內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)以及內(nèi)存控制方法

內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)以及內(nèi)存控制方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)和內(nèi)存控制方法。該內(nèi)存控制器包括：至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新；判斷模塊，配置來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及控制邏輯模塊，配置來在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新模塊。
【專利說明】?jī)?nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)以及內(nèi)存控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)以及內(nèi)存控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002]諸如DRAM (Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)那樣的易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且存取速度快，因此成為了最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。但是，在諸如DRAM那樣的易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，必須在每個(gè)刷新周期刷新(refresh)—次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。另一方面，諸如NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory)那樣的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是指斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)的一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。因此不需要如易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器那樣在每個(gè)刷新周期進(jìn)行刷新，但在相同容量下其成本高于易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
[0003]利用在諸如NVRAM那樣的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中斷電后還能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性，有人提出了混合型RAM。在該混合型RAM中，同時(shí)存在諸如DRAM那樣的易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和諸如NVRAM那樣的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
[0004]在將針對(duì)易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的內(nèi)存控制器應(yīng)用于該混合型RAM的情況下，內(nèi)存控制器不僅對(duì)易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行刷新，還對(duì)非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行刷新。如上所述，非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是即使掉電也不會(huì)丟失信息的RAM，因此對(duì)非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行刷新的操作是無用的，從而增加了內(nèi)存控制器的功耗。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明鑒于上述問題而完成，其目的在于提供一種僅對(duì)需要在刷新周期進(jìn)行刷新的如DRAM那樣的易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器進(jìn)行刷新，從而減少功耗的內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)和內(nèi)存控制方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種內(nèi)存控制器。該內(nèi)存控制器包括:至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新；判斷模塊，配置來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及控制邏輯模塊，配置來在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新豐吳塊。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種內(nèi)存控制系統(tǒng)。該內(nèi)存控制系統(tǒng)包括:一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)芯片；至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新；判斷模塊，配置來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及控制邏輯模塊，配置來在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新模塊。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的再一方面提供一種內(nèi)存控制方法，該內(nèi)存控制方法應(yīng)用于內(nèi)存控制器。所述內(nèi)存控制器包括至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新。