專利名稱：擦除閃速存儲器的方法
技術領域：
本發明涉及一種擦除存儲器件的方法，特別涉及一種能夠通過給漏區加低電壓并隨后加正常擦除電壓禁止電流從漏區流到硅襯底的擦除存儲器件的方法。
閃速存儲器中，通常利用隧道現象擦除單元。即，如
圖1所示，控制柵5加-13V電壓，漏區3加5V電壓，源區2浮置。因而，存儲在浮柵4中的電子轉移到漏區3，由此擦除存儲單元。
此時，漏區3加5V電壓，控制柵5加-13V電壓時，由于空穴有向低能級運動的性質及在漏區3和襯底1之間形成的電場，所以漏區3產生的空穴遷移到襯底1。因而，電流過量地從漏區3流到襯底1(此后稱之為“BTBT”電流帶-帶隧穿電流)，BTBT電流妨礙了很好地擦除器件。
因此，本發明的目的在于提供一種擦除閃速存儲器件的方法，能夠減少擦除操作期間產生的BTBT電流，從而很好地擦除器件。
根據本發明的擦除閃速存儲器件的方法在給定時間T1內進行第一擦除操作和在給定時間T2內進行第二擦除操作。
在控制柵加-13V電壓，漏區和源區接地的條件下，進行第一擦除操作。在控制柵加-13V電壓，漏區加5V電壓，源區浮置的條件下，進行第二擦除操作。
通過閱讀結合附圖對實施例的詳細說明，可以理解本發明的其它目的和優點，其中圖1是展示擦除閃速存儲器件的常規電壓條件的器件剖面圖。
圖2A和2B是展示根據本發明擦除閃速存儲器件的電壓條件的器件剖面圖。
圖3是展示根據本發明加到漏區的電壓的變化曲線圖。
圖4是展示響應漏電壓的BTBT電流量的曲線圖。
下面將結合附圖詳細說明本發明。
圖2A和2B是展示根據本發明擦除閃速存儲器件的電壓條件的器件剖面圖，圖3是展示根據本發明加到漏區的電壓的變化曲線圖。
為了擦除閃速存儲器件，如圖2A所示，在時間T1內，控制柵15加-13V電壓，漏區13和源區12分別加0V電壓，由此，存儲在浮柵14中的電子向漏區13轉移(第一擦除狀態)。
然而，由于漏區13加了0V電壓，使漏區13和浮柵14之間的電位差變得較小，所以漏區13和襯底11之間形成了較弱電場。于是，由于形成于漏區13和襯底11之間的電場較弱，漏區13和襯底11之間的電位差可以忽略，漏區13中產生且然后移向襯底11的空穴數極大地減少。
此后，如圖2B和3所示，在時間T2內，漏區13加正常擦除時的5V電壓，源區12浮置，控制柵15加-13V電壓(第二擦除狀態)。
圖4是展示響應漏電壓的BTBT電流量的曲線圖。圖4中，可以看出加于漏區的電壓越低，流過的BTBT電流越小。
如上所述，在控制柵加-13V電壓，漏區和源區接地的條件下進行第一擦除操作，然后，在控制柵加-13V電壓，漏區加5V電壓，源區接地的條件下進行第二擦除操作，這樣便可以使從漏區流到襯底的電流最小。
前面的說明，盡管在對優選實施例說明中帶有某種程度的特殊性，但這只是對本發明原理的說明。應該明了，本發明并不限于這里所公開的這些優選實施例。因此，在不脫離本發明的范圍和精神的情況下，可以做出各種變化，但所有變化皆包含于本發明的另外的實施例中。
權利要求
1.一種擦除閃速存儲器件的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟在控制柵加-13V電壓、漏區和源區接地的條件下進行第一擦除操作；在控制柵加-13V電壓、漏區加5V電壓、源區浮置的條件下進行第二擦除操作。
2.一種擦除閃速存儲器件的方法，其特征在于，在給定時間T1內進行第一擦除操作，然后在給定時間T2內進行第二擦除操作。
3.根據權利要求2的擦除閃速存儲器件的方法，其特征在于，第一擦除操作在控制柵加-13V電壓、漏區和源區接地的條件下進行。
4.根據權利要求2的擦除閃速存儲器件的方法，其特征在于，第二擦除操作在控制柵加-13V電壓、漏區加5V電壓、源區浮置的條件下進行。
全文摘要
本發明公開了一種擦除閃速存儲器件方法,在擦除時,能使由于形成于漏區和襯底之間的強電場引起的從漏區流到襯底的電流最小。在控制柵加－13V電壓、漏區和源區接地的條件下進行第一擦除操作,然后,在控制柵加－13V電壓、漏區加5V電壓、源區浮置的條件下進行第二擦除操作。
文檔編號G11C16/06GK1172328SQ9711250
公開日1998年2月4日 申請日期1997年6月27日 優先權日1996年6月29日
發明者宋福男 申請人:現代電子產業株式會社