制造磁頭的方法

專利名稱：制造磁頭的方法
技術領域：
本發明涉及一種安裝在旋轉磁頭鼓上的磁頭，該磁頭用于在記錄介質例如錄象帶上記錄信息和從該記錄介質上重放信息，和特別是涉及用于制造一種磁頭的方法，在該磁頭與磁帶進行接觸的表面上被形成一層高度潤滑和抗磨損特性的保護層。
一般講，磁記錄和重放是通過磁頭和磁帶之間的摩擦進行的，如

圖1所示，磁帶錄像機(VTR)、便攜式攝象機、數字聲頻磁帶錄音機(DAT)都具有磁頭被安裝在其上的旋轉磁頭鼓2。磁頭鼓2一般是以反時針方向高速旋轉，和與磁頭鼓2的U形表面相接觸的磁帶3相應于旋轉磁鼓2的旋轉從左至右以較低速度進行。
如上所述的這一過程的結果是，在以低速進行的磁帶3和以高速旋轉的磁頭鼓2的磁頭1之間由于摩擦產生了異物，該異物就是由于磁帶3，磁頭1和磁頭鼓2的摩擦而從磁帶3和磁頭1來的諸多顆粒，從而縮短了它們各自的壽命同時在錄放期間產生噪聲。
圖2是用于VTR的安裝在磁頭鼓上的通常磁頭10的透視簡圖，和圖3是圖2中所示通常磁頭10的局部橫截面圖。
如圖2所示，磁頭10包括被連在一起的第1和第2磁芯件11和12，和繞制在每一磁芯件中間的線圈13。第1和第2磁芯件11和12具有一與磁帶相接觸的彎曲的接觸面14。在第1和第2磁芯件的接觸面14中還有一予定長度L的磁隙15，從該磁隙形成泄漏磁場。一種非磁性物質例如硅氧化物(SiO2)層17被插入在磁隙15中，這樣就將第1和第2磁芯件11和12彼此粘附。用于控制磁隙15的寬度的局部球面形狀的凹口16被配置在磁隙15的兩側，并用強化玻璃充滿。
第1和第2磁芯件11和12是由具有高導磁性的強磁性材料，例如鐵素體或坡莫合金制成，這樣，它的磁通量損失減小和對應于記錄電流的泄漏磁場被產生。
在圖3中，當考慮到磁特性時，該磁隙15的深度D最好是20微米(μm)，然而，根據通常的方法，接觸面14用研磨帶(#20000)拋光并使具有給定壽命約1000小時的深度D為30至45μm。圖4是用原子量級的顯微攝影(AFM)(Atomic ForceMicrography)的照片，圖中表示用研磨帶拋光磁頭的接觸面。
當用肉眼觀察時，該磁頭的被拋光的接觸面宏觀看來很光滑，平而且寬，然而，微觀看來卻看到圖4所示的粗糙，這是由研磨帶所造成的劃痕。沿磁隙15縱向研磨方向配置的是在磁隙15兩側所示的凸起14，接觸面的地方是粗糙的并有異常隆起物，由于磨損而產生異物，特別是它們被集中在磁隙15兩側的凸起上，從而嚴重降低了記錄和重放特性。
由于通常的磁頭的磁隙具有大的橫截面和接觸面是寬而平，來自磁隙的磁通量泄漏密度是低的，從而增加了摩擦噪聲。即，由于接觸面的磨損增加，磁隙的橫截面積，即磁通回路，逐漸變窄，以致磁隙阻抗增加，其結果是磁通量泄漏強度異常增加，從而降低了記錄和重放特性。
由于在磁芯元件中，即鐵素體，硅氧化物和玻璃之間物理特性的差別，惡化了接觸面，增加了對磁帶的損壞，并且增加了磁帶材料對磁頭的異物污染。
為克服上述問題，本發明的申請人在1994年提供了一種在接觸面上覆蓋一保護層的磁頭(韓國專利申請號16779)。在這里，一種準鉆石結構的碳膜用作保護層，作為一種非晶體型碳膜的準鉆石結構的碳膜非常堅硬并具有潤滑，抗磨損和電絕緣的性質，它類似于鉆石并有化學穩定性，這種準鉆石結構的碳膜制造方法及其應用被披露在美國專利申請號4,228,142，5,110,676和5,182,132上。
本發明的一個目的是提供一種在磁頭的接觸面的水平度和寬度得到改進的磁頭制造方法，該磁頭能使在磁帶和磁頭之間由于摩擦而產生的異物被減少，和在磁頭接觸面上的異物的積累受到扼制。
本發明另一個目的是提供一種在磁頭和磁帶之間由于摩擦而引起的磨損能被減至最少的磁頭制造方法，該磁頭能使磁頭和磁帶的壽命增加。
本發明還有另外一個目的是提供一種能夠使磁頭的記錄和重放特性得以改進的磁頭制造方法。
