磨耗測試方法和設(shè)備的制作方法

專利名稱：磨耗測試方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及介質(zhì)磨耗性測試，更具體地說，本發(fā)明涉及介質(zhì)磨耗性和/或涂層磨損的測試的改進。
背景技術(shù)：
在磁存儲系統(tǒng)中，通常利用磁換能器從磁記錄介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和把數(shù)據(jù)寫到磁記錄介質(zhì)上。通過把磁記錄換能器移動到介質(zhì)上方要保存數(shù)據(jù)的位置來把數(shù)據(jù)寫到磁記錄介質(zhì)上。磁記錄換能器隨后產(chǎn)生磁場，所述磁場把數(shù)據(jù)編碼到磁性介質(zhì)中。通過類似地定位磁讀取換能器，隨后感測磁性介質(zhì)的磁場，從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)。讀取操作和寫入操作可以獨立地與介質(zhì)的移動同步，以確保能夠從介質(zhì)上的期望位置讀取數(shù)據(jù)和把數(shù)據(jù)寫到介質(zhì)上的期望位置。數(shù)據(jù)存儲行業(yè)中的一個重要并且持續(xù)的目標是增大保存在介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的密度。對磁帶存儲系統(tǒng)來說，該目標已導致增大記錄磁帶上的磁道和線性位密度以及減小磁帶介質(zhì)的厚度。然而，小 占用面積、更高性能的磁帶驅(qū)動系統(tǒng)的開發(fā)在供這種系統(tǒng)使用的磁帶頭組件以及磁帶的設(shè)計方面造成了各種問題。介質(zhì)磨耗性直接與磁帶頭磨損、回退和間隙損耗有關(guān)。介質(zhì)廠家目前采用的計量磨耗性的方法包括已被證明不能夠表示實際磁帶頭磨損并且較差地計量磁帶磨耗性的方法。

發(fā)明內(nèi)容
按照一個實施例的系統(tǒng)包括:用于容納模塊的載體；用于移動磁帶經(jīng)過所述模塊的磁帶支承面的傳送機構(gòu)；和用于測量所述模塊的磁帶支承面上的涂層的磨損程度的測量設(shè)備。按照一個實施例的模塊包括:具有磁帶支承面的本體，所述本體具有與感興趣模塊近似的磁帶支承面輪廓和尺寸；和所述磁帶支承面上的涂層。按照一個實施例的方法包括:測量載體中的模塊的磁帶支承面上的初始涂層厚度；使磁帶移動經(jīng)過所述磁帶支承面；和每隔一段時間，測量殘余涂層厚度。根據(jù)以下詳細說明，本發(fā)明的其它方面和實施例將變得明顯，結(jié)合附圖進行的以下詳細說明舉例說明了本發(fā)明的原理。


圖1是按照一個實施例的簡化磁帶驅(qū)動系統(tǒng)的示意圖。圖2圖解說明了按照一個實施例的平直重疊的雙向雙模塊磁帶頭的側(cè)視圖。圖2A是從圖2的線2A取出的磁帶支承面視圖。圖2B是從圖2A的圓2B取出的詳細視圖。圖2C是一對模塊的局部磁帶支承面的詳細視圖。
圖3描述了按照一個實施例的方法。圖4A是按照一個實施例的磁帶頭的局部截面圖。圖4B是按照一個實施例的磁帶頭的局部截面圖。圖5是按照一個實施例的涂覆方案的俯視圖。圖6A是按照一個實施例的涂層厚度測量設(shè)備的局部俯視圖。圖6B是按照一個實施例的涂層厚度測量設(shè)備的局部截面圖。圖7A是按照一個實施例的涂層厚度測量設(shè)備的局部俯視圖。圖7B是按照一個實施例的涂層厚度測量設(shè)備的局部截面圖。
