀(參照專利文獻6)。
[0007] 并且，在專利文獻7中公開了使用包含fee結構的元素和bee結構的元素的fee結構的合金層與NiW合金層的層疊結構作為基底層。
[0008] 并且，在專利文獻8中公開了對于面內取向的磁記錄介質的基底層使用TiV。
[0009] 現有技術文獻
[0010] 專利文獻
[0011] 專利文獻1:日本特許第2669529號公報 [0012] 專利文獻2:日本特開2003-123239號公報 [0013] 專利文獻3:日本特開2007-179598號公報 [0014] 專利文獻4:日本特開2010-92525號公報 [0015] 專利文獻5:日本特開平7-244831號公報
[0016] 專利文獻6:日本特開2007-272990號公報
[0017] 專利文獻7:日本特開2012-069230號公報 [0018] 專利文獻8:日本特開2004-227717號公報

【發明內容】

[0019] 針對磁記錄介質的高記錄密度化的要求不會停止，要求能夠進一步實現高記錄密度化的磁記錄介質。
[0020] 針對該課題，以往，嘗試提供如下的垂直磁記錄介質和具有該垂直磁記錄介質的磁記錄再現裝置:通過實現使用了 NiW合金的基底層的晶粒的微細化，實現形成在其上方的中間層、磁記錄層的晶粒的微細化、取向性的提高，電磁轉換特性優良，能夠應對高記錄密度化。作為實現這種技術的方法，多數情況下，主要在非晶質結構的背襯層與NiW基底層之間設置fee結構的微晶層，以實現NiW層的微晶化。但是，該嘗試存在極限，存在使NiW層過度微晶化時，形成在其上方的中間層的取向性降低這樣的問題。
[0021] 本發明是鑒于這種現有情況而提出的，其目的在于，提供如下的垂直磁記錄介質和具有該垂直磁記錄介質的磁記錄再現裝置:提供能夠同時實現使用了 NiW合金的基底層的晶粒的微細化和較高晶體取向性的基底層，實現形成在其上方的中間層、磁記錄層的晶粒的微細化、取向性的提高，電磁轉換特性優良，能夠應對高記錄密度化。
[0022]為了解決上述課題，本發明采用以下手段。
[0023] (1)-種垂直磁記錄介質，其是在非磁性基板上依次至少層疊背襯層、基底層、中間層和垂直磁記錄層而成的，其特征在于，所述背襯層至少具備具有非晶質結構的軟磁性膜，所述基底層是從所述非磁性基板側起層疊第1基底層和第2基底層而成的，所述第1基底層由非晶質結構的TiV合金構成，所述第2基底層包含NiW合金，所述中間層包含Ru或Ru合金，具有所述非晶質結構的軟磁性膜、第1基底層、第2基底層相接地設置。
[0024] (2)根據（1)所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，所述TiV合金中包含的V的量在 1〇原子％ (原子百分比）~80原子％的范圍內。
[0025] (3)根據（1)或(2)中的任意一項所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，所述第1基底層的膜厚在〇.2nm~5nm的范圍內。
[0026] (4)-種磁記錄再現裝置，其特征在于，所述磁記錄再現裝置具有：（1)~（3)中的任意一項所述的垂直磁記錄介質；以及向所述垂直磁記錄介質寫入信息的單磁極磁頭。
[0027] 根據本發明，能夠提供如下的垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置:通過使基底層成為由非晶質結構的TiV合金構成的第1基底層以及由NiW合金層構成的第2基底層的雙層結構，實現形成在基底層上方的中間層、垂直磁記錄層的晶粒的微細化、粒度分布的均勻化、取向性的提高，電磁轉換特性優良，能夠應對高記錄密度化。
