具有多通道區的半導體器件和包括其的半導體系統的制作方法
【專利摘要】一種半導體器件包括:第一通道區,適用于包括第一焊盤區和第一核心區,以及通過第一電力線接收第一電力信號;第二通道區,適用于包括第二焊盤區和第二核心區,以及通過第二電力線接收第一電力信號;以及開關單元,適用于:如果執行第一通道區的預定操作,則將第二電力線與第一電力穩定單元電斷開,而如果執行第二通道區的預定操作,則將第一電力線與第一電力穩定單元電斷開。
【專利說明】具有多通道區的半導體器件和包括其的半導體系統
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年9月24日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0113307的韓國專利申請的優先權,其全部內容通過引用合并于此,如同全文闡述。
【技術領域】
[0003]本公開的實施例涉及半導體器件和包括所述半導體器件的半導體系統,并且更具體地涉及具有多通道區的半導體器件和包括所述半導體器件的半導體系統。
【背景技術】
[0004]近來,已經提出多通道半導體器件以獲得高速度和高集成密度。這些多通道半導體器件可以提供至少兩個具有寬帶寬的通道區。多通道半導體器件中包括的每個通道區可以包括存儲器單元陣列、輸入/輸出(I/o)焊盤和控制電路,以執行獨立的操作。即,多通道半導體器件中包括的每個通道區可以作為單獨輸入或輸出地址信號、命令信號和數據的獨立的半導體器件來操作。
[0005]通常,半導體器件從外部設備接收電源電壓(VDD)信號和接地電壓(VSS)信號,以產生在構成每個半導體器件的內部電路的操作中所使用的內部電壓信號。用于操作半導體器件的內部電路的內部電壓信號可以包括供應至核心區(包括存儲器單元)的核心電壓(VCORE)信號、用于驅動或過驅動字線的升壓電壓(VPP)信號、以及施加至核心區中的NMOS晶體管的體區(或襯底)的反偏電壓(VBB)信號。諸如電源電壓(VDD)信號和接地電壓(VSS )信號的外部電壓信號以及諸如核心電壓(VCORE )信號、升壓電壓(VPP )信號和反偏電壓(VBB)信號的內部電壓信號可以通過設置在半導體器件中的電源線來傳送。
【發明內容】
[0006]根據一個實施例,一種半導體器件包括:第一通道區,適用于包括第一焊盤區和第一核心區,以及適用于通過第一電力線接收第一電力信號;第二通道區,適用于包括第二焊盤區和第二核心區,以及適用于通過第二電力線接收第一電力信號;以及開關單元,適用于如果執行第一通道區的預定操作,則將第二電力線與第一電力穩定單元電斷開,以及適用于如果執行第二通道區的預定操作,則將第一電力線與第一電力穩定單元電斷開。
[0007]根據一個實施例,一種半導體器件包括:第一電力線,適用于將電力信號供應至第一通道區;第二電力線,適用于將電力信號供應至第二通道區;第一開關元件,適用于如果執行第二通道區的預定操作,則將第一電力線與電力穩定單元電斷開;以及第二開關元件,適用于如果執行第一通道區的預定操作,則將第二電力線與電力穩定單元電斷開。
[0008]根據一個實施例,一種半導體系統包括控制器和半導體器件。控制器產生外部電力信號、第一命令信號、第二命令信號、第一地址信號和第二地址信號。半導體器件包括通過第一電力線接收外部電力信號的第一通道區、通過第二電力線接收外部電力信號的第二通道區、以及開關單元。如果執行第一通道區的預定操作,則開關單元將第二電力線與電力穩定單元電斷開。此外,如果執行第二通道區的預定操作,則開關單元將第一電力線與電力穩定單元電斷開。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]結合附圖和所附具體描述,本發明的實施例將變得更加清楚,其中:
[0010]圖1是說明根據本發明的一個實施例的半導體器件的框圖;
[0011]圖2是說明圖1的半導體器件中包括的開關信號發生器的框圖;
[0012]圖3是說明圖1的半導體器件中包括的開關單元的電路圖;
[0013]圖4是說明圖1的半導體器件中包括的濾波器單元的電路圖;