具體實施例方式下面的說明用于舉例說明本發(fā)明的一般原理，并不意圖限制這里要求保護的發(fā)明構(gòu)思。此外，這里說明的特定特征可以與在各種可能的組合和排列的每一個中的其它所述特征結(jié)合地使用。除非這里另有明確定義，所述術(shù)語都被賦予它們最寬廣的可能解釋，包括說明書中隱含的含義以及本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的和/或在字典、論文等中定義的含義。另外必須注意，在說明書和附加的權(quán)利要求書中使用的單數(shù)形式包括復數(shù)的所指對象，除非另有規(guī)定。

下面的說明公開了磁存儲系統(tǒng)的幾個優(yōu)選實施例以及磁存儲系統(tǒng)的操作和/或組成部分。在一個實施例中，一種系統(tǒng)包括:用于容納模塊的載體；用于移動磁帶經(jīng)過所述模塊的磁帶支承面的傳送機構(gòu)；和用于測量所述模塊的磁帶支承面上的涂層的磨損程度的測量設(shè)備。在另一個實施例中，一種模塊包括:具有磁帶支承面的本體，所述本體具有與感興趣模塊近似的磁帶支承面輪廓和尺寸；和所述磁帶支承面上的涂層。在另一個實施例中，一種方法包括:測量載體中的模塊的磁帶支承面上的初始涂層厚度；移動磁帶經(jīng)過所述磁帶支承面；和每隔一段時間，測量殘余涂層厚度。圖1圖解說明了可用在本發(fā)明的上下文中的基于磁帶的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的簡化磁帶驅(qū)動器100。雖然圖1中示出了磁帶驅(qū)動器的一種具體實現(xiàn)，然而應(yīng)注意，可以在任意類型的磁帶驅(qū)動系統(tǒng)的上下文中實現(xiàn)這里說明的實施例。如圖所示，設(shè)置供帶卷筒120和接納卷盤121以支承磁帶122。卷盤中的一個或多個可構(gòu)成可拆卸磁帶盒的一部分，并且不一定是系統(tǒng)100的一部分。磁帶驅(qū)動器，比如圖1中圖解所示的磁帶驅(qū)動器可進一步包括驅(qū)動電機，用于驅(qū)動供帶卷筒120和接納卷盤121，從而移動磁帶122經(jīng)過任意類型的磁帶頭126。這樣的磁帶頭可包括讀取器和/或?qū)懭肫鞯年嚵?。導帶?25導引磁帶122經(jīng)過磁帶頭126。這種磁帶頭126再經(jīng)由電纜130耦接到控制器組件128?？刂破?28 —般控制諸如伺服跟蹤、寫入、讀取的磁帶頭功能?？刂破骺稍诒绢I(lǐng)域中已知的邏輯以及這里公開的任何邏輯下工作。電纜130可包括向磁帶頭126傳送數(shù)據(jù)以便記錄在磁帶122上以及接收由磁帶頭126從磁帶122讀取的數(shù)據(jù)的讀/寫電路。致動器132控制磁帶頭126相對于磁帶122的位置。
另外還設(shè)置接口 134，用于磁帶驅(qū)動器和主機(集成主機或外部主機)之間的通信以發(fā)送和接收數(shù)據(jù)，以及用于控制磁帶驅(qū)動器的操作并把磁帶驅(qū)動器的狀態(tài)傳送給主機，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解所有這一切。例如，圖2圖解說明了可在本發(fā)明的上下文中實現(xiàn)的平直重疊的雙向雙模塊磁帶頭200的側(cè)視圖。如圖所示，該磁帶頭包括一對模塊204，每個模塊204具備底座202并被固定成彼此相對成一個小的角度α。底座202可以是膠著地結(jié)合在一起的“U形梁”。每個模塊204包括基板204Α和蓋板204Β，所述蓋板204Β帶有薄膜部分(通常被稱為“間隙”)，在所述薄膜部分中形成讀取器和/或?qū)懭肫?06。在使用中，按照所示的方式，沿著介質(zhì)(磁帶)支承面209，移動磁帶208經(jīng)過模塊204，以便利用讀取器和寫入器讀取磁帶208上的數(shù)據(jù)和在磁帶208上寫入數(shù)據(jù)。磁帶208在進出平直的介質(zhì)支承面209的邊緣的包角Θ通常在約0.1° 5°之間?；?04Α —般由耐磨材料，比如陶瓷構(gòu)成。蓋板204Β由與基板204Α相同或相似的陶瓷構(gòu)成?？