磁盤基體中間產品及其制造工藝的制作方法

專利名稱：磁盤基體中間產品及其制造工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種磁盤基體的非鋁制中間產品，該產品通過鍍Ni-P(鎳-磷)層來形成晶體組織，更特別地涉及一種磁盤基體的中間產品及其制造工藝，利用該工藝可以簡便而低成本地制造出一種用于硬盤的無機材料基體，如結晶玻璃基體、玻璃基體等。
目前用于硬盤的磁盤基體包括一種鋁制基體，該基體由鍍有Ni-P層的鋁盤制成；還包括一種玻璃基體，該基體是由結晶玻璃或玻璃(包括回火玻璃)制成，其中結晶玻璃是用向普通玻璃上直接噴涂一層磁性材料等物質的方法制成的。上述鋁制基體用作直徑為5.25或3.5英寸的大直徑硬盤的基體，而玻璃基體則用作直徑為2.5英寸或更小的小直徑硬盤的基體。
玻璃基體在硬盤基體所需的性能，如沖擊抗力(硬度)、或剛度(楊氏模量)等方面均優于鋁制基體，而且可以達到更好的表面粗糙度。然而，由于玻璃基體在制造過程中所需的制造時間較長，因而使其制造成本較高。此外，由于隨著玻璃基體尺寸的增大其制造成本會增加，從而使玻璃基體的使用受到限制，僅用作裝在要求有一定沖擊抗力的便攜式PC機上的2.5英寸或更小的小直徑硬盤的基體。
對用于硬盤的玻璃基體的表面特性，要求有高的平直度，好的表面粗糙度，而且不能有凹坑等表面缺陷。為了生產出滿足上述要求特性的玻璃基體，目前采用將玻璃基體材料進行磨削的方法。由于磨削所得的玻璃基體中間產品的平直度和表面粗糙度均不足以滿足要求，還需一道工序將該玻璃基體中間產品進行進一步的拋光。
作為制造玻璃基體的最終步驟的拋光工序包括如下步驟將玻璃基體中間產品裝夾在上下平板之間；將聚氨基甲酸酯或絨面革制成的磨料布蒙在平板的拋光表面(與玻璃基體中間產品相接觸的表面)上；然后使上下平板以相反的方向旋轉，在此過程中注入含有用細小的二氧化鈰(CeO2)磨削顆粒作為游離磨削顆粒的處理液來拋光玻璃基體的表面。
據此可以說該拋光步驟就是校正前序磨削步驟中形成的微小的表面凹凸不平，從而得到一個平滑且良好的表面粗糙度的步驟。但拋光步驟保持了前面磨削步驟中得到的平直度，因此事實上在拋光步驟中不可能(在生產上有效的)校正平直度。
欲鍍Ni-P層的基體材料需要適度的表面凹凸不平。由于鋁基體材料是金屬，因此在用海棉狀磨石等進行拋光時不會在局部產生凹坑(磨粒印痕)，并由此獲得具有所需的表面粗糙度的鋁制基體材料。然而由于玻璃基體材料和結晶玻璃基體材料是脆性材料，因此用海綿狀磨石或用石墨碳(GC)磨粒進行研磨可以獲得所需的表面粗糙度，但是會在局部產生凹坑，由此在已拋光表面鍍上Ni-P后仍留有凹坑，從而得到不能滿足要求的玻璃磁盤。因此，現在已不采用這種方法了。
目前，一種用于用無機材料制造磁盤基體中間產品(包括上述玻璃基體中間產品)的工藝，或一種用于磨削磁盤基體材料的磨削方法中，均包括一次區域微小破壞和一次區域微小變形。前者用于增加磨削和磨去動作量，用游離磨削顆粒進行研磨是它的一個典型的例子。另一方面，后者用于以高精確度處理表面，其一個典型方法包括用固溶磨石進行磨削。
研磨是磨削磁盤基體材料的典型方法，它常常分為初級研磨(粗磨)和隨后的二級研磨(精磨)兩個步驟。在每個步驟中，在鐵制的上下研磨平板之間均安裝一個與磁盤基體材料配合的托盤(通常是用樹脂制成的盤，用于安放磁盤基體材料)。磁盤基體材料的兩面被壓貼上下平板以相反方向旋轉來研磨磁盤基體的兩表面，在旋轉過程中向研磨接觸面間加入游離磨削顆粒如石墨碳GC(SiC)和處理液，以將碎屑和裂片從磁盤基體材料表面沖走。這種方法的優點是可提供高的平直度，高的加工精確度和高的加工效率。
