專利名稱：：光學信息再生裝置、光學信息再生方法以及集成電路的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種從光學信息記錄介質光學地再生信息的光學信息再生裝置及光學信息再生方法、以及用于該裝置的集成電路，尤其涉及使用近場光(near-fieldlight)的光學信息再生裝置的控制。
背景技術：
：作為能夠以更高密度對作為光學信息記錄介質的光盤記錄及再生數據的方式，提出了使用近場光的技術。作為用于產生近場光的聚光手段，近年來受到關注的是將聚光透鏡和固體浸沒透鏡(SolidImmersionLens，以下稱為SIL)組合起來的光學系統。通過該組合，能夠實現比聚光透鏡的NA(數值孔徑)更高的數值孔徑。提高光學系統的數值孔徑，能夠減小光點的尺寸，因而能夠進行更高密度的記錄。在使用SIL的光學系統中，要求SIL與光盤表面的距離極為靠近。在DVD等光學系統中，物鏡與光盤表面的距離約為1mm，但在SIL的情況下，SIL的射出面與光盤表面的距離必須為約IOOnm以下。如果SIL的射出面與光盤表面的距離發生變動，則有可能變得無法得到近場光，或者SIL與光盤發生沖突(即發生碰撞)。因此，需要進行將SIL的射出面與光盤表面的距離保持恒定的控制。為了實現這種控制，提出了一種稱為間隙伺服(gapservo)的方法。該方法例如在專利文獻1中公開。在該方法中，檢測基于近場光的來自光盤的反射光中指定的偏振成分的光量，利用致動器主動地調整聚光透鏡及SIL的光軸方向的位置，以使該光量為恒定值。由此，控制SIL的射出面與光盤表面的距離(即間隙)(以下將該公開稱為以往例)。但是，在上述以往例公開的技術中，存在因未考慮以下情況而產生的問題。第一，光盤的再生特性的良否以及碰撞的概率敏感地依賴于間隙的長度(以下稱為間隙長)。若將間隙長設定得較短，則從SIL射出的光中射入光盤的光的比率(即耦合效率)增高。其結果，來自光盤的再生信號的SNlUsignal-to-noise-ratio)(信噪比)增高，再生信號質量提高。另一方面，若間隙長變短，則在光盤的表面形狀存在變動或光盤旋轉時發生晃動的情況下，SIL與光盤發生沖突的概率增高。因此，在以往例中，存在著無法既降低碰撞概率又提高再生信號質量的問題。第二，光盤的表面形狀或記錄凹坑(或記錄標記)的光學特性存在個體差異。因此，如果對所有光盤設定相等的間隙長，則存在根據光盤發生碰撞的概率增高或再生信號質量不夠的問題。專利文獻1國際公開第03/021583號小冊子
發明內容本發明是為了解決上述以往技術所存在的問題，目的在于提供一種即使光學信息記錄介質的表面形狀或光學特性存在個體差異，也能夠既降低碰撞概率又提高再生信號質量的光學信息再生裝置、光學信息再生方法以及集成電路。本發明所提供的光學信息再生裝置是從光學信息記錄介質再生信息的光學信息再生裝置，包括生成近場光的聚光部；利用由所述聚光部生成的近場光，測定所述光學信息記錄介質的再生信號質量的測定部；基于所述測定部的再生信號質量的測定結果，將所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面之間的間隙長作為設定值來決定的間隙長決定部；以及基于由所述間隙長決定部決定的設定值，控制所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面的間隙的間隙控制部。根據上述的光學信息再生裝置，即使光學信息記錄介質的表面形狀或光學特性存在個體差異，也能夠既降低碰撞概率又提高再生信號質量。圖1是表示本發明的實施方式1所涉及的光學信息再生裝置的結構的方框圖。圖2是說明所述實施方式所涉及的光學信息再生裝置的動作的流程圖。