所述內(nèi)存控制方法包括:分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新模塊。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制系統(tǒng)和內(nèi)存控制方法，在混合RAM中僅對(duì)需要進(jìn)行刷新的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新，從而減少內(nèi)存控制器的功耗。并且，通過對(duì)現(xiàn)有的針對(duì)易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的內(nèi)存控制器進(jìn)行簡(jiǎn)單的改進(jìn)，就能夠?qū)崿F(xiàn)減少內(nèi)存控制器的功耗的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是表示根據(jù)實(shí)施例1的內(nèi)存控制系統(tǒng)的示意圖。
[0011]圖2是表示根據(jù)實(shí)施例2的內(nèi)存控制系統(tǒng)的示意圖。
[0012]圖3是表示自刷新模塊具有多個(gè)刷新單元的情況的示意圖。
[0013]圖4是表示本發(fā)明的內(nèi)存控制方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。這里，需要注意的是，在附圖中，將相同的附圖標(biāo)記賦予基本上具有相同或類似結(jié)構(gòu)和功能的組成部分，并且將省略關(guān)于它們的重復(fù)描述。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)存控制器對(duì)至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片的刷新進(jìn)行控制。該內(nèi)存控制器包括:至少一個(gè)自刷新模塊、判斷模塊以及控制邏輯模塊。該至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且該至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新。判斷模塊可以分別判斷至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)自刷新模塊對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果。控制邏輯模塊可以在判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊。
[0016]在這里，第一類別可以表示諸如NVRAM之類的在斷電后仍能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)芯片。即，在存儲(chǔ)芯片是斷電后仍能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)芯片的情況下，不需要對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新。NVRAM 例如為 PCM (Phase Change RAM)>STT RAM (Shared Transistor TechnologyRAM)等。
[0017]以下，參照實(shí)施例1與實(shí)施例2分別說明通過寄存器和管腳來判斷與自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片的類別的方式，但本發(fā)明并非限定于這兩種方式。只要能夠判斷出與各個(gè)自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片的類別，并能夠根據(jù)判斷結(jié)果來對(duì)自刷新模塊，都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0018]下面，結(jié)合具體實(shí)施例來說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0019]《實(shí)施例1》
[0020]在實(shí)施例1中，在內(nèi)存控制器中設(shè)置寄存器，并在寄存器存儲(chǔ)關(guān)于各個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別的標(biāo)志值。判斷模塊通過讀取寄存器中的標(biāo)志值，從而對(duì)各個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別進(jìn)行判斷。
[0021]圖1是表示根據(jù)實(shí)施例1的內(nèi)存控制系統(tǒng)的示意圖。該內(nèi)存控制系統(tǒng)包括內(nèi)存控制器I和存儲(chǔ)器2。其中，內(nèi)存控制器I包括至少一個(gè)自刷新模塊11、判斷模塊12、控制邏輯模塊13和寄存器14。存儲(chǔ)器2包括至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片。
[0022]為了便于說明，下面以內(nèi)存控制器I包含兩個(gè)自刷新模塊IlA以及11B，并且每個(gè)自刷新模塊分別連接到兩個(gè)存儲(chǔ)芯片為例進(jìn)行描述。顯然，本發(fā)明不限于此，根據(jù)內(nèi)存的總?cè)萘恳约皢蝹€(gè)內(nèi)存芯片的容量，內(nèi)存控制器I還可以包含其它數(shù)量的自刷新模塊，并且每個(gè)自刷新模塊可以與任意數(shù)量的存儲(chǔ)芯片連接。
[0023]自刷新模塊IlA與存儲(chǔ)芯片Al、A2連接，并且負(fù)責(zé)在每個(gè)刷新周期對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片A1、A2進(jìn)行刷新。對(duì)應(yīng)地，自刷新模塊IlB與存儲(chǔ)芯片B1、B2連接，并且負(fù)責(zé)在每個(gè)刷新周期對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片B1、B2進(jìn)行刷新。
[0024]關(guān)于是否需要刷新，根據(jù)配置需要，本實(shí)施例的存儲(chǔ)芯片可以是如DRAM那樣需要在每個(gè)刷新周期進(jìn)行刷新的類別，也可以是如NVRAM那樣不刷新也能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)的類別。但是，在將現(xiàn)有技術(shù)中的針對(duì)DRAM設(shè)計(jì)的內(nèi)存控制器應(yīng)用到混合型RAM的情況下，在存儲(chǔ)芯片屬于如NVRAM那樣的不需要刷新的存儲(chǔ)芯片時(shí)，自刷新模塊還對(duì)該存儲(chǔ)芯片刷新的情況下，導(dǎo)致功耗的浪費(fèi)。
