一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置制造方法

一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)隨著工藝特征尺寸的降低，Nand閃存的配置信息的讀取可靠性越來(lái)越差的問(wèn)題。其包括：在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；在熔絲陣列中讀取出全部n份配置信息，n≥2，n為正整數(shù)；根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正n份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息；判斷讀取出的各份配置信息是否正確；將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。熔絲陣列中存儲(chǔ)多份配置信息，并且通過(guò)糾錯(cuò)能力強(qiáng)的糾錯(cuò)碼對(duì)配置信息進(jìn)行檢查和糾錯(cuò)，而且熔絲陣列中盡可能少地串聯(lián)存儲(chǔ)單元，降低了讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
【專利說(shuō)明】—種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]Nand閃存是的一種非易失性存儲(chǔ)器，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand閃存具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
[0003]Nand閃存的存儲(chǔ)陣列是由存儲(chǔ)單元組成，分為主陣列和熔絲陣列，主陣列供用戶使用；熔絲陣列用來(lái)存儲(chǔ)Nand閃存的配置信息，對(duì)可靠性的要求比主陣列更高。
[0004]Nand閃存的熔絲陣列儲(chǔ)存著狀態(tài)和調(diào)整等信息，對(duì)Nand閃存的配置起著至關(guān)重要的作用，一旦讀取出錯(cuò)或是丟失，Nand閃存的正常工作受到影響。
[0005]隨著工藝特征尺寸的降低，Nand閃存中熔絲陣列的讀取可靠性越來(lái)越差。因?yàn)楫?dāng)制作Nand閃存的特征尺寸變小時(shí)，熔絲陣列的存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)的電荷越來(lái)越少，導(dǎo)致閾值浮動(dòng)比較大，給讀取帶來(lái)麻煩；也可以把熔絲陣列的每個(gè)存儲(chǔ)單元簡(jiǎn)化理解為電容模型，當(dāng)制作Nand閃存的特征尺寸變小時(shí)，其存儲(chǔ)單元的尺寸也相應(yīng)變小，各存儲(chǔ)單元之間的距離越來(lái)越近，彼此之間會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_現(xiàn)象，耦合等情況也會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重，導(dǎo)致存儲(chǔ)的信息出現(xiàn)漂移的問(wèn)題。
[0006]同時(shí)，讀取熔絲陣列中的配置信息還受Nand閃存糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力強(qiáng)弱影響，在Nand閃存糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不變的情況下，Nand閃存的特征尺寸變小，熔絲陣列中配置信息的讀取可靠性大大降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明公開(kāi)了一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)隨著工藝特征尺寸的降低，Nand閃存的配置信息的讀取可靠性越來(lái)越差的問(wèn)題。
[0008]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種讀取Nand閃存配置信息的方法，包括:
[0009]在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；
[0010]在熔絲陣列中讀取出全部η份配置信息，η≥2，η為正整數(shù)；
[0011]根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正η份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息；
[0012]判斷讀取出的各份配置信息是否正確；
[0013]將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息；
[0014]其中，Nand閃存糾錯(cuò)碼中還包括與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；并且與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0015]優(yōu)選的:所述與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼包括BCH碼；
[0016]所述與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼包括BCH碼。[0017]優(yōu)選的，所述判斷讀取出的各份配置信息是否正確，包括:
[0018]判斷全部η份配置信息中，大于η/2份或(η+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份或(η+1) /2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0019]優(yōu)選的:當(dāng)η為奇數(shù)時(shí)，判斷全部η份配置信息中，大于(η+1) /2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于(η+1)/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息；
[0020]當(dāng)η為偶數(shù)時(shí)，判斷全部η份配置信息中，大于η/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0021]優(yōu)選的，所述與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，包括:
[0022]與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0023]本發(fā)明還公開(kāi)了一種讀取Nand閃存配置信息的裝置，包括:
[0024]糾錯(cuò)碼選擇模塊，用于在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；
[0025]配置信息讀取模塊，用于在熔絲陣列中讀取出全部η份配置信息，η≥2，η為正整數(shù)；
