存儲器控制器和包括存儲器控制器的存儲器系統的制作方法【專利摘要】本發明提供了存儲器控制器和包括存儲器控制器的存儲器系統以及一種操作方法，該方法是用于一種控制非易失性存儲器的存儲器設備的。該操作方法包括：響應于外部寫入請求，管理指示出非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態的編程深度位圖；以及響應于外部讀取請求，基于編程深度位圖的與要訪問的字線相對應的信息來向非易失性存儲器輸出多個不同的讀取命令之一。【專利說明】存儲器控制器和包括存儲器控制器的存儲器系統[0001]相關申請的交叉引用[0002]本申請要求于2013年3月7日向韓國特許廳提交的韓國專利申請第10-2013-0024628號的優先權權益，通過引用將其全部內容結合于此。【
技術領域：
】[0003]這里描述的發明構思涉及控制和/或包括存儲多位數據的非易失性存儲器設備的存儲器控制器和存儲器系統。【
背景技術：
】[0004]半導體存儲器通常被認為是諸如范圍從衛星到消費性電子產品的基于計算機和微處理器的應用之類的數字邏輯系統設計的最至關重要的微電子組件。因此，為了更高的密度和更快的速度、通過縮放實現的包括工藝增強和技術發展在內的半導體存儲器的制造的進步幫助其它數字邏輯家族建立了性能標準。[0005]半導體存儲器設備可被表征為易失性隨機存取存儲器(randomaccessmemory,RAM)，或者非易失性存儲器設備。在RAM中，邏輯信息或者是比如像靜態隨機存取存儲器(staticrandomaccessmemory,SRAM)中那樣通過設置雙穩態觸發器的邏輯狀態來存儲的，或者是像動態隨機存取存儲器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)中那樣通過對電容器的充電來存儲的。在任一情況下，數據被存儲，并且只要施加了電力，數據就可被讀出，并且當電力被關斷時數據丟失；因此，它們被稱為易失性存儲器。[0006]非易失性存儲器——比如掩模只讀存儲器(MaskRead-OnlyMemory，MROM)、可編程只讀存儲器(ProgrammableRead-OnlyMemory,PR0M)、可擦除可編程只讀存儲器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory,EPR0M)和電可擦除可編程只讀存儲器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,EEPROM)-即使在電力被關斷時也能夠保持所存儲的數據。取決于使用的制造技術，非易失性存儲器數據存儲模式可以是永久的或可重編程的。非易失性存儲器在計算機、航空電子、電信和消費性電子產品工業中的各種各樣的應用中用于程序和微代碼存儲。單片易失性以及非易失性存儲器存儲模式的結合在諸如非易失性SRAM(non-volatileSRAM,nvSRAM)之類的設備中也是可得的，以用于要求快速、可編程的非易失性存儲器的系統中。此外，許多特殊的存儲器體系結構已有了發展，這些存儲器體系結構包含某種額外的邏輯電路來針對專用任務優化其性能。[0007]然而，在非易失性存儲器中，MR0M、PR0M和EPROM是不能由系統本身來自由擦除和寫入的，從而一般用戶要更新存儲的內容是不容易的。另一方面，EEPROM能夠被電擦除和寫入。EEPROM(即，閃速EEPR0M)的應用已經擴展到了輔助存儲器和需要連續更新的系統編程。【
發明內容】[0008]發明構思的實施例的一個方面被示出為提供一種控制非易失性存儲器的存儲器設備的操作方法。該操作方法包括:響應于外部寫入請求，管理指示出非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端(upper)頁編程狀態的編程深度位圖；以及響應于外部讀取請求，基于所述編程深度位圖的與要訪問的字線相對應的信息來向所述非易失性存儲器輸出多個不同的讀取命令之一。[0009]所述多個不同的讀取命令可包括指引對只具有低端(lower)頁編程狀態的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態的字線的讀取操作的第二讀取命令。[0010]與根據所述第一讀取命令執行的非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應的讀取時間可跟與根據所述第二讀取命令執行的非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應的讀取時間相同。[0011]根據所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執行的非易失性存儲器的讀取操作可不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態的操作。[0012]在每條字線的存儲單元處可存儲至少2頁數據。[0013]發明構思的實施例的另一方面被示出為提供一種存儲器系統，其包括:至少一個非易失性存儲器；以及存儲器控制器，被配置為控制所述至少一個非易失性存儲器。所述存儲器控制器響應于外部讀取請求而基于編程深度位圖的信息的與要訪問的字線相對應的位信息來向所述至少一個非易失性存儲器提供多個不同的讀取命令之一，其中，所述編程深度位圖指示出關于所述至少一個非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態。[0014]所述存儲器控制器可響應于外部寫入請求而依據所述外部寫入請求來管理所述編程深度位圖。[0015]多個讀取命令可包括指引對只具有低端頁編程狀態的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態的字線的讀取操作的第二讀取命令。[0016]當接收到所述第一讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器可對要訪問的字線的低端頁數據執行讀取操作。[0017]當接收到第二讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器可基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址對要訪問的字線的低端頁數據和高端頁數據之一執行讀取操作。[0018]與根據所述第一讀取命令執行的非易失性存儲器的低端頁數據相對應的讀取時間可跟與根據所述第二讀取命令執行的非易失性存儲器的低端頁數據相對應的讀取時間相同。[0019]所述至少一個非易失性存儲器不包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元。可替換地，所述至少一個非易失性存儲器可包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元，其中，所述標志單元被訪問以在所述至少一個非易失性存儲器被提供以所述多個不同的讀取命令之一之前形成所述編程深度位圖。[0020]所述至少一個非易失性存儲器可包括存儲單元，每個存儲單元存儲低端頁數據和高端頁數據。[0021]根據所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執行的非易失性存儲器的讀取操作可不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態的操作。[0022]發明構思的實施例的又一方面被示出為提供一種存儲器控制器，其包括:主機接口，被配置為與主機設備接口；存儲器接口，被配置為與包括多條字線的非易失性存儲器接口；處理器，被配置為依據從所述主機接口接收到的請求將命令發送給所述存儲器接口；以及存儲器，被配置為存儲所述非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態。所述處理器響應于經由所述主機接口接收到的讀取請求而訪問所述存儲器來確定所述多條字線之中的要訪問的字線的高端頁編程狀態，并且依據所確定的要訪問的字線的高端頁編程狀態來將多個不同的讀取命令之一發送到所述存儲器接口。[0023]所述多條字線中的每一條的高端頁編程狀態可在所述存儲器中被存儲為位圖，并且所述處理器可被配置為響應于經由所述主機接口接收到的寫入請求而更新所述位圖。[0024]發明構思的實施例的又一方面被示出為提供一種非易失性存儲器設備的讀取方法，其包括:判定輸入的讀取命令是否是對于具有高端頁編程狀態的字線的讀取命令。當輸入的讀取命令被判定為不是對于具有高端頁編程狀態的字線的讀取命令時，對所述字線執行第一低端頁讀取操作。當輸入的讀取命令被判定為是對于具有高端頁編程狀態的字線的讀取命令時，判定與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址是否是低端頁地址。當與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為是低端頁地址時，對所述字線執行第二低端頁讀取操作。當與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為不是低端頁地址時，對所述字線執行高端頁讀取操作。[0025]執行第一低端頁讀取操作所花費的讀取時間可跟執行第二低端頁讀取操作所花費的讀取時間相同。[0026]第一低端頁讀取操作、第二低端頁讀取操作和高端頁讀取操作中的每一個可不包括判定所述字線的高端頁編程狀態的操作。[0027]所述非易失性存儲器設備可包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元，并且可不響應于輸入的讀取命令而訪問所述標志單元。[0028]所述高端頁讀取操作的高端頁可包括中間頁和最高頁，并且對字線執行高端頁讀取操作可包括:判定輸入的頁地址是否是中間頁地址。當輸入的頁地址被判定為是中間頁地址時，可對所述字線執行中間頁讀取操作。當輸入的頁地址被判定為不是中間頁地址時，可對所述字線執行最高頁讀取操作。[0029]中間頁讀取操作和最高頁讀取操作中的每一個可不包括判定所述字線的高端頁編程狀態的操作。[0030]所述高端頁讀取操作的高端頁可包括第一中間頁、第二中間頁和最高頁，并且對字線執行高端頁讀取操作可包括:判定輸入的頁地址是否是第一中間頁地址。當輸入的頁地址被判定為是第一中間頁地址時，可對所述字線執行第一中間頁讀取操作。當輸入的頁地址被判定為不是第一中間頁地址時，關于輸入的頁地址是否是第二中間頁地址進行判定。當輸入的頁地址被判定為是第二中間頁地址時，可對所述字線執行第二中間頁讀取操作。當輸入的頁地址被判定為不是第二中間頁地址時，可對所述字線執行最高頁讀取操作。[0031]第一中間頁讀取操作、第二中間頁讀取操作和最高頁讀取操作中的每一個可不包括判定所述字線的高端頁編程狀態的操作。[0032]發明構思的實施例的另一方面被示出為提供一種非易失性存儲器設備，其包括:存儲單元陣列，包括布置成行和列的存儲單元；讀取/寫入電路，被配置為從所述存儲單元陣列讀取數據和在所述存儲單元陣列處存儲數據；以及控制邏輯，被配置為響應于從外部設備提供的讀取命令而控制讀取/寫入電路。所述控制邏輯判定讀取命令是指引對具有低端頁編程狀態的字線的讀取操作的第一讀取命令還是指引對具有高端頁編程狀態的字線的讀取操作的第二讀取命令。當所述讀取命令被確定為是第二讀取命令時，所述控制邏輯控制所述讀取/寫入電路基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址讀取字線的低端頁或高端頁。[0033]與所述第一讀取命令和第二讀取命令相對應的每個讀取操作可不包括判定字線的高端頁編程狀態的操作。[0034]所述存儲單元陣列還可包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元，并且可不響應于所述讀取命令而訪問所述標志單元。[0035]根據所述第一讀取命令執行的低端頁讀取操作的讀取時間與根據所述第二讀取命令執行的低端頁讀取操作的讀取時間相同。