[0025]在本實(shí)施例中，如果與特定的自刷新模塊連接了多個(gè)存儲(chǔ)芯片的情況下，優(yōu)選設(shè)置為在與同一個(gè)自刷新模塊連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別是相同的。即，與同一個(gè)自刷新模塊連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片，要么都需要刷新，要么都不需要刷新。具體地，在圖1中，存儲(chǔ)芯片A1、A2的類型相同，存儲(chǔ)芯片B1、B2的類型相同。
[0026]寄存器14中預(yù)存有關(guān)于存儲(chǔ)芯片的類別的標(biāo)志值。在本實(shí)施例中，由于與同一個(gè)自刷新模塊連接的各個(gè)存儲(chǔ)芯片的關(guān)于是否需要刷新的類別相同，因此對(duì)每個(gè)自刷新模塊存儲(chǔ)關(guān)于該每個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。在本示例中，在寄存器14中，存儲(chǔ)有關(guān)于自刷新模塊IIA所連接的存儲(chǔ)芯片Al、A2的類別的標(biāo)志值、以及關(guān)于自刷新模塊IlB所連接的存儲(chǔ)芯片B1、B2的類別的標(biāo)志值。這里，可以針對(duì)自刷新模塊的數(shù)量設(shè)置具有相應(yīng)位數(shù)的寄存器14，使得寄存器14可以分別存儲(chǔ)與各個(gè)自刷新模塊IIA所連接的存儲(chǔ)芯片的類別相關(guān)的標(biāo)志值。
[0027]例如，標(biāo)志值“O”表示不需要刷新的類別，標(biāo)志值“ I ”表示需要刷新的類別。在自刷新模塊IlA所連接的存儲(chǔ)芯片Al、A2是需要刷新的類別的情況下，關(guān)于自刷新模塊IlA在寄存器14的對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)位置上存儲(chǔ)的標(biāo)志值為“1”，在自刷新模塊IlB所連接的存儲(chǔ)芯片BUB2是不需要刷新的類別的情況下，關(guān)于自刷新模塊IlB在寄存器14的對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)位置上存儲(chǔ)的標(biāo)志值為“O”。
[0028]在寄存器14中，對(duì)每個(gè)自刷新模塊都設(shè)定了特定的存儲(chǔ)位置。根據(jù)各個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，預(yù)先將標(biāo)志值存儲(chǔ)到寄存器14，并且在特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別因更換等情況而變化的情況下，變更在寄存器14中存儲(chǔ)的關(guān)于與類別變化的存儲(chǔ)芯片連接的自刷新模塊的標(biāo)志值。例如，在自刷新模塊IlA所連接的存儲(chǔ)芯片Al、A2的類別從DRAM變換為NVRAM的情況下，將在寄存器14的與自刷新模塊IlA對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)的標(biāo)志值，從“ I ”變更為“O”。
[0029]判斷模塊12與寄存器14連接，在具有本發(fā)明的內(nèi)存控制系統(tǒng)的設(shè)備因接通電源等情況而啟動(dòng)的情況下，判斷模塊12可以讀取在寄存器14中存儲(chǔ)的關(guān)于各自刷新模塊存儲(chǔ)的標(biāo)志值。關(guān)于自刷新模塊IlA所讀取的標(biāo)志值表示與該自刷新模塊IlA連接的存儲(chǔ)芯片A1、A2的類別，同樣地，關(guān)于自刷新模塊IlB所讀取的標(biāo)志值表示與該自刷新模塊IlB連接的存儲(chǔ)芯片B1、B2的類別。
[0030]其中，判斷模塊12根據(jù)從寄存器14讀取的標(biāo)志值，對(duì)各個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別進(jìn)行判斷。例如，關(guān)于自刷新模塊IlA存儲(chǔ)的信息為“1”，則判斷模塊12判斷為存儲(chǔ)芯片A1、A2的類別是需要刷新的類別，關(guān)于自刷新模塊IlB所讀取的信息為“0”，則判斷模塊12判斷為存儲(chǔ)芯片B1、B2的類別是不需要進(jìn)行刷新的類別。判斷模塊12根據(jù)所讀取的標(biāo)志值，對(duì)各個(gè)自刷新模塊IlAUlB所連接的存儲(chǔ)芯片的類別進(jìn)行了判斷之后，將判斷結(jié)果傳送給控制邏輯模塊13。
[0031]控制邏輯模塊13根據(jù)從判斷模塊12接收到的判斷結(jié)果，開啟/關(guān)閉各個(gè)自刷新模塊。例如，控制邏輯模塊13接收的判斷結(jié)果表示存儲(chǔ)芯片Al、A2屬于需要刷新的DRAM的情況下，使得與存儲(chǔ)芯片Al、A2連接的自刷新模塊IlA開啟。在判斷結(jié)果表示存儲(chǔ)芯片BUB2屬于不需要刷新的NVRAM的情況下，關(guān)閉與存儲(chǔ)芯片B1、B2連接的自刷新模塊11B。其中，關(guān)閉特定的自刷新模塊，可以通過任意的方法實(shí)現(xiàn)，例如通過切斷對(duì)自刷新模塊的電源供應(yīng)來實(shí)現(xiàn)，或者通過對(duì)自刷新模塊的使能端(Enable)進(jìn)行設(shè)置來實(shí)現(xiàn)。
[0032]但是，在針對(duì)DRAM設(shè)計(jì)的現(xiàn)有的內(nèi)存控制器中，常態(tài)下各個(gè)自刷新模塊處于開啟的狀態(tài)。即，各個(gè)自刷新模塊在常態(tài)下，在每個(gè)刷新周期對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新。若如此，則控制邏輯模塊13僅在判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片屬于NVRAM等的不需要刷新的類別的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊即可。在判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片屬于DRAM等的需要刷新的類別的情況下，控制邏輯模塊13可以不對(duì)該特定的自刷新模塊進(jìn)行任何控制，該特定的自刷新模塊也保持在開啟狀態(tài)。具體地，在本實(shí)施例1中，將與判斷為屬于NVRAM的存儲(chǔ)芯片B1、B2連接的自刷新模塊IlB關(guān)閉即可。