圖3是說明在所述實施方式中求出間隙長與抖動的關系及間隙長的方法的圖。圖4是說明在所述實施方式中求出間隙長與抖動的關系及間隙長的其他的方法的圖。圖5是說明在所述實施方式中求出間隙長與抖動的關系及間隙長的其他的方法的圖。圖6是表示本發明的實施方式所涉及的間隙長與抖動的關系的圖。具體實施例方式以下，利用實施方式進一步具體地說明本發明。(實施方式1的結構)首先，用圖1對本發明的實施方式1的光學信息再生裝置的結構進行說明。以下，以光學信息記錄介質為可記錄型(recordable)或可重寫型(rewritable)的介質、光學信息再生裝置光學記錄及再生信息的情況為例進行說明。此外，本發明適用的光學信息再生裝置并不特別限定于此例，也可以是僅光學再生信息的光學信息再生裝置。圖1所示的光學信息再生裝置包括光學頭2、系統控制電路17、主軸馬達(spindlemotor)18、旋轉控制電路19、激光器驅動電路20、再生信號處理電路21、信號質量測定電路22、間隙長檢測電路23、以及間隙控制電路24。光學頭2包括激光器3、準直透鏡4、偏振分束器(polarizingbeamsplitter)5、分束器(beamsplitter)6、l/4波長板7、聚光部8、檢測透鏡13、15以及檢測器14、16。在圖1中，1表示作為光學信息記錄介質的光盤，光學頭2具有包括以下部件的去路光學系統。激光器3為激光的光源。準直透鏡4將射出的激光轉換為平行光。偏振分束器5讓來自準直透鏡4的激光透過，并分離來自光盤1的反射光。分束器6讓來自偏振分束器5的激光透過，并分離來自生成有近場光的區域的返回光。1/4波長板7將直線偏振轉換為圓偏振。另外，聚光部8是用于產生近場光的部件，包括聚光透鏡9和SILlO這兩片透鏡。作為SIL10，例如使用半球形的透鏡，其平面側正對光盤1的表面。聚光透鏡9和SILlO由透鏡支架(lensholder)11固定為一體，并在透鏡支架11上安裝有致動器12。該致動器12使聚光透鏡9以及SILlO在光軸方向上移動，由此能夠調整光盤1的表面與SILlO的射出面的間隙。接著，說明從光盤1到檢測器14、16的來路光學系統。由分束器6反射的來路光通過檢測透鏡13聚光后射入檢測器14。射入該檢測器14的光的光量與來自生成有近場光的區域的返回光的光量相對應。該光量依據SILlO與光盤1表面的間隙長而變化。具體而言，在SILlO與光盤1的表面完全接觸的情況下，射入SILlO的去路光在光盤1表面的透射最大，因而返回光的光量最小。另一方面，如果SILlO與光盤1的表面離得足夠遠時，則由于不產生近場光，所以射入SILlO的光的環帶部分的光被全反射，返回光的光量最大。在上述的兩種情況之間，返回光的光量與SILlO和光盤1的距離大致成比例地變化。因此，在利用SILlO生成近場光的情況下，通過檢測射入檢測器14的光的光量，能夠檢測出SILlO與光盤1的表面的距離。另外，由偏振分束器5反射的來路光通過檢測透鏡15聚光后射入檢測器16。射入該檢測器16的光的光量與來自光盤1的反射光的光量相對應。接著，對圖1所示的光學信息再生裝置的電系統以及控制系統進行說明。系統控制電路17是控制本實施方式的記錄再生裝置整體的電路。系統控制電路17包括間隙長決定電路17a、記錄功率設定電路17b、記錄策略設定電路17c、再生停止電路17d以及其他的控制電路(省略圖示)。主軸馬達18是使光盤1旋轉的馬達，在系統控制電路17的控制下，通過旋轉控制電路19其旋轉/停止或轉速得以控制。激光器驅動電路20控制激光器3的激光照射/熄滅以及照射時的功率。