【專利附圖】【附圖說明】[0036]從接下來參考附圖的詳細描述，上述和其它方面和特征將變得清楚，除非另有規定，否則附圖中相似的參考標記在各幅圖各處指代相似的部件，其中:[0037]圖1A和圖1B是示意性示出在2位存儲操作期間非易失性存儲器單元的閾值電壓分布的示例的圖；[0038]圖2是示意性示出根據發明構思的實施例的存儲器系統的框圖；[0039]圖3是示意性示出圖2中所示的存儲器控制器的示例的框圖；[0040]圖4是示意性示出被加載到圖2中所示的緩沖存儲器上的編程深度位圖的示例的圖；[0041]圖5是示意性示出圖2中所示的非易失性存儲器設備的示例的框圖；[0042]圖6是示意性示出根據發明構思的另一實施例的圖2的非易失性存儲器設備的框圖；[0043]圖7是用于在描述根據發明構思的實施例的存儲器控制器的寫入操作方法時參考的流程圖；[0044]圖8是用于在描述根據發明構思的實施例的存儲器控制器的讀取操作方法時參考的流程圖；[0045]圖9是用于在描述根據發明構思的實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法時參考的流程圖；[0046]圖10是描述根據發明構思的存儲器系統的讀取性能的改善的用于參考的圖；[0047]圖11是示意性示出每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的閾值電壓分布的示例的圖；[0048]圖12是用于在描述根據發明構思的另一實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法時參考的流程圖；[0049]圖13是示意性示出每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的閾值電壓分布的示例的圖；[0050]圖14是用于在描述根據發明構思的又一實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法時參考的流程圖；[0051]圖15是示意性示出根據發明構思的又一實施例的非易失性存儲器設備的框圖；[0052]圖16是示意性示出圖15中所示的存儲塊的3D結構的示例的透視圖；[0053]圖17是圖16中所示的存儲塊的等效電路圖；[0054]圖18是示意性示出根據發明構思的實施例的計算系統的框圖；[0055]圖19是示意性示出根據發明構思的實施例的固態驅動器的框圖；[0056]圖20是示意性示出使用圖19中所示的固態驅動器的存儲裝置的示例的框圖；[0057]圖21是示意性示出使用圖19中所示的固態驅動器的存儲服務器的示例的框圖；[0058]圖22是示意性示出根據發明構思的實施例的嵌入式存儲裝置的框圖；[0059]圖23是示意性示出根據發明構思的實施例的通信設備的框圖；[0060]圖24是示意性示出根據發明構思的實施例的固態驅動器設備所被應用到的系統的圖；[0061]圖25是示意性示出根據發明構思的實施例的存儲卡的框圖；[0062]圖26是示意性示出根據發明構思的實施例的數字靜態相機的框圖；并且[0063]圖27是示意性示出圖25中所述的存儲卡所被應用到的各種系統的圖。【具體實施方式】[0064]將參考附圖詳細描述實施例。然而，發明構思可以以各種不同形式來具體實現，而不應當被解釋為僅限于所例示的實施例。更確切地說，這些實施例是作為示例來提供的，以使得本公開將會透徹且完整，并且將把發明構思的構思充分地傳達給本領域技術人員。因此，對于發明構思的一些實施例，不描述已知的過程、元件和技術。除非另有注明，否則相似的參考標記在各幅附圖和所寫描述各處表示相似的元件，從而將不重復描述。在附圖中，為了清晰起見，層和區域的大小和相對大小可被夸大。[0065]要理解，雖然在這里可使用術語“第一”、“第二”、“第三”等等來描述各種元件、組件、區域、層和/或片段，但這些元件、組件、區域、層和/或片段不應受這些術語所限。這些術語只是用于將一個元件、組件、區域、層或片段與另一區域、層或片段相區分。從而，以下論述的第一元件、組件、區域、層或片段可被稱為第二元件、組件、區域、層或片段，而不脫離發明構思的教導。[0066]空間關系術語，例如“在…下面”、“在…下方”、“下部的”、“在…之下”、“在…之上”、“上部的”等等，在這里為了容易描述起見可用來描述如圖中所示的一個元件或特征與另外的(一個或多個)元件或(一個或多個)特征的關系。將會理解，除了圖中所描繪的方位以外，空間相關術語還意在涵蓋設備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的設備被翻轉，那么被描述為在其它元件或特征“下方”、“下面”或“之下”的元件的方位于是將在其它元件或特征“之上”。從而，示范性術語“在…下方”和“在…之下”可涵蓋在上方和在下方這兩個方位。設備可處在其它方位(旋轉90度或在其它方位)并且這里使用的空間相關描述可被相應地解釋。此外，也將理解，當一層被稱為在兩層“之間”時，其可以是這兩層之間的唯一層，或者也可能存在一個或多個居間層。[0067]這里使用的術語只是為了描述特定實施例，而不意在限制發明構思。這里使用的單數形式的“一”和“一個”意在也包括復數形式，除非上下文另有明確指示。還要理解，術語“包括”和/或“包含”當在本說明書中使用時指明了所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。這里使用的術語“和/或”包括列出的相關聯項目中的一個或多個的任何和全部組合。另外，術語“示范性”意在指示例或圖示。[0068]將會理解，當一元件或層被稱為“在另一元件或層上”、“連接到另一元件或層”、“耦合到另一元件或層”或者“與另一元件或層相鄰”時，其可直接在該另一元件或層上、直接連接到該另一元件或層、直接耦合到該另一元件或層或者與該另一元件或層直接相鄰，或者可存在居間的元件或層。相反，當一元件被稱為“直接在另一元件或層上”、“直接連接到另一元件或層”、“直接耦合到另一元件或層”或“與另一元件或層緊鄰”時，則沒有居間的元件或層存在。[0069]除非另有定義，否則這里使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明構思所屬的【
技術領域：
】的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。還將理解，術語，例如常用的辭典中定義的那些術語，應當被解釋為具有與其在相關領域和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，而不會被以理想化的或過度正式的意義來解釋，除非這里明確地這樣定義。[0070]圖1A和圖1B是示意性示出在2位數據被存儲的操作期間非易失性存儲器單元的閾值電壓分布的圖。在圖1A中，示出了當利用低端數據(例如，最低有效位(leastsignificantbit,LSB)數據)來對存儲單元編程時形成的閾值電壓分布。在圖1B中，示出了當利用高端數據(例如，最高有效位(mostsignificantbit,MSB)數據)來對經LSB編程的存儲單元編程時形成的閾值電壓分布。[0071]參考圖1A，當被利用LSB數據來編程時，存儲單元可具有擦除狀態10或編程狀態12。可以讀取電壓RO為基礎來確定LSB數據。例如，存儲單元的LSB數據(I或O)可由流經被施加了讀取電壓RO的存儲單元的電流的量來區分。[0072]參考圖1B，當具有擦除狀態10或編程狀態12的經LSB編程的存儲單元被MSB編程時，其可具有擦除狀態20以及狀態22、24和26之一。狀態20至26可對應于2位數據。例如，20、22、24和26可以分別被設計為兩位數據“11”、“01”、“00”和“10”。有了這樣的位排序，可以讀取電壓R2為基礎來確定LSB數據，并且可以讀取電壓Rl和R3為基礎來確定MSB數據。然而，要充分理解，每個狀態的位指定不限于圖1B中所示的示例。[0073]在圖1B的示例中，存儲單元的LSB數據可由以位線電壓為基礎而讀取的值來決定，而該位線電壓是根據流經被施加了讀取電壓R2的存儲單元的電流的量來決定的。MSB數據可由第一值和第二值的組合來決定，其中，第一值是以根據流經被施加了讀取電壓Rl的存儲單元的電流的量決定的位線電壓為基礎來讀取的，第二值是以根據流經被施加了讀取電壓R3的存儲單元的電流的量決定的位線電壓為基礎來讀取的。[0074]讀取序列可根據按照外部讀取請求選擇的字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態而有所不同。換言之，讀取電壓可根據所選字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態而被改變。例如，所選字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態可通過參考標志單元的狀態來判定。例如，當在存儲單元處，MSB數據被編程時，標志單元可被編程為具有編程狀態24和26之一。[0075]在LSB頁數據的讀取操作中，當利用讀取電壓R2從根據讀取請求選擇的字線的存儲單元讀取LSB頁數據時,可將標志單元的狀態一起讀取。當從標志單元讀取的數據指示出所選字線處于LSB編程狀態時，可利用讀取電壓RO從所選字線的存儲單元再次讀取與讀取請求相對應的LSB頁數據。利用讀取電壓RO讀取的數據可以是與讀取請求相對應的LSB頁數據。當從標志單元讀取的數據指示出所選字線處于MSB編程狀態時，利用讀取電壓R2讀取的數據可以是與讀取請求相對應的LSB頁數據。[0076]在MSB頁數據的讀取操作中，當利用讀取電壓R2讀取根據讀取請求選擇的字線的存儲單元時，可將標志單元的狀態一起讀取。當從標志單元讀取的數據指示出所選字線處于MSB編程狀態時，可利用讀取電壓R3再次讀取所選字線的存儲單元。利用讀取電壓Rl和R3讀取的數據的組合可以是與讀取請求相對應的MSB頁數據。當從標志單元讀取的數據指示出所選字線處于LSB編程狀態時，利用讀取電壓Rl讀取的數據可以是與讀取請求相對應的MSB頁數據。[0077]如上所述的對標志單元的使用需要與讀取標志單元的狀態相關聯的讀取時間。即，例如，為確定LSB數據，可需要兩個讀取操作，即，確定所選字線處于LSB編程狀態的在讀取電壓R2處的第一讀取操作和讀取LSB數據的在RO處的第二讀取操作。因為讀取序列是利用標志單元決定的，所以執行讀取操作所花費的時間由于標志單元必須被讀取會增力口。相反，在如這里將描述的發明構思的實施例中，可在不使用標志單元的情況下確定每條字線的狀態(即，LSB編程狀態或MSB編程狀態)。確定每條字線的狀態可利用每條字線的編程深度信息在固件級別實現。在此情況下，可從讀取時間中排除確定標志單元的狀態所花費的時間。另外，可根據由每條字線的編程深度信息決定的讀取序列來讀取LSB頁數據。也就是說，在發明構思的情況下，為了根據所選字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態來確定頁數據，可不需兩個讀取操作。稍后將對此進行更充分的描述。[0078]圖2是示意性示出根據發明構思的實施例的存儲器系統的框圖。[0079]參考圖2，根據發明構思的實施例的存儲器系統可包括存儲器控制器1200和作為多位/多位階存儲器設備的非易失性存儲器設備1400。存儲器控制器1200可被配置為根據外部請求(例如寫入請求、讀取請求等等)控制非易失性存儲器設備1400。存儲器控制器1200可被配置為在沒有外部請求的情況下根據內部請求(例如，與突然斷電相關聯的操作、耗損均衡操作(wearlevelingoperat1n)、讀取回收操作(readreclaimoperat1n)等等)控制非易失性存儲器設備1400。存儲器控制器1200的與內部請求相對應的操作可在主機請求被處理之后在主機的超時時段內執行。可替換地，存儲器控制器1200的與內部請求相對應的操作可在存儲器控制器1200的空閑時間內執行。[0080]非易失性存儲器設備1400可響應于存儲器控制器1200的控制而操作，并且可被用作一類存儲數據信息的存儲介質。存儲介質可由一個或多個存儲器芯片形成。非易失性存儲器設備1400可經由一個或多個通道與存儲器控制器1200通信。非易失性存儲器設備1400例如可包括NAND閃速存儲器設備。在非易失性存儲器設備1400是每單元存儲2位數據的存儲器設備的情況下，2頁數據(以下稱為LSB頁數據和MSB頁數據)可被存儲在與每條字線相連接的存儲單元處。[0081]存儲器控制器1200可被配置為基于主機1600的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設備1400的每條字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態的信息。可在主機1600發出讀取請求時查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與主機1600的讀取請求相對應的字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態。存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400輸出不同的讀取命令之中與判定結果相對應的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括:指示字線處于LSB編程狀態時的讀取操作的第一讀取命令，和指示字線處于MSB編程狀態時的讀取操作的第二讀取命令。參考圖1A和圖1B的示例，當接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓RO的讀取操作。