內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制方法及內(nèi)存系統(tǒng)的制作方法

專利名稱：內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制方法及內(nèi)存系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明與內(nèi)存相關，并且尤其與內(nèi)存的控制裝置及控制方法相關。
背景技術：
許多電子產(chǎn)品利用只讀存儲器儲存運作所需的設定值或是參考數(shù)據(jù)。電子可抹除可規(guī)劃只讀存儲器(electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)具有耐久性佳、成本低、寫入程序單純等優(yōu)點，因此被廣泛應用在多種電子產(chǎn)品中。內(nèi)存容量不同，其外部控制電路(例如時序控制芯片)與內(nèi)存溝通時所采用的尋址模式也會不同。內(nèi)存容量愈高，用以表示其中各個儲存位置的地址的位數(shù)量也愈高。以現(xiàn)行的序列式EEPROM為例，容量為4K/8K/16K位的EEPROM采用單字節(jié)尋址模式(one byteaddressing)與外部控制電路溝通；容量為32K/64K/128K/256K/512K位的EEPROM則是采用雙字節(jié)尋■址模式(two bytesaddressing)與外部控制電路溝通。圖I(A)為外部控制電路以單字節(jié)尋址模式將數(shù)據(jù)寫入具有內(nèi)部整合電路(inter-integrated circuit, I2C)接ロ的EEPROM的時序圖；圖中所示的時序?qū)贗2C接口中數(shù)據(jù)線所傳遞的信息。如圖UA)所示，在送出EEPROM的裝置地址并得到EEPROM回傳的確認(acknowledgement, ACK)信號后,外部控制電路會繼續(xù)傳送長度為一個字節(jié)的字符地址(word address)給EEPR0M，用以表示將寫入數(shù)據(jù)的儲存單元的地址。再次收到EEPROM回傳的確認信號后，外部控制電路才會送出欲寫入EEPROM的數(shù)據(jù)。圖I(B)繪示了對應于采用雙字節(jié)尋址模式的狀況。如圖I(B)所示，在“裝置地址”和“寫入數(shù)據(jù)”之間，外部控制電路以長度為兩個字節(jié)的字符地址表示將寫入數(shù)據(jù)的儲存單元的地址。請參閱圖2，圖2為序列式EEPROM的外觀例，采用I2C接ロ，因此包含數(shù)據(jù)腳位5和頻率腳位6。編號為4、7、8的腳位分別為接地腳位GND、寫入保護腳位WP和電源腳位VCC。編號為1、2、3的三個腳位A0-A2系用以區(qū)別多個連接至同一傳輸端的EEPROM的尋址腳位?，F(xiàn)行容量為1K/2K/4K/8K/ 16K/32K/64K/128K/256K/512K位的序列式EEPROM大多具有如圖2所示的腳位圖。在控制電路只連接單一EEPROM的情況下，EEPROM的腳位A0-A2會被保留為浮接狀態(tài)。若同一控制電路連接至多個EEPR0M，各個EEPROM的A0-A2腳位的連接方式都會不同。圖3是ー內(nèi)存控制電路12同時連接至四個容量為IlUiEEPROM(IOA-IOD)的例子。如圖3所示，這四個EEPR0M(10A-10D)的A1、A0腳位被分接固接至00、01、10、11，其中O表示低準位電壓，I表示高準位電壓。仍處于浮接狀態(tài)的A2腳位會被視為連接至低準位電壓。圖4(A)為外部控制電路與1K/2K位的EEPROM溝通時的“裝置地址”格式；藉由在A0-A2字段填入不同內(nèi)容，圖3中的內(nèi)存控制電路12得以呼叫EEPROM IOA-1OD中的某一 個特定EEPR0M。舉例而言，若在內(nèi)存控制電路12送出的“裝置地址”中，A0-A2字段被填入010，只有EEPROM 10C會回傳確認信號。雖然4K/8K/16K位的EEPROM采用單字節(jié)尋址模式，但長度為ー個字節(jié)的字符地址其實并不足以標示內(nèi)存中所有的儲存空間。