專利名稱：具有定形的能量輻射端的近場傳感器的制作方法
具有定形的能量輻射端的近場傳感器
背景技術(shù)：
熱輔助磁記錄(HAMR)通常涉及到局部加熱一記錄介質(zhì)以降低矯頑磁性的概念。 這使得在由熱源引起的臨時磁性軟化期間，施加的磁寫入場更容易指引磁化。HAMR允許使用在室溫下具有更大的磁各向異性的小粒度介質(zhì)，以確保足夠的熱穩(wěn)定性，這是以越來越高的面積密度進(jìn)行記錄所需要的。HAMR可被應(yīng)用于任何類型的磁存儲介質(zhì)，包括傾斜介質(zhì)、 縱向介質(zhì)、垂直介質(zhì)和結(jié)構(gòu)化介質(zhì)。通過對介質(zhì)加熱，Ku或矯頑磁性被降低，以便于磁寫入場足夠?qū)懭虢橘|(zhì)。一旦介質(zhì)冷卻到環(huán)境溫度，則矯頑磁性具有足夠高的值，以確保已記錄信息的熱穩(wěn)定性。需要更好的設(shè)計來提高效率、準(zhǔn)直性、準(zhǔn)確性以及減小局部加熱的尺寸。
發(fā)明內(nèi)容
一種磁記錄頭，包括寫入極，置于鄰近寫入極用來從外部源接收光能量的近場傳感器。所述近場傳感器共振以在記錄介質(zhì)上產(chǎn)生加熱斑點(diǎn)。鄰近所述記錄介質(zhì)的近場傳感器的形狀不對稱性導(dǎo)致了所述加熱斑點(diǎn)的形狀各向異性。另一方面，一種磁記錄頭，包括寫入極，置于鄰近寫入極的近場傳感器，和位于寫入極和近場傳感器下方的記錄介質(zhì)。所述近場傳感器和記錄介質(zhì)構(gòu)成了一個在所述記錄介質(zhì)上形成加熱斑點(diǎn)的共振系統(tǒng)。鄰近所述記錄介質(zhì)的近場傳感器的形狀不對稱性導(dǎo)致了所述加熱斑點(diǎn)的形狀各向異性。
圖1為波導(dǎo)和鄰近于相關(guān)記錄介質(zhì)的近場傳感器(NFT)的示意圖。圖2A為光學(xué)近場傳感器(NFT)的透視圖。圖2B為位于寫入極和返回極之間的NFT的空氣軸承表面(ABS)視圖。圖2C為在NFT下的熱輪廓。圖3A為位于寫入極和返回極之間的具有不對稱釘銷的NFT的ABS視圖。圖3B為位于寫入極和返回極之間的具有不同不對稱釘銷的NFT的ABS視圖。圖3C為位于寫入極和返回極之間的具有不同不對稱釘銷的NFT的ABS視圖。圖4為在具有一梯形釘銷的NFT下的熱輪廓。圖5A為耦合納米柱(CNR)及其相應(yīng)溫度分布的示意截面。圖5B為位于寫入極和返回極之間的CNR的ABS視圖。圖5C為在CNR下的熱輪廓。圖6A為具有位于寫入極和返回極之間的不對稱納米柱的CNR的ABS視圖。圖6B為具有位于寫入極和返回極之間的不同不對稱納米柱的CNR的ABS視圖。圖7A為在具有不對稱納米柱的CNR下的熱輪廓。圖7B為在具有不對稱納米柱的CNR下的橫向軌跡和下軌跡的光學(xué)圖形。圖8為具有錐形入口部分的間隙的CNR的垂直截面。圖9A為具有直形的間隙的CNR的光強(qiáng)分布。
圖9B為在圖5A中的CNR下的光強(qiáng)分布。圖IOA為具有錐形間隙的CNR的光強(qiáng)分布。圖IOB為在圖8中的CNR下的光強(qiáng)分布
具體實(shí)施例方式對于熱輔助磁記錄，電磁波，例如可見光、紅外線或紫外線，可以從一記錄頭的空氣軸承面(ABQ引導(dǎo)至一數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的表面，以提高局部區(qū)域的溫度進(jìn)而促進(jìn)轉(zhuǎn)換。 HAMR的主要困難一直在于發(fā)現(xiàn)一種能夠?qū)⒆銐虻墓饽芰總鲗?dǎo)到存儲介質(zhì)，以便對其(但僅限于想要被記錄的區(qū)域)加熱幾百度的技術(shù)。如果光斑大于這個區(qū)域，其將擴(kuò)展到光盤上鄰近的位和軌道，對這些區(qū)域也加熱，則記錄在這些區(qū)域中的數(shù)據(jù)可能被擦除。將光斑限制在遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于光波長的區(qū)域內(nèi)，因此最好低于用標(biāo)準(zhǔn)聚焦物鏡達(dá)到的所謂“衍射極限”，屬于叫做“近場光學(xué)”或“近場顯微鏡學(xué)”的研究領(lǐng)域。