當接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓R2的讀取操作或利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。利用讀取電壓R2的讀取操作以及利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作可以從存儲器控制器1200提供的行地址中包括的頁地址為基礎來決定。[0082]從以上描述可理解，非易失性存儲器設備1400可以根據輸入的讀取命令決定的讀取序列為基礎來執行讀取操作。這可意味著確定標志單元的信息所花費的時間和/或執行額外的讀取操作(例如，圖1B中描述的RO讀取操作)所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統的讀取性能。[0083]在示范性實施例中，非易失性存儲器設備1400可不包括用于存儲指示出每條字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態的信息的標志單元。然而，發明構思不限于此。例如，非易失性存儲器設備1400可包括用于存儲指示出每條字線是處于LSB編程狀態還是MSB編程狀態的信息的標志單元。在此情況下，標志單元處存儲的信息可不用于決定參考圖1A和IB所述的讀取序列。例如，標志單元處存儲的信息必要時可用于恢復編程深度圖。可替換地，標志單元處存儲的信息可用于在加電時初始填充編程深度圖。[0084]在示范性實施例中，存儲器控制器1200和非易失性存儲器設備1400可構成直接安裝在便攜式電子設備的板上的多媒體卡(mult1-mediacard,MMC)或嵌入式MMC(embeddedMMC,eMMC)。然而,發明構思不限于此。[0085]圖3是示意性示出圖2中所示的存儲器控制器的示例的框圖。圖4是示意性示出被加載到圖2中所示的緩沖存儲器上的編程深度位圖的示例的圖。[0086]參考圖3，存儲器控制器1200可包括作為第一接口的主機接口1210、作為第二接口的存儲器接口1220、CPU1230、緩沖存儲器1240以及差錯檢測和校正電路(errordetectingandcorrectingcircuit,ECC)1250。[0087]主機接口1210可被配置為與外部設備(例如，主機)接口，并且存儲器接口1220可被配置為與圖2中所示的非易失性存儲器設備1400接口。CPU1230可被配置為控制控制器1200的整體操作。CPU1230例如可被配置為操作固件，比如閃速轉換層(FlashTranslat1nLayer,FTL)0FTL可執行多種功能。例如，FTL可包括執行地址映射操作、讀取回收操作、差錯校正操作等等的多種層。緩沖存儲器1240可用于臨時存儲要經由主機接口1210從外部設備傳送的數據或者要經由存儲器接口1220從非易失性存儲器設備1400傳送的數據。緩沖存儲器1240可由DRAM、SRAM或者DRAM和SRAM的組合形成。然而，發明構思不限于此。ECC1250可被配置為對要存儲在非易失性存儲器設備1400中的數據進行編碼并且對從非易失性存儲器設備1400讀出的數據進行解碼。[0088]緩沖存儲器1240可用于存儲控制非易失性存儲器設備1400所必要的信息。例如，地址映射表1241和編程深度位圖1242可被存儲在緩沖存儲器1240處。地址映射表1241可用于存儲從主機1600提供的邏輯地址與非易失性存儲器設備1400的物理地址之間的映射關系。編程深度位圖1242可用于存儲指示非易失性存儲器設備1400的每條字線上的MSB編程狀態的編程深度信息。[0089]參考圖4，例如，編程深度位圖1242可包括分別與非易失性存儲器設備1400的字線WLl至WLn相對應的位信息。位信息可分別具有初始值“I”。為“I”的位信息可指示出字線處于LSB編程狀態或擦除狀態，也就是說不處于MSB編程狀態。可根據主機1600的寫入請求來改變(或更新)編程深度位圖1242的位信息。換言之，可根據在主機1600發出寫入請求時存儲器控制器1200的物理地址來改變(或更新)編程深度位圖1242的位信息。當對特定字線的寫入操作被請求兩次時(或者，對特定字線的MSB編程操作被請求時)，特定字線的位信息可被從“I”改變到“O”。位信息的改變可通過更新存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來完成。是否需要對特定字線的MSB編程操作可以要訪問的頁的地址(例如，每條字線的物理頁地址)為基礎來判定。然而，用于判定是否需要對特定字線的MSB編程操作的基準不限于本公開的示例。[0090]在主機1600發出讀取請求時，存儲器控制器1200可判定與存儲被讀取請求的數據的頁相對應的字線是否處于MSB編程狀態。這可以編程深度位圖1242為基礎來執行。當編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線不處于MSB編程狀態時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供伴隨利用讀取電壓RO的讀取操作的第一讀取命令。當接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓RO的讀取操作。這里，與第一讀取命令相對應的讀取序列可不包括確定標志單元的狀態的操作。[0091]當編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線處于MSB編程狀態時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供伴隨利用讀取電壓R2的讀取操作或利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓R2的讀取操作或利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。這里，與第二讀取命令相對應的讀取序列可不包括確定標志單元的狀態的操作。在要訪問的字線的頁地址對應于LSB頁時，可執行利用讀取電壓R2的讀取操作。在要訪問的字線的頁地址對應于MSB頁時，可執行利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。[0092]發明構思的存儲器控制器1200可基于關于要訪問的字線的編程深度信息來生成不同的讀取命令，并且非易失性存儲器設備1400可執行與輸入的讀取命令相對應的讀取序列。在此情況下，發明構思的存儲器系統可不需要用于存儲字線的編程狀態的標志單元。這可意味著確定標志單元的信息所花費的時間和/或執行額外的讀取操作所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統的讀取性能。[0093]雖然在圖中沒有示出，但存儲器控制器1200還可包括隨機化器/解隨機化器，該隨機化器/解隨機化器被配置為對要存儲在非易失性存儲器設備1400中的數據進行隨機化并且對從非易失性存儲器設備1400讀取的數據進行解隨機化。隨機化器/解隨機化器的示例在第2010/0088574號美國專利公布中公開，通過引用將其全部內容結合于此。[0094]在示范性實施例中，主機接口1210可由計算機總線標準、存儲總線標準和iFCPPeripheral總線標準之一或者兩種或更多種標準的組合形成。計算機總線標準可包括S-100總線、Mbus,Smbus,Q-Bus,ISA、ZorroI1、ZorroII1、CAMAC,FASTBUS、LPC、EISA、VME,VXI,NuBus,TURBOchannel,MCA、Sbus、VLB、PC1、PXI,HPGSC總線、CoreConnect、InfiniBand、UPA、PCI_X、AGP、PCIe、英特爾QuickPath互連(IntelQuickPathInterconnect)、超傳輸(HyperTransport)等等。存儲總線標準可包括ST_506、ESD1、SMD、并行ΑΤΑ、DMA、SSA,HIPP1、USBMSC,FireWire(1394)、串行ΑΤΑ、eSATA、SCS1、并行SCS1、串行附接SCS1、光纖通道(FibreChannel)、iSCS1、SAS、Rapid1、FCIP等等。iFCPPeripheral總線標準可包括蘋果桌面總線(AppleDesktopBus)、HIL、MID1、Multibus、RS-232、DMX512-A、EIA/RS-422、IEEE-1284,UNI/0、1-Wire、I2C、SPI,EIA/RS-485、USB、相機鏈路(CameraLink)、外部PCIe、光峰(LightPeak)、多站總線(MultidropBus)等等。[0095]圖5是示意性示出圖2中所示的非易失性存儲器設備的示例的框圖。[0096]非易失性存儲器設備1400例如可以是NAND閃速存儲器設備。然而，要充分理解，非易失性存儲器設備1400不限于NAND閃速存儲器設備。例如，發明構思可被應用到NOR閃速存儲器設備、電阻式隨機存取存儲器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)設備、相變存儲器(Phase-ChangeMemory,PRAM)設備、磁阻式隨機存取存儲器(MagnetroresistiveRandomAccessMemory,MRAM)設備、鐵電隨機存取存儲器(FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM)設備、自旋轉移矩隨機存取存儲器(SpinTransferTorqueRandomAccessMemory，STT-RAM)等等。另外，非易失性存儲器設備1400可實現為具有三維陣列結構并且其示例將在稍后參考圖15進行描述。具有三維陣列結構的非易失性存儲器設備可被稱為垂直NAND閃速存儲器設備。發明構思可被應用到包括由絕緣膜形成的電荷存儲層的電荷俘獲閃速(ChargeTrapFlash,CTF)存儲器設備，以及包括由導電浮柵形成的電荷存儲層的閃速存儲器設備。[0097]參考圖5，非易失性存儲器設備1400可包括存儲單元陣列1410、地址譯解碼器1420、電壓生成器1430、控制邏輯1440、頁緩沖電路1450以及輸入/輸出接口1460。[0098]存儲單元陣列1410可包括布置在行(例如，字線)和列(例如，位線)的交叉點處的存儲單元。每個存儲單元可存儲I位數據或作為多位數據的M位數據(M為2或以上的整數)。與稍后圖6的實施例相反，該實施例的存儲單元陣列1410可不包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元。地址解碼器1420可受控制邏輯1440控制，并且可對存儲單元陣列1410的行(例如，字線、(一條或多條)串選擇線、(一條或多條)地選擇線、共源線等等)執行選擇和驅動操作。電壓生成器1430可受控制邏輯1440控制，并且可生成每個操作所需的電壓，例如高電壓、編程電壓、讀取電壓、驗證電壓、擦除電壓、通過電壓、體電壓等等。由電壓生成器1430生成的電壓可經由地址解碼器1420被提供給存儲單元陣列1410。[0099]頁緩沖電路1450可受控制邏輯1440控制，并且可被配置為從存儲單元陣列1410讀取數據并根據編程數據來驅動存儲單元陣列1410的列(例如，位線)。頁緩沖電路1450可包括分別與位線或位線對相對應的頁緩沖器。每個頁緩沖器可包括多個鎖存器。輸入/輸出接口1460可受控制邏輯1440控制，并且可與外部設備(例如，圖2中所示的存儲器控制器1200)接口。雖然在圖5中沒有示出，但輸入/輸出接口1460可包括列解碼器、接收數據的輸入緩沖器、輸出數據的輸出緩沖器等等，所述列解碼器被配置為按預定的單位選擇頁緩沖電路1450的頁緩沖器。[0100]控制邏輯1440可被配置為控制非易失性存儲器設備1400的整體操作。控制邏輯1440可判定從存儲器控制器1200提供的讀取命令是否是伴隨利用讀取電壓RO的讀取操作的第一讀取命令。如果從存儲器控制器1200提供的讀取命令是第一讀取命令，則控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430生成讀取電壓RO。然后，讀取操作可在控制邏輯1440的控制下被執行，其中，讀取電壓RO被施加到所選的字線。[0101]如果從存儲器控制器1200提供的讀取命令被判定為不是第一讀取命令，則控制邏輯1440可判定與讀取命令一起輸入的頁地址是否是LSB頁地址。如果輸入的頁地址是LSB頁地址，則控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430生成讀取電壓R2。然后，讀取操作可在控制邏輯1440的控制下被執行，其中，讀取電壓R2被施加到所選的字線。如果輸入的頁地址不是LSB頁地址，則控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430順序地生成讀取電壓Rl和R3。