電荷泵系統及存儲器的制造方法

電荷泵系統及存儲器的制造方法
【專利摘要】一種電荷泵系統及存儲器。所述電荷泵系統適于提供存儲器的操作電壓，包括電荷泵、采樣電路以及電壓比較器，還包括電壓補償電路；所述電壓補償電路包括：補償電流提供單元，適于提供補償電流，所述補償電流的電流值根據ic＝ir×(N0-N1)確定，ic為所述補償電流的電流值，ir為基準電流的電流值，N0為所述存儲器執行編程操作時被選中的存儲單元的數量，N1為所述被選中的存儲單元中需要被寫入二進制數據0的存儲單元的數量；第一電流鏡，適于對所述補償電流進行鏡像以輸出鏡像電流至所述采樣電路的輸出端。本發明提供的電荷泵系統通過對源線上的電壓進行補償，提高了存儲器的編程效率。
【專利說明】電荷泵系統及存儲器

【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體【技術領域】，特別涉及一種電荷泵系統及存儲器。

【背景技術】
[0002] 非易失性存儲器（NVM, Nonvolatile memory)作為一種集成電路存儲器件，由于其 具有高速、高密度、可微縮、斷電后仍然能夠保持數據等諸多優點，被廣泛應用于如便攜式 電腦、手機、數碼音樂播放器等電子產品中。通常，依據構成存儲單元的晶體管柵極結構的 不同，非易失性存儲器存儲單元結構分為兩種：堆疊柵極和分裂柵極結構，其中分裂柵極存 儲單元因為有效地避免了過擦除效應以及具有更高的編程效率而得到了廣泛應用。
[0003] 圖1是現有的一種存儲陣列的結構示意圖。所述存儲陣列包括m行、η列呈陣列排 布的存儲單元，所述存儲單元為分裂柵極存儲單元，每個存儲單元包括控制柵極、浮柵、漏 極以及源極。其中，第一行存儲單元的控制柵極均連接字線WL1，第二行存儲單元的控制柵 極均連接字線WL2，···，第（m-Ι)行存儲單元的控制柵極均連接字線WLm-1，第m行存儲單元 的控制柵極均連接字線WLm;第一行和第二行存儲單元的源極均連接源線SL1，···，第（m-1) 行和第m行存儲單元的源極均連接源線SLk ;第一列存儲單元的漏極均連接位線BL1，第二 列存儲單元的漏極均連接位線BL2,…，第η列存儲單元的漏極均連接位線BLn。
[0004] 通過字線、位線以及源線對所述存儲單元的各個電極施加不同的電壓，實現對所 述存儲單元的讀操作、編程操作以及擦除操作。為了實現存儲信息的讀寫，通常需要電荷泵 系統提供遠高于電源電壓的操作電壓。對所述存儲單元進行編程操作時，采用源極側熱載 流子注入方式，需要將被選中的存儲單元連接的源線偏置到高壓。以選中第二行、第一列的 存儲單元M21進行編程為例，圖2是對所述存儲單元M21進行編程操作的示意圖。
[0005] 提供偏置電壓HVP的電荷泵系統21包括電荷泵211、采樣電路212以及電壓比較 器213,其中，所述電荷泵211適于在時鐘CLK和比較信號Sc的控制下進行升壓，以產生所 述偏置電壓HVP ;所述采樣電路212包括串聯的第一電阻R1和第二電阻R2,通過所述第一 電阻R1和所述第二電阻R2對所述偏置電壓HVP進行分壓，輸出采樣電壓Vdet ;所述電壓 比較器213適于對基準電壓Vref和所述采樣電壓Vdet進行比較，根據比較結果輸出所述 比較信號Sc。通過所述采樣電路212和所述電壓比較器213的反饋作用，所述電荷泵系統 21輸出穩定的偏置電壓HVP至譯碼電路22。
