專利名稱：Eeprom讀寫周期時間的測試方法
技術領域：
本發明涉及測試方法，具體而言是一種EEPROM讀寫周期時間的測試方法。
背景技術：
EEPROM作為一種非易失的存儲器，廣泛應用于單片機和對數據存儲安全性及可靠性要求高的其他場合，如門禁考勤系統、測量和醫療儀表、非接觸式智能卡、稅控收款機、預付費電度表或復費率電度表、家電遙控器等。但是EEPROM是通過電子的躍遷實現寫入和擦除操作，由于電子躍遷所需的時間比較長，因此EEPROM寫入和擦除時間較長，一般一個 字節的寫入和擦除時間為200μ s 10ms，而整個器件的寫入和擦除時間通常在IOOOms以上，故無法采用隨機存儲器通常用的算法圖形測試方法對EEPROM進行測試，只能參照只讀存儲器ROM進行空片的讀操作測試和直流參數測試，而不能進行讀寫周期時間的測試，無法檢測出寫入時間過長等典型故障，容易造成對器件的誤判。因此，設計出一種可全面、準確、便捷、靈活的測試讀寫周期時間的EEPROM讀寫周期時間的測試方法十分必要。
發明內容
本發明的目的是提供一種可全面、準確、便捷、靈活測試讀寫周期時間的EEPROM讀寫周期時間的測試方法。為實現上述目的，本發明采用如下技術方案一種EEPROM讀寫周期時間的測試方法，包括以下步驟a.編寫測試圖形向量；all.根據被測EEPROM “頁寫”的大小以及測試系統圖形發生器的容量，設置所編寫的圖形向量為前2η(0 < η < 5)頁存儲單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；al2.選擇第一頁存儲單元；al3.設置背景數據；al4.根據器件詳細規范規定的寫周期時間和實際運行速率，按公式“寫周期時間=速率X循環次數”設置循環次數；al5.發寫命令，寫入背景數據；al6.將步驟al5重復步驟al4所述的次數，直至將背景數據全部寫入。al7.選擇下一頁存儲單元，設置不同的背景數據；重復步驟al4 al6，直至步驟all所述存儲單元全部寫操作完成；a21.選擇第一個存儲單元；a22.發讀命令，讀出存儲單元當前的數據；a23.選擇下一個地址單元，重復步驟a22，直至步驟all所述存儲單元全部讀操作完成;b.測試寫周期時間bl.設置寫周期時間為tw。的最大值，運行寫操作圖形向量，對步驟all所述的存儲單元進行寫操作；b2.等待寫周期時間tw。，將背景數據全部寫入步驟all所述的存儲單元；b3.設置讀周期時間為^極限值的5 10倍，運行讀操作圖形向量，進行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲單元內當前的數據；b4.比較步驟b3讀出的數據與背景數據是否相同。若相同，則步驟all所述存儲單元的寫周期時間測試合格；b5.將高位地址線逐位反相，選定下一個2n(0 ^ n ^ 5)頁存儲單元，重復步驟bfb4，直到被測EEPROM所有存儲單元的寫周期時間都測試完畢。b6.若所有存儲單元寫周期時間均測試合格，則被測器件的寫周期時間測試合格， 否則測試不合格。c.測試讀周期時間Cl.設置寫周期時間為極限值的5 10倍，運行寫操作圖形向量，并等待twc極限值5 10倍的時間，將背景數據寫入步驟all所述的存儲單元；c2.將高位地址線逐位反相，選定下一個2n (OS 5)頁存儲單元，重復步驟cl，直到將背景數據寫入全部存儲單元；c3.設置讀周期時間為的最小值，運行讀操作圖形向量，進行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲單元內的實際數據；c4.比較步驟c3讀出的數據與背景數據是否相同，若所有單元均完全相同，則步驟all所述存儲單元的讀周期時間測試合格；c5.將高位地址線逐位反相，選定下一個2n(05)頁存儲單元，重復步驟c3 c4，直到被測EEPROM完全部存儲單元的讀周期時間均測試完畢。c6.若所有存儲單元的讀周期時間均測試合格，則被測EEPROM的讀周期時間測試合格，否則測試不合格。進一步地，在步驟b6之后，若被測器件的寫周期時間測試合格，將存儲器擦空，逐漸減小的值，重復步驟bf b5，直至tw。= tn時測試結果翻轉，則tn_i即為被測EEPROM寫周期時間的具體值。進一步地，在步驟c6之后，若被測器件的讀周期時間測試合格，逐漸降低的值，重復步驟c3 c5，直至tK= tn時測試結果翻轉，則tn_i即為被測EEPROM讀周期時間的具體值。本發明采用編寫一小部分測試圖形向量以降低對測試系統的要求，同時通過將高位地址線逐位反相的方法實現所有存儲單元的地址切換，將EEPROM讀寫周期時間測試深入到了每個單元，從而不需要很大的圖形向量存儲空間即可實現全部單元逐單元的讀寫周期時間的測試，十分有利于進行工程質量歸零分析。采用本發明，可全面、準確、便捷、靈活測試EEPROM讀寫周期時間。