然后，讀取操作可在控制邏輯1440的控制下被順序地執行，其中，讀取電壓Rl和R3中的每一個被施加到所選的字線。[0102]在示范性實施例中，地址解碼器1420、電壓生成器1430和頁緩沖電路1450可構成被配置為從存儲單元陣列1410讀取數據和在存儲單元陣列1410處存儲數據的讀取/寫入電路。可替換地，頁緩沖電路1450可構成被配置為從存儲單元陣列1410讀取數據和在存儲單元陣列1410處存儲數據的讀取/寫入電路。[0103]圖6是示意性示出根據發明構思的另一實施例的圖2的非易失性存儲器設備的框圖。[0104]參考圖6，非易失性存儲器設備1400a可包括存儲單元陣列1410a、地址解碼器1420a、電壓生成器1430a、控制邏輯1440a、頁緩沖電路1450a以及輸入/輸出接口1460a。除了存儲單元陣列1410a以外，圖6的非易失性存儲器設備1400a與先前描述的圖5的相同，從而這里的描述聚焦于存儲單元陣列1410a以避免冗余。[0105]存儲單元陣列1410a可包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元。標志單元可在字線的MSB編程操作時被編程。存儲在標志單元處的編程狀態信息可用于在加電或突然斷電時制作編程深度位圖1242，在正常讀取操作中不被使用。然而，發明構思不限于此。[0106]圖7是示意性示出根據發明構思的實施例的存儲器控制器的寫入操作方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據發明構思的實施例的存儲器控制器的寫入操作方法。[0107]參考圖7，在操作SlOO中，存儲器控制器1200可從主機1600接收寫入請求。此時，被寫入請求的數據可被臨時存儲在緩沖存儲器1240處。在操作SllO中，存儲器控制器1200可將與寫入請求一起輸入的邏輯地址(logicaladdress,LA)映射到非易失性存儲器設備1400的物理地址(physicaladdress,PA)上。在操作S120中，存儲器控制器1200可判定是否需要對編程深度位圖(programdepthbitmap,F1DBM)1242的更新。例如，可判定映射的物理地址的頁地址是否是MSB頁地址。如果映射的物理地址的頁地址不是MSB頁地址，則該方法可前進到操作S130，在該操作中存儲在緩沖存儲器1240處的地址映射表(addressmappingtable,AMT)1241可被更新。然后,該方法可前進到操作S150。如果映射的物理地址的頁地址不是MSB頁地址，則該方法可前進到操作S140，在該操作中地址映射表1241和編程深度位圖1242被更新。對編程深度位圖1242的更新可通過把要訪問的字線的位信息從“I”改變到“O”來完成。然后，該方法可前進到操作S150。在操作S150中，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供編程命令和臨時存儲在緩沖存儲器1240處的寫入數據。然后，該方法可結束。[0108]在示范性實施例中，可以用邏輯地址和物理地址的映射來替換在操作S130和S140中對地址映射表1241的更新。[0109]圖8是示意性示出根據發明構思的實施例的存儲器控制器的讀取操作方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據發明構思的實施例的存儲器控制器的讀取操作方法。[0110]參考圖8，在操作S200中，存儲器控制器1200可從主機1600接收讀取請求。在操作S210中，存儲器控制器1200可基于存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來判定與存儲被讀取請求的數據的頁相對應的字線是否處于MSB編程狀態。如果要訪問的字線被判定為不處于MSB編程狀態(例如具有為“I”的編程深度位(programdepthbit，PDB)信息)，則該方法可前進到操作S220，在該操作中存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400發出第一讀取命令。第一讀取命令可以是指示出要訪問的字線不處于MSB編程狀態的讀取命令，并且非易失性存儲器設備1400在接收到第一讀取命令時可執行利用讀取電壓RO的讀取操作。[0111]如果要訪問的字線被判定為處于MSB編程狀態(例如具有為“O”的PDB信息)，則該方法可前進到操作S230，在該操作中存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400發出第二讀取命令。第二讀取命令可以是指示出要訪問的字線處于MSB編程狀態的讀取命令，并且非易失性存儲器設備1400在接收到第二讀取命令時可執行利用讀取電壓R2的讀取操作或者利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。然后，該方法可結束。[0112]圖9是示意性示出根據發明構思的實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據發明構思的實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法。[0113]參考圖9，在操作S300中，非易失性存儲器設備1400可從存儲器控制器1200接收讀取命令。在操作S310中，控制邏輯1440可判定輸入的讀取命令是否是第一讀取命令。當輸入的讀取命令被判定為是第一讀取命令時，該方法可前進到操作S320。這里，輸入的讀取命令是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線不處于MSB編程狀態。在操作S320中，可執行利用讀取電壓RO的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓RO被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓RO被施加到要訪問的字線。在操作S330中，讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0114]返回到操作S310，如果輸入的讀取命令不是第一讀取命令，則該方法可前進到操作S340。這里，輸入的讀取命令不是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線處于MSB編程狀態。在操作S340中，可判定要訪問的字線的讀取操作是否是LSB讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是LSB頁地址。在要訪問的字線的頁地址是LSB頁地址的情況下，該方法可前進到操作S350，在該操作中執行利用讀取電壓R2的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R2被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓R2被施加到要訪問的字線。在操作S330中，讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0115]返回到操作S340，如果要訪問的字線的頁地址不是LSB頁地址，則該方法可前進到操作S370。在操作S370中，執行利用讀取電壓Rl的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓Rl被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓Rl被施加到要訪問的字線。在操作S380中，執行利用讀取電壓R3的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R3被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓R3被施加到要訪問的字線。在操作S390中，利用讀取電壓Rl和R3讀出的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。然后，該方法可結束。[0116]圖10是用于在描述根據發明構思的存儲器系統的讀取性能的改善時參考的圖。在圖10中，塊BlOO可示出以使用標志單元的傳統方式執行LSB頁讀取操作和MSB頁讀取操作所花費的讀取時間(其中，R/nB為低)。塊B200可示出以使用編程深度位圖1242，即不使用標記單元執行LSB頁讀取操作和MSB頁讀取操作所花費的讀取時間。[0117]在使用標志單元的情況下，在LSB頁讀取操作中，在tR2期間可執行利用讀取電壓R2的讀出操作。此時，標志單元的數據也可被讀出。在tMFC期間可判定從標志單元讀取的數據是指示LSB編程狀態還是MSB編程狀態。如果從標志單元讀取的數據指示LSB編程狀態，則在tRO期間可額外地執行利用讀取電壓RO的讀出操作。利用讀取電壓RO讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出。如果從標志單元讀取的數據指示MSB編程狀態，則利用讀取電壓R2讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出。[0118]在使用標志單元的情況下，在MSB頁讀取操作中，在tRl期間可執行利用讀取電壓Rl的讀出操作。此時，標志單元的數據也可被讀出。在tMFC期間可判定從標志單元讀取的數據是指示LSB編程狀態還是MSB編程狀態。如果從標志單元讀取的數據指示MSB編程狀態，則在tR3期間可執行利用讀取電壓R3的讀出操作。利用讀取電壓Rl和R3讀出的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出。如果從標志單元讀取的數據指示LSB編程狀態，則頁緩沖電路1450可被設定到設定狀態(例如，數據“I”)，并且設定狀態的數據可作為被讀取請求的數據被輸出。[0119]因此，對標志單元和單個讀取命令的傳統使用可使得判定從標志單元讀取的數據是否指示MSB編程狀態的執行時間tMFC成為必要。在發明構思的實施例的存儲器系統的情況下，參考塊B200，當接收到第一讀取命令時，在tRO期間可執行利用讀取電壓RO的讀出操作。利用讀取電壓RO讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出。當接收到第二讀取命令時，可判定與第二讀取命令一起輸入的頁地址是否是LSB頁地址。當輸入的頁地址是LSB頁地址時，在tR2期間可執行利用讀取電壓R2的讀取操作。利用讀取電壓R2讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出。當輸入的頁地址是MSB頁地址時，在tRl期間可執行利用讀取電壓Rl的讀取操作，在tR3期間可執行利用讀取電壓R3的讀取操作。利用讀取電壓Rl和R3讀出的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出。[0120]與使用標志單元的讀取操作相比，發明構思的實施例可不需要判定從標志單元讀取的數據是否指示MSB編程狀態所花費的時間tMFC。從而，可以改善根據發明構思的實施例的存儲器系統的讀取性能。與使用標志單元的讀取操作相比，無論是否執行對所選字線的MSB頁編程操作，執行LSB頁讀取操作所花費的時間tR2和tRO都可彼此相等。另外，根據所選字線是否處于MSB編程狀態，可從存儲器控制器1200提供不同的讀取命令。[0121]圖11是示意性示出每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的閾值電壓分布的圖。[0122]在每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備中，存儲單元可具有圖11中所示的多個狀態30至37之一。在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲3頁數據。例如，在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲最低頁數據(或者，第一頁數據)、中間頁數據(或者，第二頁數據)和最高頁數據(或者，第三頁數據)。圖11中所示的位排序可以是示范性的，并且發明構思不限于此。[0123]最低頁數據可在讀取電壓R4-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取。中間頁數據可以是在讀取電壓R2-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據和在讀取電壓R6-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據的組合。