[0026]配置信息檢查并糾正模塊，用于根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正η份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息；
[0027]配置信息正確判斷模塊，用于判斷讀取出的各份配置信息是否正確；
[0028]Nand閃存配置信息確定模塊，用于將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息；
[0029]其中，Nand閃存糾錯(cuò)碼中還包括與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；并且與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0030]優(yōu)選的:所述配置信息正確判斷模塊判斷全部η份配置信息中，大于η/2份或(η+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份或(η+1)/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0031]優(yōu)選的:當(dāng)η為奇數(shù)時(shí)，所述配置信息正確判斷模塊判斷全部η份配置信息中，大于(η+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于(η+1)/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息；
[0032]當(dāng)η為偶數(shù)時(shí)，所述配置信息正確判斷模塊判斷全部η份配置信息中，大于η/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0033]優(yōu)選的，所述與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，包括:
[0034]與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0035]同時(shí)，本發(fā)明還公開(kāi)了一種Nand閃存，包括:
[0036]熔絲陣列中的η個(gè)熔絲池,用于存儲(chǔ)η份配置信息，η≥2, η為正整數(shù)。
[0037]優(yōu)選的:所述η個(gè)熔絲池中的每個(gè)熔絲池存儲(chǔ)一份配置信息。[0038]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0039]本發(fā)明公開(kāi)了的一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置，在Nand閃存中的熔絲陣列中劃分出多個(gè)熔絲池，每個(gè)熔絲池中存儲(chǔ)一份配置信息，讀取配置信息時(shí)，將熔絲池中的配置信息全部讀取出來(lái)，從中選擇正確的配置信息做為Nand閃存的配置信息，可以降低讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
[0040]同時(shí)，在Nand閃存中內(nèi)嵌了與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，和與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，并且，與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力。讀取熔絲陣列中的配置信息時(shí)，選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的，并且糾錯(cuò)能力強(qiáng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正錯(cuò)誤的配置信息，可以降低讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法流程圖；
[0042]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法流程圖；
[0043]圖3是本發(fā)明實(shí)施例三公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的裝置結(jié)構(gòu)圖；
[0044]圖4是本發(fā)明實(shí)施例四公開(kāi)的一種Nand閃存部分示意圖；
[0045]圖5是本發(fā)明實(shí)施例四公開(kāi)的一種Nand閃存中熔絲池示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0047]本發(fā)明公開(kāi)了一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置，通過(guò)將Nand閃存中存儲(chǔ)的全部、多份配置信息讀取出來(lái)，判斷讀取出的各份配置信息是否正確，將正確的配置信息確定為該Nand閃存的配置信息。并且在讀取出全部、多份配置信息時(shí)，選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼進(jìn)行糾錯(cuò)，該糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0048]下面通過(guò)列舉幾個(gè)具體的實(shí)施例詳細(xì)介紹本發(fā)明公開(kāi)的一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置。
[0049]實(shí)施例一
[0050]詳細(xì)介紹本發(fā)明公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法。
[0051]參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明實(shí)施例一公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法流程圖。
[0052]步驟S11，在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0053]Nand閃存糾錯(cuò)碼中包括與熔絲陣列(Fuse Array )對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，和與主陣列(Main Array)對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼用于對(duì)FuseArray中的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)；與Main Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼用于對(duì)Main Array中的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)。并且與FuseArray對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與MainArray對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力。