為實現上述目的，提供一按下述步驟制造磁頭的方法制備一具有接觸面的片磁芯，該接觸面與磁帶相接觸并在其上構成一用以形成一泄漏磁場的磁隙；和在接觸面上形成一保護層，該保護層用具有高度表面潤滑特性和良好的抗磨損特性的材料制成。
為實現上述目的，提供一種包括如下步驟的制造磁頭的方法準備具有一接觸面的磁芯，該接觸面上有一用于形成泄漏磁場的磁隙，并在該具有磁隙的接觸面上與磁帶相接觸；使用離子蝕刻方法對該磁芯接觸面進行拋光，也就是用離子進行粒子輻射該接觸面；和在該接觸面上制造一保護層，該保護層用具有高度表面潤滑和良好的抗磨損特性的材料制成。
在拋光步驟中，對于拋光效率來說，離子與相關接觸面的一予定角度碰撞該片磁芯接觸面，特別是，離子與相關接觸面的入射角最好是70°或再低些。
隨著參照附圖的及其實施例的詳細描述，本發明的上述目的和優點將會變得非常明顯。
圖1是旋轉磁頭鼓、磁頭和磁帶之間一般關系的簡圖；圖2是通常磁頭的透視簡圖；圖3是圖2所示通常磁頭的磁隙部分的橫截面圖；圖4是用研磨帶拋光的通常磁頭的接觸面，利用原子量級顯微攝影而成的照片；圖5是根據本發明的磁頭透視圖；圖6是圖5所示磁頭的磁隙部分的橫截面圖；圖7是根據本發明的用于制造磁頭的方法流程圖；圖8是用于加工利用制造磁頭的片磁芯的步驟圖示；圖9是縛于基板上的片磁芯的平面圖；圖10表示沖刷該磁頭的方法；圖11A至11C是根據本發明的在磁芯片的接觸面上形成保護層的依次加工步驟的橫截面圖；圖12是根據本發明的磁頭特性的檢驗圖13A至13C是根據本發明的拋光磁芯接觸面的一種干蝕刻方法的依次步驟的圖示；圖14A至14C是根據本發明的用于拋光片磁芯接觸面的另一種方法的第2種干蝕刻方法的依次步驟的圖示；圖15A至15D是根據本發明的用于拋光片磁芯接觸面的所示干蝕刻方法的電子顯微攝影的結果照片；圖16A和16B是保護層和使用微Raman系統分析的該磁隙的硅氧化物部分的圖示；和圖17是表示具有DLC保護層的磁頭和通常磁頭的抗磨損特性的研磨時間相對磨損度的圖示。
參照圖5和6，根據本發明的磁頭包括，具有平行的第1和第2磁芯件21和22的并且用一種非磁性的硅氧化物層27彼此粘附在一起的一片狀磁芯件20，由線圈23圍繞的繞線溝槽21a、22a和22b被設置在第1和第2磁芯件21和22的中部，特別是第2磁芯件22具有兩個繞線槽22a和22b被設置在其中的兩面的中部。這樣，第1和第2磁芯件21和22的上端和下端部分被相互連接。用于形成泄漏磁場以用于磁記錄和重放的具有一預定長度L的磁隙被設置在高連接端，該高端部分具有一深度D并被硅氧化物層17充滿。還有用于控制磁隙25的寬度W的局部球面形狀的凹口26被設置在磁隙25的兩側，并用非磁性強化玻璃28充滿。
第1和第2磁芯件21和22的接觸面24維持一連續平滑曲面，該平滑曲面由磁隙25對截成兩半并用硅氧化物層27充滿而形成兩個接觸面24a和24b。具有高潤滑和抗磨損特性的保護層29形成在接觸面和它們之間的硅氧化物層27上。
這里，磁隙25的寬度W是19—90μm，長度L是0.3—0.5μm，和深度D是20—50μm。保護層29的厚度是從50至10μm的范圍，最好是在100至500的范圍。
用于保護層20的材料，可以從非晶體準鉆石碳(DLC)結構的組成范圍內選取一種，這包括YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN。可以采用RF等離子體，DC濺射方法，高頻或離子束濺射法，離子沉淀或電子回旋加速器共振(ECR)法等合成方法用于形成保護層29，在目前的實驗中，使用的是ECR方法。
圖7是相應于本發明的用于制造該磁頭方法的流程圖。通過參照圖7的該最佳實施例并不局限于圖7所示的步驟和順序，除特殊情況外，每一步驟和順序能被適當地選擇和控制。
圖8示明用于加工一片磁芯的工序。