最高頁數據可以是在讀取電壓R1-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R3-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R5-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據以及在讀取電壓R7-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據的組合。[0124]所選字線中的頁之中被讀取請求的頁可如上所述根據頁地址信息來確定。[0125]在每個存儲單元處存儲3位數據的情況下，存儲器控制器1200可管理包括與每條字線相對應的位信息的編程深度位圖1242。編程深度位圖1242的位信息可根據主機1600的寫入請求而被改變(或更新)。例如，當對特定字線的寫入操作被請求兩次時，該特定字線的位信息可被從“I”改變到“O”。位信息的改變可通過更新存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來完成。是否需要對特定字線的高端編程操作(例如，對第二或第三頁數據的編程操作)可以要訪問的頁的地址為基礎來判定。然而，用于判定是否需要對特定字線的高端編程操作的基準不限于本公開的示例。[0126]在主機1600發出讀取請求時，存儲器控制器1200可判定與存儲被讀取請求的數據的頁相對應的字線是否處于高端頁編程狀態。這可以編程深度位圖1242為基礎來執行。當編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線不處于高端頁編程狀態時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供伴隨利用讀取電壓R4-3P的讀取操作的第一讀取命令。當接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓R4-3P的讀取操作。這里，與第一讀取命令相對應的讀取序列可不包括確定標志單元的狀態的操作。[0127]當編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線處于高端頁編程狀態時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供伴隨利用讀取電壓R4-3P的讀取操作、利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀取操作或者利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓R4-3P的讀取操作、利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀取操作或者利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作。這里，與第二讀取命令相對應的讀取序列可不包括確定標志單元的狀態的操作。[0128]利用讀取電壓R4-3P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第一頁地址時執行，利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第二頁地址時執行，并且利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第三頁地址時執行。[0129]發明構思的實施例的存儲器控制器1200可基于關于要訪問的字線的編程深度信息來生成不同的讀取命令，并且非易失性存儲器設備1400可執行與輸入的讀取命令相對應的讀取序列。在此情況下，發明構思的存儲器系統可不需要讀取存儲字線的編程狀態的標志單元。這可意味著確定標志單元的信息所花費的時間和/或執行額外的讀取操作所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統的讀取性能。[0130]圖12是示意性示出根據發明構思的另一實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據發明構思的另一實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法。[0131]參考圖12，在操作S400中，非易失性存儲器設備1400可從存儲器控制器1200接收讀取命令。在操作S410中，控制邏輯1440可判定輸入的讀取命令是否是第一讀取命令。當輸入的讀取命令被判定為是第一讀取命令時，該方法可前進到操作S420。這里，輸入的讀取命令是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線不處于高端頁編程狀態。在操作S420中，可執行利用讀取電壓RO的讀出操作(參考圖1A)。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓RO被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓RO被施加到要訪問的字線。在操作S430中，讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0132]返回到操作S410，如果輸入的讀取命令不是第一讀取命令，則該方法可前進到操作S440。這里，輸入的讀取命令不是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線處于高端頁編程狀態。在操作S440中，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第一頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第一頁地址，則該方法可前進到操作S450，在該操作中執行利用讀取電壓R4-3P的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R4-3P被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓R4-3P被施加到要訪問的字線。在操作S460中，讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0133]返回到操作S440，如果要訪問的字線的頁地址不是第一頁地址，則該方法可前進到操作S470，在該操作中判定要訪問的字線的讀取操作是否是第二頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第二頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第二頁地址，則該方法可前進到操作S480，在該操作中執行利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀出操作。在操作S490中，通過利用讀取電壓R2-3P的讀取操作讀取的數據和通過利用讀取電壓R6-3P的讀取操作讀取的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0134]返回到操作S470，如果要訪問的字線的頁地址不是第二頁地址，則該方法可前進到操作S500，在該操作中執行利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀出操作。在操作S510中，通過利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作讀取的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0135]圖13是示意性示出每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的閾值電壓分布的圖。[0136]在每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備中，存儲單元可具有圖13中所示的多個狀態40至55之一。在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲4頁數據。例如，在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲最低頁數據(或者，第一頁數據)、第一中間頁數據(或者，第二頁數據)、第二中間頁數據(或者，第三頁數據)和最高頁數據(或者，第四頁數據)。圖13中所示的位排序可以是示范性的，并且發明構思不限于此。[0137]最低頁數據可在讀取電壓R8-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取。第一中間頁數據可以是在讀取電壓R12-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據和在讀取電壓R2-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據的組合。第二中間頁數據可以是在讀取電壓R2-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R6-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R10-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據以及在讀取電壓R14-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據的組合。[0138]最高頁數據可以是以下數據的組合:在讀取電壓R1-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R3-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R5-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R7-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R9-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R11-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據、在讀取電壓R13-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據以及在讀取電壓R15-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數據。[0139]所選字線中的頁之中要被讀取請求的頁可如上所述根據頁地址信息來確定。[0140]在每個存儲單元處存儲4位數據的情況下，存儲器控制器1200可管理包括與每條字線相對應的位信息的編程深度位圖1242。編程深度位圖1242的位信息可根據主機1600的寫入請求而被改變(或更新)。例如，當對特定字線的寫入操作被請求兩次時，該特定字線的位信息可被從“I”改變到“O”。位信息的改變可通過更新存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來完成。是否需要對特定字線的高端編程操作(例如，對第二、第三或第四頁數據的編程操作)可以要訪問的頁的地址為基礎來判定。然而，用于判定是否需要對特定字線的高端編程操作的基準不限于本公開的示例。[0141]在主機1600發出讀取請求時，存儲器控制器1200可判定與存儲被讀取請求的數據的頁相對應的字線是否處于高端頁編程狀態。這可以編程深度位圖1242為基礎來執行。當編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線不處于高端頁編程狀態時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供伴隨利用讀取電壓R8-4P的讀取操作的第一讀取命令。當接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓R8-4P的讀取操作。這里，與第一讀取命令相對應的讀取序列可不包括確定標志單元的狀態的操作。