[0054]在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇用于對(duì)Fuse Array中的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)的糾錯(cuò)碼。
[0055]步驟S12，在熔絲陣列中讀取出全部n份配置信息，n≥2，n為正整數(shù)。
[0056]Fuse Array中存儲(chǔ)著η份配置信息，n≥2, η為正整數(shù),意味著Fuse Array中至少存儲(chǔ)著2份配置信息。[0057]將Fuse Array中存儲(chǔ)的η份配置信息全部讀取出來(lái)。
[0058]步驟S13，根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正η份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息。
[0059]根據(jù)步驟Sll中選擇的與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，對(duì)步驟S12中讀取出的全部η份配置信息進(jìn)行檢查，并糾正其中錯(cuò)誤的配置信息。
[0060]上述步驟S12和上述步驟S13可以同時(shí)進(jìn)行，即讀取η份配置信息時(shí)，可以同時(shí)對(duì)讀取出的η份配置信息進(jìn)行檢查并糾正其中錯(cuò)誤的配置信息。
[0061]步驟S14，判斷讀取出的各份配置信息是否正確。
[0062]對(duì)在上述步驟S12中讀取出的，并在上述步驟S13中檢查甚至糾正過(guò)錯(cuò)誤的全部η份配置信息中的每份配置信息，進(jìn)行判斷操作，目的是判斷各份配置信息是否正確。
[0063]步驟S15,將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。
[0064]將上述步驟S14中判斷為正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。
[0065]實(shí)施例二
[0066]詳細(xì)介紹本發(fā)明公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法。
[0067]參照?qǐng)D2，示出了本發(fā)明實(shí)施例二公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法流程圖。
[0068]步驟S21，在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0069]Nand閃存糾錯(cuò)碼中同時(shí)包括與Main Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼和與FuseArray對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；并且與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與MainArray對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾韋昔倉(cāng)泛力。
[0070]Nand閃存糾錯(cuò)碼一般采用BCH碼、RS碼或者是LDPC碼
[0071]上述與Main Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼可以包括BCH碼；上述與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼也可以包括BCH碼。上述與Main Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼可以和與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼均為BCH碼，但是各自的糾錯(cuò)能力不同，與FuseArray對(duì)應(yīng)的BCH碼的糾錯(cuò)能力大于與Main Array對(duì)應(yīng)的BCH碼的糾錯(cuò)能力。
[0072]例如，與Main Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力為8bit/512byte(讀取512byte的數(shù)據(jù)添加8bit糾錯(cuò)識(shí)別碼，糾錯(cuò)識(shí)別碼位數(shù)越多，糾錯(cuò)能力越強(qiáng))，與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力為16bit/512byte (讀取512byte的數(shù)據(jù)添加16bit糾錯(cuò)識(shí)別碼)。
[0073]在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼,可以為BCH碼。
[0074]步驟S22，在熔絲陣列中讀取出全部η份配置信息，η≥2，η為正整數(shù)。
[0075]Fuse Array中存儲(chǔ)著η份配置信息，并且η份配置信息存儲(chǔ)在Fuse Array中的不同位置處，每個(gè)存儲(chǔ)配置信息的位置可以為一個(gè)“Fuse池”,FuseArray中包含η個(gè)“Fuse池”，就可以在Fuse Array中存儲(chǔ)η份配置信息。其中，η≥2，η為正整數(shù)，表示在FuseArray中至少包含2個(gè)“Fuse池”,至少存儲(chǔ)2份配置信息。
[0076]例如，F(xiàn)use Array的容量為4096個(gè)bit，配置信息的容量為1024個(gè)bit，則在FuseArray 中將配置信息分別存儲(chǔ)在 l_1024bit，1025_2048bit，2049_3072bit，3073_4096bit的四個(gè)“Fuse池”中。將四個(gè)“Fuse池”中的4份配置信息全部讀取出來(lái)。
[0077]步驟S23，根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正η份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息。[0078]利用上述步驟S21中選擇的與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，對(duì)上述步驟S22中讀取出的全部η份配置信息進(jìn)行檢查，并糾正其中錯(cuò)誤的配置信息。
[0079]需要強(qiáng)調(diào)的是，上述步驟S22和上述步驟S23可以同時(shí)進(jìn)行，讀取η份配置信息的同時(shí)，對(duì)讀取出的η份配置信息進(jìn)行檢查，并糾正其中錯(cuò)誤的配置信息。
[0080]步驟S24，判斷讀取出的各份配置信息是否正確。
[0081]對(duì)讀取出的η份配置信息中的各份配置信息進(jìn)行判斷，判斷各份配置信息是否正確。
