專利名稱：內(nèi)存裝置控制器及內(nèi)存存取方法
技術領域：
本發(fā)明有關于一種內(nèi)存裝置控制器，更具體地，有關于一種內(nèi)存裝置控制器以及內(nèi)存存取方法。
背景技術：
隨著內(nèi)存裝置中半導體裝置的尺寸縮小，半導體裝置間的不匹配使得內(nèi)存的最小操作電壓受限制，此外，由于半導體裝置的可靠度需求使得操作電壓的最大值也受到限制。因此，內(nèi)存的操作電壓范圍隨著內(nèi)存內(nèi)部半導體裝置尺寸縮小而變得越來越窄。當內(nèi)存在低操作電壓下工作時，例如待機模式或省電模式，內(nèi)存裝置的輸出數(shù)據(jù)可能會發(fā)生錯誤。 因此，期望提供一種內(nèi)存裝置控制器，具有模式選擇單元且可在多個模式的至少一個模式中執(zhí)行修復操作(repair operation)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種內(nèi)存裝置控制器以及內(nèi)存存取方法。本發(fā)明提供一種內(nèi)存裝置控制器，該內(nèi)存裝置控制器用于存取內(nèi)存裝置的內(nèi)存，且該內(nèi)存具有數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以及數(shù)據(jù)校正區(qū)域，該內(nèi)存裝置控制器包括模式選擇單元，用于根據(jù)該內(nèi)存的操作電壓來選擇該內(nèi)存裝置控制器的模式；其中，當該內(nèi)存在第一操作電壓下工作時，該模式選擇單兀選擇該內(nèi)存裝置控制器的第一模式，且在該第一模式下，該內(nèi)存裝置控制器將輸入數(shù)據(jù)寫入該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以作為存儲數(shù)據(jù)，且該內(nèi)存裝置控制器從該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域讀出該存儲數(shù)據(jù)以作為輸出數(shù)據(jù)；以及當該內(nèi)存在第二操作電壓下工作時，該模式選擇單元選擇該內(nèi)存裝置控制器的第二模式，且在該第二模式下，該內(nèi)存裝置控制器執(zhí)行校正功能以對該輸入數(shù)據(jù)進行編碼以產(chǎn)生已編碼輸入數(shù)據(jù)、或者將該已編碼輸入數(shù)據(jù)寫入該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以及該數(shù)據(jù)校正區(qū)域以分別作為該存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)、或者讀出該存儲數(shù)據(jù)及該校正數(shù)據(jù)以及對該存儲數(shù)據(jù)及該校正數(shù)據(jù)進行譯碼以產(chǎn)生該輸出數(shù)據(jù)。本發(fā)明另提供一種內(nèi)存裝置控制器，該內(nèi)存裝置控制器用于存取該內(nèi)存裝置的內(nèi)存，該內(nèi)存裝置控制器包括模式選擇單元，用于選擇該內(nèi)存裝置控制器的模式；其中，當該內(nèi)存裝置控制器在第一模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器用于將輸入數(shù)據(jù)寫入該內(nèi)存的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以作為存儲數(shù)據(jù)，且該內(nèi)存裝置控制器用于自該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域讀出該存儲數(shù)據(jù)以作為輸出數(shù)據(jù)；以及其中，當該內(nèi)存裝置控制器在第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器通過執(zhí)行修復操作來存取該內(nèi)存。本發(fā)明還提供一種內(nèi)存存取方法，用于存取內(nèi)存裝置的內(nèi)存，該內(nèi)存存取方法包括選擇存取該內(nèi)存的模式；當選擇第一模式時，通過經(jīng)標準路徑執(zhí)行標準操作來存取該內(nèi)存；以及當選擇第二模式時，通過執(zhí)行修復操作來存取該內(nèi)存。本發(fā)明提供的內(nèi)存裝置控制器具有模式選擇單元，可在多個模式的至少一個模式中執(zhí)行修復操作以降低數(shù)據(jù)輸出錯誤率。
圖I為根據(jù)本發(fā)明實施例的內(nèi)存裝置示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的控制器的示意圖；圖3為內(nèi)存裝置的良率與位錯誤率之間的關系不意圖；圖4為對于具有不同數(shù)據(jù)總線寬度的SRAM裝置執(zhí)行ECC功能時的面積成本示意圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例內(nèi)存存取方法流程圖。