參照圖8，繞線狹槽和軌跡導槽被形成在磁芯件21和22的母體的鐵素體塊30和31上，和其中的相對表面被平滑拋光。硅氧化物層27被濺射到該被拋光的相對面上，和然后兩個加工過的鐵素體塊30和31被相互連接。使用一般的方法是，利用橫截面拋光加工該被連在一起的鐵素體塊30和31，側面和錐面機械加工，底面拋光，構成繞線狹槽和最后加工接觸面，從而形成一片磁芯塊32。接著，相應于一予定的方位角以一角度并以一預定距離對一片磁芯塊32進行切削。
如圖9所示，在片磁芯和基板裝配中，用UV粘合劑將片磁芯20縛于磁頭基座33的上端。磁芯件的接觸面20被加工成在磁帶傳送器的預定方向上成一曲面形狀，和然后在每個磁芯件上繞制線圈。
在第1檢驗步驟中，在以前步驟中完成的該磁頭主體的有效特性被測量以確定其質量。
在洗滌和干燥步驟中，由于會包含片磁芯的環氧樹脂或UV粘合劑，因此，化學洗滌方法是不適宜的。在本發明中，應用能增加洗滌效果的超聲波進行水洗的方法。如圖10所示，當插入到支撐件34的孔35中的時候，被縛于磁頭基座33的片磁芯20被顛倒直立著，即，片磁芯20的接觸面24通過孔35伸入洗滌槽36中。在這里，片磁芯20的接觸面24被置于盡可能靠近洗滌槽中的水面，最好是0.1-0.3μm的距離。超聲波發生器37被安裝在洗滌槽36的內部，當超聲波發生器37運行時，產生汽泡并浮向水面形成擾動，這樣片磁芯20的接觸面24被洗滌。在洗滌步驟完成之后，該片磁芯20利用一般的熱空氣干燥方法進行干燥，和然后利用蝕刻干法進行拋光。
在先于覆蓋保護層的步驟的拋光步驟中使用干蝕刻方法，即，片磁芯20的接觸面24利用例如氬或氮的大量離子以高速碰撞進行拋光。
采用ECR方法將保護層29以一預定厚度形成在接觸表面24上。涂覆步驟可以包括許多子步驟和涂覆條件每次可以不同。例如，該保護層可以通過第1和第2涂覆步驟進行多次涂覆，如圖11A所示，首先利用濺射方法和沉淀方法進行涂覆；如圖11B所示，通過第1涂覆將具有凹陷狀的接觸面24的一部分進行涂覆，然后，如圖11C所示，用保護層涂覆接觸面的整個表面。
如上所述，涂覆保護層的方法包括合成方法，該合成方法使用RF等離子體，DC濺射方法，高頻或離子束濺射方法或離子沉淀方法，使用包括以氫作為合成氣體的烴化物的等離子體CVD方法和ECR方法。實驗表明ECR或PVD方法是最好的。當進行涂覆時，涂覆設備的溫度應當保持低于150℃以避免達到以前所述的環氧樹脂或UV粘合劑的連接斷裂溫度。
一種電子方法被用于檢驗被涂覆的保護層29的質量，如圖12所示，片磁芯20的保護層29被放置在兩個平行的檢驗棒38和39上，在該兩棒中流過一預定電流，利用測量儀器40檢驗導電率的等級。那就是，檢驗提供的事實是，片磁芯20的鐵素體母體材料是導體，而保護層29是非導體，保護層29的厚度以及任何局部涂覆缺陷都可以從測量儀器40中記錄的電流的量值被測量出來，從而能夠消除涂覆的保護層的任何缺陷。然后測量完整磁頭的有效特性以消除任何一個缺陷。
在配對步驟中，被安裝在一磁頭鼓上的磁頭對根據用于檢驗有效特性的第二步驟中獲得特性進行對頭對的選擇。
以下將詳細描述上述使用Ar(氬)離子進行干法蝕刻的方法。
圖13A至13C依次表示使用干法/蝕刻方法和形成該保護層的用于拋光該磁芯件接觸面的加工順序。圖13A表示在蝕刻步驟期間，Ar離子以垂直于接觸面的方向碰撞該磁芯件的接觸面。圖13B表示，在拋光階段后，接觸面的突起和凹陷，由于蝕刻步驟而已經變得不明顯了。圖13C表示在蝕刻過的接觸面上完成了形成保護層的步驟。
圖14A至14C表示采用離子蝕刻步驟的另一實施例。圖14A表示，在蝕刻步驟期間，Ar離子與接觸面成斜線方向碰撞片磁芯的接觸面。圖14B表示，在拋光階段后，由于離子碰撞的結果，接觸面的突起和凹陷已經變得不明顯了。圖14C表示，在蝕刻過的接觸面上形成保護層的步驟完成后的情況。
對上述兩個實施例進行相互比較可以看出，Ar離子與接觸面成斜線方向碰撞片磁芯的接觸面比Ar離子以垂直方向碰撞片磁芯的接觸面的結果要較好些。