[0082]上述步驟S24具體可以為:判斷全部η份配置信息中，大于η/2份或(η+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則上述大于η/2份或(η+1)/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則上述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0083]上述步驟S24具體可以包括:
[0084]步驟S241，當(dāng)η為奇數(shù)時(shí)，判斷全部η份配置信息中，大于(n+1 )/2份的配置信息是否相同。
[0085]如果相同，貝U上述大于(η+1) /2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，貝1J上述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0086]例如，當(dāng)η=9時(shí)，即Fuse Array中包含9個(gè)“Fuse池”,每個(gè)“Fuse池”存儲(chǔ)一份配置信息，共9份配置信息。判斷全部9份配置信息中，大于(9+1)/2=5份配置信息是否相同，意味著在全部9份配置信息中，是否至少有5份配置信息相同。如果有6份配置信息均為“01011010”，則確定此6份配置信息相同，那么這6份配置信息為正確的配置信息；如果有6份配置信息不同，其余3份配置信息相同，或者全部9份配置信息均不相同，總之相同的配置信息數(shù)量少于5份，那么全部9份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0087]步驟S242，當(dāng)η為偶數(shù)時(shí)，判斷全部η份配置信息中，大于η/2份的配置信息是否相同。
[0088]如果相同，則上述大于η/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則上述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0089]例如，當(dāng)η=10時(shí)，即Fuse Array中包含10個(gè)“Fuse池”,每個(gè)“Fuse池”存儲(chǔ)一份配置信息，共10份配置信息。判斷全部10份配置信息中，大于10/2=5份配置信息是否相同，意味著在全部10份配置信息中，是否至少有5份配置信息相同。如果有6份配置信息均為“01011010”，則確定此6份配置信息相同，那么這6份配置信息為正確的配置信息；如果有6份配置信息不同，其余3份配置信息相同，或者10份配置信息均不相同，總之相同的配置信息數(shù)量少于5份，那么全部10份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0090]在Fuse Array中的全部η份配置信息中，無(wú)論η為奇數(shù)還是偶數(shù),如果有超過(guò)半數(shù)的配置信息不同，則表示該Fuse Array的存儲(chǔ)性能已經(jīng)很弱，不能再繼續(xù)使用了。
[0091]步驟S25,將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。
[0092]將上述步驟S24中判斷為正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。
[0093]例如，上述步驟S24中判斷“01011010”為正確的配置信息，則“01011010”為Nand閃存的配置信息。
[0094]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例一至二公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):[0095]在Nand閃存中的熔絲陣列中劃分出多個(gè)熔絲池，每個(gè)熔絲池中存儲(chǔ)一份配置信息，讀取配置信息時(shí)，將熔絲池中的配置信息全部讀取出來(lái)，從中選擇正確的配置信息做為Nand閃存的配置信息，可以降低讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
[0096]同時(shí)，在Nand閃存中內(nèi)嵌了與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，和與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，并且，與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力。讀取熔絲陣列中的配置信息時(shí)，選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的，并且糾錯(cuò)能力強(qiáng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正錯(cuò)誤的配置信息，可以降低讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
[0097]實(shí)施例三
[0098]詳細(xì)介紹本發(fā)明公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的裝置。
[0099]參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明實(shí)施例三公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的裝置結(jié)構(gòu)圖。
[0100]上述一種讀取Nand閃存配置信息的裝置，具體可以包括:
[0101]糾錯(cuò)碼選擇模塊31，配置信息讀取模塊32，配置信息檢查并糾正模塊33，配置信息正確判斷模塊34，以及，Nand閃存配置信息確定模塊35。
[0102]下面分別詳細(xì)介紹各模塊的功能和各模塊之間的關(guān)系。
[0103]糾錯(cuò)碼選擇模塊31，用于在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0104]上述糾錯(cuò)碼選擇模塊31在包含與Main Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼和與FuseArray對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的Nand閃存糾錯(cuò)碼中，選擇與Fuse Array對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0105]其中，與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0106]而且，與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力可以大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
[0107]配置信息讀取模塊32，用于在熔絲陣列中讀取出全部n份配置信息，n≥2，n為正整數(shù)。
[0108]上述配置信息讀取模塊32將Fuse Array中存儲(chǔ)著的n份配置信息全部讀取出來(lái)。