另外，在光盤1為可記錄或可重寫的光學信息記錄介質的情況下，激光器驅動電路20由系統控制電路17控制，用預先確定的記錄功率(recordingpower)以及記錄策略(recordingstrategy)將測試信號記錄到光盤1中。記錄功率設定電路17b在間隙控制電路M控制了間隙之后，將激光器驅動電路20的記錄功率設定為作為目標值的最佳值。記錄策略設定電路17c在間隙控制電路M控制了間隙之后，將激光器驅動電路20的記錄策略設定為作為目標值的最佳值。此外，記錄功率設定電路17b、記錄策略設定電路17c、以及再生停止電路17d可以根據需要省略。再生信號處理電路21是將檢測器16接收到的光量轉換為電信號(電壓值)，進行波形均衡(waveformequalization)或二進制處理以便能夠對光盤1中記錄的信息進行解碼，并生成再生信號的電路。信號質量測定電路22是測定再生信號的質量(例如抖動(jitter)、錯誤率(errorrate))的良否的電路。間隙長決定電路17a基于信號質量測定電路22的再生信號質量的測定結果，將聚光部8與光盤1的表面之間的間隙長決定為設定值。間隙長檢測電路23是將檢測器14接收到的光量轉換為電信號(電壓值)的電路。間隙控制電路M是由系統控制電路17控制、進行伺服控制以便通過改變致動器12的驅動電流以使來自間隙長檢測電路23的電信號為恒定值，從而將SILlO與光盤1的表面的間隙長保持為恒定值的電路。在即使將聚光部8與光盤1的表面之間的間隙長縮短為指定的長度，基于信號質量測定電路22的再生信號質量的測定值也不滿足指定的質量條件的情況下，再生停止電路17d停止光盤1的再生。此外，圖1僅圖示了用于說明本實施方式的動作的必要結構，未圖示對跟蹤伺服進行控制的電路、生成記錄脈沖的波形的電路等。在實際的再生裝置中，根據需要增加這些電路。另外，上述的信號質量測定電路22、間隙長決定電路17a、以及間隙控制電路M能夠由半導體集成電路構成，根據需要，也可以和記錄功率設定電路17b、記錄策略設定電路17c、再生停止電路17d等其他電路一起作為集成電路構成。另外，系統控制電路17還可以通過由CPU(中央運算處理裝置)執行指定的程序，執行間隙長決定電路17a、記錄功率設定電路17b、記錄策略設定電路17c、再生停止電路17d等的功能。(實施方式1的動作)接著，用圖1的方框圖以及圖2的流程圖，說明本實施方式的光學信息再生裝置的動作。圖2的流程圖中的“開始”的狀態例如有光學信息再生裝置剛剛起動之后的狀態、光學信息再生裝置剛剛從Mandby(待機)狀態恢復之后的狀態、光盤1剛剛插入(即載入)光學信息再生裝置之后的狀態、在信息的記錄再生前光學信息再生裝置剛剛除去光盤1表面附著的異物之后的狀態等等。開始后，在光學頭移動工序步驟201(以下簡稱為S201)中，系統控制電路17利用指定的進給馬達(feedmotor)以及指定的致動器(省略圖示)，使光學頭2移動到光盤1的測試區域所在的半徑位置。此處，作為測試區域，可使用光盤1上的各種區域，例如，在與BD(Blu_rayDisc,藍光光盤)同樣，光盤1為可重寫型光盤(rewritabledisc)的情況下，可以將與其內周及/或外周的管理區域相鄰的區域用作為測試區域，在光盤1為只讀型光盤(read-onlydisc)的情況下，可以將數據區域用作為測試區域。另外，為了以更高精度測定再生信號質量，較為理想的是，在接近光盤1的最內周軌道的內周側、例如最內周軌道位置或其附近區域中設置測試區域。這是因為，一般而言光盤的外周容易具有晃動等干擾因素。接著，在照射工序S202中，系統控制電路17向激光器驅動電路20發送設定讓激光器3以再生時的激光功率的值(將其稱為再生功率)開始發光的信號。按照該信號，激光器驅動電路20使激光器3以再生功率發光。