[0142]當編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線處于高端頁編程狀態時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設備1400提供伴隨利用讀取電壓R8-4P的讀取操作、利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀取操作、利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀取操作、或者利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、Rl1-4P、R13-4P和R15-4P的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設備1400可執行利用讀取電壓R8-4P的讀取操作、利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀取操作、利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀取操作、或者利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、R11-4P、R13-4P和R15-4P的讀取操作。這里，與第二讀取命令相對應的讀取序列可不包括確定標志單元的狀態的操作。[0143]利用讀取電壓R8-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第一頁地址時執行，利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第二頁地址時執行，利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第三頁地址時執行，并且利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、R11-4P、R13-4P和R15-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第四頁地址時執行。[0144]發明構思的實施例的存儲器控制器1200可基于關于要訪問的字線的編程深度信息來生成不同的讀取命令，并且非易失性存儲器設備1400可執行與輸入的讀取命令相對應的讀取序列。在此情況下，發明構思的存儲器系統可不需要讀取存儲字線的編程狀態的標志單元。這可意味著確定標志單元的信息所花費的時間和/或執行額外的讀取操作所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統的讀取性能。[0145]圖14是示意性示出根據發明構思的又一實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據發明構思的又一實施例的非易失性存儲器設備的讀取方法。[0146]參考圖14，在操作S600中，非易失性存儲器設備1400可從存儲器控制器1200接收讀取命令。在操作S610中，控制邏輯1440可判定輸入的讀取命令是否是第一讀取命令。當輸入的讀取命令被判定為是第一讀取命令時，該方法可前進到操作S620。這里，輸入的讀取命令是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線不處于高端頁編程狀態。在操作S620中，可執行利用讀取電壓RO的讀出操作(參考圖1A)。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器1430電路以使得讀取電壓RO被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓RO被施加到要訪問的字線。在操作S630中，讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0147]返回到操作S610，如果輸入的讀取命令不是第一讀取命令，則該方法可前進到操作S640。這里，輸入的讀取命令不是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線處于高端頁編程狀態。在操作S640中，可判定要訪問的字線的讀取操作是否是第一頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第一頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第一頁地址，則該方法可前進到操作S650，在該操作中執行利用讀取電壓R8-4P的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R8-4P被生成。可通過頁緩沖電路1450執行讀出操作，其中，讀取電壓R8-4P被施加到要訪問的字線。在操作S660中，讀出的數據可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0148]返回到操作S640，如果要訪問的字線的頁地址不是第一頁地址，則該方法可前進到操作S670，在該操作中判定要訪問的字線的讀取操作是否是第二頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第二頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第二頁地址，則該方法可前進到操作S680，在該操作中執行利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀出操作。在操作S690中，通過利用讀取電壓R4-4P的讀取操作讀取的數據和通過利用讀取電壓R12-4P的讀取操作讀取的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0149]返回到操作S670，如果要訪問的字線的頁地址不是第二頁地址，則該方法可前進到操作S700，在該操作中判定要訪問的字線的讀取操作是否是第三頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第三頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第三頁地址，則該方法可前進到操作S710，在該操作中執行利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀出操作。在操作S720中，通過利用讀取電壓R2-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R6-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R10-4P的讀取操作讀取的數據和通過利用讀取電壓R14-4P的讀取操作讀取的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。[0150]返回到操作S700，如果要訪問的字線的頁地址不是第三頁地址(B卩，要訪問的字線的頁地址是第四頁地址)，則該方法可前進到操作S730，在該操作中執行利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、R11-4P、R13-4P和R15-4P的讀出操作。在操作S740中，通過利用讀取電壓R1-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R3-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R5-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R7-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R9-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R11-4P的讀取操作讀取的數據、通過利用讀取電壓R13-4P的讀取操作讀取的數據和通過利用讀取電壓R15-4P的讀取操作讀取的數據的組合可作為被讀取請求的數據被輸出到存儲器控制器1200。然后，該方法可結束。[0151]圖15是示意性示出根據發明構思的又一實施例的非易失性存儲器設備的框圖。[0152]參考圖15，非易失性存儲器設備1400b可包括存儲單元陣列1410b、地址解碼器1420b、電壓生成器1430b、控制邏輯1440b、頁緩沖電路1450b以及輸入/輸出接口1460b。除了存儲單元陣列1410b以外，圖15的非易失性存儲器設備1400b與圖5的相同，從而這里的描述聚焦于存儲單元陣列1410b以避免冗余。[0153]存儲單元陣列1410b可以是三維存儲單元陣列，并且可包括多個存儲塊BLKl至BLKz，其中每一個被形成為具有三維結構(或者，垂直結構)。在具有二維(水平)結構的存儲塊中，可在與基板表面平行的方向上形成存儲單元。在具有三維結構的存儲塊中，可在與基板表面垂直的方向上形成存儲單元。存儲塊BLKl至BLKz中的每一個可以是非易失性存儲器設備1400b的擦除單位。[0154]圖16是示意性示出圖15中所示的存儲塊的3D結構的透視圖。參考圖16，可在與基板SUB垂直的方向上形成存儲塊BLK1。可在基板SUB處形成η+摻雜區域。可依次在基板SUB上淀積柵電極層和絕緣層。可在柵電極層與絕緣層之間形成電荷存儲層。[0155]如果在垂直方向上圖案化柵電極層和絕緣層，則可形成V形柱。該柱可經由柵電極層和絕緣層與基板SUB相連接。柱的外部部分O可由通道半導體形成，并且其內部部分I可由諸如二氧化硅之類的絕緣材料形成。[0156]存儲塊BLKl的柵電極層可與地選擇線GSL、多條字線WLl至WL8以及串選擇線SSL相連接。存儲塊BLKl的柱可與多條位線BLl至BL3相連接。在圖16中，示出了一個存儲塊BLKl具有兩條選擇線SSL和GSL、八條字線WLl至WL8以及三條位線BLl至BL3的情況。然而，發明構思不限于此。[0157]圖17是圖16中所示的存儲塊的等效電路。參考圖17，NAND串NSll至NS33可連接在位線BLl至BL3和共源線CSL之間。每個NAND串(例如，NS11)可包括串選擇晶體管SST、多個存儲單元MCl至MC8以及地選擇晶體管GST。[0158]串選擇晶體管SST可與串選擇線SSLl至SSL3相連接。存儲單元MCl至MC8可分別與相應的字線WLl至WL8相連接。地選擇晶體管GST可與地選擇線GSLl至GSL3相連接。在每個NAND串中，串選擇晶體管SST可與位線相連接，并且地選擇晶體管GST可與共源線CSL相連接。[0159]具有相同高度的字線(例如，WLl)可被公共連接，并且串選擇線SSLl至SSL3可與彼此分離。地選擇線GSLl至GSL3可被共同連接。在對與第一字線WLl連接并且包括在NAND串NSl1、NS12和NS13中的存儲單元(構成一頁)編程時，第一字線WLl和第一串選擇線SSLl可以被選擇。[0160]圖18是示意性示出根據發明構思的實施例的計算系統的框圖。計算系統可包括處理單元2101、用戶接口2202、諸如基帶芯片集之類的調制解調器2303、存儲器控制器2404以及存儲介質2505。[0161]存儲器控制器2404可與圖3中所述的控制器相同或者基本上相同地那樣來配置，并且存儲介質2505可由與圖5、圖6或或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設備形成。例如，存儲器控制器2404可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設備的每條字線是處于低端頁編程狀態(例如，LSB頁編程狀態)還是高端頁編程狀態(例如，在每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的情況下的中間/MSB頁編程狀態，或者在每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態)的信息。在主機發出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應的字線是處于低端頁編程狀態還是高端頁編程狀態，并且存儲器控制器2404可向非易失性存儲器設備輸出不同的讀取命令之中與判定結果相對應的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態時的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設備可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執行讀取操作。