眾所周知的光學(xué)波導(dǎo)，如固體浸沒透鏡(SIL)、固體浸沒鏡(SIM)和模指數(shù)透鏡， 已經(jīng)提議用于近場光學(xué)以減小承受電磁輻射的介質(zhì)上的斑點(diǎn)寸。由于衍射極限的光學(xué)效應(yīng)，SIL、SIM和模指數(shù)透鏡本身不足以達(dá)到高面積密度記錄所必須的焦點(diǎn)光斑的尺寸。將金屬釘銷和其他近場傳感器(NFT)設(shè)置在波導(dǎo)焦點(diǎn)的設(shè)計被用來進(jìn)一步集中能量，并將能量引導(dǎo)至所述記錄介質(zhì)面上的一個小斑點(diǎn)。HAMR設(shè)備可結(jié)合諸如模指數(shù)透鏡、或平面固體浸沒鏡或透鏡的多種波導(dǎo)，以生成會聚光束。圖1示出了一個拋物線平面波導(dǎo)的例子。波導(dǎo)60的邊緣66大致成拋物線形狀。 如果邊緣66外材料的折射率小于波導(dǎo)60材料的折射率，波導(dǎo)60將起到固體浸沒透鏡的作用。如圖所示，沿波導(dǎo)60縱軸傳播的電磁波68和70在邊界66將被偏轉(zhuǎn)至焦點(diǎn)72?？梢耘渲醚苌涔鈻呕虮绢I(lǐng)域已知的將外部能量耦合到光導(dǎo)60中的其他手段以使向下穿過波導(dǎo) 60中心的輻射最小化，以及使從拋物線邊緣66反射能量最大化，進(jìn)而增強(qiáng)照射在焦點(diǎn)上的電磁波68和70的縱向分量的能量含量。集中在波導(dǎo)60的焦點(diǎn)72上的斑點(diǎn)尺寸是受到衍射極限影響的，達(dá)不到高面積密度的HAMR記錄介質(zhì)所要求的小于IOOnm的尺寸。需使用近場傳感器(NFT)，如金屬釘銷、球 /釘銷組合、或盤/釘銷組合，將能量聚焦到所允許的小于IOOnm的斑點(diǎn)尺寸。如圖1所示的近場傳感器58為盤/釘銷組合NFT的一個示例。NFT58被定位在波導(dǎo)60的焦點(diǎn)72上， 在該位置NFT58可與入射波68和70耦合以生成表面等離子體。所述NFT上由表面等離子體所生成的場也與記錄介質(zhì)16相互作用，并如箭頭78所示地各電磁能量傳輸?shù)剿鼋橘|(zhì)， 使記錄介質(zhì)16上的一個小區(qū)域62加熱。圖2A為NFT58的透視圖。NFT58包括頭80、釘銷(或可叫作“楔子”)82和釘銷尖端84。NFT58可由金或其他本領(lǐng)域已知的合適材料，如銀或鋁，制成。NFT上的頭80通常是盤狀的，并通常比釘銷82大。頭80也可比釘銷82具有更大的厚度。NFT58的形狀可有效地獲取光能和有效地將光能傳輸?shù)接涗浗橘|(zhì)。釘銷尖端84確保傳輸?shù)剿鼋橘|(zhì)的能量限定在一個由所述釘銷的橫截面定義的區(qū)域。傳統(tǒng)的傳感器包括具有如圖2A所示的矩形橫截面的釘銷。如圖2A所示的傳感器有時被稱作棒棒糖傳感器。圖2B為具有矩形橫截面釘銷的光學(xué)傳感器的ABS示意圖，其中寫入極36為釘銷端84的下軌跡和返回極38。需要移動釘銷端84生成的光/熱斑點(diǎn)更靠近寫入極36以達(dá)到更好的記錄效果。圖2C示出了由光學(xué)模擬計算出的表示記錄介質(zhì)16溫度分布的光學(xué)區(qū)域強(qiáng)度分布，其中記錄介質(zhì)16被具有矩形釘銷82的NFT58所射出的激光作用。由于激勵激光入射在NFT58的上軌跡側(cè)的頭80上，在矩形釘銷尖端84下的光/熱斑點(diǎn)62更靠近處于上軌跡方向的返回極38，而遠(yuǎn)離寫入極，使熱和磁校準(zhǔn)困難。釘銷82可被移動到更靠近寫入極36，但是，寫入期間的共振特性和熱管理將被改變。另外，生產(chǎn)極小尺寸的釘銷是個難題。在本發(fā)明的一個示范實(shí)施例中，為了將釘銷尖端84附近的能量移動到更靠近寫入極36，釘銷82的橫截面形狀已經(jīng)改變。一個實(shí)施例中包含一種梯形形狀。圖3A為具有釘銷92、寫入極36和返回極38的光學(xué)傳感器的ABS示意圖。釘銷92被設(shè)置在寫入極36 和返回極38之間。釘銷尖端94為梯形，包括第一釘銷邊緣96和第二釘銷邊緣98。第一釘銷邊緣96比第二釘銷邊緣98小且更靠近寫入極36。