[0006] 所述譯碼電路22適于對所述存儲單元M21的地址信息進行譯碼，將所述偏置電壓 HVP施加至所述存儲單元M21連接的源線SL1上。數據寫入電路23適于將編程數據Din寫 入所述存儲單元M21，所述編程數據Din為二進制數據0或二進制數據1。所述數據寫入電 路23包括電平移位電路231、反相器232、NM0S晶體管N0以及編程電流源233。由于分裂 柵極存儲單元在編程之前均存儲二進制數據1，因此，當所述編程數據Din為二進制數據1 時，所述反相器232輸出低電平，控制所述NM0S管N0截止，斷開所述編程電流源233與位 線BL1的連接，所述電平移位電路231將編程禁止電壓Vinh施加至位線BL1，控制所述存儲 單元M21截止；當所述編程數據Din為二進制數據0時，所述反相器232輸出高電平，控制 所述NMOS晶體管NO導通，所述編程電流源233提供的編程電流Ip由所述存儲單元M21的 源極流向漏極，所述編程電流Ip產生的電子注入所述存儲單元M21的浮柵，從而將二進制 數據〇寫入所述存儲單元M21。
[0007] 對所述存儲陣列進行編程時，通常是選中同一行的多個存儲單元。當寫入的編程 數據中二進制數據〇較多，流過所述源線SL1的電流較大，所述譯碼電路22的IR Drop也 較大，所述源線SL1上的電壓低于所述偏置電壓HVP，導致存儲器的編程效率降低。


【發明內容】

[0008] 本發明解決的是存儲器編程效率低的問題。
[0009] 為解決上述問題，本發明提供一種電荷泵系統，適于提供存儲器的操作電壓，包括 電荷泵、采樣電路以及電壓比較器，還包括電壓補償電路；
[0010] 所述電壓補償電路包括：
[0011] 補償電流提供單元，適于提供補償電流，所述補償電流的電流值根據ic = irX (N0-N1)確定，ic為所述補償電流的電流值，ir為基準電流的電流值，NO為所述存儲 器執行編程操作時被選中的存儲單元的數量，N1為所述被選中的存儲單元中需要被寫入二 進制數據〇的存儲單元的數量；
[0012] 第一電流鏡，適于對所述補償電流進行鏡像以輸出鏡像電流至所述采樣電路的輸 出端。
[0013] 可選的，所述補償電流提供單元包括N0個基準電流提供單元，所述基準電流提供 單元包括第一 NM0S晶體管和基準電流源；
[0014] 所述第一 NM0S晶體管的柵極對應接收一位編程數據，所述編程數據為所述被選 中的存儲單元需要被寫入的N0位二進制數據，所述第一 NM0S晶體管的漏極連接所述第一 電流鏡的輸入端，所述第一 NM0S晶體管的源極連接所述基準電流源的第一端；
[0015] 所述基準電流源的第二端適于輸入參考電位。
[0016] 可選的，所述基準電流源為第二電流鏡。
[0017] 可選的，所述第二電流鏡包括第二NM0S晶體管以及第三NM0S晶體管；
[0018] 所述第二NM0S晶體管的漏極連接所述第二NM0S晶體管的柵極和所述第三NM0S 晶體管的柵極并適于輸入帶隙參考電流；
[0019] 所述第二NM0S晶體管的源極適于輸入所述參考電位；
[0020] 所述第三NM0S晶體管的漏極作為所述基準電流源的第一端，所述第三NM0S晶體 管的源極作為所述基準電流源的第二端。
[0021] 可選的，所述參考電位為地電位。
[0022] 可選的，所述第一電流鏡包括第一 PM0S晶體管和第二PM0S晶體管；
[0023] 所述第一 PM0S晶體管的源極連接所述第一 PM0S晶體管的柵極和所述第二PM0S 晶體管的柵極并適于輸入所述存儲器的電源電壓，所述第一 PM0S晶體管的漏極作為所述 第一電流鏡的輸入端；
[0024] 所述第二PM0S晶體管的源極適于輸入所述存儲器的電源電壓，所述第二PM0S晶 體管的漏極適于輸出所述鏡像電流。
[0025] 可選的，所述電壓補償電路還包括開關單元，所述第一電流鏡通過所述開關單元 輸出所述鏡像電流至所述采樣電路的輸出端；
[0026] 所述開關單元的第一端適于接收所述鏡像電流，所述開關單元的第二端連接所述 采樣電路的輸出端，所述開關單元的控制端適于接收所述存儲器的編程使能信號；
[0027] 在所述存儲器執行編程操作時，所述編程使能信號控制所述開關單元的第一端和 所述開關單元的第二端導通，否則控制所述開關單元的第一端和所述開關單元的第二端斷 開。