接著，在間隙長臨時控制工序S203中，系統控制電路17的間隙長決定電路17a進行設定，以便使間隙控制電路M將聚光部8(即SIL10)與光盤1的表面的間隙控制為能夠進行近場光的記錄及/或再生的指定距離。如果SILlO與光盤1的表面的間隙足夠大，則間隙控制電路21(應為24)進行控制以使聚光部8靠近光盤1的表面，在到達指定距離時將該距離保持恒定。相反，如果SILlO與光盤1的表面的間隙比指定距離短(或者SILlO與光盤1的表面接觸)，則間隙控制電路M進行控制以使聚光部8遠離光盤1的表面，在到達指定距離時將該間隙長保持恒定。如上所述，通過檢測射入檢測器14的光的光量，能夠檢測出SILlO與光盤1的表面的距離。間隙長檢測電路23將射入檢測器14的光的光量轉換為電信號。間隙控制電路M基于來自該間隙長檢測電路23的電信號控制間隙。換言之，利用基于射入檢測器14的光(即返回光)的光量這一光學手段的檢測信號來控制間隙。例如，較為理想的是，間隙控制電路M按照間隙長決定電路17a的指示控制致動器12，以便使SILlO從SILlO與光盤1的表面離得充分遠的狀態起逐漸靠近光盤1，將返回光的光量開始降低的點設定為上述指定距離，并將該距離保持恒定。接著，在旋轉工序S204中，系統控制電路17向旋轉控制電路19發送設定主軸馬達18的轉速的信號。按照該信號，旋轉控制電路19使光盤1以指定的轉速旋轉。接著，在測試信號記錄工序S205中，系統控制電路17的記錄功率設定電路17b及/或記錄策略設定電路17c向激光器驅動電路20發送設定以預先確定的記錄功率及/或記錄策略驅動激光器3的信號。按照該信號，激光器驅動電路20調制激光器3的發光光量。由此，實施測試信號的記錄。在測試信號的記錄結束后，系統控制電路17使激光器3以再生功率發光，使光學頭2返回到進行了測試記錄的軌道。此處，記錄功率設定電路17b及/或記錄策略設定電路17c以及激光器驅動電路20相當于測試記錄部的一例。接著，在測試再生工序S206中，檢測器16檢測來自進行了測試記錄的軌道的反射光量并將該光量轉換為電信號，再生信號處理電路21實施波形均衡/二進制等信號處理，生成再生信號。信號質量測定電路22測定再生信號的質量的良否。表示該質量的值，例如有抖動(jitter)、比特錯誤率(biterrorrate)、符號錯誤率(symbolerrorrate)、振幅、調制度、分辨率、CN比的值、或與這些值有關的指標值等。接著，在結束判斷工序S207中，系統控制電路17的間隙長決定電路17a判斷足以決定間隙長的設定值的測試再生是否已結束。如果未結束，則在間隙長變化工序S208中，間隙長決定電路17a設定與先前進行測試記錄/再生時的間隙長不同的間隙長，再次實施S205及S206。利用S205至S208的循環，測試記錄/再生至少實施兩次為宜。換言之，測試記錄/再生以至少兩種不同的間隙長實施為宜。這是因為，由于能夠將間隙長與再生信號質量的關系作為特性曲線(或直線)來描繪，因而容易決定間隙長的設定值。接著，在間隙長決定工序S209中，系統控制電路17的間隙長決定電路17a基于作為測試再生的結果得到的間隙長與再生信號質量的關系，決定針對光盤1為最佳的間隙長的設定值。決定設定值的方法例如有將可得到指定的再生信號質量的范圍內最大的間隙長作為設定值的方法。用圖3來說明該方法。圖3是表示以四種不同的間隙長實施測試再生，用抖動作為再生信號質量的測定值時的間隙長與再生信號質量的關系的圖。作為表示期望的再生信號質量的值預先規定有抖動的閾值Jth，間隙長決定電路17a在四種不同的間隙長的抖動測定結束后，將在抖動為Jth以下的范圍內最大的間隙長(^set作為間隙長的設定值。這樣，既能夠盡可能地增大間隙長(即盡可能地降低碰撞的概率)又能夠以所期望的再生信號質量再生信息。