[0033]為了便于說明，在圖1所示的例子中，內(nèi)存控制器I包括自刷新模塊11A、11B，存儲(chǔ)器2包括存儲(chǔ)芯片Al、A2、B1、B2。但是，自刷新模塊的數(shù)目和存儲(chǔ)芯片的數(shù)目并非限定于2個(gè)和4個(gè)，只要每個(gè)自刷新模塊都具有至少一個(gè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片即可，能夠根據(jù)具體情況任意地設(shè)定。
[0034]例如，在內(nèi)存控制器I中可以僅設(shè)置I個(gè)或多個(gè)自刷新模塊。在設(shè)置I個(gè)自刷新模塊11的情況下，判斷模塊12僅對(duì)該I個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別(是否需要刷新)進(jìn)行判斷，并根據(jù)判斷結(jié)果對(duì)該自刷新模塊11進(jìn)行關(guān)閉/開啟。
[0035]此外，在上面的描述中，雖然以判斷模塊12以及控制邏輯模塊13為分離的模塊為例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明不限于此，可以由單獨(dú)的微處理器基于其中預(yù)設(shè)的固件或軟件來同時(shí)實(shí)現(xiàn)判斷模塊12以及控制邏輯模塊13的功能。
[0036]《實(shí)施例2》
[0037]在本發(fā)明的實(shí)施例2中，判斷模塊基于管腳的狀態(tài)來判斷與各個(gè)自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片的類別。其中，該管腳與各個(gè)自刷新模塊相對(duì)應(yīng)地設(shè)置，例如通過通電之后的電平來表示所對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。
[0038]在本實(shí)施例2的說明中，以與實(shí)施例2不同的部分為重點(diǎn)展開說明，與實(shí)施例1相同的部分簡(jiǎn)略/不重復(fù)其說明。
[0039]圖2是表示根據(jù)實(shí)施例2的內(nèi)存控制系統(tǒng)的示意圖。該內(nèi)存控制系統(tǒng)包括內(nèi)存控制器1、和存儲(chǔ)器2。其中，內(nèi)存控制器I包括自刷新模塊11A、11B、判斷模塊12、控制邏輯模塊13。存儲(chǔ)器2包括存儲(chǔ)芯片Al、A2、B1、B2。
[0040]與圖1不同，在實(shí)施例2中的內(nèi)存控制系統(tǒng)中，與各個(gè)自刷新模塊IlAUlB對(duì)應(yīng)地單獨(dú)設(shè)置了管腳15A、15B。這里，判斷模塊12分別與自刷新模塊11A、11B對(duì)應(yīng)的管腳15A、15B連接。其中，該管腳15A、15B設(shè)置在內(nèi)存控制器I的外部，例如設(shè)置在配置了內(nèi)存控制器I和存儲(chǔ)器2的基板上，并且能夠由內(nèi)存控制器I的判斷模塊12讀取其狀態(tài)。
[0041]根據(jù)各個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，對(duì)與各個(gè)自刷新模塊對(duì)應(yīng)的管腳進(jìn)行硬件設(shè)置。例如，在與特定自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片是需要進(jìn)行刷新的類別的情況下，將與該特定的自刷新模塊對(duì)應(yīng)的管腳連接到電源使得在接通電源的情況下保持在高電平。此外，在與特定自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片是不需要進(jìn)行刷新的NVRAM的情況下，對(duì)與該特定的自刷新模塊對(duì)應(yīng)的管腳接地使得在接通電源的情況下保持在低電平。具體地，在存儲(chǔ)芯片Al、A2是DRAM，并且存儲(chǔ)芯片B1、B2是NVRAM的情況下，將與自刷新模塊IlA對(duì)應(yīng)的管腳15A連接到電源，并且將與自刷新模塊IlB對(duì)應(yīng)的管腳15B接地。
[0042]判斷模塊12與管腳15A、15B連接，在具有本發(fā)明的內(nèi)存控制系統(tǒng)的設(shè)備因接通電源等情況而啟動(dòng)的情況下，讀取管腳15A、15B的狀態(tài)。具體地，判斷模塊12判斷管腳15A、15B的狀態(tài)，在管腳15A為高電平的情況下，將自刷新模塊IlA所連接的存儲(chǔ)芯片的類型判斷為需要刷新的類別，對(duì)應(yīng)地，在管腳15B為低電平的情況下，將自刷新模塊IlB所連接的存儲(chǔ)芯片的類型判斷為不需要刷新的類別。然后，判斷模塊12將關(guān)于各個(gè)自刷新模塊11A、IlB的判斷結(jié)果發(fā)送給控制邏輯模塊13。
[0043]如在實(shí)施例1的說明中所述，控制邏輯模塊13根據(jù)接收到的判斷結(jié)果，開啟/關(guān)閉各個(gè)自刷新模塊11A、11B。
[0044]另外，在本實(shí)施例2中，說明了判斷模塊12根據(jù)與各個(gè)自刷新模塊對(duì)應(yīng)的管腳的電平的高低來判斷對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別的方案，但是并不限定于利用電平的高低，也可以利用管腳的其他的狀態(tài)，只要判斷模塊12能夠根據(jù)管腳的狀態(tài)區(qū)分出表示與各個(gè)自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片的不同類別即可。進(jìn)而，管腳的硬件連接的方式?jīng)]有限定，只要管腳能夠表現(xiàn)出與所對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的狀態(tài)即可。
[0045]此外，在實(shí)施例1和實(shí)施例2的說明中，以連接到同一個(gè)自刷新模塊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別相同為例，進(jìn)行了描述。但是，本發(fā)明也可以應(yīng)用于連接到同一個(gè)自刷新模塊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別不同的情況。
