用于節省空間的應用的可分離的微構件和納米構件的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種節省空間的微構件及納米構件及其制造方法。所述構件的特征在于，所述構件不具有剛性、具有較大厚度的基體。這里在構件內部導致變形和/或拱曲的機械應力通過機械應力補償結構和/或通過利用沉積適當的應力補償層實現的主動的機械應力補償得到補償，從而沒有設置較厚的基體的需要。由此減小的構件的總厚度并且改進了其在技術系統中的可集成性。附加地擴展了這種構件的使用領域。
【專利說明】用于節省空間的應用的可分離的微構件和納米構件
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種可分離用于微系統和納米系統技術以及電子產品(DetachableComponents for Space-limited Applications through Micro and Nano Technology -DECAL-MNT )中節省空間的應用的可分離的微構件和納米構件的制造。
【背景技術】
[0002]微系統和納米系統技術包括微型化技術系統的設計、制造和應用，所述微型化技術系統的元件和組件具有在微米級和納米級的結構尺寸。微系統又多個組件組成，這些組件又包括功能和結構元件。這里構件的功能元件又多個層組成，這些層下面也稱為構件的層結構。微系統例如可以構成安全氣囊觸發系統、天線系統、智能傳感器系統、微型馬達、微型分析系統或光調制器。所述組件例如可以基于微機械、微電子、微流體或微光學技術，用于例如完成傳感器的、執行器的、傳輸、存儲或信號處理功能。功能和形狀元件例如可以是彎曲梁、膜、止擋、軸承、通道、金屬化結構、鈍化結構、壓電阻、熱電阻和導體線路。術語“構件”的使用包括所有微系統及納米系統，這些系統既可以具有非電氣的部件也可以具有電氣的組件，例如微電子組件，其中也包括這樣的結構元件，這些結構元件是最終要制造的構件的前體，這里最小尺寸不僅限于微米級，而是也可以在納米級范圍。
[0003]微結構的制造可以通過利用多個不同的方法步驟施加多個不同的材料層來實現。術語“材料層”包括所有這樣的層，這些層在制造構件時暫時地使用、例如犧牲層，或持續地保持使用。材料層具有不同的物理特性，其特征特別是在于不同熱膨脹系數。構件的制造通過施加多個材料層實現，多數情況下是在室溫以上的溫度下進行，從而事后的溫度變化會導致不希望的機械應力、特別是拉應力和/或壓應力。這種應力此時會導致構件的各個材料層的變形和/或拱曲。此外，機械應力對于各個材料層之間的附著會產生不利的影響并會導致構件的分離、偏移或破壞。前面所述的效果影響微結構的功能性并可能使其部分或完全失效。
[0004]在目前的現有技術中，首先應確保，構件的各個材料層非常強地相互粘附，從而所形成的機械應力由剛性的基體承受，所述基體用作結構元件并且具有晶片。術語“基體”包括所有附加的用于保持預定的形狀和/或用于承受機械應力的元件。但基體或晶片具有較大的材料厚度(例如4英寸晶片:525 μ m)，這種材料厚度要求事后的通過打磨工藝、腐蝕或這二者的組合進行的去除材料，以便獲得薄的晶片(例如減薄的4英寸晶片:50μπι)。用于提高微型化程度的事后的材料去除導致工作和成本支出提高，這對于經濟性產生不利影響。此外，多數情況下不能進行完整的晶片去除，從而降低了微型化程度。此外，各微構件或納米構件在制造之后在晶片水平上分開。這通常通過分離磨削進行。這樣分開的各構件也稱為芯片(Chip)。為了將微構件或納米構件集成到系統中，需要復雜的構造和連接技術。構造技術這里主要用于實現分開的構件與載體的機械連接。所述載體可以時構件殼體，構件通過鍵合與所述構件殼體連接，但載體也可以直接是電路板，構件無外殼地安裝在所述電路板上。