[0028] 可選的，所述開關單元包括第四NM0S晶體管；
[0029] 所述第四NM0S晶體管的漏極作為所述開關單元的第一端，所述第四NM0S晶體管 的源極作為所述開關單元的第二端，所述第四NM0S晶體管的柵極作為所述開關單元的控 制端。
[0030] 基于上述電荷泵系統，本發明還提供一種存儲器，包括存儲陣列、譯碼電路以及數 據寫入電路，還包括上述電荷泵系統，所述電荷泵系統適于輸出偏置電壓至所述譯碼電路。
[0031] 可選的，所述存儲陣列包括呈陣列排布的存儲單元，所述存儲單元為分裂柵極存 儲單元。
[0032] 與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：
[0033] 本發明提供的電荷泵系統，還包括電壓補償電路，所述電壓補償電路輸出鏡像電 流至采樣電路的輸出端，所述鏡像電流與編程數據中二進制數據〇的數量相關。通過設置 所述電壓補償電路，在存儲器執行編程操作時，被選中的存儲單元中需要被寫入二進制數 據〇的存儲單元的數量越多，所述電荷泵系統提供的偏置電壓越大，經過譯碼電路施加至 源線上的電壓得到補償，提高了存儲器的編程效率。
[0034] 本發明的可選方案中，所述電壓補償電路還包括開關單元。在存儲器進行編程操 作時，所述開關單元的第一端和所述開關單元的第二端導通，所述電壓補償電路輸出鏡像 電流至采樣電路的輸出端，對源線上的電壓進行補償；而在存儲器進行其他操作（例如讀 操作或者擦除操作）時，所述開關單元的第一端和所述開關單元的第二端斷開，所述電荷 泵系統輸出穩定的偏置電壓。因此，所述電荷泵系統除能夠提供存儲器執行編程操作所需 的偏置電壓外，還可以在存儲器執行其他操作時提供偏置電壓，降低了存儲器成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035] 圖1是現有的一種存儲陣列的結構示意圖；
[0036] 圖2是對圖1中的存儲單元進行編程操作的示意圖；
[0037] 圖3是圖2中的電荷泵系統提供的偏置電壓以及源線上的電壓隨編程數據中二進 制數據〇的數量變化的關系示意圖；
[0038] 圖4是本發明實施例提供的一種電荷泵系統的結構示意圖；
[0039] 圖5是本發明實施例的電荷泵系統提供的偏置電壓以及源線上的電壓隨編程數 據中二進制數據〇的數量變化的關系示意圖；
[0040] 圖6是本發明實施例的補償電流提供單元的結構示意圖；
[0041] 圖7是本發明實施例的第二電流鏡的電路圖；
[0042] 圖8是本發明實施例的第一電流鏡的電路圖；
[0043] 圖9是本發明實施例提供的另一種電荷泵系統的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0044] 正如【背景技術】中所描述的，對圖1所示的存儲陣列進行編程時，通常是選中同一 行的多個存儲單元寫入編程數據。由于用戶對存儲單元進行編程操作是隨機的，所述編程 數據中二進制數據〇的數量也是不確定的。對圖2所示的存儲陣列進行編程時，選中第二 行的32個存儲單元，即寫入32位編程數據，圖3是所述電荷泵系統21提供的偏置電壓HVP 以及所述源線SL1上的電壓隨所述32位編程數據中二進制數據0的數量變化的關系示意 圖。橫坐標表示所述32位編程數據中二進制數據0的數量，縱坐標表示電壓（單位：V)，直 線L31表示所述偏置電壓HVP隨所述32位編程數據中二進制數據0的數量變化的關系示意 圖，曲線L32表示所述源線SL1上的電壓隨所述32位編程數據中二進制數據0的數量變化 的關系示意圖。由于所述電荷泵系統21具有負反饋環路，所述偏置電壓HVP保持穩定，不 隨所述32位編程數據中二進制數據0的數量改變；而由于所述譯碼電路22具有IR drop， 所述32位編程數據中二進制數據0的數量越多，所述源線SL1上的電壓越低，存儲器的編 程效率降低。