圖15A至15D表示，相應于本發明的制造方法中的使用干法蝕刻方法，對片磁芯的接觸面的拋光處理中的各步驟的電子顯微攝影的結果。圖15A表示沒有被Ar蝕刻的磁芯件的接觸面，圖15B至15D表示在用Ar進行蝕刻處理期間，該接觸面的突起和凹陷已經變得不明顯的狀態。
為了達到圖14C所示的磁芯件的蝕刻過的接觸面的結果，使用ECR方法的Ar干法蝕刻處理的條件是氣壓1.4mTorr，微波輸出300W，和基板偏置電壓-100V。在這里，在上述蝕刻條件下，由于該偏置電壓涉及到會損壞用于將片磁芯附到該基片上的環氧樹脂或UV粘合劑，所以該基片偏置電壓應當適當調節。
表1是通過實驗所獲得的關于，在相應偏置電壓和蝕刻時間，該環氧樹脂的損壞程度。
上述用于片磁芯用Ar離子進行蝕刻步驟之后，使用ECR方法，在片磁芯的接觸面上形成，例如DCT涂覆層的保護層。在這里，涂覆條件是氣壓3mTorr，微波輸出50W，基片表1
偏置電壓-250V。
表2至表4是采用涂覆厚度為300—500的DLC保護層29的本發明和沒有保護層的在先技術在相同條件下進行比較所獲得的數據。表2表示磁頭特性，表3表示接觸面磨損程度，和表4表示雜質等級。
在表2中不考慮磁隙深度，從表2可知，相應于本發明的DLC保護層29沒有影響磁頭的有效特性。通過磨損試驗獲得表3，表3所示為通過不同時間間隔測量的伸出的磁頭長度，表3是每次間隔多5分鐘時間，利用研磨帶(#2000)摩擦該接觸面所獲得的。在本發明的情況下，DLC保護層29的摩損大約需要15至表3
表2
20分鐘，在DLC保護層被完全磨掉之后才開始摩損片磁芯。該結果說明本發明比現有技術延長壽命3至4倍。甚至，雖然DLC保護層29被部分地去掉，它的壽命也被延長，這是因為磁頭面的質量比現有技術的要高好多。同磁芯比較，由于磨掉DLC保護層29是困難的，所以在片磁芯的接觸面的伸出部分被暴露之后，DLC保護層29的磨損才開始。其結果是，直到DLC保表4 護層29被完全磨掉之前，一直保持著該表面的水平度和寬度的高等級。
在表4的雜質試驗中，是對應于在一錄象走帶機構在10分鐘和5分鐘完成一套操作的記錄模式下，利用一容易產生異物的特殊磁帶進行的，以此來統計操作套數直到在接觸面上產生第1異物為止。在現有技術中，在所有三個采樣中，在一至二套操作之后就產生了異物，這樣污染磁頭，然而，相應于本發明，在兩種采樣中，在六至七套操作之后和在三種采樣中在七套操作之后才產生異物，這樣，雜質就不會容易地在磁頭產生。
圖16A和16B是利用微-Raman系統分析的保護層和磁隙的硅氧化物部分，一般說，當利用“微-Raman系統”分析DLC時，如圖16A和16B所示，有接近于1500Cm-1或1300Cm-1的寬帶尖峰(BroadPeak)，一寬帶尖峰顯示為接近1500Cm-1。因此，它顯示了，該典型的DLC保護層29被形成為完全覆蓋了片磁芯的磁芯件和在其中間充滿硅氧化物的磁隙的接觸面。
圖17是具有DLC保護層的磁頭和普通磁頭抗磨損特性的研磨時間相對磨損度的圖示。
如上所述，相應于本發明，首先，磁隙的橫截面積能夠針對磁特性弄窄到一最佳水平，以便使在記錄期間的磁通泄漏密度和在重放期間的輸出能被增加。由于恒定的磁隙橫截面積和該表面的高度潤滑特性，磁頭的記錄和重放特性都顯著地改進了。摩擦噪聲的解決是其中的一個結果，相應于本發明，毗鄰于磁隙的磁芯件的高度差，硅氧化物和玻璃，差別量引起的磨損被消除，所以該磁頭經受較少的污染。
相應于本發明，連接兩磁芯件的強化玻璃的附著力也被改進，和磁芯件的接觸面的表面強度也增加了，從而提供了良好的抗沖擊特性。還有，磁芯件的厚度能夠相應于磁隙深度的降低而降到一最佳水平，這樣，本發明能夠提供適用于8mm磁帶錄像機，攝象機，和數字磁帶錄音機的微型磁頭鼓上的磁頭。
本發明能提供其它類型的磁頭，即所有涉及到類型的磁頭，這包括使用在硬盤驅動上的浮動式磁頭，以及安裝在旋轉磁頭鼓上的磁頭。還有，任何具有良好抗磨損特性和表面潤滑特性的而不是DLC的材料都可以被用作為上述保護層。
權利要求