連接技術用于建立對于構件的電氣或電子的系統集成所需的電氣連接。為此，構件在其周邊具有接觸盤或接觸區。由此例如通過焊接微絲而建立構件的接觸盤與殼體的接觸銷之間的連接。然后將其例如焊接在電路板中，電路板是系統集成第二高的組件。另一種方法是，在接觸盤上給分開的構件設置小焊料球，然后以構件側面并且由此也以接觸盤向下直接牢固地焊接在載體的觸點上。由此此時進行構件的翻轉，這種方式被稱為倒裝晶片技術(Flip-Chip-Technik)。在這種技術中，由于觸點之間的焊接連接不僅形成電連接，也形成機械連接。
[0005]由DE19851967A1已知一種微鏡，所述微鏡具有由于持續生成的機械應力而拱曲的膜。膜的拱曲通過向單片的膜基體上施加張力加載的層或者通過摻雜具有不同原子半徑的異類原子來實現。
[0006]由“IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, Vol.9，N0.4，2000年 12月，，已知文章“A New Technique for Production Large-Area As-Deposited Zero-StressLPVCD Polysilicon Films: The MultiPoly Process”,該文章記載了殘余應力和應力梯度的調整和消除，以便實現構件的改進。這里交替地接連施加具有拉應力和壓應力的層。
[0007]由DE10162983A1已知一種接觸彈簧裝置，其中在一個基體上設置一個在一側固定的接觸彈簧，所述接觸彈簧由具有應力梯度的半導體材料組成，所述應力梯度導致接觸彈簧永久性地彎曲。半導體材料中的所述應力梯度通過兩個相互連接的并且受到不同的機械載荷的半導體層引起。
[0008]由DE602004010729T2已知物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)的組合。
[0009]由US2002/0014673A1已知用于在柔性膜上制造集成電路的方法，其中所述方法
沒有使用半導體基底作為第一層。
[0010]DE102006057568A1已知具有基體的微光學元件和用于在采用犧牲層的情況下制造所述元件的方法。
[0011]由US6，098，568已知低輻射頻率用于在轟擊基體時控制離子能量的應用，以便改進對機械應力的控制。
[0012]現有技術的前面所述的各文獻都沒有記載用于制造得到機械應力補償的構件。此外前面所述的各文獻都沒有記載得到有效的機械應力補償的構件。
【發明內容】
[0013]本發明的目的在于，發現一種解決方案，以便至少降低所述缺點。特別是應建議一種用于制造可分離的并節省空間的微構件和納米構件。
[0014]為了實現所述目的，根據本發明提出一種根據權利要求1的構件。所述根據本發明的構件具有約I至50 μ m的厚度并且基本上得到機械應力補償，從而防止拱曲或起皺(Fa11enwerfen )。由于構件的機械應力補償,沒有使用剛性元件、例如基體(晶片、結構元件或減薄的基體)用于防止拱曲或起皺。放棄使用具有很大厚度的剛性基體使得可以實現具有較小結構高度或厚度的構件。
[0015]根據本發明的另一個方面，所述構件具有至少一個具有預先確定的機械應力的應力補償層，從而應力補償層至少部分地補償至少一個機械應力。這里在存在構件的機械應力時借助于機械的應力補償層實現對所存在拉應力和/或壓應力的補償，從而防止拱曲或起皺。放棄使用晶片作為剛性基體的薄的構件盡管其相對于整個晶片具有較小的尺寸但特別易于發生拱曲。對此希望的是，從晶片上分離的構件是扁平的并且沒有拱曲的。這里，構件也可以具有多個應力補償層。在這種情況下，在制造構件期間沉積生成多個應力補償層，從而構件可以受到連續的機械應力補償。