[0045] 為了提高存儲器的編程效率，現有技術中將所述偏置電壓HVP設置得較高。然而， 若所述偏置電壓HVP設置得過高，當編程數據中二進制數據0的數量較少時，所述譯碼電路 22的IR drop較小，導致源線上的電壓過高，對未被選中的存儲單元造成干擾。基于此，本 發明提供一種電荷泵系統及存儲器，通過在所述電荷泵系統中設置電壓補償電路，在存儲 器進行編程操作時補償源線上的電壓。
[0046] 圖4是本發明實施例提供的一種電荷泵系統的結構示意圖，所述電荷泵系統適于 提供存儲器的操作電壓。在本發明實施例中，以所述存儲器包括圖1所示的存儲陣列、所述 電荷泵系統提供所述存儲器執行編程操作時源線所需的偏置電壓為例進行說明。當然，本 發明實施例的電荷泵系統也可以為其他結構的存儲器提供操作電壓，只要所述操作電壓在 存儲器執行編程操作時需要進行補償即可。所述電荷泵系統包括電荷泵41、采樣電路42、 電壓比較器43以及電壓補償電路，所述電荷泵41、所述采樣電路42以及所述電壓比較器 43的具體結構和功能與圖2所示的電荷泵系統類似，在此不再贅述。
[0047] 所述電壓補償電路包括補償電流提供單元44和第一電流鏡45。
[0048] 所述補償電流提供單元44適于提供補償電流Ic。所述存儲器執行編程操作時，通 常是同一行的多個存儲單元被選中，被選中的存儲單元需要被寫入編程數據，每個被選中 的存儲單元需要被寫入一位編程數據，所述編程數據為二進制數據〇或二進制數據1，所述 補償電流1C的電流值隨所述編程數據中二進制數據0的數量變化，亦即所述補償電流Ic 的電流值隨所述被選中的存儲單元中需要被寫入二進制數據0的存儲單元的數量變化。具 體地，所述補償電流Ic的電流值根據ic = irX (N0-N1)確定，其中，ic為所述補償電流Ic 的電流值，ir為基準電流的電流值，NO為所述存儲器執行編程操作時被選中的存儲單元的 數量，N1為所述被選中的存儲單元中需要被寫入二進制數據0的存儲單元的數量。
[0049] 所述第一電流鏡45適于對所述補償電流Ic進行鏡像以輸出鏡像電流Im至所述 采樣電路42的輸出端。所述鏡像電流Im的電流值im = KXic = KXirX (N0-N1)，其中， K為所述第一電流鏡45的鏡像比例。所述第一電流鏡45的鏡像比例K可根據實際需求進 行設置，本領域技術人員知曉，通過調整所述第一電流鏡45中的元器件參數可對所述第一 電流鏡45的鏡像比例K進行設置。
[0050] 在本實施例中，所述采樣電路42通過串聯的第一電阻R1和第二電阻R2進行分壓 獲得采樣電壓Vdet，因此有 ：
[0051] il = vdet + r2_im · · ·(式 1)，
[0052] 其中，il為流過所述第一電阻R1的電流的電流值，vdet為所述采樣電壓的電壓 值，r2為所述第二電阻R2的電阻值；又由于 ：
[0053] hvp = vdet+il Xrl · · ·(式 2)，
[0054] 其中，hvp為所述偏置電壓HVP的電壓值，rl為所述第一電阻R1的電阻值；將im =KXirX (N0-N1)代入式1和式2,獲得：
[0055] hvp = [ (rl+r2)+r2] X vdet-NOXKXrl X ir+KXrl X irXNl · · ·(式 3)。
[0056] 所述電荷泵系統具有負反饋環路，在穩定狀態下，所述采樣電壓Vdet的電壓值 vdet等于基準電壓Vref的電壓值vref，因此：
[0057] hvp = [ (rl+r2)+r2] X vref-NOXKXrl X ir+KXrl X irXNl · · ·(式 4)。