1.一種用于制造磁頭的方法，包括如下步驟準備一具有一接觸面的片磁芯，該接觸面與磁帶相接觸，并在其上構成一用形成一泄漏磁場的磁隙；和在所述接觸面上形成一保護層，該保護層有具有高度表面潤滑特性和良好的抗摩損特性的材料制成。
2.一種根據權利要求1的用于制造磁頭的方法，進一步包括，在所述準備該片磁芯的步驟和形成所述保護層的步驟之間還有洗滌和干燥所述接觸面的步驟，其中用于洗滌和干燥的所述步驟中，所述片磁芯的所述接觸面當被置于盡可能接近洗滌槽中的水面時，利用由超聲波發生器產生的氣泡進行洗滌。
3.一種根據權利要求1的用于制造磁頭的方法，其中所述形成一保護層的步驟包括在所述接觸面上形成起伏形狀的面積處用材料進行涂覆的第1涂覆步驟，和，然后，在第1涂覆步驟之后，在所述接觸面的整個表面上用材料進行涂覆的第2涂覆步驟。
4.一種根據權利要求2的用制造磁頭的方法，其中所述形成保護層的步驟包括，在所接觸面上形成起伏形狀的面積處用材料進行涂覆的第1涂覆步驟，和，在第1涂覆步驟之后，用材料在所述接觸面的整個表面進行涂覆的第2涂覆步驟。
5.一種根據權利要求1的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN組中選出的一個組成的。
6.根據權利要求2的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN中選出的一個組成的。
7.一種根據權利要求3的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN中選出的一個組成的。
8.一種根據權利要求4的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN中選出的一個組成的。
9.一種根據權利要求1的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
10.一種根據權利要求2的用于制磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
11.一種根據權利要求3的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
12.一種根據權利要求4的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
13.一種根據權利要求5的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
14.一種根據權利要求6的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
15.一種根據權利要求7的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
16.一種根據權利要求8的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
17.一種根據權利要求1的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
18.一種根據權利要求2的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
19.一種根據權利要求3的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
20.一種根據權利要求4的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
21.一種根據權利要求5的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