【附圖說明】
[0028] 圖1是示出應用了本發明的垂直磁記錄介質的一例的剖視圖。
[0029] 圖2是示出應用了本發明的磁記錄再現裝置的一例的立體圖。
[0030] 標號說明
[0031 ] 1:非磁性基板;11:緊密貼合層;2:背襯層;3:第1基底層;4:第2基底層;5:中間層； 6:垂直磁記錄層；7 :保護層;8:第1軟磁性膜;9: Ru膜；10:第2軟磁性膜;50:垂直磁記錄介質；51:介質驅動部;52:磁頭;53:磁頭驅動部;54:記錄再現信號處理系統。
【具體實施方式】
[0032] 下面，參照附圖對應用了本發明的垂直磁記錄介質和磁記錄再現裝置進行詳細說明。
[0033] 另外，在以下說明所使用的附圖中，為了容易理解特征，有時放大示出成為特征的部分以便于說明，各結構要素的尺寸比率等不一定與實際相同。并且，以下說明中例示的材料、尺寸等僅為一例，本發明不限于此，可以在能夠發揮本發明的效果的范圍內適當變更來實施。
[0034](垂直磁記錄介質）
[0035] 例如圖1所示，應用了本發明的本實施方式的垂直磁記錄介質成為如下結構，在非磁性基板1的兩面依次層疊緊密貼合層11、背襯層2、第1基底層3(基底層）、第2基底層4(基底層）、中間層5、垂直磁記錄層6、保護層7,并且，在最上層形成潤滑膜（圖1中省略）。另外，在圖1中僅圖示了非磁性基板1的一個面。
[0036] 其中，作為非磁性基板1，例如可以使用由鋁、鋁合金等金屬材料構成的金屬基板，也可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳等非金屬材料構成的非金屬基板。
[0037] 并且，作為構成非磁性基板1的玻璃基板，例如可以使用非晶質玻璃、晶體玻璃，進而，作為非晶質玻璃，可以使用通用的鈉鈣玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等。另一方面，作為晶體玻璃，可以使用鋰系晶體玻璃等。
[0038]非磁性基板1的平均表面粗糙度Ra為0.8nm以下，優選為0.5nm以下，這從提高記錄密度這點來看是優選的。并且，非磁性基板1的表面的微小起伏(Wa)為0.3nm以下，優選為 0.25nm以下，這從減小磁頭的懸浮高度而進行高記錄密度記錄這點來看是優選的。這樣，通過使非磁性基板1的表面變得平坦，能夠提高中間層5和垂直磁記錄層6的晶體取向，能夠提高記錄再現特性，并且，能夠減小磁頭懸浮高度。
[0039] 并且，如后所述，非磁性基板1與將Co或Fe作為主成分的背襯層2相接，由此，由于表面的吸附氣體、水分的影響、基板成分的擴散等，可能產生腐蝕。因此，優選在非磁性基板 1與背襯層2之間設置緊密貼合層11。另外，作為緊密貼合層11的材料，例如可以適當選擇 0、0合金、11、11合金等。并且，緊密貼合層11的厚度優選為2111]1以上，且優選為3〇111]1以下。
[0040] 背襯層2具有依次層疊第1軟磁性膜8、Ru膜9、第2軟磁性膜10的結構。即，該背襯層 2具有通過在雙層的軟磁性膜8、10之間夾入Ru膜9而使位于Ru膜9的上下的軟磁性膜8、10反鐵磁耦合(AFC)的結構。由此，能夠提高針對來自外部的磁場的耐性、以及針對作為垂直磁記錄特有的問題的WATE(Wide Area Tack Erasure:大面積接縫擦除)現象的耐性。
[0041] 第1和第2軟磁性膜8、10例如由CoFe合金構成。通過對這些軟磁性膜8、10使用CoFe 合金，能夠實現高飽和磁通密度Bs(1.4(T)以上），并且，通過使用后述的第1基底層3、第2基底層4,能夠得到更加優良的記錄再現特性。另外，在形成第1和第2軟磁性膜8、10時，優選在非磁性基板1的半徑方向上施加了磁場的狀態下，通過濺射法形成CoFe合金膜。