[0109]配置信息檢查并糾正模塊33，用于根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正n份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息。
[0110]上述配置信息檢查并糾正模塊33根據(jù)上述糾錯(cuò)碼選擇模塊31選擇的與FuseArray對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正上述配置信息讀取模塊32讀取出的n份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息。
[0111]配置信息正確判斷模塊34，用于判斷讀取出的各份配置信息是否正確。
[0112]上述配置信息正確判斷模塊34對(duì)上述配置信息讀取模塊32讀取出的n份配置信息中的各份配置信息進(jìn)行判斷，判斷各份配置信息是否正確。
[0113]上述配置信息正確判斷模塊34判斷全部n份配置信息中，大于n/2份或(n+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則上述大于n/2份或(n+1)/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則上述全部n份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0114]當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，上述配置信息正確判斷模塊34判斷全部n份配置信息中，大于(n+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則上述大于(n+1)/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則上述全部n份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0115]例如，當(dāng)n=9時(shí)。上述配置信息正確判斷模塊34判斷全部9份配置信息中，大于(9+1)/2=5份配置信息是否相同，意味著在全部9份配置信息中，是否至少有5份配置信息相同。如果有6份配置信息相同，那么這6份配置信息為正確的配置信息；如果有6份配置信息不同，其余3份配置信息相同，或者全部9份配置信息均不相同，總之相同的配置信息數(shù)量少于5份，那么全部9份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0116]當(dāng)η為偶數(shù)時(shí)，上述配置信息正確判斷模塊34判斷全部η份配置信息中，大于η/2份的配置信息是否相同，如果相同，則上述大于η/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則上述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0117]例如，當(dāng)η=10時(shí)。上述配置信息正確判斷模塊34判斷全部10份配置信息中，大于10/2=5份配置信息是否相同，意味著在全部10份配置信息中，是否至少有5份配置信息相同。如果有6份配置信息相同，那么這6份配置信息為正確的配置信息；如果有6份配置信息不同，其余3份配置信息相同，或者10份配置信息均不相同，總之相同的配置信息數(shù)量少于5份，那么全部10份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
[0118]Nand閃存配置信息確定模塊35，用于將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。
[0119]上述Nand閃存配置信息確定模塊35將上述配置信息正確判斷模塊34判斷為正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息。
[0120]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例三公開(kāi)的一種讀取Nand閃存配置信息的裝置，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0121]在Nand閃存中的熔絲陣列中劃分出多個(gè)熔絲池，每個(gè)熔絲池中存儲(chǔ)一份配置信息，讀取配置信息時(shí)，將熔絲池中的配置信息全部讀取出來(lái)，從中選擇正確的配置信息做為Nand閃存的配置信息，可以降·低讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
[0122]同時(shí)，在Nand閃存中內(nèi)嵌了與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，和與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，并且，與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力。讀取熔絲陣列中的配置信息時(shí)，選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的，并且糾錯(cuò)能力強(qiáng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正錯(cuò)誤的配置信息，可以降低讀取Nand閃存配置信息出錯(cuò)的幾率。
[0123]實(shí)施例四
[0124]詳細(xì)介紹本發(fā)明公開(kāi)的一種Nand閃存。
[0125]參照?qǐng)D4，示出了本發(fā)明實(shí)施例四公開(kāi)的一種Nand閃存部分示意圖。
[0126]上述一種Nand閃存，具體可以包括:
[0127]線位(BL)、字線(WL)和m個(gè)存儲(chǔ)單元，m為正整數(shù)。
[0128]在Fuse Array中，每個(gè)BL上可以串聯(lián)16或32個(gè)存儲(chǔ)單元，串聯(lián)的存儲(chǔ)單元數(shù)量只要滿足Fuse Array的存儲(chǔ)需求即可，不需要串聯(lián)過(guò)多的存儲(chǔ)單元。
[0129]上述一種Nand閃存，具體還可以包括:
[0130]熔絲陣列中的η個(gè)熔絲池,用于存儲(chǔ)η份配置信息，η≤ 2, η為正整數(shù)。
[0131]并且，上述η個(gè)熔絲池中的每個(gè)熔絲池存儲(chǔ)一份配置信息。
[0132]參照?qǐng)D5，示出了本發(fā)明實(shí)施例四公開(kāi)的一種Nand閃存中熔絲池示意圖。
[0133]如圖5所示,其中FuseO至Fuse3為4個(gè)熔絲池。每個(gè)熔絲池中存儲(chǔ)一份配置信
肩、O
[0134]在讀取配置信息時(shí)，可以從上述4個(gè)熔絲池中將存儲(chǔ)的配置信息全部讀取出來(lái)。上述熔絲池的數(shù)量可以根據(jù)Nand閃存的具體需求設(shè)定，可以至少配置2個(gè)熔絲池。[0135]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例四公開(kāi)的一種Nand閃存，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)