[0016]這里構件的對于構件功能必需的層結構的以適當方式沉積的層也可以用作應力補償層。由此應力補償層可以在構件的層結構之間使用。具有預定的機械應力的應力補償層的沉積通過各種不同的沉積工藝實現，特別是通過化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD )實現。CVD法可以在大氣壓力(APCVD )、降低的壓力(RPCVD )和等離子體輔助(PECVD )下實現。PVD法可以通過熱過程或濺射、特別是離子束霧化或等離子體霧化實現。
[0017]根據本發明的一個可選方案，所述構件具有至少一個載體層，特別是由環氧樹脂組成的載體層。所述載體層也以載體膜、特別是由塑料組成的載體膜的形式存在，所述載體層使得構件具有自承載的特性。此外，載體層使得能在希望的位置上設置構件。這里也可以提高其他具有較小尺寸、特別是具有較小厚度的載體層材料的使用量，因為所述載體層不再用于承受構件的現有的機械應力。特別適于用作載體層或載體膜的例如是名稱為SU-8?的可光刻結構化的環氧樹脂。
[0018]在根據本發明的構件的另一個優選的實施形式，所述構件具有至少一個第一埋設層。這里構件的層結構被埋設并因此集成在第一埋設層的內部。
[0019]根據本發明的另一個可選方案，所述構件具有至少一個第二埋設層。所述第二埋設層用于埋設金屬化通孔和接觸區，從而所述導通部和接觸區集成在所述第二埋設層中。
[0020]在根據本發明的構件的另一個優選的實施形式中，所述構件具有至少一個接觸區。該接觸區使得可以與該構件所屬的系統的另外的構件和組件建立觸點接通，并能實現信號的傳遞和/或接收。為了實現系統集成，構件具有接觸區的側面設置在一個載體上。所述載體也具有接觸區，這些接觸區關于構件的接觸區是鏡像式的。安裝這樣進行，使構件和載體的接觸區相接觸。構件與其載體的連接優選通過粘結實現，其中，在接觸區內的粘接劑必須是導電的。優選剛性的電路板、柔性的扁平電纜、模制互連裝置(MID)三維的設有導體的載體結構用作所述載體，如在移動電話中采用的載體結構。附加地有利的是，構件具有載體層。在這種情況下，接觸區集成在載體層中。這種布置結構還有利的是，微構件或納米構件在分離后可以轉移到操作層上。在這種情況下構件在載體上的固定也優選通過粘結實現，其中在接觸區內連接必須是導電的。
[0021]根據本發明的另一個可選方案，所述構件具有至少一個金屬化通孔。這里金屬化通孔用于建立構件的信號發生部件和/或信號接收部件與接觸區之間的連接，金屬化通孔特別是用于在產生電信號的構件區域和用于與其他部件或系統通信的接觸區之間建立連接。
[0022]根據本發明的另一個方面，所述構件設置成用于完成傳感器的和/或執行器的任務。所述構件可以設計成和制造成用于實現不同的任務，從而可以完成多種任務。這些構件是超薄的并且不具有基體，從而這種構件的小厚度使得便于集成到技術系統中。例如可以在柔性的扁平電纜上設置多個根據本發明的溫度傳感器并由此可以在多個不同的位置進行溫度測量。還可以在不同的位置直接在要測量的結構上安裝應變測量傳感器并它們通過在所述構件上分布的柔性扁平電纜相互連接并與分析評估系統連接。對于局域數據網絡的情況下，根據本發明的天線可以直接安裝在殼體/機箱上。[0023]根據本發明的另一個方面，構件設置成用于信號傳輸和/或信號接收。這些構件也是超薄的，不具有基體并且可以集成到技術系統中。
[0024]根據本發明的一個優選的實施形式，提出一種由至少兩個根據前面所述的各實施形式的構件組成的構件系統。這種構件系統由相同或不同的構件組成，這些構件設置成用于完成傳感器和致動器的任務。由此可以形成不同的構件系統，它們完成多個任務的確定的組合。所述構件的節省空間的特性和在微系統和納米系統技術上的制造方法可以有利地用于制造這種構件系統，從而在一個制造過程中可以同時制造用于完成不同任務的多個不同的構件并由此形成構件系統，在所述構件系統中，各個構件可以部分地相互處于連接和相互通信。