[0014]圖5是說明根據本發明的一個實施例的半導體系統的框圖。
【具體實施方式】
[0015]以下將參照附圖來描述本發明的各種實施例。然而,本文描述的實施例僅出于說明的目的,并非意圖限制本發明的范圍。
[0016]參見圖1,半導體器件I可以包括:第一通道區21、第二通道區22、開關信號發生器3、開關單元4和濾波器單元5。第一通道區21可以包括第一焊盤區211和第一核心區212。第二通道區22可以包括第二焊盤區222和第二核心區221。
[0017]第一焊盤區211可以包括施加有第一命令信號、第一地址信號和第一數據的多個焊盤(未示出)。焊盤區211可以包括現有的焊盤陣列的結構。第一核心區212可以包括通過第一命令信號和第一地址信號來訪問以儲存或輸出第一數據的多個存儲器單元(未示出)。存儲器單元可以包括現有的開關器件和現有的存儲元件。第二焊盤區222可以包括施加有第二命令信號、第二地址信號和第二數據的多個焊盤(未示出)。第二核心區221可以包括通過第二命令信號和第二地址信號來訪問以儲存或輸出第二數據的多個存儲器單元(未示出)。第一通道區21和第二通道區22中的每個都可以用作獨立的半導體器件,即接收單獨的命令信號和單獨的地址信號以執行數據I/O操作。第一通道區21和第二通道區22可以共同地通過電力線PL7來接收從外部設備供應的接地電壓VSS信號。
[0018]開關信號發生器3可以適用于接收第一內部命令信號ICMDl和第二內部命令信號ICMD2以產生第一開關信號SWl和第二開關信號SW2,第一開關信號SWl和第二開關信號SW2的電平根據是否執行第一通道區21和第二通道區22的刷新操作來設定。開關單元4可以響應于第一開關信號SWl而控制第一電力線PLl和第一電力穩定單元(未示出)之間的電連接。另外,開關單元4可以響應于第二開關信號SW2而控制第二電力線PL2和第一電力穩定單元之間的電連接。第一電力線PLl和第二電力線PL2可以分別與第一通道區21和第二通道區22電連接。第一電力線PLl和第二電力線PL2可以傳送通過其中的外部電壓信號。另外,開關單元4可以響應于第一開關信號SWl而控制第三電力線PL3和第二電力穩定單元(未示出)之間的電連接。開關單元4可以響應于第二開關信號SW2而控制第四電力線PL4和第二電力穩定單元之間的電連接。第三電力線PL3和第四電力線PL4可以分別與第一通道區21和第二通道區22電連接。第三電力線PL3和第四電力線PL4可以傳送通過其中的內部電壓信號。濾波器單元5可以電耦接在與第一通道區21連接的第五電力線PL5和與第二通道區22連接的第六電力線PL6之間。不在刷新操作中使用的外部電壓信號和內部電壓信號可以通過第五電力線PL5和第六電力線PL6傳送。開關信號發生器3、開關單元4和濾波器單元5可以被布置在第一通道區21和第二通道區22之間。
[0019]參見圖2,開關信號發生器3可以適用于包括第一開關信號發生器31和第二開關信號發生器32。第一開關信號發生器31可以包括:第一延遲單元311、第二延遲單元312、第三延遲單元313和第一信號合成器314。第二開關信號發生器32可以包括:第四延遲單元321、第五延遲單元322、第六延遲單元323和第二信號合成器324。
[0020]第一延遲單元311可以適用于將第一內部命令信號ICMDl延遲第一延遲時間以產生用于第一通道區(圖1的21)的第一單元陣列刷新信號REF_CA1〈1>。第二延遲單元312可以適用于將第一單元陣列刷新信號REF_CA1〈1>延遲第二延遲時間以產生用于第一通道區(圖1的21)的第二單元陣列刷新信號REF_CA1〈2>。第三延遲單元313可以適用于將第二單元陣列刷新信號REF_CA1〈2>延遲第三延遲時間以產生第一內部延遲命令信號ICMDld。第一信號合成器314可以適用于接收第一內部命令信號ICMDl、第一單兀陣列刷新信號REF_CA1〈1>、第二單元陣列刷新信號REF_CA1〈2>和第一內部延遲命令信號ICMDld以產生第二開關信號SW2。當第一內部命令信號ICMD1、第一單元陣列刷新信號REF_CA1〈1>、第二單元陣列刷新信號REF_CA1〈2>和第一內部延遲命令信號ICMDld中的至少一個具有邏輯“高”電平時,第一信號合成器314可以適用于輸出具有邏輯“高”電平的第二開關信號SW2。在執行第一通道區21的刷新操作時的預定時段期間,第一內部延遲命令信號ICMDld可以被產生成具有邏輯“高”電平。用于第一通道區21的第一單元陣列刷新信號和第二單元陣列刷新信號REF_CA1〈1:2>可以被產生成具有邏輯“高”電平以執行第一通道區21中包括的第一單元陣列和第二單元陣列的刷新操作。