.[0136]上述Nand閃存中每個(gè)BL串聯(lián)的存儲(chǔ)單元數(shù)量盡量少，但是要滿足Nand閃存的使用需求。每個(gè)BL串聯(lián)的存儲(chǔ)單元數(shù)量少，當(dāng)讀取Fuse Array中的配置信息時(shí),產(chǎn)生的電壓和電流對(duì)選中的存儲(chǔ)單元的影響也減少，所以提高了讀取Nand閃存配置信息的準(zhǔn)確度。
[0137]同時(shí)，上述Nand閃存中可以同時(shí)在η個(gè)熔絲池中存儲(chǔ)η份配置信息，讀取時(shí)，從η個(gè)熔絲池中讀取出全部η份配置信息，判斷其中的配置信息是否正確，如果出現(xiàn)了一份或幾份配置信息錯(cuò)誤，剩余的配置信息還是可靠、正確的，提高了讀取Nand閃存配置信息的準(zhǔn)確度。
[0138]對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。
[0139]本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。
[0140]以上對(duì)本發(fā)明所公開(kāi)的一種Nand閃存和讀取其配置信息的方法和裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種讀取Nand閃存配置信息的方法，其特征在于，包括: 在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼； 在熔絲陣列中讀取出全部n份配置信息，η≥2，η為正整數(shù)； 根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正η份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息； 判斷讀取出的各份配置信息是否正確； 將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息； 其中，Nand閃存糾錯(cuò)碼中還包括與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；并且與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 所述與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼包括BCH碼； 所述與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼包括BCH碼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷讀取出的各份配置信息是否正確，包括: 判斷全部η份配置信息中，大于η/2份或(η+1) /2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份或(η+1 )/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于: 當(dāng)η為奇數(shù)時(shí)，判斷全部η份配置信息中，大于(η+1)/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于(η+1) /2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息； 當(dāng)η為偶數(shù)時(shí)，判斷全部η份配置信息中，大于η/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，包括: 與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
6.一種讀取Nand閃存配置信息的裝置，其特征在于，包括: 糾錯(cuò)碼選擇模塊，用于在Nand閃存糾錯(cuò)碼中選擇與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼； 配置信息讀取模塊，用于在熔絲陣列中讀取出全部η份配置信息，n ^ 2, η為正整數(shù)；配置信息檢查并糾正模塊，用于根據(jù)與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，檢查并糾正η份配置信息中錯(cuò)誤的配置信息； 配置信息正確判斷模塊，用于判斷讀取出的各份配置信息是否正確； Nand閃存配置信息確定模塊，用于將正確的配置信息確定為Nand閃存的配置信息；其中，Nand閃存糾錯(cuò)碼中還包括與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼；并且與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于: 所述配置信息正確判斷模塊判斷全部η份配置信息中，大于η/2份或(η+1) /2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份或(η+1) /2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于: 當(dāng)η為奇數(shù)時(shí)，所述配置信息正確判斷模塊判斷全部η份配置信息中，大于(n+1 )/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于(η+1) /2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息； 當(dāng)η為偶數(shù)時(shí)，所述配置信息正確判斷模塊判斷全部η份配置信息中，大于η/2份的配置信息是否相同，如果相同，則所述大于η/2份的配置信息為正確的配置信息；如果不同，則所述全部η份配置信息為錯(cuò)誤的配置信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力不同于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼，包括: 與熔絲陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼的糾錯(cuò)能力大于與主陣列對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)碼。
10.一種Nand閃存,其特征在于,包括: 熔絲陣列中的η個(gè)熔絲池,用于存儲(chǔ)η份配置信息，η≥2, η為正整數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的Nand閃存，其特征在于: 所述η個(gè)熔絲池中的每個(gè)熔絲`池存儲(chǔ)一份配置信息。
【文檔編號(hào)】G11C29/42GK103794253SQ201210426090
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】蘇志強(qiáng), 劉會(huì)娟 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司