在某些實(shí)施例中，所述光學(xué)傳感器為棒棒糖傳感器。因?yàn)榈谝会斾N邊緣96在長度上比第二釘銷邊緣98更短，由于導(dǎo)電材料的避雷針效應(yīng)，更高的電荷密度分布將聚集在第一釘銷邊緣96。避雷針效應(yīng)是一種由于導(dǎo)電材料的任意尖銳形狀特征(如角或者邊)所發(fā)生的自然現(xiàn)象。尖銳幾何特征處的電場的準(zhǔn)靜電集聚導(dǎo)致場強(qiáng)的顯著增強(qiáng)，只要上述形狀特征的有效曲率遠(yuǎn)小于所關(guān)注的波長，這種效應(yīng)就會發(fā)生。因此，由于第一釘銷邊緣96是釘銷92的尖銳形狀特征，并且由于第一釘銷邊緣96 比第二釘銷邊緣98更靠近寫入極36，這種光學(xué)近場的不對稱將會導(dǎo)致熱斑的溫度輪廓的最大值被移動到更靠近寫入極36的位置，并且相對于其他傳統(tǒng)的HAMR系統(tǒng)更有效率地與磁場分布相吻合。圖3B示出了與圖3A實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)，只有釘銷93從圖3A的位置旋轉(zhuǎn)了 180 度。第二釘銷邊緣98現(xiàn)在比第一釘銷邊緣96更靠近寫入極36。釘銷82的這一取向可適用于特定的HAMR設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。圖3C為具有釘銷95、寫入極36和返回極38的光學(xué)傳感器的另一實(shí)施例的ABS示意圖。圖3C是與圖3A實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)，只有釘銷95現(xiàn)在具有直線的釘銷邊緣96’和曲線的前緣98’，其中釘銷尖端94’的釘銷橫截面為凹入的梯形。曲線邊緣98’通過聚焦熱斑可提高HAMR的熱和磁性能，因此熱輪廓的最熱部分移動到更靠近寫入極36。通過在磁介質(zhì)上進(jìn)行記錄的NFT的光學(xué)模擬，如圖3A所示的具有釘銷94的光學(xué) NFT58的性能已經(jīng)被估算。在所述模擬中，一個具有梯形橫截面釘銷的金棒糖NFT被集成在一個具有固體浸沒鏡(SIM)的記錄頭中來將波導(dǎo)光聚焦到NFT。所述波導(dǎo)包括一個具有鋁包覆層的125nm的Ta2O5核。所述NFT位于包覆層中距離所述波導(dǎo)核IOnm遠(yuǎn)處。所述磁介質(zhì)盤包括一個2. 5nm厚的保護(hù)層、IOnm厚的磁記錄層和沉積在一玻璃基底上的一個7. 5nm 厚的熱承載涂層。所述記錄頭具有一個2. 5nm的保護(hù)層并且飛行高度被假設(shè)為2. 5nm。所述激光具有920nm的波長。根據(jù)圖3A，所述NFT的尺寸為T = 40nm,ffl = 50nm,W2 = 10nm。圖4示出了計算出的光學(xué)區(qū)域強(qiáng)度分布，其表示記錄介質(zhì)16中的溫度分布。對比圖2C所示的溫度分布，在梯形釘銷94下的斑點(diǎn)62具有明顯的梯形形狀，該梯形具有一個明顯更接近寫入極36的后緣和一個在釘銷94前緣處的前緣。虛線62示出了加熱斑點(diǎn)的溫度輪廓。釘銷橫截面94 的梯形已經(jīng)清楚地移動加熱斑點(diǎn)來更靠近寫入極36。圖4中從所述斑點(diǎn)最熱的部分到寫入極的距離約為50nm。適合HAMR應(yīng)用的另一種NFT為耦合納米桿。耦合納米桿(CNR)包括一對相互鄰近的桿狀結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)被合適波長的電磁能量照射時，將共振和在位于兩個桿端部中間的 CNR端部生成強(qiáng)烈的光斑。圖5A示出了 CNR垂直截面的一個例子。CNR 114包括被間隙 120分隔開的桿116、116，、118和118，。當(dāng)在HAMR傳感器中作為NFT時，CNR 114被設(shè)置在如圖3所示的焦點(diǎn)58的波導(dǎo)的焦點(diǎn)上。CNR114共振，分別在桿116、116’、118和118’的端部117和119上的表面等離子體加熱鄰近ABS 56的記錄介質(zhì)。