[0021 ] 第四延遲單元321可以適用于將第二內部命令信號ICMD2延遲第四延遲時間以產生用于第二通道區(圖1的22)的第一單元陣列刷新信號REF_CA2〈1>。第五延遲單元322可以適用于將第一單元陣列刷新信號REF_CA2〈1>延遲第五延遲時間以產生用于第二通道區(圖1的22)的第二單元陣列刷新信號REF_CA2〈2>。第六延遲單元323可以適用于將第二單元陣列刷新信號REF_CA2〈2>延遲第六延遲時間以產生第二內部延遲命令信號ICMD2d。第二信號合成器324可以適用于接收第二內部命令信號ICMD2、第一單元陣列刷新信號REF_CA2〈1>、第二單元陣列刷新信號REF_CA2〈2>和第二內部延遲命令信號ICMD2d以產生第一開關信號SW1。當第二內部命令信號ICMD2、第一單元陣列刷新信號REF_CA2〈1>、第二單元陣列刷新信號REF_CA2〈2>和第二內部延遲命令信號ICMD2d中的至少一個具有邏輯“高”電平時,第二信號合成器324可以適用于輸出具有邏輯“高”電平的第一開關信號SW1。在執行第二通道區(圖1的22)的刷新操作時的預定時段期間,第二內部延遲命令信號ICMD2d可以被產生成具有邏輯“高”電平。用于第二通道區(圖1的22)的第一單元陣列刷新信號和第二單元陣列刷新信號REF_CA2〈1:2>可以被產生成具有邏輯“高”電平以執行第二通道區22中包括的第一單元陣列和第二單元陣列的刷新操作。
[0022]在從第一通道區21的刷新操作的開始時刻起直到第一通道區21中的第一單元陣列和第二單元陣列的刷新操作終止之后經過第三延遲時間的時刻為止這一時段期間,第一開關信號發生器31可以產生具有邏輯“高”電平的第二開關信號SW2。在從第二通道區22的刷新操作的開始時刻起直到第二通道區22中的第一單元陣列和第二單元陣列的刷新操作終止之后經過第六延遲時間的時刻為止這一時段期間,第二開關信號發生器32可以產生具有邏輯“高”電平的第一開關信號SW1。第一延遲單元311至第六延遲單元323可以是現有的延遲器,諸如反相器鏈。第一信號合成器314和第二信號合成器324可以是邏輯門,并且適用于執行“或”(OR)操作。
[0023]參見圖3,開關單元4可以包括第一開關單元41和第二開關單元42。第一開關單元41可以包括PMOS晶體管P41、PMOS晶體管P42和電容器C41。PMOS晶體管P41可以電耦接在第一電力線PLl和節點ND41之間以用作響應于第一開關信號SWl而導通的開關元件。PMOS晶體管P42可以電耦接在第二電力線PL2和節點ND41之間以用作響應于第二開關信號SW2而導通的開關元件。電容器C41可以電耦接在節點ND41和接地電壓VSS端子之間,以用作穩定第一電力線PLl和第二電力線PL2上的信號的電力穩定兀件。第二開關單元42可以包括PMOS晶體管P43、PMOS晶體管P44和電容器C42。PMOS晶體管P43可以電耦接在第三電力線PL3和節點ND42之間以用作響應于第一開關信號SWl而導通的開關元件。PMOS晶體管P44可以電耦接在第四電力線PL4和節點ND42之間以用作響應于第二開關信號SW2而導通的開關元件。電容器C42可以電耦接在節點ND42和接地電壓VSS端子之間,以用作穩定第三電力線PL3和第四電力線PL4上的信號的電力穩定元件。