具體實施例方式以下描述為本發(fā)明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發(fā)明的技術特征，并非用來限制本發(fā)明的范疇。本發(fā)明保護范圍當視后附的權利要求所界定為準。圖I為根據(jù)本發(fā)明實施例的內(nèi)存裝置I的示意圖。參閱圖1，內(nèi)存裝置I包括控制器10以及內(nèi)存11。控制器10耦接內(nèi)存11且可存取內(nèi)存11。在此實施例中，內(nèi)存11可以是靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)?？刂破?0接收輸入數(shù)據(jù)DI以存取內(nèi)存11，且產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)DO。當控制器10在第一模式下工作時，控制器10能通過執(zhí)行標準操作(normal operation)來存取內(nèi)存11。當控制器10在第二模式下工作時，控制器10能通過執(zhí)行修復操作來存取內(nèi)存11。因此，控制器10可響應第一模式與第二模式之間的切換而選擇性地執(zhí)行標準操作與修復操作的其中之一。在一個實施例中，控制器10的模式選擇根據(jù)內(nèi)存11工作時所處的操作電壓。舉例來說，在第一模式下，內(nèi)存11可在第一操作電壓下工作，且控制器10能通過執(zhí)行標準操作來存取內(nèi)存11 ;在第二模式下，內(nèi)存11可在低于第一操作電壓的第二操作電壓下工作，且控制器10能通過執(zhí)行修復操作來內(nèi)存存取11。在另一個實施例中，例如控制器10通過判斷在第一模式下輸出數(shù)據(jù)DO是否與輸入數(shù)據(jù)DI相同或者判斷在第一模式下輸出數(shù)據(jù)DO的錯誤率是否低于臨界值，可檢測存取內(nèi)存11是否失敗。其中，在第一模式下，控制器10執(zhí)行標準操作。當判斷出輸出數(shù)據(jù)DO與輸入數(shù)據(jù)DI不同或者判斷出輸出數(shù)據(jù)DO的錯誤率高于臨界值時，則確定內(nèi)存11的存取在第一模式中失敗，控制器10可切換工作于第二模式且通過執(zhí)行修復操作來存取內(nèi)存11。輸出數(shù)據(jù)DO的錯誤可通過執(zhí)行修復操作來校正?？刂破?0的詳細操作將于下文中說明。圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的控制器10的示意圖?？刂破?0包括編碼器100、第一復用器(multiplexer,MUX) 101與第二復用器102、譯碼器103、以及模式選擇單元104。模式選擇單元104能選擇控制器10在哪一模式下工作。內(nèi)存11包括數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110、數(shù)據(jù)校正區(qū)域111以及備份行(row redundancy)區(qū)域112。控制器10接收輸入數(shù)據(jù)DI,例如輸入數(shù)據(jù)DI具有128位。編碼器100接收輸入數(shù)據(jù)DI且對輸入數(shù)據(jù)DI執(zhí)行編碼以產(chǎn)生已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen以用于校正功能,其中校正功能可例如錯誤校正編碼(error correctioncode, ECC)功能。在此實施例中，已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen具有136位，在136位中，128位是輸入數(shù)據(jù)DI的位，而另外8位是用于ECC功能的奇偶校驗位(parity bit)。復用器101接收輸入數(shù)據(jù)DI以及已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen，且選擇性地輸出輸入數(shù)據(jù)DI以及已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen的其中之一以寫入至內(nèi)存11。當復用器101輸出輸入數(shù)據(jù)DI以寫入至內(nèi)存11時，輸入數(shù)據(jù)DI寫入至數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110以作為存儲數(shù)據(jù)。當復用器101輸出已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen以寫入至內(nèi)存11時，已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen寫入至數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110以及數(shù)據(jù)校正區(qū)域111以分別作為存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)，其中，在已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen的136位中，輸入數(shù)據(jù)DI的128位寫入至數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110作為存儲數(shù)據(jù)，而8位的奇偶校驗位寫入至數(shù)據(jù)校正區(qū)域111以作為校正數(shù)據(jù)。