砂凑毡池撌交蚝喜⑹浇Y(jié)構(gòu)來排列讀取器和寫入器。例證的背負式結(jié)構(gòu)包括在(磁屏蔽的)讀取器換能器(例如，磁阻讀取器等)之上(或者之下)的(磁感應(yīng)的)寫入器換能器，其中，寫入器的磁極和讀取器的屏蔽體通常被隔開。例證的合并式結(jié)構(gòu)包括與一個寫入器磁極在同一物理層中的一個讀取器屏蔽體(從而“被合并”)。還可按照交錯結(jié)構(gòu)來排列讀取器和寫入器。另一方面，通道的每個陣列可以只是讀取器或?qū)懭肫?。這些陣列任意之一可以包含用于讀取介質(zhì)上的伺服數(shù)據(jù)的一個或多個伺服磁道讀取器。圖2Α圖解說明了從圖2的線2Α取得的模塊204之一的磁帶支承面209。圖中用虛線示出了典型的磁帶208。模塊204最好足夠長，以便當磁帶頭在數(shù)據(jù)帶之間步進時能夠支承磁帶。在這個例子中，磁帶208包括4-22個數(shù)據(jù)帶，例如，如圖2Α中所示，在半英寸寬的磁帶208上，具有16個 數(shù)據(jù)帶和17個伺服磁道210。在伺服磁道210之間限定數(shù)據(jù)帶。每個數(shù)據(jù)帶可包括若干數(shù)據(jù)磁道，例如512個數(shù)據(jù)磁道(未示出)。在讀/寫操作期間，讀取器和/或?qū)懭肫?06被定位到數(shù)據(jù)帶之一內(nèi)的特定磁道位置。外側(cè)讀取器(有時被稱為伺服讀取器)讀取伺服磁道210。伺服信號再被用于使讀取器和/或?qū)懭肫?06在讀/寫操作期間與特定的一組磁道保持對齊。圖2Β描述了在圖2Α的圓2Β中，在模塊204上的間隙218中形成的多個讀取器和/或?qū)懭肫?06。如圖所示，讀取器和寫入器206的陣列包括例如16個寫入器214、16個讀取器216和2個伺服讀取器212，然而，元件的數(shù)目可以變化。例證的實施例包括每個陣列
8、16、32、40和64個讀取器和/或?qū)懭肫?06。優(yōu)選實施例包括每個陣列32個讀取器和/或每個陣列32個寫入器，其中，換能元件的實際數(shù)目可以更大，例如，33、34等。這使磁帶可以更緩慢地移動，從而降低速度引起的尋道和機械困難和/或執(zhí)行較少的“卷帶”來填充或讀取磁帶。雖然可以如圖2Β中所示按照背負式結(jié)構(gòu)來排列讀取器和寫入器，然而，也可按照交錯結(jié)構(gòu)來排列讀取器216和寫入器214。另一方面，讀取器和/或?qū)懭肫鞯拿總€陣列206可以只是讀取器或?qū)懭肫?，并且該陣列可包含一個或多個伺服讀取器212。如一起考慮圖2和2Α-2Β所示那樣，考慮到諸如雙向讀取和寫入、邊寫邊讀能力、向下兼容的事情，每個模塊204可包括一組補充的讀取器和/或?qū)懭肫?06。
圖2C示出了按照一個實施例的磁帶頭200的補充模塊的局部磁帶支承面視圖。在這個實施例中，每個模塊具有在公共基板204A和可選的電絕緣層236上按照背負式結(jié)構(gòu)形成的多個讀/寫(R/W)對。由寫入磁頭214例示的寫入器和由讀取磁頭216例示的讀取器平行于磁帶介質(zhì)的行進方向?qū)R，從而形成用R/W對222例示的R/W對?？梢源嬖趲讉€R/W對222，例如，8對、16對、32對等。使如圖所示的R/W對222在通常與磁帶的行進方向垂直的方向上線性對齊。然而，也可以使R/W對沿對角線對齊，等等。伺服讀取器212被布置在R/W對的陣列的外側(cè)，其功能是眾所周知的。通常,磁帶介質(zhì)在如箭頭220所示的正向或反向移動。磁帶介質(zhì)和磁帶頭組件200以本領(lǐng)域中公知的方式按照換能關(guān)系工作。背負式MR磁帶頭組件200包括結(jié)構(gòu)通常相同的兩個薄膜模塊224和226。模塊224和226被接合在一起，在它們的蓋板204B (被部分示出)之間存在間隔，從而形成單個物理單元，以通過啟動前導模塊的寫入器和平行于磁帶相對于其的行進方向與前導模塊的寫入器對齊的尾隨模塊的讀取器，來提供邊寫邊讀能力。