22.一種根據權利要求6的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
23.一種根據權利要求7的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
24.一種根據權利要求8的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
25.一種用于制造磁頭的方法，包括如下步驟準備一具有一接觸面的片磁芯，該接觸面與磁帶接觸并在其上構成一形成一泄漏磁場的磁隙；利用離子蝕刻方法對所述片磁芯的所述接觸面進行拋光，即用離子碰撞接觸面；和在所述接觸面上形成一保護層，該保護層由具有高度的表面潤滑特性和良好的抗磨損特性的材料構成。
26.一種根據權利要求25的用于制造磁頭的方法，進一步包括，在準備所述片磁芯的所述步驟和形成所述保護層的步驟之間的洗滌和干燥所述接觸面的步驟，其中在所述洗滌和干燥步驟中，是當該接觸面被置于盡可能接近在洗滌槽中的水面時，使用由超聲波發生器產生的氣泡洗滌所述片磁芯的所述接觸面。
27.一種根據權利要求25的用于制造磁頭的方法，其中所述形成保護層的步驟包括，在形成起伏形狀的面積處用材料進行涂覆的第1涂覆步驟，和，然后，在第1涂覆步驟之后，用材料在所述接觸面的整個表面進行涂覆的第2涂覆步驟。
28.一種根據權利要求25的用于制造磁頭的方法，其中在所述拋光步驟中，所述離子與所述相關的接觸面以70°或低于70°的斜線方向碰撞所述片磁芯的所述接觸面。
29.一種根據權利要求26的用于制造磁頭的方法，其中在所述拋光步驟中，所述離子與相關的所述接觸面以70°或低于70°的斜線方向碰撞所述片磁芯的所述接觸面。
30.一種根據權利要求27的用于制造磁頭的方法，其中在所述拋光步驟中，所述離子與相關的所述接觸面以70°或低于70°的斜線方向碰撞所述片磁芯的所述接觸面。
31.一種根據權利要求28的用于制造磁頭的方法，其中在所述拋光步驟中，在所述離子蝕刻處理中使用的離子蝕刻裝置的基板被提供的偏置電壓在-20至-250V的范圍之內。
32.一種根據權利要求29的用于制造磁頭的方法，其中在所述拋光步驟中，在所述離子蝕刻處理中使用的離子蝕刻裝置的基板被提供的偏置電壓在-20V至-250V的范圍之內。
33.一種根據權利要求30的用于制造磁頭的方法，其中在所述拋光步驟中，在所述離子蝕刻處理中使用的離子蝕刻裝置的基板被提供的偏置電壓在-20V至-250V的范圍之內。
34.一種根據權利要求25的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN中選出的一個組成的。
35.一種根據權利要求26的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN中選出的一個組成的。
36.一種根據權利要求27的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是從非晶體準鉆石碳(DLC)，YSZ，W，CN，Si3N4，MoS2，TiC和TiN中選出的一個組成的。
37.一種根據權利要求25的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
38.一種根據權利要求26的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
39.一種根據權利要求27的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是50至10μm。
40.一種根據權利要求28的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
41.一種根據權利要求29的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