[0046]在該情況下，關(guān)于特定的自刷新模塊，判斷模塊12判斷與該特定的自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片的類別，僅在判斷模塊12判斷出與該特定的自刷新模塊連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片都屬于不需要刷新的類別時(shí)，控制邏輯模塊13才關(guān)閉該特定的自刷新模塊。如果判斷模塊12判斷出在與該特定的自刷新模塊連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片中，一部分存儲(chǔ)芯片屬于需要刷新的類別，一部分屬于不需要刷新的類別，則控制邏輯模塊13依然開啟該特定的自刷新模塊。從而，能夠保證在一部分需要刷新的存儲(chǔ)芯片中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的不丟失。
[0047]S卩，在與特定的自刷新模塊連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片，判斷模塊12判斷出的判斷結(jié)果存在3種情況:“全部是需要刷新的類別”、“全部是不需要刷新的類別”、“部分是需要刷新的類別、部分是不需要刷新的類別”?？刂七壿嬆K13僅在關(guān)于特定的自刷新模塊的判斷結(jié)果表示“全部是需要刷新的類別”的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊。
[0048]例如，在連接到同一個(gè)自刷新模塊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別不同的情況下，例如在實(shí)施例1中，在寄存器14中，與各個(gè)自刷新模塊對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)關(guān)于各個(gè)自刷新模塊所連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的每一個(gè)的類別的標(biāo)志值。
[0049]具體地，在實(shí)施例1中，例如與自刷新模塊IlA連接的存儲(chǔ)芯片Al為NVRAM、存儲(chǔ)芯片A2為DRAM的情況下，在寄存器14中，在與自刷新模塊IlA對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)“ 10”。判斷模塊12關(guān)于自刷新模塊IlA判斷出與該自刷新模塊連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片不全是需要刷新的類別?？刂七壿嬆K13接收該判斷結(jié)果，不關(guān)閉該自刷新模塊IlA(或者，保持開啟該自刷新模塊11A)。
[0050]此外，在連接到同一個(gè)自刷新模塊的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別不同的情況下，例如在實(shí)施例2中，與各個(gè)自刷新模塊對(duì)應(yīng)地，設(shè)置了關(guān)于各自刷新模塊所連接的多個(gè)存儲(chǔ)芯片的每一個(gè)存儲(chǔ)芯片的多個(gè)管腳，并根據(jù)存儲(chǔ)芯片的類別對(duì)該多個(gè)管腳進(jìn)行硬件設(shè)置。判斷模塊12關(guān)于各個(gè)自刷新模塊的多個(gè)管腳判斷與該自刷新模塊連接的存儲(chǔ)芯片的類別，控制邏輯模塊13接收該判斷結(jié)果，并根據(jù)該判斷結(jié)果對(duì)該特定的自刷新模塊進(jìn)行控制。
[0051]具體地，在實(shí)施例2中，例如與自刷新模塊IlA連接的存儲(chǔ)芯片Al為NVRAM、存儲(chǔ)芯片A2為DRAM的情況下，與自刷新模塊IlA對(duì)應(yīng)地設(shè)置管腳15A1U5A2。并且，根據(jù)存儲(chǔ)芯片A1、A2的狀態(tài)，分別對(duì)管腳15A1和15A2進(jìn)行硬件設(shè)置。例如在存儲(chǔ)芯片Al為NVRAM的情況下，將管腳15A1接地，在存儲(chǔ)芯片A2為DRAM的情況下，將管腳15A2連接到電源。判斷模塊12關(guān)于自刷新模塊IIA讀取管腳15A1U5A2的狀態(tài)(例如為電平)，對(duì)自刷新模塊IlA所連接的各個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別進(jìn)行判斷?？刂七壿嬆K13接收該判斷結(jié)果，并根據(jù)該判斷結(jié)果對(duì)自刷新模塊IlA進(jìn)行控制。
[0052]此外，在上述實(shí)施例中，自刷新模塊統(tǒng)一對(duì)所連接的至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新，并且判斷模塊12關(guān)于多個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)判斷其連接的存儲(chǔ)芯片的類別，控制邏輯模塊13根據(jù)判斷結(jié)果對(duì)自刷新模塊的關(guān)閉/開啟進(jìn)行控制。即，在實(shí)施例1和實(shí)施例2中，判斷模塊12的判斷和控制邏輯模塊13的控制，都以自刷新模塊為單位進(jìn)行。
[0053]但是，在特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為多個(gè)的情況下，該自刷新模塊也可以具有多個(gè)刷新單元。多個(gè)刷新單元的每一個(gè)分別執(zhí)行對(duì)特定的存儲(chǔ)芯片的刷新，從而由多個(gè)刷新單元構(gòu)成的自刷新模塊能夠執(zhí)行對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片的刷新。
[0054]例如，如圖3所示，自刷新模塊IlA與存儲(chǔ)芯片A11、A12、A21、A22連接，并且具有第一刷新單元和第二刷新單元。該第一刷新單元負(fù)責(zé)對(duì)存儲(chǔ)芯片All、A12進(jìn)行刷新，該第二刷新單元負(fù)責(zé)對(duì)存儲(chǔ)芯片A21、A22進(jìn)行刷新，從而自刷新模塊IlA能夠分別通過執(zhí)行第一刷新單元和第二刷新單元，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)芯片All、A12、A21、A22的刷新。此外，在圖3中為了方便說明僅示出了自刷新模塊IlA具有兩個(gè)刷新單元的情況，但是，其他的自刷新模塊(例如自刷新模塊11B)也可以具有多個(gè)刷新單元，并且刷新單元的數(shù)量也不限定于兩個(gè)，只要確保每個(gè)刷新單元都具有對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片即可。