當構(gòu)成背負式磁帶頭200的模塊224、226時，對于R/W對222來說，通常按照以下順序在例如AlTiC的導電基板204A (部分示出)上產(chǎn)生的間隙218中形成各層:絕緣層236，一般為諸如NiFe (坡莫合金)、CZT或Al-Fe-Si (鐵硅鋁合金)的鐵合金的第一屏蔽體232，用于感測磁性介質(zhì)上的數(shù)據(jù)磁道的傳感器234，一般為鎳鐵合金(例如80/20坡莫合金)的第二屏蔽體238，第一和第二寫入器極尖228、230，和線圈(未示出)。第一和第二寫入器磁極228、230可用諸如45/55NiFe的高磁矩材料制成。注意，這些材料只是作為例子提供的，并且可以使用其它材料?？梢源嬖诹硗獾膶樱T如屏蔽體和/或極尖之間的絕緣層和圍繞傳感器的絕緣層。用于絕緣層的例證材料包括氧化鋁和其它氧化物、絕緣聚合物等。每個驅(qū)動器產(chǎn)品具有不同的代，并且每代一般導致產(chǎn)生新設(shè)計的磁帶，與前一代相比，所述新設(shè)計的磁帶通 常更光滑、磨耗更小、并且具有更密集的磁性顆粒堆積。介質(zhì)廠家目前采用的計量磨耗性的方法涉及移動磁帶通過三角形AlFeSil磨損條的尖端。該方法已被證明不代表實際磁帶頭磨損，并且不是磁帶磨耗性的良好計量。按照一個優(yōu)選實施例，測試系統(tǒng)和/或方法可被用于計量與特定類型的模塊有關(guān)的介質(zhì)磨耗性。除了快速、精確和易于使用之外，這里公開的各種提議更精確地測量介質(zhì)磨耗性和/或更代表在實際產(chǎn)品使用中觀察到的磁帶頭磨損?，F(xiàn)在參見圖3，方法300包括測量載體中的模塊的磁帶支承面上的初始涂層厚度，所述模塊具有與感興趣模塊近似的磁帶支承面輪廓和尺寸。參見操作302。下面說明進行所述測量的例證設(shè)備。在一種優(yōu)選的提議中，“感興趣模塊”可以是生產(chǎn)中的、可能投產(chǎn)的、或者僅僅具有與將在產(chǎn)品中使用的模塊類似的形狀的任意功能模塊。在一個實施例中，可被用于測試的模塊可包括具有磁帶支承面的主體。在一種優(yōu)選的提議中，所述主體可具有與感興趣模塊近似的磁帶支承面輪廓和尺寸。在另一種提議中，模塊可以是用于按照這里說明和/或建議的任意實施例的磁帶頭的工作模塊，例如，感興趣模塊之一。在一種特別的提議中，模塊可另外包括磁帶支承面上的涂層。此外，可以利用看起來像磁帶頭但沒有任何記錄元件的模塊，以減少測試平臺的生產(chǎn)時間和成本。因此，在一種提議中，模塊可以是非功能模塊，比如在其中模塊可以是虛擬模塊、復制品、有缺陷的真實模塊等的情況下。在方法300的各種提議中，模塊可以包含這里提及和/或建議的任意模塊。在另一種提議中，模塊可以是按照這里說明和/或建議的任意實施例的成品磁帶頭組件的一部分。在一種提議中，磁帶頭組件可被容納在載體中。在各種提議中，所述載體可包括塑料、玻璃、陶瓷、金屬等，或者當閱讀本說明書時，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的任何其它材料。此外，所述載體可包括諸如插槽、夾具之類的聯(lián)接機構(gòu)，用于把模塊聯(lián)接到載體。繼續(xù)參見圖3，方法300另外包括移動磁帶經(jīng)過模塊的磁帶支承面。參見操作304。按照各種提議，磁帶可以包括新設(shè)計的磁帶、前一代磁帶、從一組磁帶中選擇的磁帶，等等。在操作306，以規(guī)則和/或不規(guī)則的間隔，測量殘余涂層厚度。例如，可以使磁帶運轉(zhuǎn)一段短的時間，隨后進行涂層磨損測量，接下來使磁帶再次運轉(zhuǎn)第二段時間，并重新進行測量，諸如此類。在一種提議中，可以在移動磁帶經(jīng)過涂層之前獲得初始涂層厚度，以便在比較以后的涂層磨損測量結(jié)果時用作基準。