[0025]根據本發明的另一個可選方案，提出由至少兩個根據上面所述的實施形式構件組成的構件系統，用于信號傳輸和/或用于信號接收。這種構件系統由相同或不同的構件組成，所述構件設置成用于信號接收和/或用于信號傳輸。這里也可以將各種不同的構件系統相互連接，從而可以通過各個構件系統的組合可能性完成復雜的任務。
[0026]根據本發明的另一個方面，提出一種用于制造無基體的構件或構件系統的方法，所述構件或構件系統具有約10至50 μ m的厚度，制造在犧牲層或載體層上或者在位于犧牲層上載體層上進行。所述方法包括多個步驟。第一步驟是通過不同的物理和/或化學過程實現層狀地構造構件或構件系統。各個層的構造這樣實現，使得構件或構件系統的每個單個的層具有預定的機械應力，構件或構件系統的各個層的機械應力基本上得到補償，以便防止拱曲或起皺。這里構件或構件系統在一個犧牲層上、一個載體層上或在一個設置在犧牲層的載體層上構成。在構件或構件系統制造之后，如果使用了犧牲層，可以通過物理和/或化學的方法除去所存在的犧牲層。這里用于除去材料層的化學和物理的過程例如采用干式腐蝕法和濕化學腐蝕法。在除去所存在的犧牲層之后，可以提取構件或構件系統并接著將其放置在希望的位置。根據該方法，既可以制造無載體層的構件或構件系統也可以制造帶載體層的構件或構件系統。
[0027]根據本發明的另一個方面，提出一種用于制造無基體的構件或構件系統的方法，所述構件或構件系統具有約I至50 μ m的厚度，制造在犧牲層或載體層上或者在位于犧牲層上載體層上進行。所述方法包括多個步驟并且其特征在于，所述方法的第一步驟用通過不同的物理和/或化學過程層狀地構造構件或構件系統與應力補償層通過CVD和/或PVD在構件或構件系統上或構件的層結構內部的沉積的組合替代，所述應力補償層用于至少部分地補償構件或構件系統的機械應力，以便防止拱曲或起皺。這里通過在構件或構件系統上或構件的層結構的內部沉積至少一個應力補償層，由于溫度變化導致的機械應力得到補償。沉積具有預定的機械應力的應力補償層的參數可以通過計算、模擬或經驗設計確定。接著，如果存在犧牲層，則通過物理和/或化學的方法除去犧牲層，從而最終提取構件或構件系統。根據該方法，既可以制造無載體層的構件或構件系統也可以制造帶載體層的構件或構件系統，所述構件或構件系統通過沉積的應力補償層得到機械的應力補償。
[0028]根據本發明的另一個方面，提出一種用于制造無基體的構件或構件系統的方法，所述構件或構件系統具有約I至50 μ m的厚度，制造在犧牲層或載體層上或者在位于犧牲層上載體層上進行。所述方法包括多個步驟并且其特征在于，在通過不同的物理和/或化學過程層狀地構造構件或構件系統之后，或者在帶有前面所述的通過CVD和/或PVD在構件或構件系統上或構件的層結構內部的沉積應力補償層的步驟的組合之后，在構件或構件系統上設置至少一個輔助層。所述輔助層例如是指操作層、粘結層或保護層，這些輔助層也可以按不同的組合組成并設置在構件上。操作層臨時或永久性地粘附在構件上并用于提取構件，從而能夠將構件放置在另一個位置處。此外可以通過輔助層或操作層并排地粘附多個構件和構件系統，從而可以提供一種由多個構件或構件系統組成柔性膜。操作層可以具有不同的結構和材料并且能可變地組合。
[0029]在根據本發明的另一個優選的方法中，在構件或構件系統轉換定位之后，除去至少一個輔助層。此外可以在采用多層的操作層的情況下將操作層的一個層至少局部地除去，位于其下的層例如可以具有粘結特性，以便將構件粘附在設定的位置。這里通過適當地選擇和組合可以由不同材料制成的各輔助層，可以按印花(Abziehbild)的形式實現構件或構件系統的安裝。