[0024]在第二開關信號SW2通過第一通道區21的刷新操作而被驅動成具有邏輯“高”電平時,第一開關單元41的PMOS晶體管P42可以被關斷以將第二電力線PL2與電容器C41電斷開。在第一開關信號SWl通過第二通道區22的刷新操作而被驅動為具有邏輯“高”電平時,第一開關單元41的PMOS晶體管P41可以被關斷以將第一電力線PLl與電容器C41電斷開。在第二開關信號SW2通過第一通道區21的刷新操作而被驅動成具有邏輯“高”電平時,第二開關單元42的PMOS晶體管P44可以被關斷以將第四電力線PL4與電容器C42電斷開。在第一開關信號SWl通過第二通道區22的刷新操作而被驅動成具有邏輯“高”電平時,第二開關單元42的PMOS晶體管P43可以被關斷以將第三電力線PL3與電容器C42電斷開。在那時,第二開關信號SW2可以用在第一通道區21和第二通道區22的刷新操作之外的操作中。
[0025]參見圖4,濾波器單元5可以包括:PM0S晶體管P51、PMOS晶體管P52和電容器C51。PMOS晶體管P51可以電耦接在第五電力線PL5和節點ND51之間以響應于接地電壓VSS信號而保持導通狀態。PMOS晶體管P52可以電耦接在第六電力線PL6和節點ND51之間以響應于接地電壓VSS信號而保持導通狀態。電容器C51可以耦接在節點ND51和接地電壓VSS端子之間,以用作穩定第五電力線PL5和第六電力線PL6上的信號的電力穩定兀件。
[0026]在下文中將參照圖1至圖4并結合執行第一通道區21的刷新操作的實例和執行第二通道區22的刷新操作的實例來描述具有上述配置的半導體器件I的操作。
[0027]當執行第一通道區21的刷新操作時,開關單元4可以產生具有邏輯“高”電平的第二開關信號SW2。因而,可以通過關斷PMOS晶體管P42而將第二電力線PL2與電容器C41電斷開,并且可以通過關斷PMOS晶體管P44而將第四電力線PL4與電容器C42電斷開。結果,在傳送外部電壓信號和內部電壓信號至第一通道區21的第一電力線PLl和第三電力線PL3上沒有噪聲施加至第二電力線PL2和第四電力線PL4。
[0028]當執行第二通道區22的刷新操作時,開關單元4可以產生具有邏輯“高”電平的第一開關信號SWl。因而,可以通過關斷PMOS晶體管P41而將第一電力線PLl與電容器C41電斷開,并且可以通過關斷PMOS晶體管P43而將第三電力線PL3與電容器C42電斷開。結果,在傳送外部電壓信號和內部電壓信號至第二通道區22的第二電力線PL2和第四電力線PL4上沒有噪聲施加至第一電力線PLl和第三電力線PL3。
[0029]此外,即使同時執行第一通道區21和第二通道區22的刷新操作,第五電力線PL5和第六電力線PL6也可以與電容器C51電連接。因而,不在刷新操作中使用的外部電壓信號或內部電壓信號可以通過第五電力線PL5和第六電力線PL6而被穩定地供應。
[0030]盡管以上實施例是結合易產生噪聲的刷新操作而描述的,但是本發明構思同樣可以適用于易在電力線上產生噪聲的任何操作。
[0031 ] 參見圖5,半導體系統可以包括控制器6和半導體器件7。控制器6可以產生外部電壓VDD信號、第一命令信號CMD1、第二命令信號CMD2、第一地址信號ADD1、第二地址信號ADD2、第一數據DATAl和第二數據DATA2以將它們施加至半導體器件7。半導體器件7可以包括第一通道區71和第二通道區72。第一通道區71可以包括通過第一命令信號CMDl和第一地址信號ADDl來訪問的存儲器單元(未示出),以及可以從控制器6接收第一數據DATAl或將第一數據DATAl輸出至控制器6。第二通道區72可以包括通過第二命令信號CMD2和第二地址信號ADD2來訪問的存儲器單元(未示出),以及可以從控制器6接收第二數據DATA2或將第二數據DATA2輸出至控制器6。半導體器件7可以接收外部電壓VDD信號以進行操作,并且第一通道區71和第二通道區72中的每個可以包括用于接收外部電壓VDD信號的電力線(未示出)。當在半導體器件7中執行刷新操作時,在傳送外部電壓VDD信號至第一通道區71和第二通道區72的電力線上可能產生噪聲。然而,如參照圖1至圖4所述,半導體器件7可以被設計成使得與第一通道區71連接的電力線上沒有噪聲被傳送至第二通道區72,并且與第二通道區72連接的電力線上沒有噪聲被傳送至第一通道區71。即,半導體器件7可以具有與圖1至圖4中說明的半導體器件I大體相同的配置。因而,本申請中將不再贅述半導體器件7。