[0058] 由于所述第一電阻Rl的電阻值rl、所述第二電阻R2的電阻值r2、所述基準電壓 Vref的電壓值vref、所述第一電流鏡45的鏡像比例K以及所述基準電流的電流值ir均為 固定的已知量，從式4可知，對被選中的N0個存儲單元寫入編程數據時，需要被寫入二進制 數據〇的存儲單元的數量N1越大，所述偏置電壓HVP越高，有效地補償源線上的電壓。
[0059] 仍以對圖2所示的存儲陣列進行編程、選中第二行的32個存儲單元為例，即N0 = 32,圖5是本發明實施例的電荷泵系統提供的偏置電壓HVP以及所述源線SL1上的電壓隨 32位編程數據中二進制數據0的數量變化的關系示意圖。橫坐標表示所述32位編程數據 中二進制數據〇的數量，縱坐標表示電壓（單位：V)，曲線L51表示所述偏置電壓HVP隨所 述32位編程數據中二進制數據0的數量變化的關系示意圖，曲線L52表示所述源線SL1上 的電壓隨所述32位編程數據中二進制數據0的數量變化的關系示意圖。由于所述電荷泵 系統增加了所述電壓補償電路，隨著所述32位編程數據中二進制數據0的數量增多，所述 偏置電壓HVP也不斷升高，經過譯碼電路的IR drop，所述源線SL1上的電壓降低幅度很小， 提高了所述存儲器的編程效率。
[0060] 為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明 的具體實施例做詳細的說明。
[0061] 所述補償電流提供單元44具有多種實現方式，圖6是本發明實施例的補償電流提 供單元的結構示意圖。所述補償電流提供單元包括N0個基準電流提供單元：基準電流提供 單兀61、基準電流提供單兀62、···、基準電流提供單兀6N0。由于每個基準電流提供單 元的結構相同，僅以所述基準電流提供單元61為例說明進行說明。
[0062] 所述基準電流提供單元61包括第一 NM0S晶體管N61和基準電流源611。所述第 一NM0S晶體管N61的柵極對應接收一位編程數據Dinl，所述編程數據為所述被選中的存儲 單元需要被寫入的N0位二進制數據，所述第一 NM0S晶體管N61的漏極連接所述第一電流 鏡45的輸入端，所述第一 NM0S晶體管N61的源極連接所述基準電流源611的第一端；所述 基準電流源611的第二端適于輸入參考電位。通常，所述參考電位為地電位，即所述基準電 流源611的第二端接地。
[0063] 所述基準電流源611適于提供所述基準電流Ir。當所述基準電流提供單元61接 收的一位編程數據Dinl為二進制數據1時，所述第一 NMOS晶體管N61導通，所述基準電流 提供單元61提供所述基準電流Ir ;當所述基準電流提供單元61接收的一位編程數據Dinl 為二進制數據〇時，所述第一 NMOS晶體管N61截止，所述基準電流提供單元61不提供電流。 因此，所述補償電流提供單元總共提供（N0-N1)個基準電流Ir，即所述補償電流Ic的電流 值 ic = irX (N0-N1)。
[0064] 所述基準電流源611可以采用現有的任意一種電流源實現，在本發明實施例中， 所述基準電流源611為第二電流鏡，所述第二電流鏡的電路如圖7所示。所述第二電流鏡 包括第二NM0S晶體管N71以及第三NM0S晶體管N72。所述第二NM0S晶體管N71的漏極連 接所述第二NM0S晶體管N71的柵極和所述第三NM0S晶體管N72的柵極并適于輸入帶隙參 考電流Ib，所述帶隙參考電流lb可由所述存儲器外部或內部的帶隙基準源提供。所述第二 NM0S晶體管N71的源極適于輸入所述參考電位，即所述第二NM0S晶體管N71的源極接地。 所述第三NM0S晶體管N72的漏極作為所述基準電流源611的第一端，即所述第三NM0S晶 體管N72的漏極連接所述第一 NM0S晶體管N61的源極；所述第三NM0S晶體管N72的源極 作為所述基準電流源611的第二端，即所述第三NM0S晶體管N72的源極接地。所述第二電 流鏡對所述帶隙參考電流lb進行鏡像，流過所述第三NM0S晶體管N72的電流即為所述基 準電流Ir。