當控制器10從內(nèi)存11讀出數(shù)據(jù)時，譯碼器103接收分別來自數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110以及數(shù)據(jù)校正區(qū)域111的存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)，且對存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)進行譯碼以產(chǎn)生已譯碼數(shù)據(jù)DOde。復用器102接收來自數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110的存儲數(shù)據(jù)以及來自譯碼器103的已譯碼數(shù)據(jù)DOde,且選擇性地輸出存儲數(shù)據(jù)與已譯碼數(shù)據(jù)DOde的其中之一者以作為輸出數(shù)據(jù)D0。當內(nèi)存11在第一操作電壓下工作時，或者當控制器10工作在第一模式下且并沒有存取11內(nèi)存失敗時，例如輸出數(shù)據(jù)DO等于輸入數(shù)據(jù)DI或輸出數(shù)據(jù)DO的錯誤率低于臨界值時，模式選擇單元104可選擇控制器10的第一模式。復用器101輸出輸入數(shù)據(jù)DI以寫入至內(nèi)存11。輸入數(shù)據(jù)DI被寫入至數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110以作為存儲數(shù)據(jù)，而沒有位寫入至 數(shù)據(jù)校正區(qū)域111。當控制器10自內(nèi)存11讀出數(shù)據(jù)時，復用器102接收來自數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110的存儲數(shù)據(jù)，且直接將存儲數(shù)據(jù)輸出以作為輸出數(shù)據(jù)D0。當內(nèi)存11在第一操作電壓下工作時，例如較高的操作電壓，輸出數(shù)據(jù)DO具有錯誤的概率較低或等于零，控制器10可通過經(jīng)標準路徑執(zhí)行標準操作來存取內(nèi)存11而不需執(zhí)行ECC功能。其中通過標準路徑執(zhí)行標準操作來存取內(nèi)存即可為習知的標準操作。當內(nèi)存11在低于第一操作電壓的第二操作電壓下工作時，或者當控制器10工作在第一模式下而存取內(nèi)存11發(fā)生錯誤時，例如輸出數(shù)據(jù)DO與輸入數(shù)據(jù)DI不同或輸出數(shù)據(jù)DO的錯誤率高于臨界值，假使控制器10透過上述標準路徑來存取內(nèi)存11而不執(zhí)行ECC功能，輸出數(shù)據(jù)DO可能會出現(xiàn)錯誤或者仍然具有錯誤。因此，模式選擇單元104選擇控制器10的第二模式?？刂破?0切換至通過執(zhí)行修復操作來內(nèi)存存取11。下文說明修復操作。參閱圖2，為了內(nèi)存11的每個字線(word line)的ECC功能，編碼器100可接收輸入數(shù)據(jù)DI，且對輸入數(shù)據(jù)DI進行編碼以產(chǎn)生已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen。復用器101輸出已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen以寫入至內(nèi)存11。在已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen中的128位寫入至數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110以作為存儲數(shù)據(jù)，而在已編碼輸入數(shù)據(jù)DIen中的另外8位寫入至數(shù)據(jù)校正區(qū)域111以作為校正數(shù)據(jù)。當控制器10自內(nèi)存讀出數(shù)據(jù)時，譯碼器103接收分別來自數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110的存儲數(shù)據(jù)以及來自數(shù)據(jù)校正區(qū)域111的校正數(shù)據(jù)，且對存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)進行譯碼以產(chǎn)生已譯碼數(shù)據(jù)D0de。復用器102接收已譯碼數(shù)據(jù)DOde并將已譯碼數(shù)據(jù)DOde輸出以作為輸出數(shù)據(jù)D0。根據(jù)上述，當控制器10在第二模式下工作時，控制器10通過具有ECC功能的校正路徑執(zhí)行修復操作來存取內(nèi)存11。