專利名稱：內(nèi)存的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種內(nèi)存。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的DDR3與DDR2是不支持熱插拔的，實(shí)在不便。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種可熱插拔的內(nèi)存。 一種內(nèi)存，包括一電路板、若干內(nèi)存芯片及金手指，所述若干內(nèi)存芯片設(shè)置于電路板上，所述金手指設(shè)置于電路板的一端且包括若干接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳，所述接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳的上端平齊，所述接地引腳的長度大于電源引腳及信號(hào)引腳的長度。上述內(nèi)存將其接地引腳設(shè)置為最長，當(dāng)熱插入的時(shí)候，接地引腳最長，接地引腳就會(huì)最先接入，這樣電源引腳和信號(hào)引腳均不會(huì)在接地引腳沒有與內(nèi)存插槽接觸的情況下與內(nèi)存插槽相接觸，從而造成電源引腳與信號(hào)引腳的電氣懸空。當(dāng)熱拔出的時(shí)候，接地引腳最長，因此接地引腳也就會(huì)最后被拔出，如此電源引腳和信號(hào)引腳也不會(huì)在接地引腳已與內(nèi)存插槽相分離的情況下仍與內(nèi)存插槽相接觸，從而造成電源引腳與信號(hào)引腳的電氣懸空，這樣的話內(nèi)存在熱插拔時(shí)就不會(huì)出現(xiàn)浪涌電流與浪涌電壓等不良現(xiàn)象。
圖I是本發(fā)明內(nèi)存的較佳實(shí)施方式的示意圖。圖2是圖I中的II部分的放大圖。主要元件符號(hào)說明_
內(nèi)存 I_
各板 Τ ~
內(nèi)存芯
金手指 i 第一引腳300 第二引腳302 第三引腳305 第四引腳 306
如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及較佳實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述
請參閱圖I，本發(fā)明內(nèi)存I的較佳實(shí)施方式包括一電路板10、若干內(nèi)存芯片20及金手指30。所述內(nèi)存芯片20設(shè)置于電路板10上，所述金手指30設(shè)置于電路板10的一端，且所述金手指30通過設(shè)置于電路板10上的跡線與若干內(nèi)存芯片20電性連接。當(dāng)所述內(nèi)存I插接于主板上的內(nèi)存插槽時(shí),所述金手指30與內(nèi)存插槽內(nèi)的引腳相連，從而傳輸內(nèi)存芯片20與主板之間的數(shù)據(jù)。所述金手指30包括若干引腳，該等引腳的上端平齊。根據(jù)DDR2或DDR3的定義，內(nèi)存I的金手指30包括三組引腳，其中第一組引腳為接地引腳，第二組引腳為電源引腳，第三組引腳為信號(hào)引腳。假設(shè)本實(shí)施方式中，所述內(nèi)存I的規(guī)格為DDR2 SDRAM (Double DataRate II Synchronous Dynamic Random Access Memory,雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)DIMM (Dual-Inline-Memory-Modules,雙列直插式存儲(chǔ)模塊)240 pin,其包括64個(gè)接地引腳(第一組引腳)、24個(gè)電源引腳(第二組引腳)、141個(gè)信號(hào)引腳(第三組引腳)以及11個(gè)閑置或預(yù)留引腳。請參考圖2，為了便于理解，本實(shí)施方式中只取金手指中的四個(gè)引腳為例進(jìn)行描述，其中從左至右第一引腳300為接地引腳，第二引腳302為電源引腳，第三引腳305為接地引腳，第四引腳306為信號(hào)引腳。從圖2可以看出，所述第一至第四引腳的上端平齊，且所述第一引腳300及第三引腳305 (即接地引腳)的長度最長，第二引腳302 (即電源引腳) 的長度次之，第四引腳306 (即信號(hào)引腳)的長度最短。也就是說，第一引腳300及第三引腳305的底端與電路板10的底端之間的距離最短，第二引腳302的底端與電路板10的底端之間的距離次之，第四引腳306的底端與電路板10的底端之間的距離最長?；谶@種結(jié)構(gòu)，當(dāng)熱插入的時(shí)候，接地引腳(即第一及第三引腳300、305)的長度最長，接地引腳就會(huì)最先接入，電源引腳和信號(hào)引腳都不會(huì)在接地引腳沒有與內(nèi)存插槽接觸的情況下與內(nèi)存插槽相接觸，從而避免造成電源引腳與信號(hào)引腳的電氣懸空。當(dāng)熱拔出的時(shí)候，接地引腳的長度最長，因此接地引腳也就會(huì)最后被拔出，電源引腳和信號(hào)引腳也不會(huì)在接地引腳已與內(nèi)存插槽相分離的情況下仍與內(nèi)存插槽相接觸，從而避免造成電源引腳與信號(hào)引腳的電氣懸空，這樣的話內(nèi)存I在熱插拔時(shí)就不會(huì)出現(xiàn)浪涌電流與浪涌電壓等不良現(xiàn)象。