在一種提議中，可利用這里提及和/或建議的任意測量設(shè)備進行測量。按照另一種提議，可從載體取下模塊，以便進行測量。參見圖4A，系統(tǒng)400包括可用于容納模塊204的載體402。系統(tǒng)400另外包括可用于移動磁帶406經(jīng)過模塊204的磁帶支承面209的傳送機構(gòu)404。模塊上具有涂層414，由于把磁帶壓向模塊和磁帶之間的負壓界面的大氣壓力，當移動磁帶經(jīng)過時，所述涂層414磨損。模塊的各個角用于從磁帶削除空氣，從而形成負壓條件。另外參見圖6B和7B的涂層414。涂層的磨損程度指示感興趣模塊的預期磨損。

在磁帶磨損測試期間，移動磁帶經(jīng)過模塊，并測量涂層的磨損程度。這里說明了進行涂層測量的例證方法。繼續(xù)參見圖4A，系統(tǒng)400另外包括測量設(shè)備412，用于測量模塊204的磁帶支承面209上的涂層414的磨損程度。按照各種提議，測量設(shè)備412可包括橢率計、探針輪廓儀等，或者當閱讀本說明書時，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的任何其它測量設(shè)備。在一種優(yōu)選的提議中，測量設(shè)備是橢率計，因為利用橢率計進行的測量快速、精確、并且不會干擾和/或接觸磁帶支承面。一種提議實現(xiàn)非現(xiàn)場橢率計，其中從測試儀取下模塊進行測量。然而，在特別優(yōu)選的提議中，可以采用現(xiàn)場配置，使得能夠通過單個工具中的自動化來捕獲涂層厚度測量結(jié)果。就利用橢率計的實施例來說，最好使用透明或基本上透明的涂層。按照各種提議，所述涂層可包括類金剛石碳(DLC)，玻璃，諸如氧化鋁、氧化鉻的金屬氧化物，氮化物，多晶氧化鋁等，或者當閱讀本說明書時，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的任何其它的透明、基本上透明和/或半透明的涂層。然而，在不包含橢率計的各個其它實施例中，在測量厚度的區(qū)域中，可以使用不透明或者基本上不透明的涂層。在把氧化鋁包含在涂層中的提議中，優(yōu)選的是按照使得氧化鋁以結(jié)晶、多晶或半結(jié)晶的方式生長的方式來沉積氧化鋁，從而防止磁帶過快地磨掉涂層。在一種特別優(yōu)選的提議中，涂層主要是例如至少80%到100%的多晶氧化鋁。為了使磨損測量精確和有意義，最好選擇具有適當硬度的涂層，使得能夠在較短的時間內(nèi)，容易地辨別磁帶磨耗性的差異。在一種提議中，涂層最好具有與感興趣模塊相似的摩擦系數(shù)，使得靜摩擦和摩擦不會損害系統(tǒng)。這種涂層材料可被應(yīng)用于各種磁帶頭，包括(但不限于)按不同的磁帶頭結(jié)構(gòu)和輪廓來計量磁帶磨耗性的仿形磁帶頭。在一種優(yōu)選提議中，涂層可具有至少約IOnm的沉積厚度，更優(yōu)選的是具有從約50nm到約200nm的沉積厚度，但在各個實施例中，沉積厚度可以更高或更低。在圖4B中描述的變形中，模塊204具有如在磁帶的行進方向上測量的更窄的磁帶支承面。在磁帶的行進方向上的例證寬度可以近似相當于在磁帶支承面的各角形成的磁帶隆起的寬度。在磁帶運轉(zhuǎn)片刻之后，涂層發(fā)展成穩(wěn)定的柱面輪廓，此時，額外的磁帶接觸壓力項是T/RW，其中T是磁帶張力，R是輪廓的半徑，以及W是磁帶的寬度。與前一提議中相t匕，涂層414更厚,例如,在約500nm到約5微米之間。本實施例可用于評估更厚和/或更硬的涂層的耐磨性?，F(xiàn)在參見在圖5中描述的磁帶頭的俯視圖，按照一個例證實施例，涂層可包括整塊材料502和相對于整塊材料502在預定位置的一個或多個第二材料504的部分。最好，整塊材料和第二材料不同。在一種提議中，第二材料504可包括鋁-鐵-硅(AlFeSil)、鐵硅鋁合金等。在另一種提議中，整塊材料502可包括(但不限于)氧化鋁或者這里說明或暗指的任何其它適當材料。