因此，實際電路實施上，外部控制電路與4K/8K/16K位的EEPROM溝通時，會借用“裝置地址”的部分字段來表示一部份的內(nèi)存內(nèi)部地址。易言之，對4K/8K/16K位的EEPROM來說，“裝置地址”信息中實際上可以帶有部份字符地址信息。圖4⑶-圖4(D)分別為外部控制電路與4K/8K/16K位的EEPROM溝通時的“裝置地址”格式。如圖4⑶所示，對4K位的EEPROM來說，原本的AO字段被PO取代。4K位的EEPROM具有兩個內(nèi)存頁面(memory page), PO為字符地址信息的一部分，用以區(qū)別這兩個內(nèi)存頁面。當PO字段被填入1，表示外部控制電路在呼叫EEPROM中的第二個內(nèi)存頁面。如圖4(C)所示，對8K位的EEPROM來說，原本的A1、A0字段被P1、P0取代。P1、P0為字符地址信息的一部分，用以區(qū)別8K位的EEPROM中的四個內(nèi)存頁面。如圖4(D)所示，對16K位的EEPROM來說，原本的A2、Al、AO字段被P2、Pl、PO取代。P2、P1、P0為字符地址信息的一部分，用以區(qū)別16K位的EEPROM中的八個內(nèi)存頁面。由于A0-A2字段已完全被取代，16K位的EEPROM不可以如圖3所示與其它相同容量的EEPROM共享控制電路。另ー方面，對采用雙字節(jié)尋址模式的EEPROM來說，由于已有兩個字節(jié)的空間得表示字符地址，外部控制電路與該等較大容量的EEPROM溝通時不需要借用“裝置地址”來填寫字符地址信息。因此，圖4(A)亦為外部控制電路與32K/64K/128K/256K/512K位的EEPROM溝通時的“裝置地址”格式，亦即雙字節(jié)尋址模式中的“裝置地址”格式。顯然，硬件設計者必須針對各種不同容量的內(nèi)存選擇具有相對應尋址功能的外部控制電路，方能令外部控制電路正確地與內(nèi)存溝通。已知技術中，如果要針對不同尋址模式的內(nèi)存采用不同的外部控制電路，對控制電路制造者來說，就必須生產(chǎn)、儲備至少兩種不同的控制芯片，提高了生產(chǎn)線和庫存管理的復雜度。需要ー種能解決生產(chǎn)線和庫存管理的復雜度的控制芯片解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明提供的內(nèi)存控制器和內(nèi)存控制方法被設計為支持至少兩種不同的尋址模式，井根據(jù)實際與內(nèi)存溝通的結果判定應采用何種尋址模式。采用本發(fā)明提出的方案，控制電路制造者僅需生產(chǎn)、儲備一種控制芯片，并且不需要如先前技術預先固接芯片的某個腳位。藉此，生產(chǎn)過程和管理庫存的復雜度都可被有效降低。本發(fā)明掲示ー種內(nèi)存控制器，包含一傳送單元及一控制單元。傳送單元將ー預定識別信息傳送至與內(nèi)存控制器配合的非揮發(fā)性內(nèi)存。根據(jù)非揮發(fā)性內(nèi)存是否回傳對應于該預定識別信息的一確認信息，控制單元決定與非揮發(fā)性內(nèi)存溝通的尋址模式。本發(fā)明亦掲示ー種內(nèi)存控制方法。該方法首先執(zhí)行將ー預定識別信息傳送至非揮發(fā)性內(nèi)存的步驟，接著再執(zhí)行根據(jù)非揮發(fā)性內(nèi)存是否回傳對應于該預定識別信息的ー確認信息，以決定與非揮發(fā)性內(nèi)存溝通的一尋址模式的步驟。本發(fā)明的概念可廣泛應用于各種因容量相異而尋址方式可能不同的內(nèi)存。關于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以藉由以下的發(fā)明詳述及附圖得到了解。


本發(fā)明藉由下列附圖及說明，得一更深入的了解
圖I (A)和圖I⑶繪示了外部控制電路和EEPROM間數(shù)據(jù)在線所傳遞的信息的時序不意圖。圖2為序列式EEPROM的外觀例。圖3顯示內(nèi)存控制電路同時連接至多個EEPROM。圖4 (A)-圖4 (D)為控制電路與各種容量的EEPROM溝通時的裝置地址格式。圖5為根據(jù)本發(fā)明的具體實施例中的內(nèi)存控制器的電路方塊圖。圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的具體實施例中的內(nèi)存控制方法流程圖。主要組件符號說明附圖中所包含的之各組件列示如下 IOA-1OD :EEPROM12:內(nèi)存控制電路20:內(nèi)存控制器22 :傳送單元24 :控制單元26:I2C界面30:內(nèi)存S62-S68 :流程步驟