當內(nèi)存11在低于第一操作電壓的第二操作電壓下工作時，輸出數(shù)據(jù)DO具有錯誤的概率變?yōu)檩^高，或者由于存取內(nèi)存11失敗而使得輸出數(shù)據(jù)DO具有錯誤，此時輸出數(shù)據(jù)DO可在第二模式下獲得校正。在一個實施例中，當控制器10在第二模式下工作時，對于修復操作，不僅執(zhí)行校正路徑的ECC功能也會執(zhí)行由備份行區(qū)域112所提供的取代功能(replacing function)。由于在此實施例中，ECC功能可校正在內(nèi)存11的一個字線上的單一位，因此，當在兩個位中發(fā)生錯誤時，ECC功能則無法同時校正此兩位。為了處理在一個字線上兩個位的兩個錯誤，當執(zhí)行ECC功能時，控制器10可更致能備份行區(qū)域112，以取代在該字線上至少一部分已使用數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110和已使用數(shù)據(jù)校正存儲區(qū)域111。也可將備份行區(qū)域112區(qū)分為兩個子區(qū)域數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以及數(shù)據(jù)校正區(qū)域。當致能備份行區(qū)域112時，備份行區(qū)域112的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域能取代該字線的至少一部分已使用數(shù)據(jù)存儲區(qū)域110，而備份行區(qū)域112的數(shù)據(jù)校正區(qū)域能取代該字線的至少一部分已使用數(shù)據(jù)校正區(qū)域111。在另一個實施例中，當控制器在第二模式下工作時，對于修復操作，只執(zhí)行備份行區(qū)域112所提供的取代功能。注意，在此情形中，控制器10透過不具有ECC功能的標準路徑來內(nèi)存存取11，而并不透過具有ECC功能的校正路徑。因此，復用器101選擇輸出輸入數(shù)據(jù)DI以寫入至內(nèi)存11。輸入數(shù)據(jù)DI可被寫入至備份行區(qū)域112的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以作為存儲數(shù)據(jù)，而沒有位被寫入至備份行區(qū)域112的數(shù)據(jù)校正區(qū)域。當控制器10自內(nèi)存11讀出數(shù)據(jù)時，復用器102接收來自備份行區(qū)域112的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域的存儲數(shù)據(jù)且直接輸出存儲數(shù)據(jù)以作為輸出數(shù)據(jù)D0。根據(jù)上述，在此例子中，當控制器10在第二模式下操作時，控制器10存取內(nèi)存11是透過不具ECC功能的標準路徑來執(zhí)行修復操作。其中，由備份行區(qū)域112的取代功能提供修復功能。 圖3為內(nèi)存裝置(例如SRAM裝置)的良率(yield)與位錯誤率之間的關系示意圖。垂直軸表示良率，而水平軸表示位錯誤率。本領域技術人員已知位錯誤率與SRAM裝置的操作電壓成反比。參閱圖3，曲線30表示在不具任何ECC功能的情況下良率與位錯誤率間的關系，曲線31表示在具有ECC-32(位)功能的情況下良率與位錯誤率間的關系，曲線32表示在具有ECC-128 (位)功能的情況下良率與位錯誤率間的關系，而曲線33表示在具有ECC-128(位)功能以及備份行的情況下良率與位錯誤率間的關系。根據(jù)曲線30，當位錯誤率足夠小時，良率可到達90%。如曲線31所示，當執(zhí)行ECC-32功能時，可容許在良率90%下的位錯誤率大于曲線30。如曲線32所示，當執(zhí)行ECC-128功能時，在良率90%下的位錯誤率小于曲線31。此外，如曲線33所示，當執(zhí)行ECC-128功能且使用備份行時，在良率90%下的位錯誤率幾乎等于在曲線31的良率為90%時的位錯誤率。圖4為對于具有不同數(shù)據(jù)總線寬度(data bus width)的SRAM裝置執(zhí)行ECC功能時的面積成本(area overhead)示意圖。參閱信息行40,當執(zhí)行ECC-16 (位)功能時,需要5個奇偶校驗位，且具有31. 3%的面積成本。奇偶校驗位的數(shù)量由以下式子來計算獲得2n> m+n+1,其中表示執(zhí)行ECC功能時數(shù)據(jù)位的數(shù)量,η表示奇偶校驗位的數(shù)量。參閱信息行41，當執(zhí)行ECC-32功能時，需要6個奇偶校驗位，且具有18. 8%的面積成本。參閱信息行42，當執(zhí)行ECC-64功能時，需要7個奇偶校驗位，且具有10. 9%的面積成本。參閱信息行43，當執(zhí)行ECC-128功能時，需要8個奇偶校驗位，且具有6. 3%的面積成本。因此，由于ECC-128功能的面積成本最小，因此具有ECC-128功能的SRAM裝置可具有最低的成本。然而，參閱圖3，當執(zhí)行ECC-128功能時(曲線32)良率為90%時的位錯誤率小于執(zhí)行ECC-32功能時(曲線31)良率為90%時的位錯誤率。在一個實施例中，當內(nèi)存11在第二操作電壓下工作時或當控制器11在第二模式下工作時，可執(zhí)行ECC-128功能且可使用備份行區(qū)域112。參閱曲線33及曲線31，曲線33在良率為90%時的位錯誤率幾乎等于在曲線31的良率90%為時的位錯誤率。