[0030]在根據本發明的方法的另一個優選的方法中，應力補償層的沉積通過蒸汽相的等離子體輔助的化學沉積在至少一個沉積頻率下、特別是在兩個沉積頻率下進行，從而應力補償層的機械應力能通過沉積頻率調整。這里優選使用無機的絕緣層，例如Si3N4。在選擇較高的頻率時，沉積的層具有拉應力，而在選擇較低的頻率時，等離子體氣體的離子的平均自由路徑長度這樣加大，使得其轟擊位于結構中的材料層，并由此產生壓應力。通過一個具有拉應力以及另一個具有壓應力的兩個部分層的組合，可以在整個層中設置基本上任意大小的拉應力或壓應力。
[0031]根據本發明的一個優選的實施形式，提出構件或構件系統的根據上述方法之一的制造。在所述實施形式中制造受應力補償的構件或構件系統，所述構件或構件系統特別節省空間并且能集成到不同的技術系統中。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]下面參考帶有重要的方法步驟的附圖1至18舉例說明根據本發明的構件的幾個實施例和原理性的制造步驟。
[0033]圖1示意性示出按照本發明的由于存在壓應力和拉應力(D、Z)導致的構件(2)拱曲。
[0034]圖2示意性示出未減薄的基體(Ia)上的構件(2)及其層結構(2a)。
[0035]圖3示意性帶有根據現有技術的減薄的基體(Ib)的構件(2)及其層結構(2a)
[0036]圖4示意性示出構件(2)，所述構件具有沉積的、帶補償應力(K)的應力補償層
(5)，用于補償構件所存在的壓應力和拉應力(D、Z)。
[0037]圖5示意性示出可分離的構件(2)，所述構件具有應力補償層(5)和載體層(4)。
[0038]圖6示意性示出在分離之后的圖5的可分離的構件(2)。
[0039]圖7示意性示出可分離的構件(2)，所述構件具有應力補償層(5)并且不具有載體層⑷。
[0040]圖8示意性示出在分離之后的圖7的可分離的構件。
[0041]圖9示意性示出根據本發明的、受應力補償的分離的構件(2)，所述構件具有第一埋設層(7 )和第二埋設層(7a)。
[0042]圖10示意性示出具有第一埋設層(7)的受應力補償的構件(2)。[0043]圖11示意性示出可分離的構件(2)，所述構件具有一個載體層(4)和多個輔助層
(6)。
[0044]圖12示意性示出在從晶片或基體(Ia)上分離之后的圖11的根據本發明的構件(2)。
[0045]圖13示意性示出根據本發明的可分離的構件(2)，所述構件具有多個輔助層(6)并且沒有載體層(4)。
[0046]圖14示意性示出在從晶片或基體(Ia)上分離之后的圖13的根據本發明的構件(2)。
[0047]圖15示意性示出在除去最上面的輔助層(6)上之后的圖12的根據本發明的構件(2)。
[0048]圖16示意性示出在除去最上面的輔助層(6)上之后的圖15的根據本發明的構件(2)。
[0049]圖17示意性示出在除去最上面的輔助層(6)上之后的圖14的根據本發明的構件(2)。
[0050]圖18示意性示出在除去最上面的輔助層(6)上之后的圖17的根據本發明的構件(2)。
【具體實施方式】
[0051]圖1示例性示出松弛狀態的構件(2)，所述構件由于壓應力(D)和拉應力(Z)發生彎曲并且拱曲的形狀存在。圖2示出，根據現有技術如何通過在剛性的和厚的晶片或基體(Ia)上制造構件(2)來防止出現前面所述的彎曲。在構件層系統或構件層結構(2a)的各個層之間存在足夠的相互粘附的前提下，所存在的壓應力和拉應力(D、Z)由剛性的晶片或基體(Ia)承受，從而構件(2)不具有拱曲。根據現有技術，如圖3所示，為了減小構件(2)的厚度，接下來通過打磨和/或腐蝕使晶片或基體(Ia)減薄，從而存在經減薄的基體(lb)，這種基體降低了整個構件(2)的厚度。
[0052]圖4示意性示出根據本發明的用于補償構件(2)的機械應力的應力補償層(5)的使用。這里構件(2)所存在的壓應力和拉應力(D、Z)基本上通過具有機械補償應力(K)的沉積的應力補償層(5)得到補償。