在發明構思的實施例中，當與使用標志單元的情況相比時，判定從標志單元讀取的數據是否指示高端頁編程狀態所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0162]已被/要被處理單元2101處理的N位數據(N為I或以上的整數)可通過存儲器控制器2404被存儲在存儲介質2505中。在計算系統是移動設備的情況下，在計算系統中還可包括電池2606以向其供應操作電壓。雖然在圖18中沒有示出，但計算系統還可包括應用芯片集、相機圖像處理器(cameraimageprocessor,CIS)、移動DRAM等等。[0163]圖19是示意性示出根據發明構思的實施例的固態驅動器的框圖。[0164]參考圖19，固態驅動器(solidstatedrive，SSD)4000可包括存儲介質4100和控制器4200。存儲介質4100可經由多條通道與控制器4200連接，其中每條通道與多個非易失性存儲器公共連接。[0165]控制器4200可與聯系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且存儲介質4100中的每個非易失性存儲器設備可由圖、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設備形成。例如，控制器4200可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設備的每條字線是處于低端頁編程狀態(例如，LSB頁編程狀態)還是高端頁編程狀態(例如，在每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的情況下的中間/MSB頁編程狀態，或者在每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態)的信息。在主機發出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應的字線是處于低端頁編程狀態還是高端頁編程狀態，并且存儲器控制器4200可向非易失性存儲器設備輸出不同的讀取命令之中與判定結果相對應的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態時的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設備可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執行讀取操作。在發明構思的實施例中，當與使用標志單元的情況相比時，判定從標志單元讀取的數據是否指示高端頁編程狀態所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0166]圖20是示意性示出使用圖19中所示的固態驅動器的存儲裝置的框圖，并且圖21是示意性示出使用圖19中所示的固態驅動器的存儲服務器的框圖。[0167]根據發明構思的實施例的SSD4000可用于形成存儲裝置。如圖20中所示，該存儲裝置可包括與聯系圖19所述相同或基本上相同地來配置的多個固態驅動器4000。根據發明構思的實施例的SSD4000可用于配置存儲服務器。如圖21中所示，存儲服務器可包括與聯系圖19所述的相同或基本上相同地來配置的多個固態驅動器4000，以及服務器4000A。另外，在存儲服務器中可設有公知的RAID控制器4000B。[0168]圖22是示意性示出根據發明構思的實施例的嵌入式存儲裝置的框圖。參考圖22，嵌入式存儲裝置5000可包括至少一個NAND閃速存儲器設備5100和控制器5200。嵌入式存儲裝置5000(例如，MoviNAND?)可支持MMC4.4(也稱為“eMMC”)標準。[0169]NAND閃速存儲器設備5100可以是單數據速率(singledatarate,SDR)NAND閃速存儲器設備或雙數據速率(doubledatarate，DDR)NAND閃速存儲器設備。在示范性實施例中，NAND閃速存儲器設備5100可包括NAND閃速存儲器芯片。這里，NAND閃速存儲器設備5100可通過將NAND閃速存儲器芯片堆疊在一個封裝中來實現(例如，細間距球柵陣列(Fine-pitchBallGridArray,FBGA)等等)。[0170]控制器5200可與聯系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且NAND閃速存儲器設備5100可由與圖5、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設備形成。例如，控制器5200可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出NAND閃速存儲器設備5100的每條字線是處于低端頁編程狀態(例如，LSB頁編程狀態)還是高端頁編程狀態(例如，在每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的情況下的中間/MSB頁編程狀態，或者在每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態)的信息。在主機發出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應的字線是處于低端頁編程狀態還是高端頁編程狀態，并且控制器5200可向NAND閃速存儲器設備5100輸出不同的讀取命令之中與判定結果相對應的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態時的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，NAND閃速存儲器設備5100可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執行讀取操作。在發明構思的實施例中，當與使用標志單元的情況相比時，判定從標志單元讀取的數據是否指示高端頁編程狀態所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0171]控制器5200可經由多條通道與NAND閃速存儲器設備5100連接。控制器5200可包括至少一個控制器核5210、主機接口5220以及NAND接口5230。控制器核5210可控制嵌入式存儲裝置5000的整體操作。主機接口5220可被配置為在控制器5200與主機之間執行MMC接口。NAND接口5230可被配置為在NAND閃速存儲器設備5100與控制器5200之間接口。在示范性實施例中，主機接口5220可以是并行接口(例如，MMC接口)。在其它示范性實施例中，嵌入式存儲裝置5000的主機接口5220可以是串行接口(例如，UHS-1I,UFS坐坐、寸寸7ο[0172]嵌入式存儲裝置5000可從主機接收供電電壓Vcc和Vccq。這里，供電電壓Vcc(約3.3V)可被供應給NAND閃速存儲器設備5100和NAND接口5230，而供電電壓Vccq(約1.8V/3.3V)可被供應給控制器5200。在示范性實施例中，可以可選地向嵌入式存儲裝置5000供應外部高電壓Vpp。[0173]根據發明構思的實施例的嵌入式存儲裝置5000可以有利地存儲海量數據，而且實現改善的讀取特性。根據發明構思的實施例的嵌入式存儲裝置5000可應用到小型和低功率移動產品(例如，GalaxyS"、iPhone'等等)。[0174]圖23是示意性示出根據發明構思的實施例的通信設備的框圖。參考圖23，通信設備6000可包括通信單元6100、控制器6200、存儲器單元6300、顯示單元6400、觸摸屏單元6500以及音頻單元6600。存儲器單元6300可包括至少一個DRAM6310、至少一個OneNAND?6320以及至少一個moviNAND?(或者，嵌入式存儲裝置)6330。[0175]對移動設備的詳細描述在第2010/0062715號、第2010/0309237號和第2010/0315325號美國專利公布中公開，通過引用將這些美國專利公布的全部內容結合于此。[0176]圖24是示意性示出根據發明構思的實施例的固態驅動器設備所被應用到的系統的圖。[0177]如圖24中所示，根據發明構思的實施例的包括數據存儲設備的固態驅動器可被應用到郵件服務器8100。[0178]圖25是示意性示出根據發明構思的實施例的存儲卡的框圖。[0179]作為示例，圖25的存儲卡可以是MMC卡、SD卡、多用途卡、micro-SD卡、記憶棒、緊湊型SD卡、ID卡、PCMCIA卡、SSD卡、芯片卡、智能卡、USB卡等等。[0180]參考圖25，存儲卡可包括用于與外部設備接口的接口電路9221、包括緩沖存儲器并控制存儲卡的操作的控制器9222以及至少一個非易失性存儲器設備9207。控制器9222可以是被配置為控制非易失性存儲器設備9207的寫入和讀取操作的處理器。控制器9222可經由數據總線和地址總線與非易失性存儲器設備9207和接口電路9221耦合。接口電路9221可經由卡協議(例如SD/MMC)與主機接口，以用于主機和存儲卡之間的數據交換。[0181]控制器9222可與聯系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且非易失性存儲器設備9207可由圖5、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設備形成。例如，控制器9222可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設備9207的每條字線是處于低端頁編程狀態(例如，LSB頁編程狀態)還是高端頁編程狀態(例如，在每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的情況下的中間/MSB頁編程狀態，或者在每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態)的信息。在主機發出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應的字線是處于低端頁編程狀態還是高端頁編程狀態，并且控制器9222可向非易失性存儲器設備9207輸出不同的讀取命令之中與判定結果相對應的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態時的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設備9207可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執行讀取操作。在發明構思的實施例中，當與使用標志單元的情況相比時，判定從標志單元讀取的數據是否指示高端頁編程狀態所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0182]圖26是示意性示出根據發明構思的實施例的數字靜態相機的框圖。[0183]參考圖26，數字靜態相機可包括主體9301、插槽9302、鏡頭9303、顯示單元9308、快門按鈕9312、閃光燈9318等等。存儲卡9331可被插入在插槽9302中，并且存儲卡9331可包括聯系圖2所述的存儲器控制器和非易失性存儲器設備。[0184]存儲器控制器可與聯系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且非易失性存儲器設備可由圖5、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設備形成。例如，存儲器控制器可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設備的每條字線是處于低端頁編程狀態(例如，LSB頁編程狀態)還是高端頁編程狀態(例如，在每單元存儲3位數據的非易失性存儲器設備的情況下的中間/MSB頁編程狀態，或者在每單元存儲4位數據的非易失性存儲器設備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態)的信息。在主機發出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應的字線是處于低端頁編程狀態還是高端頁編程狀態，并且存儲器控制器可向非易失性存儲器設備輸出不同的讀取命令之中與判定結果相對應的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態時的讀取操作的第二讀取命令。當接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設備9207可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執行讀取操作。