[0055]本發(fā)明也能夠應(yīng)用到上述的自刷新模塊具有多個(gè)刷新單元，并通過執(zhí)行多個(gè)刷新單元來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新的結(jié)構(gòu)。在將本發(fā)明應(yīng)用到上述結(jié)構(gòu)的情況下，判斷模塊12的判斷和控制邏輯模塊13的控制，也能夠以刷新單元為單位進(jìn)行。
[0056]具體地，判斷模塊12判斷與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別，并生成關(guān)于各個(gè)刷新單元的判斷結(jié)果。例如在寄存器14中，與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)關(guān)于與各個(gè)刷新單元的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別的標(biāo)志值。在圖3的例子中，與自刷新模塊IlA的第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片A11、A12為NVRAM、與自刷新模塊IlA的第二刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片A21、A22為DRAM的情況下，在寄存器14中，在與第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)“0”，在與第二刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)位置存儲(chǔ)“I”。判斷模塊12根據(jù)寄存器14中存儲(chǔ)的標(biāo)志值，關(guān)于自刷新模塊IlA的第一刷新單元和第二刷新單元判斷出與第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片不需要刷新、與第二刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片需要刷新。此外，也可以是，與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)地設(shè)置管腳，并根據(jù)與刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別，對(duì)所設(shè)置的管腳進(jìn)行硬件設(shè)置。從而，判斷模塊12通過讀取管腳的狀態(tài)來判斷與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別。如上所述，判斷模塊12可以通過寄存器和管腳來判斷與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別，但是也可以通過其他的方式來判斷與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別。
[0057]具體地，控制邏輯模塊13接收由判斷模塊12生成的關(guān)于各個(gè)刷新單元的判斷結(jié)果，根據(jù)從判斷模塊12接收到的判斷結(jié)果，開啟/關(guān)閉各個(gè)刷新單元。即，控制邏輯模塊13在與特定的刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別為不需要刷新的類別的情況下，關(guān)閉該特定的刷新單元，并且在與特定的刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別為需要刷新的類別的情況下，開啟該特定的刷新單元。例如，在圖3的例子中，控制邏輯模塊13接收的判斷結(jié)果表示與第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片All和A12不需要刷新的情況下，關(guān)閉該第一刷新單元，在判斷結(jié)果表示與第二刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片A21和A22需要刷新的情況下，開啟該第二刷新單元。其中，例如可以通過切斷特定的刷新單元的信號(hào)的發(fā)送，從而關(guān)閉該特定的刷新單元的操作，但是也可以通過其他的方法實(shí)現(xiàn)，只要能夠使該特定的刷新單元不對(duì)與該特定的刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新即可。
[0058]根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，在特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊。從而在混合RAM中僅對(duì)需要進(jìn)行刷新的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新，減少內(nèi)存控制器的功耗。上述改進(jìn)僅需要通過對(duì)現(xiàn)有的針對(duì)DRAM設(shè)計(jì)的內(nèi)存控制器進(jìn)行簡(jiǎn)單的改變，就能夠?qū)崿F(xiàn)減少內(nèi)存控制器的功耗的效果。例如，在實(shí)施例1中，通過在內(nèi)存控制器中增加寄存器，并基于寄存器中預(yù)存的標(biāo)志值來控制自刷新模塊的關(guān)閉/開啟，從而不對(duì)如NVRAM那樣的存儲(chǔ)器進(jìn)行刷新。在實(shí)施例2中，通過設(shè)置管腳，通過其狀態(tài)來表示與特定的自刷新模塊對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別，通過讀取該管腳的狀態(tài)來判斷與特定的自刷新模塊對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別，進(jìn)而對(duì)自刷新模塊進(jìn)行控制，從而在內(nèi)存控制器中能夠減少因開啟不需要的自刷新模塊而浪費(fèi)的功耗。