第二材料的部分可以具有任意形狀，并且可以按照任意方式排列。圖5中描述的設(shè)計考慮到差異磨損的可能性，所述差異磨損使涂層的不同部分以不同速率磨損。此外，這種差異磨損可提供關(guān)于在不同測試方案中應(yīng)用的不同材料的磨損率的附加信息。返回參見圖4，在一種提議中，測量設(shè)備412可被配置成使用磁帶支承面209的未被磁帶406接觸的區(qū)域作為測量的基準計量。在另一種提議中，載體402和測量設(shè)備412可被配置和/或布置成允許測量涂層414的磨損程度而不從載體402取下模塊204。

如分別在圖6A-6B的截面圖和俯視圖中所示的，可選地在利用測量設(shè)備412測量初始(對照)厚度^之后，把模塊204置于磁帶406之下和/或把磁帶置于該模塊之上，然后移動磁帶經(jīng)過模塊204，從而導致磨損。按照分別在圖7A-7B的截面圖和俯視圖中描述的一個實施例，測量涂層的殘余厚度t2可包括例如以規(guī)則和/或不規(guī)則間隔，在測量設(shè)備412和模塊204之間產(chǎn)生相對移動(例如，經(jīng)由載體402)，使得先前在轉(zhuǎn)動的磁帶406下面的一部分或者全部涂層414變成露出。隨后，諸如橢率計的測量設(shè)備412可測量磁帶406所移動經(jīng)過的區(qū)域中的涂層414的厚度t2。優(yōu)選地在磁帶行進的方向上測量的涂層的中心附近，測量該殘余厚度，因為在磁帶頭的角落附近的涂層會顯示出由磁帶隆起引起的磨損圖案(如圖7B中所示)，因此如果被用作殘余厚度的話，則會給出不精確的讀數(shù)。在測量了殘余厚度之后，可按工作配置來定位模塊204和載體402和/或磁帶406，并且磁帶再次移動經(jīng)過模塊。該過程可被重復若干次。為了確定磨損程度，測量設(shè)備412可以測量從不與磁帶406接觸的區(qū)域中的涂層414的對照厚度h，對照厚度h被用作與殘余厚度測量結(jié)果進行比較的對照厚度。這便于對照厚度h和殘余厚度t2之間的精確比較，而不用在每次進行涂層磨損測量時，都必須釋放磁帶頭。在上面提及的備選提議中，可以在運轉(zhuǎn)磁帶之前測量初始厚度。在其它實施例中，可以利用對置模塊、單個模塊、三模塊等來運轉(zhuǎn)測試系統(tǒng)。
取決于磁帶介質(zhì)的磨耗性，涂層可能以不同速率磨損。按照這里說明的實施例，形狀與感興趣模塊類似的模塊上的涂層厚度的測量揭示了某種磁帶介質(zhì)多快地磨損所述涂層。這些測量結(jié)果直接與介質(zhì)磨耗性以及在經(jīng)歷實際產(chǎn)品使用時介質(zhì)將多快地磨損給定的感興趣|吳塊有關(guān)。按照一種提議，可以對任何新開發(fā)的涂層進行按照這里說明的任意實施例的磨損測試，例如，以比較該涂層的特性和磁帶頭磨損的某種標準或閾值，從而評估該特定涂層的配置。另外，可以在測試結(jié)束時進行光學和/或探針輪廓測量，以捕獲由磁帶引起的整體磁帶頭輪廓。顯示可以按照任意方式組合上述方法的各個特征，從而根據(jù)上面給出的描述，產(chǎn)生多種組合。另外對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然可用邏輯設(shè)備適當?shù)伢w現(xiàn)本發(fā)明的方法，所述邏輯設(shè)備包含執(zhí)行這里給出的方法的各個步驟的邏輯，并且顯然所述邏輯可包含硬件組件或固件組件。同樣，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然可在邏輯設(shè)備中適當?shù)鼐唧w體現(xiàn)各種提議中的邏輯布置，所述邏輯設(shè)備包括進行所述方法的各個步驟的邏輯，并且這樣的邏輯可以包含諸如可編程邏輯陣列中的邏輯門之類的組件?？