[0042] 并且，優選在CoFe合金中添加 Zr、Ta、Nb中的任意一種。由此，能夠促進CoFe合金的非晶質化，能夠提高NiW合金的取向性。并且，針對CoFe合金添加的Zr、Ta、Nb的添加量優選在3~15原子％的范圍內，更加優選在5~10原子％的范圍內。
[0043] CoFe合金中的Fe的含有量優選在5~60原子％的范圍內。當Fe的含有量小于5原子％時，背襯層2的飽和磁通密度Bs降低，屬于不優選的情況。另一方面，當Fe的含有量超過 60原子％時，背襯層2的腐蝕性變差，所以不優選。
[0044]背襯層2的膜厚優選在15~80nm的范圍內，更加優選在20~50nm的范圍內。當背襯層2的膜厚小于15nm時，無法充分吸收來自磁頭的磁通，寫入不充分，記錄再現特性變差，所以不優選。另一方面，當背襯層2的膜厚超過SOnm時，生產性顯著降低，所以不優選。
[0045] 并且，在背襯層2中，通過使第1和第2軟磁性膜8、10成為非晶質結構，能夠防止表面粗糙度Ra變大。由此，能夠降低磁頭的懸浮量，能夠進一步提高記錄密度。
[0046] 這里，當定義"Hbias"作為表示構成背襯層2的第1和第2軟磁性膜8、10中的AFC耦合的大小的指標時，背襯層2的該Hbias的值優選為80 (Oe)以上，且優選為300 (Oe)以下。由此，能夠提高外磁場耐性和WATE耐性。設飽和磁通密度為Ms，"Hbias"被定義為飽和磁通密度Ms的半值的磁場Ms/2,通過對第1和第2軟磁性膜8、10使用上述材料，并使設置在這些軟磁性膜8、10之間的Ru膜9的膜厚成為規定膜厚（例如0.6~0.8nm)，能夠滿足上述Hbias的值。
[0047] 并且，第1和第2軟磁性膜8、10為IO(Oe)以下，優選為5(0e)以下。另外，I(Oe)大約為79A/m。
[0048] 第1基底層3、第2基底層4用于對設置在其上方的中間層5和垂直磁記錄層6的取向、晶體尺寸進行控制，是為了增大從磁頭產生的磁通的垂直于基板面的方向上的成分，并且將記錄有信息的垂直磁記錄層6的磁化的方向更加牢固地固定在與非磁性基板1垂直的方向上而設置的。即，這是因為，由于第2軟磁性膜10為非晶質結構，所以，即使在其上方直接設置中間層或磁記錄層，也很難使磁記錄層垂直取向。
[0049] 通過對基底層使用NiW合金，能夠使c軸取向性較高的hep結構的磁性粒子在該基底層的上方成長而形成垂直磁記錄層(參照專利文獻3。）。本發明人對由該NiW合金構成的基底層進行改良，對實現垂直磁記錄層的晶粒的進一步微細化、晶粒的粒度分布的均質化、晶粒的取向性的提高進行研討的結果發現，通過使基底層成為從基板側起依次為非晶質結構的TiV合金層和NiW合金層的雙層結構，能夠實現上述內容。
[0050] 以往，嘗試在非晶質結構的背襯層與NiW基底層之間設置fee結構等的微晶層來實現NiW層的微晶體化。但是，該嘗試存在極限，存在使NiW層過度微晶體化時、形成在其上方的中間層的取向性降低這樣的問題。根據本發明人的研究，這是因為當使微晶層變得過度細微時，微晶層的晶體性會變差，還會使NiW層的晶體性降低。
[0051] 因此，本發明人研究了設置非晶質結構的層作為NiW基底層的下層。而且，該非晶質結構的層是核形成為島狀的層，想到該核分別使NiW的晶體逐個(one by one)地進行晶體成長，完成了本發明的層疊結構。
[0052]在本發明中，使用由TiV合金構成的層作為第1基底層，TiV合金中包含的V的量優選在10原子％以上、80原子％以下的范圍內。即，在使用由TiV合金構成的層作為第1基底層的情況下，通過使V的量在10原子％~80原子％的范圍內，能夠同時實現使用了NiW合金的基底層的晶粒的微細化和較高晶體取向性。