具體實施例方式圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的具體實施例中的內(nèi)存控制器20的電路方塊圖。于此實施例中，非揮發(fā)性內(nèi)存30為EEPR0M，內(nèi)存控制器20與內(nèi)存30彼此透過I2C接ロ 26溝通。實際電路應用中，內(nèi)存控制器20和內(nèi)存30可被設置于多種需要內(nèi)存的電子產(chǎn)品中。內(nèi)存控制器20能進行至少兩種不同的尋址模式。在內(nèi)存30被啟動前，內(nèi)存控制器20不知道內(nèi)存30的容量，因此也無法決定應該用哪ー種尋址模式與內(nèi)存30溝通。如圖5所不，內(nèi)存控制器20包含傳送單兀22和控制單兀24。一旦內(nèi)存30被供以電カ并啟動，傳送單元22即傳送一預定識別信息至內(nèi)存30。于此實施例中，預定識別信息為ー裝置地址。若內(nèi)存30的裝置地址與傳送単元22提供的裝置地址相符，內(nèi)存30會響應此呼ロ4，回傳ー確認信息?？刂茊卧?4根據(jù)內(nèi)存30是否回傳確認信息來決定與內(nèi)存30溝通的尋址模式。預定識別信息和確認信息可透過兩電路間的數(shù)據(jù)線傳遞。于此實施例中，考慮內(nèi)存30的容量為4K/8K/16K/32K/64K/128K/256K/512K位，且內(nèi)存控制器20連接至單ー個內(nèi)存的狀況。內(nèi)存控制器20與4K/8K/16K位的EEPROM溝通時，會借用“裝置地址”的部分字段來表示一部份的內(nèi)存內(nèi)部地址。適用這三種不同容量的EEPROM的“裝置地址”格式分別繪示于圖4(B) -圖4(D)。適用32K/64K/128K/256K/512K位的EEPROM的“裝置地址”格式則如圖4 (A)所示。根據(jù)圖4(A)-圖4(D) “裝置地址”格式可歸納出以下幾個規(guī)律性。若傳送單元22 送出的預定識別信息為 10100000，4K/8K/16K/32K/64K/128K/256K/512K 位的 EEPROM 都會回傳確認信息。相對地，若傳送單兀22送出的預定識別信息為10100010,表不內(nèi)存控制器20在呼叫內(nèi)存30中的第二個內(nèi)存頁面，只有包含兩個以上內(nèi)存頁面的4K/8K/16K的EEPROM才會回傳確認信息。32K/64K/128K/256K/512K位的EEPROM收到內(nèi)容為10100010的預定識別信息時不回傳確認信息。另ー方面，若傳送單元22送出的預定識別信息為10100100，表示內(nèi)存控制器20在呼叫內(nèi)存30中的第三個內(nèi)存頁面，只有包含三個以上內(nèi)存頁面的8K/16K位的EEPROM才會回傳確認信息。如果傳送単元22送出的預定識別信息為10101000，則表示內(nèi)存控制器20在呼叫內(nèi)存30中的第五個內(nèi)存頁面，只有包含五個以上內(nèi)存頁面的16K位的EEPROM會回傳確認信息。
于此實施例中，在傳送單元22送出內(nèi)容為10100010的預定識別信息之后，有回傳確認信息者即為4K/8K/16K位的EEPR0M，未回傳確認信息者則屬于其它幾種容量的EEPROM。因此，若內(nèi)存30回傳確認信息，控制單元24判定內(nèi)存30的容量為4K/8K/16K位，并采用單字節(jié)尋址模式與內(nèi)存30溝通。相對地，若內(nèi)存30未回傳確認信息，控制單元24即判定內(nèi)存30的容量高于16K位，并采用雙字節(jié)尋址模式與內(nèi)存30溝通。根據(jù)以上實施例的掲示，本發(fā)明無須透過預先固接選擇尋址模式的腳位來為控制電路選擇尋址模式，內(nèi)存控制器20的制造者不需要管理、儲備數(shù)種不同的控制芯片。