[0053]圖5示出根據本發明示出構件(2)，所述構件在設置在犧牲層(3)上的載體層(4)上制成并具有應力補償層(5 )。這里載體層(4 )用于將構件(2 )施加和定位在任意表面上。構件(2)的機械應力基本上通過應力補償層(5)補償,從而可以使用厚度約為5μηι的薄的載體層(4)。由于構件(2)具有沉積的應力補償層(5)并且僅使用了一個薄的載體層(4)，明顯了降低構件(2)的總厚度。前面所述的帶有層結構(2a)的構件(2)在圖6中示意性示出，所述層結構具有應力補償層(2 )和薄的載體層(4)。
[0054]圖7示出根據本發明的構件(2)，該構件直接在犧牲層(3)上形成并具有應力補償層(5)。沉積的應力補償層(5)基本上補償了構件(2)或構件(2)的層結構的機械應力，從而在接下來除去犧牲層(3)之后，如圖8所示，能提供一種具有約I至50 μ m的總厚度的非常薄的構件(2)。這種實施形式使得可以將構件(2)設置在任意底層上。
[0055]圖9示出根據本發明的一個方面的構造成模塊式和應力補償式的構件(2)。在圖9中示出的構件(2)是傳感器，所述傳感器由各種不同的模塊式的集成在第一埋設層(7)中的組件組成:金屬化通孔(8)、磁導(FlussfUhrung) (10)、傳感器線圈(11)、激勵線圈(12)和磁彈性的磁導(13)。第二埋設層(7a)用于集成金屬化通孔(8)和各接觸區域(9)。由于應力補償式的結構明顯降低的傳感器的總厚度。
[0056]圖10示出根據本發明的另一個方面的構造成模塊式和應力補償式的構件(2)。所示的構件(2)在圖10中是傳感器，所述傳感器由各種不同的模塊式的集成在第一埋設層(7 )中的組件組成:接觸區(9 )、磁導(10 )、傳感器線圈(11)、激勵線圈(12 )和磁彈性的磁導
(13)。這里構件(2)不具有第二埋設層(7a)。構件(2)可以設置和定位在任意的底層上。
[0057]圖11示出構件的層結構(2a)，所述構件在犧牲層(3)上制成并具有應力補償層(5)，所述犧牲層又設置在載體層(4)上。所述構件附加地具有多個輔助層(6)，所述輔助層用于操作、粘結和保護構件。根據本發明使用至少一個輔助層(6)，其中所述輔助層(6)可以根據需要與另外的輔助層(6)相組合。此外，各個輔助層(6)可以前后依次或一起施加在構件(2)上。組合地使用輔助層(6)使得可以按印花的形式提取和安置構件(2)。因此，最上面的輔助層(6)用于操作或提取構件，從而在構件(2)定位之后可以除去該層。
[0058]圖12示出在除去犧牲層(3)之后根據本發明的構件(2)，從而得到根據圖11的在載體層(4)上的構件(2)。
[0059]圖13示出構件結構(2a)，所述構件結構在犧牲層(3)上制成并且具有應力補償層
(5)。附加地所述構件具有多個輔助層(6)，所述輔助層用于操作、粘結和保護構件，并如上面所述用于各種不同的任務。此外在圖14示出的實施形式中可以實現構件(2)較小的總厚度，因為沒有使用載體層(4)，從而可以按印花的形式提供構件(2)。此外設定，操作膜的至少一個層至少局部地是可以除去的。這里操作層的至少一個層在提取和定位構件之后除去，從而構件的表面被露出。附加地在相應的多層的操作層的情況下，可以除去實現保護功能的最上面的層。
[0060]圖15示出在除去最上面的輔助層(6)之后圖12的根據本發明的構件結構(2a)。圖16附加地示出在除去另一個輔助層(6)之后圖15的構件結構(2a)。
[0061]圖17示出在除去最上面的輔助層(6)之后圖14的根據本發明的構件結構(2a)。圖18附加地示出在除去另一個輔助層(6)之后圖15的構件結構(2a)。
【權利要求】