[0053] TiV合金中包含的V的量的下限優選為10原子％以上，更加優選為30原子％以上。并且，TiV合金中包含的V的量的上限優選為80原子％以下，更加優選為70原子％以下。 [0054]為了使作為本發明的第1基底層的TiV合金層成為非晶質結構，可以采用已知的方法。例如，在成膜時使用濺射法的情況下，可以采用降低成膜時的基板溫度、降低濺射粒子的能量、降低對靶材投入的功率并降低等離子體密度、以及在成膜后進行反濺射而擾亂膜的晶體結構等方法。
[0055] 這樣，通過改善由NiW合金構成的第2基底層4的晶體組織，能夠實現如下的垂直磁記錄介質:進一步實現層疊在該第2基底層4的上方的中間層5和垂直磁記錄層6的晶粒的微細化、粒度分布的均質化、取向性的提高，電磁轉換特性優良，能夠應對高記錄密度化。
[0056] 第1基底層3的膜厚優選在0.2nm~5nm的范圍內。當第1基底層3的膜厚小于0.2nm 時，本發明的效果不充分，使第2基底層的NiW合金層的晶體粒徑變得細微和均勻的效果降低。另一方面，當第1基底層3的膜厚超過5nm時，第2基底層4的晶體尺寸增大，所以不優選。 [0057]在本發明中，第2基底層4由NiW合金構成。該NiW合金中的W的含有量優選在3原子％~10原子％的范圍內。
[0058] 當NiW合金中的W的含有量小于3原子％或超過10原子％時，對垂直磁記錄介質的取向和晶體尺寸進行控制的效果降低，所以不優選。
[0059] 另外，以減小晶體尺寸以及提高與中間層5間的晶格尺寸的匹配性為目的，可以在 NiW合金中添加其他元素。例如，以減小晶體尺寸為目的，可以添加 B、Mn等，該情況下，B、Mn 的含有量優選為6原子％以下，且優選為1原子％以上。并且，以提高與中間層5間的晶格尺寸的匹配性為目的，可以添加 Ru、Pt、Mo、Ta等。該情況下，Ru、Pt、Mo、Ta的含有量優選為40原子％以下和1原子％以上。
[0060] 第2基底層4的膜厚優選在2~20nm的范圍內。當第2基底層4的膜厚小于2nm時，效果不充分，無法得到使晶體粒徑變得細微的效果，并且，取向性也會變差，所以不優選。另一方面，當第2基底層4的膜厚超過20nm時，晶體尺寸增大，所以不優選。
[0061] 中間層5是用于使垂直磁記錄層成為c軸取向的柱狀晶的層，其成長面具有圓頂狀的形狀。這種中間層5可以由Ru或Ru合金形成。作為Ru合金，例如可以例示RuCo、RuAl、RuMn、 RuMo、RuFe合金。Ru合金中的Ru量可以為50原子％以上且90原子％以下。
[0062] 并且，中間層5的膜厚為30nm以下，優選為16nm以下，且優選為5nm以上。通過使中間層5變薄，磁頭與背襯層2之間的距離減小，能夠使來自磁頭的磁通變得陡峻。其結果，能夠使背襯層2的膜厚變得更薄，能夠提高生產性。
[0063] 垂直磁記錄層6由易磁化軸朝向垂直于基板面的方向的磁性膜構成。該垂直磁記錄層6至少包含Co和Pt，進而，以改善SNR特性等為目的，也可以添加氧化物、Cr、B、Cu、Ta、Zr 等。并且，作為氧化物，可以舉出5丨〇2、3丨0、02〇3、(：〇0、了32〇 3、1102等。
[0064]垂直磁記錄層6中的氧化物的體積率優選為15~40體積％，更加優選為25~35體積％。當該氧化物的體積率小于15體積％時，SNR特性不充分，所以不優選。另一方面，當該氧化物的體積率超過40體積％時，無法得到適度對應于高記錄密度的保磁力，所以不優選。 [00 65]垂直磁記錄層6的膜厚優選在6nm~20nm的范圍內。例如，當氧化物顆粒層的膜厚在該范圍內時，能夠確保充分的輸出，不會使OW特性變差，所以是優選的。
[0066] 另外，垂直磁記錄層6可以是單層結構，也可以是由組成不同的材料構成的雙層以上的結構。