本較佳實(shí)施方式中，第二引腳302的長度設(shè)置為比第一引腳300及第三引腳305短0. 2mm，第四引腳306的長度設(shè)置為比第二引腳302短0. 2mm。根據(jù)上面的描述可知，內(nèi)存I上設(shè)置的其他引腳即按照其所屬的組別設(shè)置其長度，如64個(gè)接地引腳的長度均設(shè)置為最長，24個(gè)電源引腳的長度則設(shè)置為比接地引腳短0. 2mm, 141個(gè)信號(hào)引腳的長度則設(shè)置為比電源引腳短O. 2mm。11個(gè)閑置引腳的長度則沒有限制。另外，所述電源引腳的長度亦可與信號(hào)引腳的長度設(shè)置為一致，即只需將接地引腳的長度設(shè)置為最長即可，如此同樣可以保證在內(nèi)存I插接至內(nèi)存插槽時(shí)，所述接地引腳最先被接入；在內(nèi)存I被拔出內(nèi)存插槽時(shí)，所述接地引腳最后被拔出。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)存，包括一電路板、若干內(nèi)存芯片及金手指，所述若干內(nèi)存芯片設(shè)置于電路板上，所述金手指設(shè)置于電路板的一端且包括若干接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳，所述接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳的上端平齊，其特征在于所述接地引腳的長度大于電源引腳及信號(hào)引腳的長度。
2.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)存，其特 征在于所述接地引腳的長度大于電源引腳的長度O. 2mm。
3.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)存，其特征在于所述電源引腳的長度大于信號(hào)引腳的長度。
4.如權(quán)利要求3所述的內(nèi)存，其特征在于所述電源引腳的長度大于信號(hào)引腳的長度O. 2mm。
5.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)存，其特征在于所述電源引腳的長度等于信號(hào)引腳的長度。
6.—種內(nèi)存,包括一電路板、若干內(nèi)存芯片及金手指,所述若干內(nèi)存芯片設(shè)置于電路板上，所述金手指設(shè)置于電路板的一端且包括若干接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳，其特征在于所述接地弓I腳的底端與電路板的底端之間的距離小于電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離以及信號(hào)引腳的底端與電路板的底端之間的距離。
7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存，其特征在于所述接地引腳的底端與電路板的底端之間的距離比電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離小O. 2mm。
8.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存，其特征在于所述電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離小于信號(hào)弓I腳的底端與電路板的底端之間的距離。
9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存，其特征在于所述電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離比信號(hào)引腳的底端與電路板的底端之間的距離小O. 2mm。
10.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存，其特征在于所述電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離等于信號(hào)弓I腳的底端與電路板的底端之間的距離。
全文摘要
一種內(nèi)存，包括一電路板、若干內(nèi)存芯片及金手指，所述若干內(nèi)存芯片設(shè)置于電路板上，所述金手指設(shè)置于電路板的一端且包括若干接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳，所述接地引腳、電源引腳及信號(hào)引腳的上端平齊，所述接地引腳的長度大于電源引腳及信號(hào)引腳的長度。上述內(nèi)存可實(shí)現(xiàn)熱插拔。
文檔編號(hào)G11C7/10GK102881319SQ20111019697
公開日2013年1月16日 申請日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者羅奇艷, 陳鵬, 童松林 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司