42.一種根據權利要求30的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
43.一種根據權利要求31的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
44.一種根據權利要求32的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
45.一種根據權利要求33的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
46.一種根據權利要求34的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
47.一種根據權利要求35的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
48.一種根據權利要求36的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
49.一種根據權利要求37的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
50.一種根據權利要求38的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
51.一種根據權利要求39的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層的厚度是100至500。
52.一種根據權利要求26的用于制造磁頭的方法，在所述形成保護層之后，進一步包括檢驗保護層涂覆質量的步驟。
53.一種根據權利要求52的用于制造磁頭的方法，其中所述檢驗涂覆質量的步驟中，測量形成在所述片磁芯的所述接觸面上的保護層的電阻。
54.一種根據權利要求34的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是由利用ECR方法的準鉆石碳構成的。
55.一種根據權利要求54的用于制造磁頭的方法，其中使用所述ECR方法的Ar干法蝕刻處理的條件是，氣壓3mTorr，微波輸出50W，基板偏置電壓-250V。
56.一種根據權利要求54的用于制造磁頭的方法，其中所述準鉆石碳(DLC)是在低于150℃的情況下被沉淀的。
57.一種根據權利要求55的用于制造磁頭的方法，其中所述準鉆石碳(DLC)是在低于150℃的情況下被沉淀的。
58.一種根據權利要求35的用于制造磁頭的方法，其中所述保護層是由使用ECR方法的準鉆石碳(DLC)構成的。
59.一種根據權利要求58的用于制造磁頭的方法，其中所述使用ECR方法的Ar干法蝕刻處理的條件是，氣壓1.4mTOrr，微波輸出300W，基板偏置電壓-100V。
60.一種根據權利要求58的用于制造磁頭的方法，其中所述準鉆石碳(DLC)是在低于150℃情況下被沉淀的。
61.一種根據權利要求59的用于制造磁頭的方法，其中所述準鉆石碳(DLC)是在低于150℃的情況下被沉淀的。
全文摘要
一種用于制造磁頭的方法，該磁頭用于在或從磁記錄介質，例如錄像帶上記錄或重放信息，該方法包括，制備具有同磁帶相接觸的一接觸面的一片磁芯，該磁芯有一用于形成泄漏磁場的間隙，利用離子蝕刻方法對該片磁芯的接觸面進行拋光，該離子蝕刻即是用離子碰撞該接觸面。在接觸面上形成保護層，該保護層是由具有高度表面潤滑特性和良好的抗磨損特性的材料制成。用上述方法，磁頭污染降低，磁頭壽命延長和磁記錄和重放特能得到改進。
文檔編號G11B33/10GK1118915SQ9510919
公開日1996年3月20日 申請日期1995年7月13日 優先權日1994年7月13日
發明者樸永洙, 金相準, 金圣薰, 李兆遠 申請人:三星電子株式會社