此外，ECC-128功能具有6. 3%的面積成本以及備份行區(qū)域具有I. I %的面積成本，兩者所導致的整體面積成本小于執(zhí)行ECC-32功能時的18. 8%的面積成本。因此，根據(jù)此實施例，校正數(shù)據(jù)量較寬的ECC功能(wide ECC function)(例如ECC-128功能)與備份行區(qū)域的組合可降低內(nèi)存芯片成本，更能使位錯誤率容忍度(tolerance)維持與校正數(shù)據(jù)量較窄的ECC功能(narrowECC function)(例如ECC-32功能)相同于根據(jù)此實施例,控制器10提供具有ECC功能的修復機制(repair scheme)、備份行區(qū)域、以及ECC功能與備份行區(qū)域的結合。因此，舉例來說，當內(nèi)存11在較低操作電壓下工作時或者控制器10在第二模式下工作時，在低消耗的同時輸出錯誤率可低于臨界值，例如，當在控制器10的第一模式下輸出錯誤率高于臨界時，控制器10可切換為在第二模式下工作以校正輸出錯誤。圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例內(nèi)存存取方法流程圖。參閱圖1-2及圖5，首先，在步驟S50中，模式選擇單元104選擇控制器10的第一模式或第二模式，判斷控制器10工作在第一模式或第二模式。在步驟S51中，當控制器10在第一模式下工作，控制器10通過經(jīng)標準路徑執(zhí)行標準操作來存取內(nèi)存11。當控制器10在第二模式下工作時，控制器10通過執(zhí)行修復操作來存取內(nèi)存11。在此實施例中，對于修復操作存在三種方法來內(nèi)存存取11。第一種方法是，在步驟S52中，控制器10通過經(jīng)校正路徑執(zhí)行ECC功能來存取內(nèi)存11。第二種 方法是，在步驟S53中，控制器10通過經(jīng)校正路徑執(zhí)行ECC功能且執(zhí)行由內(nèi)存11的備份行區(qū)域112所提供的取代功能來存取內(nèi)存11。第三種方法是，在步驟S54中，控制器10通過經(jīng)標準路徑執(zhí)行取代功能來內(nèi)存存取11。換句話說，在第二模式下，根據(jù)系統(tǒng)需求，控制器10可通過經(jīng)校正路徑執(zhí)行ECC功能、經(jīng)標準路徑執(zhí)行取代功能、或是執(zhí)行ECC功能以及取代功能來存取內(nèi)存。圖5所示的方法步驟僅做為示例?？筛淖儓?zhí)行方法步驟的順序，以及/或一些步驟可根據(jù)設計需求而省略。本發(fā)明雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用來限定本發(fā)明的范圍，任何所屬領域技術人員，在不脫離本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，當可做些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種內(nèi)存裝置控制器，該內(nèi)存裝置控制器用于存取內(nèi)存裝置的內(nèi)存，且該內(nèi)存具有數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以及數(shù)據(jù)校正區(qū)域，該內(nèi)存裝置控制器包括 模式選擇單元，用于根據(jù)該內(nèi)存的操作電壓來選擇該內(nèi)存裝置控制器的模式； 其中，當該內(nèi)存在第一操作電壓下工作時，該模式選擇單元選擇該內(nèi)存裝置控制器的第一模式，且在該第一模式下，該內(nèi)存裝置控制器將輸入數(shù)據(jù)寫入該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以作為存儲數(shù)據(jù)，且該內(nèi)存裝置控制器從該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域讀出該存儲數(shù)據(jù)以作為輸出數(shù)據(jù)；以及其中，當該內(nèi)存在第二操作電壓下工作時，該模式選擇單元選擇該內(nèi)存裝置控制器的第二模式，且在該第二模式下，該內(nèi)存裝置控制器執(zhí)行校正功能以對該輸入數(shù)據(jù)進行編碼以產(chǎn)生已編碼輸入數(shù)據(jù)、或者將該已編碼輸入數(shù)據(jù)寫入該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以及該數(shù)據(jù)校正區(qū)域以分別作為該存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)、或者讀出該存儲數(shù)據(jù)及該校正數(shù)據(jù)以及對該存儲數(shù)據(jù)及該校正數(shù)據(jù)進行譯碼以產(chǎn)生該輸出數(shù)據(jù)。
2.如權利要求I所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存更包括備份行區(qū)域，且在該第二模式下，該內(nèi)存裝置控制器更致能該備份行區(qū)域以修復該存儲數(shù)據(jù)。