[0067] 保護層7用于防止垂直磁記錄層6的腐蝕，并且在磁頭與介質接觸時防止介質表面的損傷，可以使用以往已知的材料、例如包含C、SiO 2、ZrO2的材料。保護層7的膜厚在Inm~ 5nm的范圍內能夠減小磁頭與介質表面的距離，所以，從高記錄密度這點來看是優選的。
[0068]涂布于最上層的潤滑膜可以使用以往已知的材料、例如全氟聚醚、氟化醇、氟代羧酸等。
[0069](磁記錄再現裝置）
[0070]圖2示出應用了本發明的磁記錄再現裝置的一例。
[0071 ] 該磁記錄再現裝置具備:具有上述圖1所示的結構的垂直磁記錄介質50;對垂直磁記錄介質50進行旋轉驅動的介質驅動部51;在垂直磁記錄介質50中記錄再現信息的磁頭 52;使該磁頭52相對于垂直磁記錄介質50相對運動的磁頭驅動部53;以及記錄再現信號處理系統54。并且，記錄再現信號處理系統54能夠對從外部輸入的數據進行處理并將記錄信號送出到磁頭52,并對來自磁頭52的再現信號進行處理并將數據送出到外部。
[0072] 在應用了本發明的磁記錄再現裝置中，為了應對上述垂直磁記錄介質的進一步提高記錄密度的期望，對于磁頭52使用了針對垂直磁記錄層6的寫入能力優良的單磁極磁頭。而且，在上述垂直磁記錄介質中，為了對應于這種單磁極磁頭，在非磁性基板1與垂直磁記錄層6之間設置背襯層2,實現單磁極磁頭與垂直磁記錄層6之間的磁通進出效率的提高。 [0073] 并且，在磁記錄再現裝置中，可以使用具有利用了巨磁電阻效應(GMR)的GMR元件等作為再現元件的、適于更高記錄密度的磁頭52。
[0074]另外，本發明不必限于上述實施方式，可以在能夠發揮本發明的效果的范圍內施加各種變更。
[0075] 例如，本發明還能夠應用于在上述垂直磁記錄層6具有磁分離的磁記錄圖案的垂直磁記錄介質。具體而言，作為具有磁記錄圖案的磁記錄介質，可以舉出按照每1比特而具有一定規則性地配置磁記錄圖案的所謂的圖案化介質、磁記錄圖案被配置成軌道狀的介質、以及伺服信號圖案等。
[0076] 【實施例】
[0077] 下面，通過實施例來更加明確本發明的效果。另外，本發明不限于以下的實施例，能夠在不變更其主旨的范圍內適當進行變更來實施。
[0078]在本實施例中，首先，將作為非磁性基板的玻璃基板(直徑2.5英寸)收納在DC磁控濺射裝置(ANELVA公司制C-3010)的成膜腔內，，對成膜腔內進行排氣，直至成為到達真空度 1X10-5Pa。在該玻璃基板上形成IOnm的由50Cr-50Ti(Cr含有量50原子％、Ti含有量50原子％ )構成的緊密貼合層、20nm的由47Fe-35C〇-9W-9Nb(Fe含有量47原子％、Co含有量35原子％、W含有量9原子％、Nb含有量9原子％)構成的第1軟磁性膜、0.8nm的Ru膜、20nm的由 47Fe-35C〇-9W-9Nb構成的第2軟磁性膜，從而形成背襯層。另外，利用XRD確認這些軟磁性膜的晶體結構為非晶質結構。
[0079] 接著，在上述背襯層的上方以Inm的膜厚形成表1所示的組成、晶體結構的第1基底層，在該第1基底層的上方以3nm的膜厚形成由NiW合金構成的第2基底層。另外，在比較例1 ~3中，在第1基底層的濺射成膜時，對基板施加150V的偏壓，由此使第1基底層晶體化。
[0080] 在上述第1基底層的上方形成12nm的由Ru構成的中間層，作為垂直磁記錄層，形成 IOnm 的 69C〇-5Cr-16Pt-10Si〇2、6nm 的 53C〇-10Cr - 23Pt-14B。然后，在其上通過離子束法形成4nm的由碳構成的保護層后，通過浸漬法形成由全氟聚醚構成的潤滑膜，從而得到實驗例 1~10的垂直磁記錄介質。
[0081]然后，針對這些實施例1~10和比較例1~4的垂直磁記錄介質，進行信號對噪聲比 (SNR)的評價，以調查電磁轉換特性。表1示出其評價結果。