梢栽谑鼓苎b置或組件中具體體現(xiàn)這樣的邏輯布置，以便利用例如可用固定或可傳輸?shù)妮d體介質(zhì)保存的虛擬硬件描述語言，在這樣的陣列中臨時或永久地建立邏輯結(jié)構(gòu)。要理解上面說明的方法可以完全或者部分用在一個或多個處理器(未示出)上運行的軟件恰當?shù)貙崿F(xiàn)，所述軟件可以攜帶在任何適當?shù)臄?shù)據(jù)載體(同樣未示出)，比如計算機磁盤或光盤上的計算機程序元件的形式提供。數(shù)據(jù)傳輸通道同樣可包括所有種類的存儲介質(zhì)，以及諸如有線或無 線信號介質(zhì)之類的信號傳送介質(zhì)。本發(fā)明的實施例可被適當?shù)伢w現(xiàn)成供計算機系統(tǒng)之用的計算機程序產(chǎn)品。這樣的實現(xiàn)可包括一系列的計算機可讀指令，所述一系列的計算機可讀指令或者被固定在有形介質(zhì)，比如計算機可讀介質(zhì)，例如磁盤、CD-ROM、ROM或硬盤上，或者可借助調(diào)制解調(diào)器或其它接口裝置，通過有形介質(zhì)，包括(但不限于)光通信線路或模擬通信線路傳送給計算機系統(tǒng)，或利用無線技術(shù)，包括(但不限于)微波、紅外或其它傳輸技術(shù)，無形地傳送給計算機系統(tǒng)。所述一系列計算機可讀指令體現(xiàn)前面說明的全部或部分功能。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會理解這樣的計算機可讀指令可以用供許多計算機架構(gòu)或操作系統(tǒng)使用的多種編程語言編寫。此外，這樣的指令可以利用目前或者未來的任意存儲器技術(shù)，包括(但不限于)半導體、磁或光存儲器技術(shù)保存，或者可以利用目前或者未來的任意通信技術(shù)，包括(但不限于)光、紅外或微波通信技術(shù)傳送。預期這樣的計算機程序產(chǎn)品可以具有附帶的印刷或電子文檔的可拆卸介質(zhì)的形式分發(fā)，利用計算機系統(tǒng)預裝到例如系統(tǒng)ROM或硬盤上，或者通過網(wǎng)絡(luò)，比如因特網(wǎng)或萬維網(wǎng)，從服務(wù)器或電子公告板分發(fā)。通信組件，比如輸入/輸出或者說I/O設(shè)備(包括(但不限于)鍵盤、顯示器、指示裝置等)可以直接或者通過居間的I/o控制器，耦接到系統(tǒng)。諸如總線、接口、網(wǎng)絡(luò)適配器之類的通信組件也可耦接到系統(tǒng)，以使數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，例如主機通過居間的專用或公共網(wǎng)絡(luò)，耦接到其它數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)或者遠程打印機或者存儲設(shè)備。調(diào)制解調(diào)器、線纜調(diào)制解調(diào)器和以太網(wǎng)卡只是目前可用的各種網(wǎng)絡(luò)適配器中的一些。另外要理解可以代表消費者部署的服務(wù)的形式，提供本發(fā)明的實施例，以應(yīng)請求提供服務(wù)。雖然上面說明了各個實施例，然而應(yīng)明白它們只是作為例子給出的，而不是對本發(fā)明的限制。從而，本發(fā)明的實施例的寬度和范圍不應(yīng)被任意上述例證實施例限制，而是只應(yīng)按照以下權(quán)利要求 及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括: 用于容納模塊的載體； 用于移動磁帶經(jīng)過所述模塊的磁帶支承面的傳送機構(gòu)；和 用于測量所述模塊的磁帶支承面上的涂層的磨損程度的測量設(shè)備。
2.按照權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述載體和所述測量設(shè)備被配置和/或定位成允許測量所述涂層的磨損程度，而不從所述載體取下所述模塊。