在這種方法中，由于研磨過程中磁盤基體材料和磨粒之間的沖擊(滑動)而導致磁盤基體材料發生微小的脆性斷裂，從而利用這種斷裂來磨削磁盤基體的表面。這樣，在所得的磁盤基體中間產品的表面上由于脆性斷裂產生了加工變形。
如果在磁盤基體中間產品的表面上殘存著不同量的加工變形，就會造成磁盤基體中間產品的卷曲，從而不能獲得好的平直度。但是，若磁盤基體材料的兩個面被同時加工，那么磁盤基體中間產品上就可以產生一致的加工變形，且在每個表面上的變形量大致相同。因此，由于研磨的方法可提供翹曲量很小因而具有高平直度的磁盤基體，所以研磨作為一種硬盤用的磁盤基體中間產品的制造工藝被廣泛應用。
然而，由于在經過一個延長的時間間隔進行研磨時，可能會導致局部磨損，這樣可能在研磨表面上導致偏磨損，從而不再能獲得上述良好的平直度，除非研磨平板的研磨表面得到精心的維護。此外，由于研磨是一個脆性斷裂過程，因此它不可避免地會產生被稱為磨粒印痕的凹坑，這是研磨的一個缺點。
這些凹坑是一些微小的下陷點，通常認為它們是在研磨過程中當有較大磨粒(二級磨粒)滾過磁盤基體材料的表面時產生的。其典型深度為20～30μm。這就需要在隨后的拋光工序中將這些凹坑去除，該拋光工序通常需要連續進行40～60分鐘來拋光磁盤基體中間產品的兩個表面。這種拋光的持續時間大約是鋁制基體制造工藝中拋光持續時間的8～10倍。如此長的處理持續時間是導致制造成本增加的一個主要原因。這就需要提供一種磁盤基體的中間產品使晶體組織的形成成本降低，這種產品除了拋光時間減少了以外，還可解決現有晶體組織加工中在成本和加工精確度方面的問題。
已經開發出一種金剛石切片平板，作為在研磨過程中抑制研磨平板的上述局部磨損的一種方法。但是，產生凹坑的問題仍未解決。因此，還需要在隨后的拋光工序中將磁盤基體中間產品的兩個表面磨削去30～40μm以去除凹坑。這樣，其成本和采用研磨工序的工藝的成本基本相同。
另一方面，磨削加工是一種通過使固溶磨石高速旋轉來磨削磁盤基體材料表面的方法，所使用的磨石是通過將磨粒如金剛石、立方氮化硼(CBN)或石墨碳(GC)固溶在金屬、樹脂或玻璃中制成的。與磨削加工相應，產生的凹坑很少，而且即使產生了凹坑，其深度也非常小，因此在拋光工序中去除磁盤基體中間產品表面上殘存的凹凸不平缺陷所需的時間大為減少。
但是，當這種磨削加工連續進行時，磨粒的尖會被磨掉而不能再進行磨削，這就需要進行周期性的打磨。此外，由于需要一個接一個地加工磁盤基體材料的表面，因此在磁盤基體材料的每個面上形成的加工變形不可能具有一致的量或一致的分布，因此使磁盤基體中間產品上產生不規則的翹曲或扭曲，從而使平直度降低。
由于如上所述在拋光工序中不可能去除或校正上述翹曲或扭曲，這種磨削加工沒有被用作制造硬盤用的磁盤基體中間產品的工藝。本發明的申請人提供一種通過固化磨粒制成的加工平板，并將工作平板的旋轉中心定位在加工平板的外圓周上，且通過使加工平板和工作平板相對滑動來實現磨削加工，以使工作平板上的磁盤基體和加工平板之間的各接觸點的軌跡一致。這樣，本發明的申請人發現這種方法可以獲得一種具有所需平直度的用于硬盤的磁盤基體中間產品，即使其尺寸大于2.5英寸時也可獲得所需的平直度，并于1997年7月9日提交了日本專利申請No.9-183681。然而，這種方法的申請和已有銷售的通過鍍Ni-P，拋光，晶體組織形成、噴涂磁性膜幾個步驟制成的基體(Ra≤10)具有過好的表面粗糙度，因而由于粘附問題導致薄膜的破裂。由此表明并未獲得預期的中間產品。
在不發生薄膜破裂現象的情況下，可以通過已有技術實現用YAG激光來進行晶體組織成形。而且，通過向鍍有Ni-P鍍層的基體上鍍一層磁性膜的方法獲得的磁介質在磁性能上超過了通過向玻璃基體上直接噴鍍一層磁性膜的方法獲得的磁介質。