圖I為本發明的EEPROM讀寫周期時間測試原理圖；圖2為本發明的EEPROM寫周期時間測試流程圖；圖3為本發明的EEPROM讀周期時間測試流程圖。
具體實施例方式以下結合附圖和具體實施例對本發明做進一步的詳細描述，但該實施例不應理解為對本發明的限制。實施例I被測對象XICRO公司生產的EEPROM器件X28C64DMB-20VI，其詳細規范規定的寫周期時間的最大值為IOms,讀周期時間tK的最小值為200ns,共64頁每頁64個存儲單
J Li ο測試方法按以下步驟進行a.編寫測試圖形向量；
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all.根據被測EEPROM “頁寫”的大小以及測試系統圖形發生器的容量，設置所編寫的圖形向量為前23頁即8頁共512個存儲單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；al2.選擇第一頁存儲單元；al3.設置背景數據Oxaa ;al4.根據器件詳細規范規定的寫周期時間的最大值和實際運行速率1000ns，設置循環次數為10000次；al5.發寫命令，寫入背景數據Oxaa ;al6.將步驟al5重復10000次，直至將背景數據全部寫入。al7.選擇下一頁存儲單元，設置不同的背景數據0x55，重復步驟al2 al6，直至步驟all所述的存儲單元全部寫操作完成；a21.選擇第一個存儲單元；a22.發讀命令，讀出存儲單元當前的數據；a23.選擇下一個地址單元，重復步驟a22，直至步驟all所述的存儲單元全部讀操作完成；b.搜索寫周期時間bl.設置寫周期時間為tw。的最大值，運行寫操作圖形向量，對步驟all所述的存儲單元進行寫操作；b2.等待寫周期時間tw。，將背景數據全部寫入步驟all所述的存儲單元；b3.設置讀周期時間為^最小值的5倍，運行讀操作圖形向量，進行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲單元內當前的數據；b4.經比較，步驟b3讀出的數據與背景數據相同，故步驟all所述存儲單元的寫周期時間測試合格；b5.將高位地址線逐位反相，選定下一個8頁共512個存儲單元，重復步驟bfb4，直到被測EEPROM所有存儲單元的寫周期時間都測試完畢。b6.結果，所有存儲單元的寫周期時間均測試合格，于是被測EEPROM的寫周期時間測試合格。c.搜索讀周期時間Cl.設置寫周期時間為tw。極限值的5倍，運行寫操作圖形向量，并等待tw。極限值5倍的時間，將背景數據寫入步驟all所述的存儲單元；
c2.將高位地址線的逐位反相，選定下一個8頁存儲單元，重復步驟Cl，直到將背景數據寫入全部存儲單元；c3.設置讀周期時間為的最小值，運行讀操作圖形向量，進行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲單元內的實際數據；c4.經比較，步驟c3讀出的數據與背景數據相同，故步驟all所述存儲單元的讀周期時間測試合格；c5.將高位地址線的逐位反相，選定下一個8頁存儲單元，重復步驟c3 c4，直到被測EEPROM完全部存儲單元的讀周期時間均測試完畢。c6.結果，所有存儲單元的讀周期時間均測試合格，于是，被測EEPROM的讀周期時間測試合格。實施例2 被測對象同實施例I測試方法在實施例I記載的方案中，在步驟b6之后，若被測器件的寫周期時間測試合格，將存儲器擦空，逐漸減小tw。的值,重復步驟bl b5,當tw。= V1=S. Ims時寫周期時間測試依然合格，但至tK= tn=8ms時測試結果翻轉,則^=8. Ims即為被測EEPROM寫周期時間的具體值。實施例3被測對象同實施例2 測試方法在實施例2記載的方案中，在步驟c6之后，被測器件的讀周期時間測試合格，逐漸降低tKC；的值,重復步驟c3"c5,當tKC；= V1=IQlms時寫周期時間測試依然合格,但至tK。= tn =190ns時測試結果翻轉，則V1=Igins即為被測EEPROM讀周期時間的具體值。本說明書中未作詳細描述的內容，屬于本專業技術人員公知的現有技術。