換句話說，由于多種不同容量的內(nèi)存都可以共享単一種控制電路，控制電路制造者因此得以大幅降低生產(chǎn)線和庫存管理的復雜度。尋址模式的選擇不僅限于上述的單字節(jié)尋址模式和雙字節(jié)尋址模式，內(nèi)存的種類亦不限定于實施例中的EEPROM。藉由找出尋址模式的規(guī)律性，多種內(nèi)存都可適用本發(fā)明所提出藉由讓內(nèi)存控制器下達預定的識別信息并檢測內(nèi)存是否回傳確認信息來判定尋址模式的構想。圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的具體實施例中的內(nèi)存控制方法流程圖。于步驟S62，將ー預定識別信息傳送至一內(nèi)存。于步驟S64，檢測該內(nèi)存是否回傳對應于該預定識別信息的一確認信息。若步驟S64的判斷結果為是，步驟S66將被執(zhí)行，決定與內(nèi)存溝通的尋址模式為單字節(jié)尋址模式。若步驟S64的判斷結果為否，步驟S68將被執(zhí)行，決定與內(nèi)存溝通的尋址模式為雙字節(jié)尋址模式。本發(fā)明掲示包含圖5所示的內(nèi)存控制器20和內(nèi)存30的內(nèi)存系統(tǒng)，進行如圖6的運作，不再贅述。綜上所述，本發(fā)明提供的內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制方法和內(nèi)存系統(tǒng)被設計為支持至少兩種不同的尋址模式，可根據(jù)實際與內(nèi)存溝通的結果判定應采用何種尋址模式。采用本發(fā)明提出的方案，控制電路制造者僅需生產(chǎn)、儲備一種控制芯片，并且不需要固接芯片的某個腳位而占用芯片珍貴的腳位。藉此，生產(chǎn)過程和管理庫存的復雜度都可被有效降低。本發(fā)明的概念可廣泛應用于各種因容量相異而尋址方式不同的內(nèi)存。藉由以上較佳具體實施例的詳述，以更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所掲示的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。本發(fā)明得由熟悉本技術領域者任施匠思而為諸般修飾，皆不脫權利要求請求的范圍。
權利要求
1.一種內(nèi)存控制器，包含 一傳送單元，用以將一預定識別信息傳送至一非揮發(fā)性內(nèi)存；以及 一控制單元，用以根據(jù)該非揮發(fā)性內(nèi)存是否回傳對應于該預定識別信息的一確認信息，決定與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通的一尋址模式。
2.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，在該非揮發(fā)性內(nèi)存被啟動之后，該傳送單元傳送該預定識別信息至該非揮發(fā)性內(nèi)存。
3.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，該預定識別信息為一裝置地址。
4.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，若該非揮發(fā)性內(nèi)存回傳該確認信息，該控制單元即判定該非揮發(fā)性內(nèi)存的容量為4K位、8K位或I6K位，并采用一單字節(jié)尋址模式與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通。
5.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，若該非揮發(fā)性內(nèi)存未回傳該確認信息，該控制單元即判定該非揮發(fā)性內(nèi)存的容量高于16K位，并采用一雙字節(jié)尋址模式與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通。
6.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，該預定識別信息及該確認信息透過以一內(nèi)部整合電路接口被傳遞。