在發明構思的實施例中，當與使用標志單元的情況相比時，判定從標志單元讀取的數據是否指示高端頁編程狀態所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0185]在存儲卡9331是接觸型的情況下，則電路板上的電路在存儲卡9331被插入在插槽9302中時可與存儲卡9331電接觸。在存儲卡9331是非接觸型的情況下，可以以諸如射頻(RF)波之類的無線方式來訪問存儲卡9331。[0186]圖27是示意性示出圖25中所示的存儲卡所被應用到的各種系統的圖。[0187]參考圖27，存儲卡9331可被應用到視頻相機VC、電視機TV、音頻設備AD、游戲機GM、電子音樂設備EMD、蜂窩電話HP、計算機CP、個人數字助理(PDA)、語音記錄器VR、PC卡PPP坐坐[0188]在示范性實施例中，存儲單元可由可變電阻存儲單元形成。示范性的可變電阻存儲單元和包括其的存儲器設備在第7，529，124號美國專利中公開，通過引用將該美國專利的全部內容結合于此。[0189]在其它示范性實施例中，存儲單元可由具有電荷存儲層的各種單元結構之一形成。具有電荷存儲層的單元結構包括使用電荷俘獲層的電荷俘獲閃速結構、其中陣列被堆疊在多層的堆疊閃速結構、源-漏自由閃速結構、管腳型閃速結構等等。[0190]在其它示范性實施例中，在6，858，906號美國專利和2004/0169238號和2006/0180851號美國專利公布中公開了具有電荷俘獲閃速結構作為電荷存儲層的存儲器設備，通過引用將這些美國專利和美國專利公布的全部內容結合于此。在第673020號韓國專利中公開了源-漏自由閃速結構，通過引用將該韓國專利的全部內容結合于此。[0191]可根據各種不同的封裝技術中的任意一種來封裝根據發明構思的非易失性存儲器設備和/或存儲器控制器。這些封裝技術的示例包括:PoP(PackageonPackage，層疊封裝)、球柵陣列(Ballgridarray，BGA)、芯片級封裝(Chipscalepackage，CSP)、塑料帶引線芯片載體(PlasticLeadedChipCarrier，PLCC)、塑料雙列直插封裝(PlasticDualIn-LinePackage，PDIP)、疊片內裸片封裝(DieinWafflePack)、晶片內裸片形式(DieinWaferForm)、板上芯片(ChipOnBoard，COB)、陶瓷雙列直插封裝(CeramicDualIn-LinePackage，CERDIP)、塑料標準四方扁平封裝(PlasticMetricQuadFlatPack，MQFP)、小外形IC(SmallOutline，S0IC)、縮小型小外形封裝(ShrinkSmallOutlinePackage，SS0P)、薄型小外形封裝(ThinSmallOutline,TS0P)、薄型四方扁平封裝(ThinQuadFlatpack，TQFP)、系統級封裝(SystemInPackage，SIP)、多芯片封裝(MultiChipPackage，MCP)、晶片級結構封裝(Wafer-levelFabricatedPackage，WFP)、晶片級處理堆疊封裝(Wafer-LevelProcessedStackPackage，WSP)等等。[0192]雖然已參考示范性實施例描述了發明構思，但對于本領域技術人員來說明顯的是，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下可進行各種改變和修改。因此，應當理解，上述實施例不是限制性的，而是例示性的。【權利要求】1.一種控制非易失性存儲器的存儲器設備的操作方法，該操作方法包括:響應于外部寫入請求，管理指示出所述非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態的編程深度位圖；以及響應于外部讀取請求，基于所述編程深度位圖的與要訪問的字線相對應的信息來向所述非易失性存儲器輸出多個不同的讀取命令之一。2.如權利要求1所述的操作方法，其中，所述多個不同的讀取命令包括指引對只具有低端頁編程狀態的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態的字線的讀取操作的第二讀取命令。3.如權利要求2所述的操作方法，其中，與根據所述第一讀取命令執行的所述非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應的讀取時間跟與根據所述第二讀取命令執行的所述非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應的讀取時間相同。4.如權利要求3所述的操作方法，其中，根據所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執行的所述非易失性存儲器的讀取操作不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態的操作。5.如權利要求3所述的操作方法，其中，在每條字線的存儲單元處存儲了至少2頁數據。6.—種存儲器系統,包括:至少一個非易失性存儲器；以及存儲器控制器，被配置為控制所述至少一個非易失性存儲器，其中，所述存儲器控制器響應于外部讀取請求而基于編程深度位圖的信息的與要訪問的字線相對應的位信息來向所述至少一個非易失性存儲器提供多個不同的讀取命令之一，其中，所述編程深度位圖指示出關于所述至少一個非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態。7.如權利要求6所述的存儲器系統，其中，所述存儲器控制器響應于外部寫入請求而依據外部寫入請求來管理所述編程深度位圖。8.如權利要求7所述的存儲器系統，其中，多個讀取命令包括指引對只具有低端頁編程狀態的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態的字線的讀取操作的第二讀取命令。9.如權利要求8所述的存儲器系統，其中，當接收到所述第一讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器對要訪問的字線的低端頁數據執行讀取操作。10.如權利要求9所述的存儲器系統，其中，當接收到所述第二讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址對要訪問的字線的低端頁數據和高端頁數據之一執行讀取操作。11.如權利要求10所述的存儲器系統，其中，與根據所述第一讀取命令執行的所述非易失性存儲器的低端頁數據相對應的讀取時間跟與根據所述第二讀取命令執行的所述非易失性存儲器的低端頁數據相對應的讀取時間相同。12.如權利要求6所述的存儲器系統，其中，所述至少一個非易失性存儲器不包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元。13.如權利要求6所述的存儲器系統，其中，所述至少一個非易失性存儲器包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元，并且，其中，所述標志單元被訪問以在所述至少一個非易失性存儲器被提供以所述多個不同的讀取命令之一之前形成所述編程深度位圖。14.如權利要求6所述的存儲器系統，其中，所述至少一個非易失性存儲器包括存儲單元，每個存儲單元存儲低端頁數據和高端頁數據。15.如權利要求8所述的存儲器系統，其中，根據所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執行的所述非易失性存儲器的讀取操作不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態的操作。16.一種存儲器控制器，包括:主機接口，被配置為與主機設備接口；存儲器接口，被配置為與包括多條字線的非易失性存儲器接口；處理器，被配置為依據從所述主機接口接收到的請求將命令發送給所述存儲器接口；以及存儲器，被配置為存儲所述非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態，其中，所述處理器響應于經由所述主機接口接收到的讀取請求而訪問所述存儲器來確定所述多條字線之中的要訪問的字線的高端頁編程狀態，并且依據所確定的要訪問的字線的高端頁編程狀態來將多個不同的讀取命令之一發送到所述存儲器接口。17.如權利要求16所述的存儲器控制器，其中，所述多條字線中的每一條的高端頁編程狀態在所述存儲器中被存儲為位圖。18.如權利要求17所述的存儲器控制器，其中，所述處理器被配置為響應于經由所述主機接口接收到的寫入請求而更新所述位圖。19.一種非易失性存儲器設備的讀取方法，包括:判定輸入的讀取命令是否是對于具有高端頁編程狀態的字線的讀取命令；當輸入的讀取命令被判定為不是對于具有高端頁編程狀態的字線的讀取命令時，對所述字線執行第一低端頁讀取操作；當輸入的讀取命令被判定為是對于具有高端頁編程狀態的字線的讀取命令時，判定與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址是否是低端頁地址；當與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為是低端頁地址時，對所述字線執行第二頁低端讀取操作；以及當與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為不是低端頁地址時，對所述字線執行高端頁讀取操作。20.如權利要求19所述的讀取方法，其中，執行所述第一低端頁讀取操作所花費的讀取時間跟執行所述第二低端頁讀取操作所花費的讀取時間相同。21.如權利要求20所述的讀取方法，其中，所述第一低端頁讀取操作、所述第二低端頁讀取操作和所述高端頁讀取操作中的每一個不包括判定所述字線的高端頁編程狀態的操作。22.如權利要求21所述的讀取方法，其中，所述非易失性存儲器設備包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元，并且其中，不響應于所述輸入的讀取命令而訪問所述標志單元。23.如權利要求19所述的讀取方法，其中，所述高端頁讀取操作的高端頁包括中間頁和最聞頁，并且其中，對所述字線執行高端頁讀取操作包括:判定輸入的頁地址是否是中間頁地址；當輸入的頁地址被判定為是中間頁地址時，對所述字線執行中間頁讀取操作；以及當輸入的頁地址被判定為不是中間頁地址時，對所述字線執行最高頁讀取操作。24.如權利要求23所述的讀取方法，其中，所述中間頁讀取操作和所述最高頁讀取操作中的每一個不包括判定所述字線的高端頁編程狀態的操作。25.如權利要求19所述的讀取方法，其中，所述高端頁讀取操作的高端頁包括第一中間頁、第中間頁和最聞頁，并且其中，對所述字線執行高端頁讀取操作包括:判定輸入的頁地址是否是第一中間頁地址；當輸入的頁地址被判定為是第一中間頁地址時，對所述字線執行第一中間頁讀取操作；當輸入的頁地址被判定為不是第一中間頁地址時，判定輸入的頁地址是否是第二中間頁地址；當輸入的頁地址被判定為是第二中間頁地址時，對所述字線執行第二中間頁讀取操作；當輸入的頁地址被判定為不是第二中間頁地址時，對所述字線執行最高頁讀取操作。26.如權利要求25所述的讀取方法，其中，所述第一中間頁讀取操作、所述第二中間頁讀取操作和所述最高頁讀取操作中的每一個不包括判定所述字線的高端頁編程狀態的操作。27.一種非易失性存儲器設備，包括:存儲單元陣列，包括布置成行和列的存儲單元；讀取/寫入電路，被配置為從所述存儲單元陣列讀取數據和在所述存儲單元陣列處存儲數據；以及控制邏輯，被配置為響應于從外部設備提供的讀取命令而控制所述讀取/寫入電路，其中，所述控制邏輯判定所述讀取命令是指引對具有低端頁編程狀態的字線的讀取操作的第一讀取命令還是指引對具有高端頁編程狀態的字線的讀取操作的第二讀取命令；并且其中，當所述讀取命令被判定為是所述第二讀取命令時，所述控制邏輯控制所述讀取/寫入電路基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址讀取字線的低端頁或高端頁。28.如權利要求27所述的非易失性存儲器設備，其中，與所述第一讀取命令和第二讀取命令相對應的每個讀取操作不包括判定字線的高端頁編程狀態的操作。29.如權利要求27所述的非易失性存儲器設備，其中，所述存儲單元陣列還包括用于存儲字線的編程狀態的標志單元，并且其中，不響應于所述讀取命令而訪問所述標志單元。30.如權利要求27所述的非易失性存儲器設備，其中，根據所述第一讀取命令執行的低端頁讀取操作的讀取時間跟根據所述第二讀取命令執行的低端頁讀取操作的讀取時間相同。【文檔編號】G11C16/06GK104036825SQ201410083667【公開日】2014年9月10日申請日期:2014年3月7日優先權日:2013年3月7日【發明者】金武星,鄭多蕓申請人:三星電子株式會社