[0082]并且，在各實施例中，從成膜裝置中取出形成了由Ru構成的中間層的基板，調查Ru 的垂直取向性（A Θ50)。表1示出其評價結果。
[0083]【表1】
[0085] 對表1的實施例1~10和比較例1~4進行比較時，實施例1~10中的所有的SNR都優于比較例1~4中的SNR。可知，特別是晶體結構與實施例1~10不同且作為Ti單體、V單體的情況下的比較例1和3，與實施例1~10相比，SNR低0.4~0.5dB左右。
[0086] 并且，對實施例1和比較例2進行比較時，即使晶體結構是相同的非晶質，通過使Ti 單體成為含有5原子％的乂的TiV合金，可使得SNR提高0.2dB。而且，對實施例1~6進行比較時可知，進一步增加 V的含有量，直到成為50原子％為止，越是增加 V的含有量，SNR越良好。
[0087] 另一方面，對比較例3和實施例6~10進行比較時可知，在第1基底層的材料為V單體、且晶體結構為bcc的情況下（比較例3 )，SNR為19.02dB，但是，作為非晶質的TiV合金，在V 的含有量從90原子％成為50原子％為止，越是減少V的含有量，SNR越良好。
[0088] 并且，對實施例3和比較例4進行比較時可知，即使是相同的組成，在晶體結構不是非晶質的情況下，SNR會降低0.3dB左右。
[0089] 并且，對實施例1~10進行比較時可知，作為第1基底層的材料，當TiV合金中的V的含有量為10原子％以上、80原子％以下時，SNR為19.51dB以上，所以是優選的，而當V的含有量為30原子％以上、70原子％以下時，SNR為19.53dB以上，所以更加優選。
[0090] 并且，針對Ru的垂直取向性（ΔΘ50)，當對實施例1~10和比較例1~4進行比較時可知，全部實施例都優于比較例1~4。
【主權項】
1. 一種垂直磁記錄介質，其是在非磁性基板上依次至少層疊背襯層、基底層、中間層和垂直磁記錄層而成的，其特征在于，所述背襯層至少具備具有非晶質結構的軟磁性膜，所述基底層是從所述非磁性基板側起層疊第1基底層和第2基底層而成的，所述第1基底層由非晶質結構的TiV合金構成，所述第2基底層包含NiW合金，所述中間層包含Ru或Ru合金，所述具有非晶質結構的軟磁性膜、第1基底層、第2基底層相接地設置。2. 根據權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，所述TiV合金中包含的V的量在10原子％~80原子％的范圍內。3. 根據權利要求1或2所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，所述第1基底層的膜厚在〇. 2nm~5nm的范圍內。4. 一種磁記錄再現裝置，其特征在于，所述磁記錄再現裝置具有：權利要求1~3中的任意一項所述的垂直磁記錄介質；以及向所述垂直磁記錄介質寫入信息的單磁極磁頭。
【文檔編號】G11B5/725GK106057217SQ201610208270
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月6日公開號201610208270.0, CN 106057217 A, CN 106057217A, CN 201610208270, CN-A-106057217, CN106057217 A, CN106057217A, CN201610208270, CN201610208270.0
【發明人】徐晨, 黑川剛平
【申請人】昭和電工株式會社

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