本發明是針對現有技術中的上述問題而提出的。發明者試圖解決上述問題，并通過將脆性斷裂過程和塑性變形過程結合為一個過程而形成本發明，該過程用于磨削需磨削的磁盤基體材料的一個表面，首先使被磨削材料發生脆性斷裂，然后使其發生塑性變形，接下來進行清磨(修平)處理。
本發明的目的在于提供一種制造磁盤基體中間產品的工藝，該工藝可以防止在磨削加工過程中被磨削材料上產生微小的凹坑和不規則翹曲，通過使磁盤基體材料表面上的磨削阻力和固溶磨粒的軌跡保持不變來維持磁盤基體材料的良好的平直度，并有助于改善加工精度和效率并降低成本。
也可以說，根據本發明提供一種雙面均用磨石進行磨削的磁盤基體中間產品，其特征在于每個平面的平直度均為10μm或更小，且由磨削產生的凹凸不平的高度差為0.05～1.0μm。優選地，在磁盤基體中間產品的每個面上形成的磨削加工軌跡為從中心向外延伸的徑向曲線。
此外，根據本發明，提供一種磁盤基體中間產品的制造工藝，包括如下步驟依次磨削欲加工的磁盤基體的兩個表面，以在每個磨削表面上都留下相同量的加工變形，由此在磨削以后磁盤基體中間產品的平直度可以維持在10μm或更小，而上述磨削所產生的凹凸不平的高度差在0.05～1.0μm之間，要在磁盤基體上鍍一層Ni-P，這樣的表面粗糙度已經足夠了。
在依照本發明的磁盤基體中間產品的制造工藝中，當磁盤基體材料的每個表面均用旋轉磨石的方法進行磨削時，優選地可設定一種加工條件，使構成磨石的磨粒破碎并從磨石上脫落，從而實現磨去大部分磨削余量的初級磨削步驟。此外，優選地初級磨削步驟包括將磁盤基體材料固定在工作臺上的步驟和使工作臺和磨石旋轉的步驟，工作臺的旋轉速度為磨石旋轉速度的60％～80％或20％～40％。
此外，優選地二級磨削步驟在初級磨削步驟之后進行，在進行該步驟的工作條件下，構成磨石的磨粒基本上不發生破碎或基本上不脫落。如果磁盤基體材料的每個表面的平直度均為10μm或更小，本發明的制造工藝將更加有效。磁盤基體材料從其在加工機理上講是一種無機材料基體，而更優選地為玻璃基體或結晶玻璃基體。
此外，根據本發明，提供一種用于磨削磁盤基體材料的每個表面的磨削機，其工作過程為將欲加工的磁盤基體材料安裝和固定在工作平板上，使加工杯形磨石和工作平板相對滑動，其中杯形磨石由固化磨粒的方法制成，其特征在于工作平板的旋轉中心位于加工杯形磨石的外圓周上，該磨削機包括一個滑動驅動控制機構，用于使杯形磨石和工作平板相對滑動，以使貼在工作平板上的磁盤基體材料和加工杯形磨石之間各接觸點的軌跡一致。
根據本發明，用于制造磁盤基體中間產品的磁盤基體材料優選地為玻璃或結晶玻璃，用于制造磨石的磨粒優選地為金剛石、立方氮化硼(CBN)或具有特定晶粒標號的玻璃化磨粒中的任何一種。特別地，以金剛石為最佳材料。


圖1是本發明的用于制造磁盤基體中間產品的磨削機的一個實施例的局部示意圖。
由于根據本發明而獲得的磁盤基體中間產品有良好的平直度，較小的表面凹凸不平高度差，所以與傳統玻璃基體相比在拋光工序中施加的載荷比較小，磁盤基體的制造成本降低了。此外，依照本發明的磁盤基體中間產品的制造工藝，在磨削過程中磁盤基體材料上不產生凹坑和不規則翹曲，由此可以維持被磨材料的良好的平直度，同時這種工藝有助于提高加工精度和效率并降低成本。
本發明的實施方案將在下面參照附圖進行詳述，但本發明并不限于此。
首先，本發明的磁盤基體中間產品制造工藝包括如下步驟用品粒標號為600#～3000#的磨粒通過固化的方法制成加工杯形磨石，優選地晶粒標號為800#～1200#；工作平板的旋轉中心定位于加工杯形磨石的外圓周上；使加工杯形磨石和工作平板相對滑動以使貼在工作臺上的磁盤基體材料和加工杯形磨石之間的各接觸點的軌跡一致；然后使磁盤基體中間產品的上下表面依次地且連續地發生脆性斷裂磨削過程和塑性變形磨削過程，以形成大致相同的加工變形量。