3.如權利要求I所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該第二操作電壓低于該第一操作電壓。
4.如權利要求I所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存裝置控制器更包括 編碼器，用于接收該輸入數(shù)據(jù)且對該輸入數(shù)據(jù)進行編碼以產(chǎn)生該已編碼輸入數(shù)據(jù)； 第一復用器，用于接收該輸入數(shù)據(jù)以及該已編碼輸入數(shù)據(jù)，且選擇性地輸出該輸入數(shù)據(jù)與該已編碼輸入數(shù)據(jù)的其中之一以寫入至該內(nèi)存； 譯碼器，用于接收分別來自該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域的該存儲數(shù)據(jù)以及該數(shù)據(jù)校正區(qū)域的該校正數(shù)據(jù)，且對該存儲數(shù)據(jù)以及該校正數(shù)據(jù)進行譯碼以產(chǎn)生已譯碼數(shù)據(jù)；以及 第二復用器，用于接收來自該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域的該存儲數(shù)據(jù)以及來自該譯碼器的該已譯碼數(shù)據(jù)，且選擇性地輸出該存儲數(shù)據(jù)與該已譯碼數(shù)據(jù)的其中之一以作為該輸出數(shù)據(jù)。
5.如權利要求4所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，當該內(nèi)存裝置控制器在該第一模式下工作時，該第一復用器輸出該輸入數(shù)據(jù)以寫入至該內(nèi)存，且該第二復用器輸出該存儲數(shù)據(jù)以作為該輸出數(shù)據(jù)。
6.如權利要求4所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，當該內(nèi)存在該第二操作電壓下工作時，該第一復用器輸出該已編碼輸入數(shù)據(jù)以寫入至該內(nèi)存，且該第二復用器輸出該已譯碼數(shù)據(jù)以作為該輸出數(shù)據(jù)。
7.如權利要求4所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存更包括備份行區(qū)域，且在該第二模式下，該內(nèi)存裝置控制器更致能該備份行區(qū)域以取代至少一部分的該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域。
8.—種內(nèi)存裝置控制器，該內(nèi)存裝置控制器用于存取該內(nèi)存裝置的內(nèi)存，該內(nèi)存裝置控制器包括 模式選擇單元，用于選擇該內(nèi)存裝置控制器的模式； 其中，當該內(nèi)存裝置控制器在第一模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器用于將輸入數(shù)據(jù)寫入該內(nèi)存的數(shù)據(jù)存儲區(qū)域以作為存儲數(shù)據(jù)，且該內(nèi)存裝置控制器用于自該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域讀出該存儲數(shù)據(jù)以作為輸出數(shù)據(jù)；以及 其中，當該內(nèi)存裝置控制器在第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器通過執(zhí)行修復操作來存取該內(nèi)存。
9.如權利要求8所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該模式選擇單元根據(jù)該內(nèi)存的操作電壓來選擇該內(nèi)存裝置控制器的該模式。
10.如權利要求9所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，當該內(nèi)存在第一操作電壓下工作時，該內(nèi)存裝置控制器在該第一模式下工作，以及當該內(nèi)存在第二操作電壓下工作時，該內(nèi)存裝置控制器在該第二模式下工作，該第二操作電壓低于該第一操作電壓。
11.如權利要求8所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該模式選擇單元根據(jù)該內(nèi)存的存取是否失敗來選擇該內(nèi)存裝置控制器的該模式； 其中，當該內(nèi)存的存取沒有失敗時，該模式選擇單元選擇該第一模式；以及 其中，當該內(nèi)存的存取失敗時，該模式選擇單元選擇該第二模式。
12.如權利要求8所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，當該內(nèi)存裝置控制器在該第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器通過經(jīng)校正路徑執(zhí)行錯誤校正編碼功能來執(zhí)行該修復功倉泛。