在端部117和119下的溫度輪廓分別用溫度曲線122和124圖示。曲線122和 124的和表示為曲線125。最高溫度直接在納米桿之間的間隙120下。雖然如圖5A所示的 CNRl 14包括了 4個納米桿，如有必要，CNR的結(jié)構(gòu)也可為兩個或更多納米桿。對于HAMR應(yīng)用，CNR NFT組件通常為金、銀、鋁或本領(lǐng)域中已知的其他材料制成的薄膜結(jié)構(gòu)。圖5B為CNR 114的ABS示意圖，其中寫入極36為CNR114的端部117和119和返回極38的下軌跡。為了達(dá)到更好的寫入特性，關(guān)鍵是將光斑/熱斑移動到更靠近寫入極 36。圖5C示出了由光學(xué)模擬計算的表示來自CNR114的激光所引起的記錄介質(zhì)16上的溫度分布的熱輪廓，其中CNR114具有矩形端部117和119。光斑/熱斑62在上軌跡方向更靠近返回極38而遠(yuǎn)離寫入極，使熱和磁校準(zhǔn)困難。如前所述，照射在CNR114上軌跡側(cè)的激勵激光導(dǎo)致了熱不對稱。在本發(fā)明的一個示范實(shí)施例中，為了將所述間隙中的能量移動到更靠近寫入極 36，桿116、116’、118和118’的橫截面形狀已經(jīng)改變。圖6A示出了在朝著寫入極的下軌跡方向上引入間隙121的不對稱的一個實(shí)施例。圖6A為CNR114的ABS示意圖，示出了不對稱的納米桿端部117和119，寫入極36和返回極38。第一和第二不對稱納米桿尖端117和119包括第一角邊緣126、第二角邊緣1 和對面的邊緣130和132。第一角邊緣1 和第二角邊緣1 具有角度，使得第一和第二納米桿尖端117和119遠(yuǎn)離極36逐漸增大。對面的邊緣130和132不具有角度。在圖6B所示的另一實(shí)施例中，邊緣131和133也具有角度，以形成梯形橫截面。未示出的納米桿116和 118的其他不對稱的橫截面也包括在本發(fā)明中。 具有不對稱間隙的CNRl 14的NFT性能已經(jīng)通過在磁記錄介質(zhì)上NFT記錄的光學(xué)模擬而被估算。在所述模擬中，耦合的金納米桿NFT被集成在具有固體浸沒鏡(SIM)的記錄頭中，以將波導(dǎo)光聚焦到NFT。所述波導(dǎo)包括具有鋁包覆層的125nm的Ta2O5芯。所述NFT 位于包覆層中距離所述波導(dǎo)芯IOnm遠(yuǎn)處。所述磁介質(zhì)盤包括2. 5nm厚的保護(hù)層、IOnm厚的磁記錄層、和沉積在玻璃基底上的7. 5nm厚的熱阻擋涂層。所述記錄頭具有2. 5nm的保護(hù)層并且飛行高度被假設(shè)為2. 5nm。所述激光具有920nm的波長。 三個納米桿尺寸被模型化。根據(jù)圖6A，所述尺寸為T，= 40nm, Wl' = 55nm，和 W2' = 35nm;T，= 40nm, Wl，= 45nm，禾口 W2，= 25nm ；禾口 Τ，= 30nm, Wl，= 35nm, W2'= 15nm ；。在每一種情況下，由于不對稱間隙的聚焦效應(yīng)，光學(xué)強(qiáng)度分布在下軌跡方向上被偏移到更靠近寫入極的位置。對于具有T，= 40nm,ffr = 45nm，W2，= 25nm尺寸的納米桿， 圖7A示出了計算出的磁層中光學(xué)區(qū)域強(qiáng)度分布及所導(dǎo)致的溫度分布。圖7B示出了橫向軌跡和下軌跡強(qiáng)度分布。如虛線所示的橫向軌跡強(qiáng)度分布是中心對稱的。圖7A所示的所述間隙中的非均勻場分布很明顯地與圖5C所示的矩形間隙的情況下的場分布不一致。圖7A中
7從所述斑點(diǎn)的最熱部分到寫入極的距離約為60nm。圖7B中的下軌跡強(qiáng)度分布顯示了如箭頭DT所表示的朝向?qū)懭霕O漂移的確定的峰移。所述橫向軌跡圖像的半最大值全寬(FWHM) 為35nm。隨著W2依次從35nm減小到15nm，F(xiàn)ffHM從45nm減小到25nm。另外，當(dāng)所述斑點(diǎn)尺寸隨間隙更窄而減小，下軌跡光學(xué)梯度增大。這將有益于HAMR記錄。計算結(jié)果已經(jīng)顯示，隨著間隙寬度減小，所述間隙中的等離子體模式的傳播常數(shù)以指數(shù)方式增大。