1.一種構件(2)，所述構件具有約I至50 μ m的厚度，其中所述構件是無基體的并且具有至少一個帶有預定的機械應力的應力補償層(5)，用于補償所存在的機械應力，以便防止拱曲和起皺。
2.根據權利要求1所述的構件(2)，其中，所述構件(2)具有至少一個載體層(4)、特別是由塑料組成的載體層。
3.根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件(2)具有至少一個第一埋設層⑴。
4.根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件(2)具有至少一個第二埋設層(7a)。
5.根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件(2)具有至少一個觸點接通區(9)。
6.根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件(2)具有至少一個金屬化通孔(8)。
7.根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件(2)設置成用于實現傳感器的和/或執行器的任務。
8.根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件(2)設置成用于信號傳輸的和/或信號接收。
9.一種構件系統,所述構件系統包含至少一個根據上述權利要求之一所述的構件(2)，其中，所述構件系統設置成用于實現傳感器的和/或執行器的任務。
10.一種構件系統，所 述構件系統包含至少一個根據權利要求1至8之一所述的構件(2)，其中，所述構件系統設置成用于信號傳輸的和/或信號接收。
11.一種用于制造無基體的構件(2)或構件系統的方法，所述構件或構件系統具有約I至50 μ m的厚度，制造在犧牲層(3)或載體層(4)上或者在位于犧牲層(3)上的載體層(4)上進行，其中所述方法包括以下步驟: a)通過不同的物理和/或化學的過程層狀地構造所述構件(2)或構件系統，其中這樣實現構造，使得構件(2)或構件系統的每個單個層具有預定的機械應力，其中構件(2)或構件系統的每個單個層的機械應力基本上得到補償，以便防止拱曲或起皺， b)如果存在犧牲層，則物理和/或化學地除去犧牲層(3)， c)提取所述構件(2)或構件系統，以及 d)對構件(2)或構件系統進行轉移定位。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，第一個步驟通過以下步驟的組合替代: e)通過不同的物理和/或化學過程分層地構造所述構件(2)或構件系統，以及 f)通過CVD和/或PVD在所述構件(2)或構件系統上或在構件(2)的層結構內部沉積應力補償層(5)，用于至少部分補償構件(2)或構件系統的機械應力，以便防止拱曲或起皺。
13.根據權利要求11或12所述的方法，其中，在步驟a)之后或在步驟e)和f)的組合之后執行以下步驟: g)設置至少一個輔助層(6)。
14.根據權利要求11至13之一所述的方法，其中，在步驟d)之后執行以下步驟:h)除去至少一個輔助層(6)。
15.根據權利要求12至14之一所述的方法，其中，應力補償層(5)的沉積通過在至少一個沉積頻率、特別是兩個沉積頻率下蒸汽相的等離子體輔助的化學沉積來實現，以便調整應力補償層(5)的機械應力。
16.按權 利要求11至15之一所述制造的構件(2)或構件系統。
【文檔編號】G11B5/31GK103429525SQ201280010116
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年2月24日 優先權日:2011年2月25日
【發明者】H-H·加岑, T·格里斯巴赫 申請人:哈廷股份兩合公司