[0065] 圖8是本發明實施例的第一電流鏡45的電路圖，所述第一電流鏡45包括第一 PM0S晶體管P81和第二PM0S晶體管P82。所述第一 PM0S晶體管P81的源極連接所述第一 PM0S晶體管P81的柵極和所述第二PM0S晶體管P82的柵極并適于輸入所述存儲器的電源 電壓Vdd，所述第一 PM0S晶體管P81的漏極作為所述第一電流鏡45的輸入端，即所述第一 PM0S晶體管P81的漏極適于接收所述補償電流Ic。所述第二PM0S晶體管P82的源極適于 輸入所述存儲器的電源電壓Vdd，所述第二PM0S晶體管P82的漏極適于輸出所述鏡像電流 Im。需要說明的是，在本實施例中，所述第一電流鏡45為M0S電流鏡。在其他實施例中，所 述第一電流鏡45也可以為BJT電流鏡，本發明對此不作限定。
[0066] 圖9是本發明實施例提供的另一種電荷泵系統的結構示意圖，所述電荷泵系統包 括電荷泵91、采樣電路92、電壓比較器93以及電壓補償電路。所述電荷泵91、所述采樣電 路92以及所述電壓比較器93可參考對圖2的描述，在此不再贅述。所述電壓補償電路包 括補償電流提供單元94、第一電流鏡95以及開關單元96,所述補償電流提供單元94和所 述第一電流鏡95可參考對圖4的描述，在此不再贅述。
[0067] 所述第一電流鏡95通過所述開關單元96輸出鏡像電流Im至所述采樣電路92的 輸出端。所述開關單元96的第一端適于接收所述鏡像電流Im，所述開關單元96的第二端 連接所述采樣電路92的輸出端，所述開關單元96的控制端適于接收存儲器的編程使能信 號Progen。所述編程使能信號Progen由訪問所述存儲器的實體（例如CPU)提供，在所述 編程使能信號Progen有效時，所述存儲器執行編程操作，否則執行其他操作。
[0068] 在所述存儲器執行編程操作時，所述編程使能信號Progen控制所述開關單元96 的第一端和所述開關單元96的第二端導通，所述第一電流鏡95輸出所述鏡像電流Im至所 述采樣電路92的輸出端；在所述存儲器執行其他操作時，所述編程使能信號Progen控制所 述開關單元96的第一端和所述開關單元96的第二端斷開，所述采樣電路92無法接收所述 鏡像電流Im。
[0069] 當所述開關單元96導通時，所述電荷泵系統提供的偏置電壓HVP可對源線上的電 壓進行補償；當所述開關單元96斷開時，所述電荷泵系統輸出穩定的偏置電壓HVP。因此， 本實施例提供的電荷泵系統除能夠提供存儲器執行編程操作所需的偏置電壓外，還可以在 存儲器執行其他操作時提供偏置電壓，即實現電荷泵系統的復用，降低了存儲器成本。
[0070] 所述開關單元96可以采用開關晶體管實現。在本實施例中，所述開關單元96包 括第四NM0S晶體管N91。所述第四NM0S晶體管N91的漏極作為所述開關單元96的第一 端，所述第四NM0S晶體管N91的源極作為所述開關單元96的第二端，所述第四NM0S晶體 管N91的柵極作為所述開關單元96的控制端。
[0071] 本發明實施例還提供一種存儲器，包括存儲陣列、譯碼電路、數據寫入電路以及電 荷泵系統。所述存儲陣列的結構可以如圖1所示，包括呈陣列排布的存儲單元，所述存儲單 元為分裂柵極存儲單元；所述譯碼電路和所述數據寫入電路的結構可以如圖2所示；所述 電荷泵系統適于輸出偏置電壓至所述譯碼電路，其具體電路結構可以如圖4或者圖9所示。
[0072] 雖然本發明披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本 發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所 限定的范圍為準。
【權利要求】