因此，在寬度不斷減小的間隙中，由于等離子體從CNR的頂端傳播到 ABS56，等離子體將偏向于更小的間隙尺寸處。因此，所述不對稱的間隙具有聚焦效應(yīng)。但是，計算結(jié)果也顯示，間隙中的等離子體傳播距離與間隙寬度成正比。例如，對于5nm的間隙，其傳播距離小于1微米。這個產(chǎn)生問題的特性可通過增加一個沿著間隙向CNR的等離子體傳播方向成楔形的間隙所抵消。也就是，沿著從所述CNR的頂端朝向ABS的垂直方向。圖8示出了具有楔形間隙的CNR 134的垂直截面。CNR 134包括具有納米桿端部 142和144的納米桿136和138。具有邊146和148的間隙140在頂端寬，而在緊鄰ABS的底部的邊150和152變得窄。在窄間隙中的等離子體損失被在上方間隙中更大的等離子體能量所彌補(bǔ)。楔形間隙所具有的另一個優(yōu)點(diǎn)是，不同間隙帶來的不同設(shè)計使得在激勵源 (優(yōu)選為波導(dǎo))和NFT之間的阻抗匹配得到增強(qiáng)成為可能。針對具有直形間隙入口和楔形間隙入口的耦合納米桿，已經(jīng)得出光學(xué)場強(qiáng)度計算結(jié)果。圖9A示出了 CNR114(圖5A)的垂直截面的光強(qiáng)度。CNR114的尺寸為W3 = 20nm,Tl =100nm，T2 = 175nm。圖9B示出了來自CNR114的ABS上的光學(xué)強(qiáng)度分布。圖IOA示出了具有楔形間隙(圖8)的CNR134的垂直截面的光學(xué)強(qiáng)度。CNR134的尺寸為W4 = 20nm, W5 =195nm, T3 = 90nm, T4 = 170nm。圖IOB示出了來自CNR134的ABS上的光學(xué)強(qiáng)度分布。 在圖IOA和IOB中，CNR134的能量明顯地限制在了所述間隙中。圖9B和圖IOB中ABS上的斑點(diǎn)都具有相似的尺寸，但是，在使用了楔形入口時，峰值強(qiáng)度增強(qiáng)了兩倍以上。最后，在具有將光斑移動到更靠近寫入極的前緣的不對稱釘銷和桿的釘銷類型 (如棒棒糖)和間隙類型(如CNR)的NFT中，所述NFT的厚度可增加差不多幾百納米，而不影響寫入性能。不對稱釘銷和桿還使得所述斑點(diǎn)的形狀和尺寸更有效。最后，金的厚度增加有助于散發(fā)熱能，從而降低NFT的溫度。雖然已經(jīng)參考較佳實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能預(yù)見未脫離本發(fā)明范圍內(nèi)的形式和細(xì)節(jié)上的變化。如上所述的實(shí)現(xiàn)方式或其它實(shí)現(xiàn)方式都被以下的權(quán)利要求范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括寫入極；鄰近所述寫入極的近場傳感器，其包括鄰近記錄介質(zhì)的能量輻射端；和其中，使所述能量輻射端的形狀為靠近所述寫入極具有第一寬度和遠(yuǎn)離所述寫入極具有第二寬度，第一寬度與第二寬度不同。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于還包括鄰近所述寫入極的波導(dǎo)，所述波導(dǎo)將光能聚焦到一焦點(diǎn)；從所述波導(dǎo)接收光能的近場傳感器；和其中，所述近場傳感器的能量接收端鄰近所述波導(dǎo)的焦點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述能量輻射端具有第一寬度小于第二寬度的形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述能量輻射端具有第一寬度大于第二寬度的形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述近場傳感器由金、銀、銅或它們的合金之一制成。