權利要求
1.一種EEPROM讀寫周期時間的測試方法，包括以下步驟 a.編寫測試圖形向量； all.根據被測EEPROM “頁寫”的大小以及測試系統圖形發生器的容量，設置所編寫的圖形向量為前2η(0 < η < 5)頁存儲單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；al2.選擇第一頁存儲單元；al3.設置背景數據； al4.根據器件詳細規范規定的寫周期時間和實際運行速率，按公式“寫周期時間=速率X循環次數”設置循環次數；al5.發寫命令，寫入背景數據； al6.將步驟al5重復步驟al4所述的次數，直至將背景數據全部寫入。al7.選擇下一頁存儲單元，設置不同的背景數據；重復步驟al4 al6，直至步驟all所述存儲單元全部寫操作完成；a21.選擇第一個存儲單元；a22.發讀命令，讀出存儲單元當前的數據； a23.選擇下一個地址單元，重復步驟a22，直至步驟all所述存儲單元全部讀操作完成； b.測試寫周期時間 bl.設置寫周期時間為tw。的最大值，運行寫操作圖形向量，對步驟all所述的存儲單元進行寫操作； b2.等待寫周期時間tw。，將背景數據全部寫入步驟all所述的存儲單元；b3.設置讀周期時間為極限值的5 10倍，運行讀操作圖形向量，進行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲單元內當前的數據； b4.比較步驟b3讀出的數據與背景數據是否相同。若相同，則步驟all所述存儲單元的寫周期時間測試合格； b5.將高位地址線逐位反相，選定下一個2n (O ^n^5)頁存儲單元，重復步驟bf b4，直到被測EEPROM所有存儲單元的寫周期時間都測試完畢。
b6.若所有存儲單元寫周期時間均測試合格，則被測器件的寫周期時間測試合格，否則測試不合格。
c.測試讀周期時間 Cl.設置寫周期時間為tw。極限值的5 10倍，運行寫操作圖形向量，并等待極限值5^10倍的時間，將背景數據寫入步驟all所述的存儲單元； c2.將高位地址線逐位反相，選定下一個2n(0 Sn < 5)頁存儲單元，重復步驟Cl，直到將背景數據寫入全部存儲單元； c3.設置讀周期時間為tK。的最小值，運行讀操作圖形向量，進行一次讀操作，讀出步驟all所述存儲單元內的實際數據； c4.比較步驟c3讀出的數據與背景數據是否相同，若所有單元均完全相同，則步驟all所述存儲單元的讀周期時間測試合格； c5.將高位地址線逐位反相，選定下一個2η(0 < η < 5)頁存儲單元，重復步驟c3 c4，直到被測EEPROM完全部存儲單元的讀周期時間均測試完畢。c6.若所有存儲單元的讀周期時間均測試合格，則被測EEPROM的讀周期時間測試合格，否則測試不合格。
2.根據權利要求I所述的EEPROM讀寫周期時間的測試方法，其特征在于在步驟b6之后，若被測器件的寫周期時間測試合格，將存儲器擦空，逐漸減小的值，重復步驟bfb5，直至tK=tn時測試結果翻轉，則tn_i即為被測EEPROM寫周期時間的具體值。
3.根據權利要求I和2所述的EEPROM讀寫周期時間的測試方法，其特征在于在步驟c6之后，若被測器件的讀周期時間測試合格，逐漸降低的值，重復步驟c3 c5，直至tK=tn時測試結果翻轉，則tn_i即為被測EEPROM讀周期時間的具體值。
全文摘要
本發明涉及EEPROM讀寫周期時間的測試方法，包括以下步驟編寫前2n(0≤n≤5)頁存儲單元的寫操作圖形向量和讀操作圖形向量；運行寫操作圖形向量，對存儲單元進行寫操作，測試寫周期時間；運行讀操作圖形向量，對存儲單元進行讀操作，測試讀周期時間。本發明采用編寫一小部分測試圖形向量以降低對測試系統的要求，同時通過將高位地址線逐位反相的方法實現所有存儲單元的地址切換，將EEPROM讀寫周期時間測試深入到了每個單元，從而不需要很大的圖形向量存儲空間即可實現全部單元逐單元的讀寫周期時間的測試，十分有利于進行工程質量歸零分析。采用本發明，可全面、準確、便捷、靈活測試EEPROM讀寫周期時間。
文檔編號G11C29/56GK102842344SQ201210302880
公開日2012年12月26日 申請日期2012年8月24日 優先權日2012年8月24日
發明者袁云華, 李永梅, 王炳軍 申請人:湖北航天技術研究院計量測試技術研究所