[0032]盡管已經出于說明的目的描述了本發明的具體實施例,但本領域的技術人員將理解的是,在不脫離所附權利要求所公開的本發明的范圍和精神的情況下,可以進行各種修改、添加和替換。
[0033]通過以上實施例可以看出,本申請提供了以下的技術方案。
[0034]1.一種半導體器件,包括:
[0035]第一通道區,適用于包括第一核心區以及通過第一電力線接收第一電力信號;
[0036]第二通道區,適用于包括第二核心區以及通過第二電力線接收所述第一電力信號;以及
[0037]開關單元,適用于:如果執行所述第一通道區的預定操作,則將所述第二電力線與第一電力穩定單元電斷開,而如果執行所述第二通道區的預定操作,則將所述第一電力線與所述第一電力穩定單元電斷開。
[0038]2.根據技術方案I所述的半導體器件,
[0039]其中,所述第一通道區還包括第一焊盤區,
[0040]其中,所述第一焊盤區包括施加有第一命令信號和第一地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第一數據的焊盤;以及
[0041]其中,所述第一核心區包括通過所述第一命令信號和所述第一地址信號來訪問以將所述第一數據儲存在其中的存儲器單元。
[0042]3.根據技術方案2所述的半導體器件,
[0043]其中,所述第二通道區還包括第二焊盤區,
[0044]其中,所述第二焊盤區包括施加有第二命令信號和第二地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第二數據的焊盤;以及
[0045]其中,所述第二核心區包括通過所述第二命令信號和所述第二地址信號來訪問以將所述第二數據儲存在其中的存儲器單元。
[0046]4.根據技術方案I所述的半導體器件,
[0047]其中,所述第一電力信號是從外部設備供應的外部電力信號,或者是從所述外部電力信號產生的內部電力信號。
[0048]5.根據技術方案I所述的半導體器件,其中,所述預定操作是刷新操作。
[0049]6.根據技術方案I所述的半導體器件,其中,所述開關單元包括:
[0050]第一開關元件,適用于電耦接在所述第一電力線和所述第一電力穩定單元之間,以及響應于第一開關信號而被導通;以及
[0051]第二開關元件,適用于電耦接在所述第二電力線和所述第一電力穩定單元之間,以及響應于第二開關信號而被導通。
[0052]7.根據技術方案6所述的半導體器件,其中,如果執行所述第二通道區的所述預定操作,則所述第一開關信號將所述第一開關元件關斷。
[0053]8.根據技術方案7所述的半導體器件,其中,如果執行所述第一通道區的所述預定操作,則所述第二開關信號將所述第二開關元件關斷。
[0054]9.根據技術方案I所述的半導體器件,還包括開關信號發生器,所述開關信號發生器適用于:如果執行所述第一通道區的所述預定操作,則響應于第一內部命令信號而產生將所述第二電力線與所述第一電力穩定單元電斷開的第二開關信號,而如果執行所述第二通道區的所述預定操作,則響應于第二內部命令信號而產生將所述第一電力線與所述第一電力穩定單兀電斷開的第一開關信號。
[0055]10.根據技術方案9所述的半導體器件,其中,所述開關信號發生器包括:
[0056]第一延遲單元,適用于延遲所述第一內部命令信號,以產生用于所述第一通道區中包括的第一單元陣列的刷新操作的第一單元陣列刷新信號;
[0057]第二延遲單元,適用于延遲所述第一單元陣列刷新信號,以產生用于所述第一通道區中包括的第二單元陣列的刷新操作的第二單元陣列刷新信號;
[0058]第三延遲單元,適用于延遲所述第二單元陣列刷新信號,以產生第一內部延遲命令信號;以及
[0059]第一信號合成器,適用于響應于所述第一單元陣列刷新信號和所述第二單元陣列刷新信號以及所述第一內部延遲命令信號而產生所述第二開關信號。
[0060]11.根據技術方案I所述的半導體器件,
[0061]其中,所述第一通道區還包括傳送第二電力信號的第三電力線;以及
[0062]其中,所述第二通道區還包括傳送所述第二電力信號的第四電力線。
