一種閃存顆粒測試裝置的制作方法

本技術涉及閃存顆粒，具體涉及一種閃存顆粒測試裝置。

背景技術：

1、閃存顆粒作ssd固態硬盤應用時，為了獲得大容量的ssd閃存盤，往往需要4顆或8顆閃存顆粒組合在一起；為了在研發、生產階段檢測閃存顆粒的各項性能是否達標，如上盤容量確認、h2對比、cdm速度、bi?t老化、拷貝/讀取/刪除文件、數據性能校驗等等測試，而現有的測試治具是把4或8個測試座平鋪在一個平面(pcb底板)，這樣閃存顆粒的命令總線和數據總線的走線長度和實際應用時增加數倍，和真實應用的應用場景有差距，和實際的ssd盤的線路架構也有相當大的差距，這樣測試出來的結果不精準，速度變慢或掉盤等情況。

技術實現思路

1、本實用新型的目的是針對現有技術中的上述不足，提供了一種閃存顆粒測試裝置。

2、本實用新型的目的通過以下技術方案實現：一種閃存顆粒測試裝置，包括支座、上壓蓋以及下壓蓋；所述支座設于上壓蓋與下壓蓋之間；所述支座的頂部設有上頂針模組；所述支座的底部設有下頂針模組；所述支座在上頂針模組與下頂針模組之間設有電路板；

3、所述上頂針模組的底部與電路板的頂部連接；所述下頂針模組的頂部與電路板的底部連接；所述上壓蓋設有與上頂針模組的頂部配合的上壓塊；所述下壓蓋設有與下頂針模組的底部配合的下壓塊。

4、本實用新型進一步設置為，所述上壓蓋的一端與支座頂部的一端鉸接；所述上壓蓋的另一端與支座頂部的另一端可拆卸連接。

5、本實用新型進一步設置為，所述上壓蓋的另一端設有第一卡塊；所述支座頂部的另一端設有與第一卡塊卡接的第二卡塊。

6、本實用新型進一步設置為，所述下壓蓋的一端與支座底部的一端鉸接；所述下壓蓋的另一端與支座底部的另一端可拆卸連接。

7、本實用新型進一步設置為，所述下壓蓋的另一端設有第三卡塊；所述支座底部的另一端設有與第三卡塊卡接的第四卡塊。

8、本實用新型進一步設置為，所述上壓塊的底部以及下壓塊的頂部均設有硅膠塊。

9、本實用新型進一步設置為，所述支座的頂部開設有開槽；所述上頂針模組設有固定板；所述固定板與開槽可拆卸連接。

10、本實用新型進一步設置為，所述支座在開槽的底部設有容置槽；所述電路板設于容置槽；所述電路板與容置槽可拆卸連接。

11、本實用新型進一步設置為，所述支座的底部開設有窗口；所述下頂針模組顯露于窗口處。

12、本實用新型的有益效果：本實用新型將上壓蓋與下壓蓋關閉之后，即可以同時對多個閃存顆粒進行同步測試，并且由于閃存顆粒分別在支座的頂部與底部進行測試，無需將多個閃存顆粒進行平鋪，從而能夠使得總線線路長度得到優化，并且節約空間。

技術特征：

1.一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：包括支座(1)、上壓蓋(2)以及下壓蓋(3)；所述支座(1)設于上壓蓋(2)與下壓蓋(3)之間；所述支座(1)的頂部設有上頂針模組(41)；所述支座(1)的底部設有下頂針模組(42)；所述支座(1)在上頂針模組(41)與下頂針模組(42)之間設有電路板(43)；

2.根據權利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述上壓蓋(2)的一端與支座(1)頂部的一端鉸接；所述上壓蓋(2)的另一端與支座(1)頂部的另一端可拆卸連接。

3.根據權利要求2所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述上壓蓋(2)的另一端設有第一卡塊(51)；所述支座(1)頂部的另一端設有與第一卡塊(51)卡接的第二卡塊(52)。

4.根據權利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述下壓蓋(3)的一端與支座(1)底部的一端鉸接；所述下壓蓋(3)的另一端與支座(1)底部的另一端可拆卸連接。

5.根據權利要求4所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述下壓蓋(3)的另一端設有第三卡塊(53)；所述支座(1)底部的另一端設有與第三卡塊(53)卡接的第四卡塊(54)。

6.根據權利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述上壓塊(21)的底部以及下壓塊(31)的頂部均設有硅膠塊(22)。

7.根據權利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述支座(1)的頂部開設有開槽(11)；所述上頂針模組(41)設有固定板(6)；所述固定板(6)與開槽(11)可拆卸連接。

8.根據權利要求7所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述支座(1)在開槽(11)的底部設有容置槽(12)；所述電路板(43)設于容置槽(12)；所述電路板(43)與容置槽(12)可拆卸連接。

9.根據權利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述支座(1)的底部開設有窗口(13)；所述下頂針模組(42)顯露于窗口(13)處。

技術總結
本技術涉及閃存顆粒技術領域，具體涉及一種閃存顆粒測試裝置，包括支座、上壓蓋以及下壓蓋；所述支座設于上壓蓋與下壓蓋之間；所述支座的頂部設有上頂針模組；所述支座的底部設有下頂針模組；所述支座在上頂針模組與下頂針模組之間設有電路板；所述上頂針模組的底部與電路板的頂部連接；所述下頂針模組的頂部與電路板的底部連接；所述上壓蓋設有與上頂針模組的頂部配合的上壓塊；所述下壓蓋設有與下頂針模組的底部配合的下壓塊。本技術將上壓蓋與下壓蓋關閉之后，即可以同時對多個閃存顆粒進行同步測試，并且由于閃存顆粒分別在支座的頂部與底部進行測試，無需將多個閃存顆粒進行平鋪，從而能夠使得總線線路長度得到優化，并且節約空間。

技術研發人員：張治強,陳寶純,楊師,盧冠華,張茜
受保護的技術使用者：廣東長興半導體科技有限公司
技術研發日：20240428
技術公布日：2024/12/23