圖1是一個用來加工磁盤基體的磨削機的實施例的局部示意圖，該磨削機適用于加工本發明的磁盤基體的中間產品。如圖1所示，在用于加工本發明的磁盤基體材料30的磨削機中，盤形工作平板6的旋轉中心P設置在盤形加工杯形磨石2的外圓周上。
工作平板6的數目不限定于一個特定的數量。但是，考慮到各個工作平板6的聯鎖的必要性和欲磨削的磁盤基體材料30的尺寸，優選地選用兩個工作平板6。此外，磁盤基體材料30用蠟固定在工作平板6上，或通過真空吸附等方法固定在工作平板6上，以使工作平板6的旋轉中心P與磁盤基體材料30的旋轉中心Q同心。
加工杯形磨石2由與馬達(未示出)相聯的旋轉軸4帶動旋轉。通過皮帶輪(未示出)將馬達上的轉動聯鎖傳遞轉軸8上，由轉軸8帶動工作平板6旋轉，從而通過滑動驅動控制機構(未示出)控制杯形磨石2和工作平板6之間的間距，并且控制加工杯形磨石2和工作平板6各自的旋轉速度，以使加工杯形磨石2和工作平板6相對滑動，從而磨削表面20以工作平板6的旋轉中心P為軸恒定地形成若干條從中心向外圓周延伸的徑向曲線，該磨削表面是貼在工作平板6上的磁盤基體30上與加工杯形磨石2相接觸的區域。
這樣，當與使用杯形磨石的傳統旋轉型旋轉磨削方法相比，由于這種構造使本發明的磨削機構可相對于磨削阻力和貼在工作平板上的磁盤基體材料30保持加工杯形磨石磨削面的統一軌跡，即使在一個表面接一個表面地磨削磁盤基體材料時，也可獲得一致的軌跡，該磨削機構主要實現脆性斷裂，因此與上述研磨工藝一樣，在磁盤基體材料30的每個表面上產生的加工變形量可以達到基本相等。因此，防止了所得的磁盤基體中間產品的不規則翹曲，從而保持良好的平直度。
為了實現上述脆性斷裂，需要設置一定的工作條件以使構成磨削用磨石的磨粒發生破碎或脫落。為此，本發明通過同時旋轉固定有磁盤基體材料30的可旋轉工作平板6和固定有磨粒的加工杯形磨石2來實現磨削。在這種情況下，工作平板6的旋轉速度優選地為加工杯形磨石2旋轉速度的20％～40％或60％～80％以內。這使形成一種主要進行脆性斷裂的磨削機構成為可能。
作為實現這種脆性斷裂的各種條件，還需考慮加工杯形磨石2向磁盤基體材料30進給的速度。該進給速度可以方便地由工作平板6的旋轉速度范圍決定。
在上述的磨削方法中，由于單位時間的磨削表面較小，磨削阻力可得以減小，從而可以抑制磨削熱的產生，因而可以高速磨削磁盤基體材料30。在主要進行脆性斷裂的磨削方法中，可以獲得非常高的平直度，然而僅在脆性斷裂過程中在磨削平面上產生的凹凸不平的高度差就高達約8μm。優選地，在脆性斷裂過程后加一個具有塑性變形的過程，作為一種進一步減少凹凸不平的高度差的方法。
當在磨削步驟中發生塑性變形時，加工變形有時可能顯著增加。為了抑制這種加工變形的產生，優選地將發生塑性變形的磨削量控制在最多5μm或更小。這樣，作為一種防止磁盤基體材料30的平直度因為塑性變形而降低的方法，優選地使磁盤基體中間產品磨削表面上留下的磨削軌跡描繪出一條從中心向外圓周伸展的徑向曲線。
在磨削加工步驟中主要進行塑性變形的目的可以通過降低加工杯形磨石2的進給速度來實現。通過把脆性斷裂過程和塑性變形過程結合起來，并將其作為一個連續的操作，這使得提高平直度并將凹凸不平的高度差控制在0.05μm～1μm成為可能。也就是說，根據本發明的磁盤基體材料加工工藝，首先保證進行發生脆性斷裂的磨削過程，由此加工杯形磨石2由于磨石的堵塞而被抑制，從而使隨后的塑性變形可以有效地進行。
本發明的滑動驅動控制機構(未示出)優選地執行閉環控制，該控制過程檢測加工杯形磨石和工作平板之間的間隙，加工杯形磨石和工作平板的旋轉速度等，然后將結果反饋給滑動驅動單元(未示出)。
另一方面，由于磁盤基體中間產品上殘存的變形量取決于它卡緊到工作平板上的情況，或者由于磨削熱顯著地影響加工精度，因此有必要對磁盤基體材料的安裝的控制方法和用于帶走磨削熱的方法給予足夠的重視，以便得到具有一致厚度和翹曲程度，且具有高精確平直度的磁盤基體中間產品。