此處，作為抖動的閾值Jth，可以直接使用可允許的抖動值Jref，或為了考慮指定的余裕(margin)，也可以使用將可允許的抖動值Jref乘以指定的系數(1以下的值，例如0.8)所得到的值。另外，作為間隙長的設定值，也可以使用將在抖動為Jth以下的范圍內最大的間隙長乘以指定的系數(1以下的值，例如0.8)所得到的值。另外，在圖3所示的例子中，以四種不同的間隙長測定了再生信號質量，但并不特別限定于該例，也可以以三種或五種以上不同的間隙長測定再生信號質量。另外，作為間隙長的間隔，能夠使用均等間隔、依次變寬的間隔、或者依次變窄的間隔等各種間隔，而且，能夠進行各種變形，例如在最初以較大的間隔測定再生信號質量后，在抖動的閾值Jth附近以較小的間隔測定再生信號質量，根據該高精度的測定結果，將在抖動為Jth以下的范圍內最大的間隙長(iset作為間隙長的設定值等等。另外，也可以以不同的間隙長依次測定再生信號質量，當抖動達到Jth以下時，將該間隙長作為設定值，結束再生信號質量的測定。在此情況下，能夠以短時間結束再生信號質量的測定。接著，在間隙控制工序S210中，系統控制電路17的間隙長決定電路17a進行設定，以便使間隙控制電路M將聚光部8(即SIL10)與光盤1的表面的間隙控制為作為設定值而被決定的間隙長。間隙控制電路M按照間隙長決定電路17a的指示，控制致動器12以保持作為設定值而被決定的間隙長。接著，在尋道工序S211中，系統控制電路17使光學頭2的半徑位置移動到光盤1的數據區域內的半徑位置。在該工序中，可以一邊再生記錄在光盤1中的地址信息，一邊移動到指定的地址。最后，在記錄再生工序S212中，光學信息再生裝置對光盤1記錄/再生信息。通過以上的工序，在本實施方式中，能夠根據光盤1的個體決定最佳的間隙長，因而能夠減少因SILlO碰撞而對光盤1造成損害的可能性。另外，可獲得提高再生信號質量、能夠進行正確的信息再生的特殊效果。此外，在本實施方式中，間隙長臨時控制工序S203及/或間隙控制工序S210利用基于光學手段的檢測信號來控制間隙，但也可以利用由空氣流產生的上浮等不借助于光學手段的方法進行控制。不過，利用基于光學手段的檢測信號，能夠將檢測信號直接用于間隙控制，因而能夠容易進行控制，在這一點上是較為理想的。另外，較為理想的是，系統控制電路17具備再生停止電路17d，該再生停止電路17d在即使將間隙長縮短為指定的長度(發生碰撞的概率非常高的長度)，再生信號質量的測定值也超過指定值的情況下，停止光盤1的再生。例如，在測試再生工序S206中，由于在即使將間隙長縮短為指定的長度，再生信號質量的測定值也超過指定值的情況下，再生停止電路17d能夠停止光盤1的再生，所以能夠防止由于碰撞對光盤1造成損害，因此較為理想。另外，在本實施方式中，通過間隙長決定工序S209，將在能得到指定的再生信號質量的范圍內最大的間隙長作為設定值，但是，將表示間隙長與再生信號質量的測定值的關系的特性曲線的切線斜率為指定值時的間隙長作為設定值，也能容易決定設定值。用圖4來說明該方法。與圖3同樣，圖4是表示以四種不同的間隙長實施測試再生，用抖動作為再生信號質量的測定值時的間隙長與再生信號質量的關系的圖。間隙長決定電路17a在四種不同的間隙長的抖動的測定結束后，用曲線在四個測定點之間進行插值，計算曲線的切線斜率(dJ/dG)，將在斜率為指定值a以下的范圍內最大的間隙長(iset作為間隙長的設定值。隨著間隙長減小，再生信號質量的提高量減小，并接近于飽和值，因此，通過采用這種方式，既能夠盡量增大間隙長，又能以盡可能高的再生信號質量從光盤1再生信息。