6.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述近場傳感器為一棒棒糖型傳感器。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述能量接收端為一圓盤，所述能量輻射端為一楔子或釘銷。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述能量輻射端具有梯形橫截面。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述能量輻射端具有凹形梯形橫截面。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述近場傳感器為耦合納米桿型傳感器。
11.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述耦合納米桿傳感器的能量接收端為耦合納米桿入口。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述能量輻射端包括在兩納米桿尖端之間的間隙分布。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述間隙分布具有梯形的形狀。
14.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述兩個納米桿尖端具有大致為梯形的橫截面。
15.一種系統(tǒng)，包括寫入極；鄰近所述寫入極的波導(dǎo)，所述波導(dǎo)將光能聚焦到一焦點(diǎn)；位于所述寫入極和波導(dǎo)下方的記錄介質(zhì)；以及被設(shè)置為鄰近所述寫入極，并用來從所述波導(dǎo)接收能量的近場傳感器，該近場傳感器包括能量接收端和能量輻射端，其中所述能量接收端鄰近所述波導(dǎo)的焦點(diǎn)，并且其中所述能量輻射端鄰近所述記錄介質(zhì)并具有用以在記錄介質(zhì)上產(chǎn)生熱斑的形狀，該熱斑鄰近所述記錄介質(zhì)上的寫入極投影最熱。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述熱斑具有非矩形的形狀。
17.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述記錄介質(zhì)上的所述熱斑點(diǎn)輪廓中最熱區(qū)域距所述記錄介質(zhì)上的寫入極輪廓小于50nm。
18.一種系統(tǒng)，包括寫入極；返回極；位于所述寫入極和所述返回極之間的波導(dǎo)，所述波導(dǎo)將光能聚焦到一焦點(diǎn)；位于所述寫入極和所述波導(dǎo)下方的記錄介質(zhì)；以及被設(shè)置為位于所述寫入極和所述返回極之間，并用來從所述波導(dǎo)接收光能的近場傳感器，該近場傳感器包括能量接收端和能量輻射端，其中所述能量接收端鄰近所述波導(dǎo)的焦點(diǎn)，并且其中所述能量輻射端鄰近所述記錄介質(zhì)并具有用以在記錄介質(zhì)上產(chǎn)生熱斑的形狀，使得最熱區(qū)域相比記錄介質(zhì)上返回極輪廓更靠近記錄介質(zhì)上寫入極輪廓。
19.如權(quán)利要求18所述系統(tǒng)，其特征在于，所述近場傳感器由金、銀、銅或它們的合金之一制成，并且所述能量接收端為梯形形狀。
20.如權(quán)利要求19所述系統(tǒng)，其特征在于，所述記錄介質(zhì)上的所述熱斑輪廓的最熱區(qū)域距所述記錄介質(zhì)上的寫入極輪廓小于60nm。
21.如權(quán)利要求18所述系統(tǒng)，其特征在于，所述近場傳感器為一耦合納米桿型傳感器， 并且第一和第二納米桿端部之間的間隙為梯形形狀。
全文摘要
具有定形的能量輻射端的近場傳感器。一種磁記錄頭，包括寫入極和鄰近所述寫入極的近場傳感器，其將光能聚焦到一焦點(diǎn)。一種近場傳感器被設(shè)置用來從一波導(dǎo)接收光能。所述近場傳感器包括能量接收端和能量輻射端。所述能量接收端鄰近所述波導(dǎo)的焦點(diǎn)，所述能量輻射端具有靠近所述寫入極處較窄而遠(yuǎn)離所述寫入極處較寬的形狀。
文檔編號G11B5/133GK102324238SQ20111019527
公開日2012年1月18日 申請日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月21日
發(fā)明者W·A·查利納, 趙永軍, 金旭輝, 高凱中 申請人:希捷科技有限公司