[0059]下面，參照?qǐng)D4來說明本發(fā)明的內(nèi)存控制器中的內(nèi)存控制方法。圖4是表示本發(fā)明的內(nèi)存控制器中的內(nèi)存控制方法的步驟的流程圖。這里，圖4的方法可以應(yīng)用到圖1或圖2所不的內(nèi)存控制系統(tǒng)中。該內(nèi)存控制系統(tǒng)可以包括內(nèi)存控制器I和存儲(chǔ)器2，并且內(nèi)存控制器I包括至少一個(gè)自刷新模塊11、判斷模塊12以及控制邏輯模塊13。該至少一個(gè)自刷新模塊11中的每一個(gè)分別與存儲(chǔ)器2中的至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別可以對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新。
[0060]首先，例如在具有應(yīng)用本發(fā)明的內(nèi)存控制方法的內(nèi)存控制系統(tǒng)的設(shè)備(例如、信息處理終端、計(jì)算機(jī)等)接通電源而啟動(dòng)的情況下，本發(fā)明的內(nèi)存控制方法開始執(zhí)行(步驟Sn)。
[0061]之后，在步驟S12，分別判斷至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果。
[0062]具體地，判斷模塊12以自刷新模塊為單位，判斷與各個(gè)自刷新模塊連接的至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片的類別。
[0063]例如，在實(shí)施例1中，步驟S12可以進(jìn)一步包括:基于寄存器中的標(biāo)志值來分別判斷至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。具體地，如上所述，在寄存器14中預(yù)存了用于表示至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別的標(biāo)志值，因此判斷模塊12根據(jù)在寄存器14中存儲(chǔ)的關(guān)于各個(gè)自刷新模塊的標(biāo)志值，判斷各個(gè)自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。
[0064]此外，在實(shí)施例2中，步驟S12可以進(jìn)一步包括:基于至少一個(gè)管腳的狀態(tài)來分別判斷與至少一個(gè)管腳的每個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。具體地，如上所述，根據(jù)各個(gè)自刷新模塊分別設(shè)置管腳，并且將其與判斷模塊12連接。這里，可以設(shè)置與特定自刷新模塊對(duì)應(yīng)的管腳在通電時(shí)的狀態(tài)(高電平/低電平)，并且該狀態(tài)(高電平/低電平)可以表示該特定自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。在這種情況下，判斷模塊12讀取各個(gè)管腳的狀態(tài)，根據(jù)各個(gè)管腳的狀態(tài)來判斷對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。在這里，存儲(chǔ)芯片的類別表示該存儲(chǔ)芯片是否需要通過刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)。
[0065]之后，在步驟S13，在判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊。
[0066]具體地，控制邏輯模塊13根據(jù)判斷模塊12判斷出的判斷結(jié)果，關(guān)閉各個(gè)自刷新模塊。在關(guān)于特定的自刷新模塊的判斷結(jié)果表示該自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片不需要進(jìn)行刷新(如，NVRAM)的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊。此外，圖4的方法還可以包括步驟:在關(guān)于特定的自刷新模塊的判斷結(jié)果表示該自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片需要進(jìn)行刷新的情況下，啟動(dòng)該特定的自刷新模塊。
[0067]在這里，在針對(duì)DRAM設(shè)計(jì)的內(nèi)存控制器中，自刷新模塊在初始狀態(tài)下都設(shè)置為啟動(dòng)，因此在本發(fā)明的內(nèi)存控制方法中，可以僅在關(guān)于特定的自刷新模塊的判斷結(jié)果表示該自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片不需要進(jìn)行刷新的情況下，關(guān)閉該特定的自刷新模塊。
[0068]此外，在本發(fā)明中，在步驟S12，判斷模塊12也可以以自刷新模塊中包括的刷新單元為單位，判斷與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別，并生成關(guān)于各個(gè)刷新單元的判斷結(jié)果。具體地，在圖3的例子中，與自刷新模塊IlA的第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片AU、A12為NVRAM、與自刷新模塊IlA的第二刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片A21、A22為DRAM的情況下，判斷模塊12根據(jù)寄存器14中存儲(chǔ)的標(biāo)志值或與各個(gè)刷新單元對(duì)應(yīng)的管腳的狀態(tài)，關(guān)于自刷新模塊IlA的第一刷新單元和第二刷新單元判斷出與第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片不需要刷新、與第二刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片需要刷新。
[0069]之后，在步驟S13，也可以是，在判斷結(jié)果表示與特定的刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片為第一類別(不需要刷新)的情況下，關(guān)閉該特定的刷新單元。具體地，控制邏輯模塊13在與特定的刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片的類別為不需要刷新的類別的情況下，關(guān)閉該特定的刷新單元。例如，在圖3的例子中，控制邏輯模塊13接收的判斷結(jié)果表示與第一刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片All和A12不需要刷新的情況下，關(guān)閉該第一刷新單元。如上所述，在自刷新模塊具有多個(gè)刷新單元的內(nèi)存控制器中，也可以在初始狀態(tài)下將多個(gè)刷新單元都設(shè)置為啟動(dòng)，因此可以僅在關(guān)于特定的刷新單元的判斷結(jié)果表示與該刷新單元對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)芯片不需要進(jìn)行刷新的情況下，關(guān)閉該特定的刷新單元。