3.按照權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述測量設(shè)備包括橢率計。
4.按照權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述測量設(shè)備包括探針輪廓儀。
5.按照權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述測量設(shè)備被配置成利用磁帶支承面的未被磁帶接觸的區(qū)域作為測量的基準計量。
6.—種模塊,包括: 具有磁帶支承面的本體，所述本體具有與感興趣模塊近似的磁帶支承面輪廓和尺寸；和 所述磁帶支承面上的涂層。
7.按照權(quán)利要求6所述的模塊，其中，所述涂層具有與感興趣模塊類似的摩擦系數(shù)。
8.按照權(quán)利要求6所述的模塊，其中，所述涂層具有至少約IOnm的沉積厚度。
9.按照權(quán)利要求6所述的模塊，其中，所述涂層是透明的。
10.按照權(quán)利要求6所述的模塊，其中，所述涂層主要是多晶氧化鋁。
11.按照權(quán)利要求6所述的模塊，其中，所述模塊是非功能模塊。
12.按照權(quán)利要求6所述的模塊，其中，所述涂層包括整塊材料和相對于所述整塊材料在預定位置的一個或多個第二材料部分。
13.—種方法,包括: 測量載體中的模塊的磁帶支承面上的初始涂層厚度； 移動磁帶經(jīng)過所述磁帶支承面；和 每隔一段時間，測量殘余涂層厚度。
14.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述模塊是成品磁帶頭組件的一部分，所述磁帶頭組件被容納在所述載體中。
15.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述模塊是磁帶頭的工作模塊。
16.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述模塊是非功能模塊。
17.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述測量是利用橢率計進行的。
18.按照權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括進行探針輪廓測量。
19.按照權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括利用所述磁帶支承面的未被磁帶接觸的區(qū)域作為測量的基準計量。
20.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述涂層具有與感興趣模塊相似的摩擦系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了磨耗測試方法和設(shè)備。按照一個實施例的系統(tǒng)包括用于容納模塊的載體；用于移動磁帶經(jīng)過模塊的磁帶支承面的傳送機構(gòu)；和用于測量模塊的磁帶支承面上的涂層的磨損程度的測量設(shè)備。按照一個實施例的模塊包括具有磁帶支承面的本體，所述本體具有與感興趣模塊近似的磁帶支承面輪廓和尺寸；和磁帶支承面上的涂層。按照一個實施例的方法包括測量載體中的模塊的磁帶支承面上的初始涂層厚度；移動磁帶經(jīng)過磁帶支承面；和每隔一段時間，測量殘余涂層厚度。
文檔編號G11B15/05GK103226958SQ20131002879
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月25日
發(fā)明者R·G·比斯克伯恩, J·梁, C·S·羅 申請人:國際商業(yè)機器公司