因此，磨削通常在濕的狀態下進行，為此，磨削機構上裝有如用于向被磨削的區域提供磨削液的噴嘴和再循環管等。磨削液隨構成加工杯形磨石的磨粒類型的不同而不同。例如，對于金剛石或玻璃化磨石優選采用具有良好冷卻能力的水溶性磨削液，而對于立方氮化硼(CBN)磨石則優選采用非水溶性磨削液。
優選地，本發明中使用的加工杯形磨石具有較高的剛度，從而可以以高精確度磨削具有比普通磨削阻力高相當多的切線磨削阻力的磁盤基體材料。因此，構成加工杯形磨石的磨粒優選地可以是金剛石、立方氮化硼(CBN)或玻璃化磨粒中的任一種。在其它物質中，更適宜使用金剛石。此外，本發明中使用的加工杯形磨石優選地可以是多孔、顆粒或切片磨石中的任一種，以使排屑和向被磨削區域提供磨削液比較容易。
這樣，由于磁盤基體中間產品是用本發明的工藝制成，從而在其表面上具有徑向曲線形的磨削軌跡，該工藝可以防止在磨削表面上產生凹坑，且其所得的凹凸不平的高度差在0.05～1.0μm之間，因此可將隨后的拋光步驟中的磨削量控制為兩面均約為10μm。
這樣，由于拋光步驟中磨削量可以減小，可在保持磁盤基體中間產品的平直度，不引起滑離和擦傷的情況下，較便宜地進行拋光。因而，用磨削玻璃或結晶玻璃等材料的方法制成的磁盤基體中間產品就適宜作為一種用于硬盤的直徑為3英寸或更大的磁盤基體的母體而得以使用。
下面本發明將參照實施方案和比較實施例進行更詳細地描述。這些實施方案是本發明的一個方向，但并不對本發明構成限制。
使用一種結晶玻璃基體作為欲磨削的磁盤基體材料，在表1中所列的磨削條件下進行磨削，該結晶玻璃基體材料是一個環形的玻璃基體(直徑65mm，厚度0.83mm)通過在750℃加熱兩小時進行結晶，并使用下述尺寸的磨粒。從而可以通過使用二氧化鈰作磨粒來進行拋光。
表1
接下來，在對通過用每種規格的磨粒進行磨削所得的玻璃基體中間產品的表面粗糙度進行檢測后，用常規方法在該表面上鍍上一層Ni-P鍍層。在進行后處理后，進行晶體組織形成工序。此時，檢驗Ni-P鍍層的粘附度。表2示出包括對整個過程的總體評價在內的檢驗結果。表2還示出了磨削過程中磨削量的測量結果。在該評價結果中，o表示實際使用中沒有問題；x表示一個實際問題，即不滿意的結果；Δ表示該結果可能是可接受的，但并不是完全令人滿意。
表2
<p>注意例1和例8用于對比，而例2～例7是本發明的實施例。
從表2的結果可以看出，很明顯，當使用標號在#600～#3000之間的任何一種磨粒進行磨削時，可以使玻璃晶體中間產品用噴鍍方法形成的Ni-P鍍層具有更高粘附度，并且使在玻璃晶體中間產品磨削過程中產生的加工高度差較小。用二氧化鈰進行拋光不能產生高的粘附度。
因此，考慮到要制造較大的且造價較低的磁盤基體，人們希望開發出一種磁盤基體中間產品，該產品鍍有Ni-P鍍層并具有最小的拋光加工余量。從表2可以清楚地看出，本發明的工藝是一個滿足所有列出要求的極好的磨削工藝。
如上所述，本發明的磁盤基體中間產品可使后續步驟中的拋光加工余量減少，并形成具有高粘附度的Ni-P鍍層。因此，本發明可以顯著地減少拋光所需的時間，并節省晶體組織形成過程的開支，因而在節省磁盤基體開支方面表現出極強的優越性。此外，采用本工藝也可以低成本地生產出此處未提供的直徑大于2.5英寸的較大玻璃基體。而且，依照本發明的磁盤基體中間產品的制造工藝，由于在磨削過程中使磨削阻力和固溶磨粒在磁盤基體材料或被磨削材料表面上和磨削軌跡保持一致，防止了磨削過程中產生凹坑和不規則翹曲，因此可以獲得具有良好平直度的磁盤基體中間產品。
權利要求
1．一種磁盤基體中間產品，其兩表面均用磨石進行磨削，其特征在于每個表面的平直度均為10μm或更小；上述磨削產生的凹凸不平的高度差為0.05～1.0μm。