[0063]12.根據技術方案11所述的半導體器件,其中,所述第二電力信號用在所述預定操作之外的操作中。
[0064]13.根據技術方案11所述的半導體器件,還包括:
[0065]開關元件對,串聯電耦接在所述第三電力線和所述第四電力線之間;以及
[0066]第二電力穩定單元,與所述開關元件對之間的節點電連接,
[0067]其中,所述開關元件對是響應于偏置電壓而導通的MOS晶體管。
[0068]14.一種半導體器件,包括:
[0069]第一電力線,適用于將電力信號供應至第一通道區;
[0070]第二電力線,適用于將所述電力信號供應至第二通道區;
[0071]第一開關元件,適用于:如果執行所述第二通道區的預定操作,則將所述第一電力線與電力穩定單元電斷開;以及
[0072]第二開關元件,適用于:如果執行所述第一通道區的預定操作,則將所述第二電力線與所述電力穩定單元電斷開。
[0073]15.根據技術方案14所述的半導體器件,其中,所述第一通道區包括:
[0074]第一焊盤區,適用于包括施加有第一命令信號和第一地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第一數據的焊盤;以及
[0075]第一核心區,適用于包括通過所述第一命令信號和所述第一地址信號來訪問以將所述第一數據儲存在其中的存儲器單元。
[0076]16.根據技術方案15所述的半導體器件,其中,所述第二通道區包括:
[0077]第二焊盤區,適用于包括施加有第二命令信號和第二地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第二數據的焊盤;以及
[0078]第二核心區,適用于包括通過所述第二命令信號和所述第二地址信號來訪問以將所述第二數據儲存在其中的存儲器單元。
[0079]17.根據技術方案14所述的半導體器件,其中,所述電力信號是從外部設備供應的外部電力信號,或者是從所述外部電力信號產生的內部電力信號。
[0080]18.根據技術方案14所述的半導體器件,其中,所述預定操作是刷新操作。
[0081]19.根據技術方案14所述的半導體器件,
[0082]其中,如果執行所述第二通道區的所述預定操作,則所述第一開關元件響應于第一開關信號而被關斷;以及
[0083]其中,如果執行所述第一通道區的所述預定操作,則所述第二開關元件響應于第二開關信號而被關斷。
[0084]20.—種半導體系統,包括:
[0085]控制器,適用于產生外部電力信號、第一命令信號、第二命令信號、第一地址信號和第二地址信號;以及
[0086]半導體器件,適用于包括通過第一電力線接收所述外部電力信號的第一通道區、通過第二電力線接收所述外部電力信號的第二通道區、以及開關單元,
[0087]其中,所述開關單元適用于:如果執行所述第一通道區的預定操作,則將所述第二電力線與電力穩定單元電斷開,而如果執行所述第二通道區的預定操作,則將所述第一電力線與所述電力穩定單元電斷開。
[0088]21.根據技術方案20所述的半導體系統,其中,所述第一通道區包括:
[0089]第一焊盤區,適用于包括施加有所述第一命令信號和所述第一地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第一數據的焊盤;以及
[0090]第一核心區,適用于包括通過所述第一命令信號和所述第一地址信號來訪問以將所述第一數據儲存在其中的存儲器單元。
[0091]22.根據技術方案21所述的半導體系統,其中,所述第二通道區包括:
[0092]第二焊盤區,適用于包括施加有所述第二命令信號和所述第二地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第二數據的焊盤;以及
[0093]第二核心區,適用于包括通過所述第二命令信號和所述第二地址信號來訪問以將所述第二數據儲存在其中的存儲器單元。
[0094]23.根據技術方案20所述的半導體系統,其中,所述預定操作是刷新操作。
[0095]24.根據技術方案20所述的半導體系統,其中,所述開關單元包括:
[0096]第一開關元件,適用于電耦接在所述第一電力線和所述電力穩定單元之間,以及響應于第一開關信號而被導通;以及
[0097]第二開關元件,適用于電耦接在所述第二電力線和所述電力穩定單元之間,以及響應于第二開關信號而被導通。
[0098]25.根據技術方案24所述的半導體系統,其中,如果執行所述第二通道區的所述預定操作,則所述第一開關信號將所述第一開關元件關斷。
[0099]26.根據技術方案25所述的半導體系統,其中,如果執行所述第一通道區的所述預定操作,則所述第二開關信號將所述第二開關元件關斷。
【權利要求】
1.一種半導體器件,包括: 第一通道區,適用于包括第一核心區以及通過第一電力線接收第一電力信號; 第二通道區,適用于包括第二核心區以及通過第二電力線接收所述第一電力信號;以及 開關單元,適用于:如果執行所述第一通道區的預定操作,則將所述第二電力線與第一電力穩定單元電斷開,而如果執行所述第二通道區的預定操作,則將所述第一電力線與所述第一電力穩定單元電斷開。
2.根據權利要求1所述的半導體器件, 其中,所述第一通道區還包括第一焊盤區, 其中,所述第一焊盤區包括施加有第一命令信號和第一地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第一數據的焊盤;以及 其中,所述第一核心區包括通過所述第一命令信號和所述第一地址信號來訪問以將所述第一數據儲存在其中的存儲器單元。
3.根據權利要求2所述的半導體器件, 其中,所述第二通道區還包括第二焊盤區, 其中,所述第二焊盤區包括施加有第二命令信號和第二地址信號的焊盤,以及輸入或輸出第二數據的焊盤;以及 其中,所述第二核心區包括通過所述第二命令信號和所述第二地址信號來訪問以將所述第二數據儲存在其中的存儲器單元。
4.根據權利要求1所述的半導體器件, 其中,所述第一電力信號是從外部設備供應的外部電力信號,或者是從所述外部電力信號產生的內部電力信號。
5.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述預定操作是刷新操作。
6.根據權利要求1所述的半導體器件,其中,所述開關單元包括: 第一開關元件,適用于電耦接在所述第一電力線和所述第一電力穩定單元之間,以及響應于第一開關信號而被導通;以及 第二開關元件,適用于電耦接在所述第二電力線和所述第一電力穩定單元之間,以及響應于第二開關信號而被導通。
7.根據權利要求6所述的半導體器件,其中,如果執行所述第二通道區的所述預定操作,則所述第一開關信號將所述第一開關元件關斷。
8.根據權利要求7所述的半導體器件,其中,如果執行所述第一通道區的所述預定操作,則所述第二開關信號將所述第二開關元件關斷。
9.根據權利要求1所述的半導體器件,還包括開關信號發生器,所述開關信號發生器適用于:如果執行所述第一通道區的所述預定操作,則響應于第一內部命令信號而產生將所述第二電力線與所述第一電力穩定單元電斷開的第二開關信號,而如果執行所述第二通道區的所述預定操作,則響應于第二內部命令信號而產生將所述第一電力線與所述第一電力穩定單元電斷開的第一開關信號。
10.根據權利要求9所述的半導體器件,其中,所述開關信號發生器包括: 第一延遲單元,適用于延遲所述第一內部命令信號,以產生用于所述第一通道區中包括的第一單元陣列的刷新操作的第一單元陣列刷新信號; 第二延遲單元,適用于延遲所述第一單元陣列刷新信號,以產生用于所述第一通道區中包括的第二單元陣列的刷新操作的第二單元陣列刷新信號; 第三延遲單元,適用于延遲所述第二單元陣列刷新信號,以產生第一內部延遲命令信號;以及 第一信號合成器,適用于響應于所述第一單元陣列刷新信號和所述第二單元陣列刷新信號以及所述第一內部延遲命令信號而產生所述第二開關信號。
【文檔編號】G11C11/4063GK104464791SQ201410058920
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年2月20日 優先權日:2013年9月24日
【發明者】趙龍德 申請人:愛思開海力士有限公司