1. 一種電荷泵系統，適于提供存儲器的操作電壓，包括電荷泵、采樣電路以及電壓比較 器，其特征在于，還包括電壓補償電路； 所述電壓補償電路包括： 補償電流提供單元，適于提供補償電流，所述補償電流的電流值根據ic = irX (N0-N1)確定，ic為所述補償電流的電流值，ir為基準電流電流值，NO為所述存儲器 執行編程操作時被選中的存儲單元的數量，N1為所述被選中的存儲單元中需要被寫入二進 制數據〇的存儲單元的數量； 第一電流鏡，適于對所述補償電流進行鏡像以輸出鏡像電流至所述采樣電路的輸出 端。
2. 如權利要求1所述的電荷泵系統，其特征在于，所述補償電流提供單元包括NO個基 準電流提供單元，所述基準電流提供單元包括第一 NM0S晶體管和基準電流源； 所述第一 NM0S晶體管的柵極對應接收一位編程數據，所述編程數據為所述被選中的 存儲單元需要被寫入的NO位二進制數據，所述第一 NM0S晶體管的漏極連接所述第一電流 鏡的輸入端，所述第一 NM0S晶體管的源極連接所述基準電流源的第一端； 所述基準電流源的第二端適于輸入參考電位。
3. 如權利要求2所述的電荷泵系統，其特征在于，所述基準電流源為第二電流鏡。
4. 如權利要求3所述的電荷泵系統，其特征在于，所述第二電流鏡包括第二NM0S晶體 管以及第三NM0S晶體管； 所述第二NM0S晶體管的漏極連接所述第二NM0S晶體管的柵極和所述第三NM0S晶體 管的柵極并適于輸入帶隙參考電流； 所述第二NM0S晶體管的源極適于輸入所述參考電位； 所述第三NM0S晶體管的漏極作為所述基準電流源的第一端，所述第三NM0S晶體管的 源極作為所述基準電流源的第二端。
5. 如權利要求4所述的電荷泵系統，其特征在于，所述參考電位為地電位。
6. 如權利要求1至5任一項所述的電荷泵系統，其特征在于，所述第一電流鏡包括第一 PM0S晶體管和第二PM0S晶體管； 所述第一 PM0S晶體管的源極連接所述第一 PM0S晶體管的柵極和所述第二PM0S晶體 管的柵極并適于輸入所述存儲器的電源電壓，所述第一 PM0S晶體管的漏極作為所述第一 電流鏡的輸入端； 所述第二PM0S晶體管的源極適于輸入所述存儲器的電源電壓，所述第二PM0S晶體管 的漏極適于輸出所述鏡像電流。
7. 如權利要求1所述的電荷泵系統，其特征在于，所述電壓補償電路還包括開關單元， 所述第一電流鏡通過所述開關單元輸出所述鏡像電流至所述采樣電路的輸出端； 所述開關單元的第一端適于接收所述鏡像電流，所述開關單元的第二端連接所述采樣 電路的輸出端，所述開關單元的控制端適于接收所述存儲器的編程使能信號； 在所述存儲器執行編程操作時，所述編程使能信號控制所述開關單元的第一端和所述 開關單元的第二端導通，否則控制所述開關單元的第一端和所述開關單元的第二端斷開。
8. 如權利要求7所述的電荷泵系統，其特征在于，所述開關單元包括第四NM0S晶體 管； 所述第四NMOS晶體管的漏極作為所述開關單元的第一端，所述第四NMOS晶體管的源 極作為所述開關單元的第二端，所述第四NM0S晶體管的柵極作為所述開關單元的控制端。
9. 一種存儲器，包括存儲陣列、譯碼電路以及數據寫入電路，其特征在于，還包括權利 要求1至8任一項所述的電荷泵系統，所述電荷泵系統適于輸出偏置電壓至所述譯碼電路。
10. 如權利要求9所述的存儲器，其特征在于，所述存儲陣列包括呈陣列排布的存儲單 元，所述存儲單元為分裂柵極存儲單元。
【文檔編號】G11C16/30GK104091615SQ201410353775
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月23日 優先權日:2014年7月23日
【發明者】張圣波, 胡劍, 楊光軍 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司