[0070]在上面詳細(xì)描述了本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種修改，組合或子組合，并且這樣的修改應(yīng)落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)存控制器，包括: 至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新；判斷模塊，配置來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及 控制邏輯模塊，配置來在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存控制器，其中， 所述控制邏輯模塊在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片不是第一類別的情況下，開啟所述特定的自刷新模塊。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存控制器，還包括: 寄存器，配置來分別存儲(chǔ)用于表示所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別的標(biāo)志值， 所述判斷模塊與所述寄存器連接，并且基于所述寄存器中的標(biāo)志值來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存控制器，其中， 與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)地設(shè)置了至少一個(gè)管腳，所述管腳配置來表示與其對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別， 所述判斷模塊與所述至少一個(gè)管腳連接，并且基于所述至少一個(gè)管腳的狀態(tài)來分別判斷與所述至少一個(gè)管腳的每個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。
5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存控制器，其中， 所述第一類別表示所述自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
6.一種內(nèi)存控制系統(tǒng)，包括: 一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)芯片； 至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新；判斷模塊，配置來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及 控制邏輯模塊，配置來在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新模塊。
7.—種內(nèi)存控制方法,應(yīng)用于內(nèi)存控制器,其中， 所述內(nèi)存控制器包括至少一個(gè)自刷新模塊，所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)分別與至少一個(gè)存儲(chǔ)芯片連接，并且所述至少一個(gè)自刷新模塊的每一個(gè)分別配置來對(duì)所連接的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新， 所述內(nèi)存控制方法包括: 分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別，從而生成與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的判斷結(jié)果；以及 在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片為第一類別的情況下，關(guān)閉所述特定的自刷新模塊。
8.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)存控制方法，還包括: 在所述判斷結(jié)果表示特定的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片不是第一類別的情況下，開啟所述特定的自刷新模塊。
9.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)存控制方法，其中， 所述內(nèi)存控制器進(jìn)一步包括寄存器，在所述寄存器中分別存儲(chǔ)用于表示所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別的標(biāo)志值， 分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別的步驟進(jìn)一步包括: 基于寄存器中的所述標(biāo)志值來分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。
10.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)存控制方法，其中， 與所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)地設(shè)置了所述至少一個(gè)管腳，所述管腳配置來表示與其對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別， 分別判斷所述至少一個(gè)自刷新模塊中的每一個(gè)所連接的存儲(chǔ)芯片的類別的步驟進(jìn)一步包括: 基于所述至少一個(gè)管腳的狀態(tài)來分別判斷與所述至少一個(gè)管腳的每個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的自刷新模塊所連接的存儲(chǔ)芯片的類別。
【文檔編號(hào)】G11C11/4063GK104425004SQ201310404429
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】謝巍 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司