7.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，該預定識別信息為以二進制表示的10100010。
8.如權利要求I所述的內(nèi)存控制器，其特征在于，該非揮發(fā)性內(nèi)存為一電子可抹除可規(guī)劃只讀存儲器。
9.一種內(nèi)存控制方法，包含下列步驟 將一預定識別信息傳送至一非揮發(fā)性內(nèi)存；以及 根據(jù)該非揮發(fā)性內(nèi)存是否回傳對應于該預定識別信息的一確認信息，決定與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通的一尋址模式。
10.如權利要求9所述的內(nèi)存控制方法，其特征在于，若該非揮發(fā)性內(nèi)存回傳該確認信息，該尋址模式被決定為一單字節(jié)尋址模式。
11.如權利要求9所述的內(nèi)存控制方法，其特征在于，若該非揮發(fā)性內(nèi)存未回傳該確認信息，該尋址模式被決定為一雙字節(jié)尋址模式。
12.如權利要求9所述的內(nèi)存控制方法，其特征在于，該預定識別信息以及該確認信息以一內(nèi)部整合電路接口被傳遞。
13.如權利要求9所述的內(nèi)存控制方法，其特征在于，該預定識別信息為一裝置地址。
14.如權利要求9所述的內(nèi)存控制方法，其特征在于，該預定識別信息為以二進制表示的 10100010。
15.—種內(nèi)存系統(tǒng),包含 一非揮發(fā)性內(nèi)存；以及 一內(nèi)存控制器，用以將一預定識別信息傳送至該非揮發(fā)性內(nèi)存，并根據(jù)該非揮發(fā)性內(nèi)存是否回傳對應于該預定識別信息的一確認信息，決定與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通的一尋址模式。
16.如權利要求15所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，在該非揮發(fā)性內(nèi)存被啟動之后，該內(nèi)存控制器傳送該預定識別信息至該非揮發(fā)性內(nèi)存。
17.如權利要求15所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該預定識別信息為一裝置地址。
18.如權利要求15所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，若該非揮發(fā)性內(nèi)存回傳該確認信息，該內(nèi)存控制器即采用一單字節(jié)尋址模式與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通；以及，若該非揮發(fā)性內(nèi)存未回傳該確認信息，該內(nèi)存控制器即采用一雙字節(jié)尋址模式與該非揮發(fā)性內(nèi)存溝通。
19.如權利要求15所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，進一步包含 一內(nèi)部整合電路接口，該預定識別信息以及該確認信息透過該內(nèi)部整合電路接口被傳遞。
20.如權利要求15所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該預定識別信息為以二進制表示的10100010。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通用性尋址模式的內(nèi)存控制器、內(nèi)存控制方法以及內(nèi)存系統(tǒng)。內(nèi)存控制器包含傳送單元及控制單元。傳送單元將一預定識別信息傳送至一非揮發(fā)性內(nèi)存?？刂茊卧鶕?jù)非揮發(fā)性內(nèi)存是否回傳對應于預定識別信息的一確認信息，決定與非揮發(fā)性內(nèi)存溝通的一尋址模式。
文檔編號G11C16/06GK102623053SQ20111003744
公開日2012年8月1日 申請日期2011年1月26日 優(yōu)先權日2011年1月26日
發(fā)明者洪國祥, 陳建國 申請人:晨星半導體股份有限公司, 晨星軟件研發(fā)(深圳)有限公司