2．權利要求1中所述的磁盤基體中間產品，其特征在于磁盤基體中間產品的每個面上形成的磨削加工軌跡均為從中心向外伸展的徑向曲線。
3．一種磁盤基體中間產品的制造工藝，包括依次連續地磨削欲加工的磁盤基體材料的兩表面的步驟，以使在每個磨削過的表面上留下大致相同的加工變形量，其特征在于磁盤基體中間產品在經過上述磨削后的平直度保持在10μm或更小。
4．權利要求3所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于當用旋轉磨石的方法磨削上述磁盤基體材料的每個表面時，在初級磨削步驟中構成該磨石的磨粒優選地從該磨石上破碎或脫落，在上述初級磨削步驟中要磨去大部分的預定加工量。
5．權利要求3或4所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于上述初級磨削步驟包括如下步驟將上述磁盤基體材料固定在工作臺上，同時旋轉上述工作臺和磨石，磨削上述磁盤基體材料的每個表面，上述工作臺的轉速是磨石轉動的60％～80％或20％～40％。
6．權利要求3至5任一個中所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于在初級磨削步驟之后進行二級磨削步驟，在進行二級磨削的工作條件下，構成上述磨石的磨粒基本上不發生破碎或脫落。
7．權利要求3至6任一個中所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于上述磁盤基體材料的每個表面的平直度均為10μm或更小；表面粗糙度(Ry)為0.05～1.0μm。
8．權利要求3至7任一個中所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于上述磁盤基體材料是一種無機材料基體。
9．權利要求8所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于上述無機材料基體是一種玻璃基體或一種結晶玻璃基體。
10．權利要求8所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其中上述磁盤基體中間產品是用一種磁盤基體材料磨削機，通過磨削磁盤基體材料的每個表面來制造的，該磨削機包括一個工作平板；安裝和定位機構，裝在上述工作平板上，用于將欲加工的磁盤基體材料安裝和固定在上述工作平板上；一個加工杯形磨石，用固化磨粒的方法制成；滑動機構，由于使上述工作平板和加工杯形磨石相對滑動，其特征在于上述工作平板的旋轉中心位于上述加工杯形磨石的外圓周上；上述工作平板和加工杯形磨石相對滑動的滑動機構包括一個驅動控制機構，以使在上述工作平板上的磁盤基體材料與加工杯形磨石之間的接觸點的軌跡保持一致；上述磨粒的標號為#600～#3000。
11．權利要求10所述的磁盤基體中間產品制造工藝，其特征在于上述磨粒為金剛石、立方氮化硼(CBN)或玻璃化磨粒。
全文摘要
一個加工平板用固化具有特定晶粒尺寸的磨粒的方法制成,將工作平板的旋轉中心對齊加工平板的外圓周安裝。然后,通過使加工平板和工作平板相對滑動來進行磨削加工,以使加工平板上和工作平板上的磁盤基體材料之間的接觸區域的軌跡一致。本發明提供一種磁盤基體中間產品及其制造工藝,可以用包括無機材料如玻璃等做原料來生產這種磁盤基體,其加工精度高、表面粗糙度小,沒有凹坑等表面缺陷,并能以較低成本進行制造。
文檔編號G11B5/84GK1221174SQ9812634
公開日1999年6月30日 申請日期1998年12月28日 優先權日1997年12月26日
發明者內藤努 申請人:日本礙子株式會社