13.如權利要求8所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存更具有備份行區(qū)域，且當該內(nèi)存裝置控制器在該第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器用于通過經(jīng)校正路徑執(zhí)行錯誤校正編碼功能來執(zhí)行該修復操作且該內(nèi)存裝置控制器通過致能該備份行區(qū)域來執(zhí)行該修復操作。
14.如權利要求8所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存更具有備份行區(qū)域，且當該內(nèi)存裝置控制器在該第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器通過致能該備份行區(qū)域來執(zhí)行該修復操作。
15.如權利要求8所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存裝置控制器更包括 編碼器，用于接收該輸入數(shù)據(jù)且對該輸入數(shù)據(jù)進行編碼以產(chǎn)生已編碼輸入數(shù)據(jù)； 第一復用器，用于接收該輸入數(shù)據(jù)以及該已編碼輸入數(shù)據(jù)，且輸出該輸入數(shù)據(jù)以寫入至該內(nèi)存作為該存儲數(shù)據(jù)或者輸出該已編碼輸入數(shù)據(jù)以寫入至該內(nèi)存以作為該存儲數(shù)據(jù)以及校正數(shù)據(jù)； 譯碼器，用于接收來自該內(nèi)存的該存儲數(shù)據(jù)以及該校正數(shù)據(jù)，且對該存儲數(shù)據(jù)以及該校正數(shù)據(jù)進行譯碼以產(chǎn)生已譯碼數(shù)據(jù)；以及 第二復用器，用于接收來自該內(nèi)存的該存儲數(shù)據(jù)以及來自該譯碼器的該已譯碼數(shù)據(jù)，且選擇性地輸出該存儲數(shù)據(jù)與該已譯碼數(shù)據(jù)的其中之一以作為該輸出數(shù)據(jù)。
16.如權利要求15所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，當該內(nèi)存裝置控制器在該第一模式下工作時，該第一復用器輸出該輸入數(shù)據(jù)以寫入至該內(nèi)存，且該第二復用器輸出該存儲數(shù)據(jù)以作為該輸出數(shù)據(jù)。
17.如權利要求15所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，當該內(nèi)存裝置控制器在該第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器通過執(zhí)行錯誤校正編碼功能來執(zhí)行該修復功能；以及 當該內(nèi)存裝置控制器執(zhí)行該錯誤校正編碼功能時，該第一復用器輸出該已編碼輸入數(shù)據(jù)以寫入至該內(nèi)存，且該第二復用器輸出該已譯碼數(shù)據(jù)以作為該輸出數(shù)據(jù)。
18.如權利要求17所述的內(nèi)存裝置控制器，其特征在于，該內(nèi)存更包括備份行區(qū)域，且當該內(nèi)存裝置控制器在該第二模式下工作時，該內(nèi)存裝置控制器用于致能該備份行區(qū)域以取代至少一部分的該數(shù)據(jù)存儲區(qū)域。
19.一種內(nèi)存存取方法，用于存取內(nèi)存裝置的內(nèi)存，該內(nèi)存存取方法包括 選擇存取該內(nèi)存的模式； 當選擇第一模式時，通過經(jīng)標準路徑執(zhí)行標準操作來存取該內(nèi)存；以及 當選擇第二模式時，通過執(zhí)行修復操作來存取該內(nèi)存。
20.如權利要求19所述的內(nèi)存存取方法，其特征在于，該通過執(zhí)行該修復操作來存取該內(nèi)存的步驟包括 經(jīng)校正路徑來執(zhí)行錯誤校正編碼功能。
21.如權利要求19所述的內(nèi)存存取方法，其特征在于，該通過執(zhí)行該修復操作來存取該內(nèi)存的步驟包括 經(jīng)校正路徑來執(zhí)行錯誤校正編碼功能以及致能該內(nèi)存的備份行區(qū)域。
22.如權利要求19所述的內(nèi)存存取方法，其特征在于，該通過執(zhí)行該修復操作來存取該內(nèi)存的步驟包括 致能該內(nèi)存的備份行區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種內(nèi)存裝置控制器以及內(nèi)存存取方法。其中，所述的內(nèi)存存取方法包括選擇存取內(nèi)存的模式；當選擇第一模式時，通過經(jīng)標準路徑執(zhí)行標準操作來存取內(nèi)存；以及當選擇第二模式時，通過執(zhí)行修復操作來存取內(nèi)存。本發(fā)明提供的內(nèi)存裝置控制器具有模式選擇單元，可在多個模式的至少一個模式中執(zhí)行修復操作以降低數(shù)據(jù)輸出錯誤率。
文檔編號G11C29/44GK102768861SQ20121013419
公開日2012年11月7日 申請日期2012年5月2日 優(yōu)先權日2011年5月5日
發(fā)明者王嘉維 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司