此外，作為間隙長的設定值，也可以使用將在斜率為指定值a以下的范圍內最大的間隙長乘以指定的系數(1以下的值，例如0.8)所得到的值。此處，在圖4所示的例子中，也以四種不同的間隙長測定了再生信號質量，但并不特別限定于該例，也可以以三種或五種以上不同的間隙長測定再生信號質量。另外，作為間隙長的間隔，能夠使用均等間隔、依次變寬的間隔、或者依次變窄的間隔等各種間隔，而且，能夠進行各種變形，例如在最初以較大的間隔測定再生信號質量并作成插值曲線后，在斜度為指定值a時的間隙長附近以較小的間隔測定再生信號質量并作成插值曲線，根據該高精度的插值曲線，將在斜率為指定值a以下的范圍內最大的間隙長Gset作為間隙長的設定值等等。另外，也可以在每次以不同的間隙長測定再生信號質量時，作成對測定點進行插值的插值曲線，當斜率達到指定值a以下時，將該間隙長作為設定值，結束再生信號質量的測定。在此情況下，能夠以短時間結束再生信號質量的測定。此外，在光盤1的表面狀況較差的情況下，或者晃動或偏心較大的情況下，如圖5所示，間隙長與抖動的關系有可能具有極小值(即，(dJ/dG)=0)。在這種情況下，可以將抖動達到極小值的間隙長(^set作為設定值。另外，在間隙長與抖動的關系中存在多個極小值的情況下，可以將最長的間隙長作為設定值。另外，較為理想的是，系統控制電路17具備在間隙控制電路M控制了間隙之后，將激光器驅動電路20的記錄功率設定為作為目標值的最佳值的記錄功率設定電路17b，及/或在間隙控制電路M控制了間隙之后，將激光器驅動電路20的記錄策略設定為作為目標值的最佳值的記錄策略設定電路17c。例如，在間隙控制工序S210中間隙控制電路M控制了間隙之后，在記錄再生工序S212中，記錄功率設定電路17b及/或記錄策略設定電路17c將記錄功率及/或記錄策略設定為最佳值，激光器驅動電路20能夠以最佳的記錄功率及/或最佳的記錄策略驅動激光器3。在此情況下，能夠更為正確地決定記錄功率或記錄策略。另外，也可以在將上述記錄功率及/或記錄策略設定為最佳值之后，再次執行測試信號記錄工序S205至間隙長決定工序S209。在此情況下，能夠再生以最佳的記錄功率及/或記錄策略記錄的測試信號，從而以更高精度測定再生信號質量。另外，在本實施方式中，說明了光學信息記錄介質為可記錄型或可重寫型的情況，但也可以是只讀型。在此情況下，省略測試信號記錄工序S205，通過再生預先記錄在測試區域中的測試信號，能夠測定再生信號質量。或者，也可以通過再生預先記錄在數據區域中的信息，測定再生信號質量，在此情況下，能夠省略光學頭移動工序S201。而且，在記錄再生工序S212中，也不需要記錄信息的工序。另外，在本實施方式中，作為聚光部8使用包括SILlO的裝置。這是因為，具有通過提高NA得到微小的光點，能夠進行高密度的記錄及/或再生的優點。作為該聚光部，也可以是使聚光部的表面接近光盤1的表面與其相距數nm至數百nm，利用近場光記錄及/或再生信息的其他裝置(例如光纖探測器)。(實施例)以下，基于更為具體的實驗結果說明本發明的實施方式的效果。作為光盤1的基板，使用形成有螺旋狀的軌道(溝)的聚碳酸酯基板。溝的間隔為250nm，溝的深度為20nm。在該基板上，通過濺射法(sputtering)形成具有可重寫型的相變記錄層的薄膜層。該薄膜層為4層結構，從基板側開始以Ag合金層、ZnS-SiO2介電質層、GeSbTe相變記錄層、ZnS-SW2介電質層的順序進行了層壓。利用這種制造方法，準備了相變記錄層的膜厚不同的光盤A以及光盤B這兩張盤。各層的膜厚如表1所示。(表1)權利要求1.一種光學信息再生裝置，從光學信息記錄介質再生信息，其特征在于包括聚光部，生成近場光；測定部，利用由所述聚光部生成的近場光，測定所述光學信息記錄介質的再生信號質量；間隙長決定部，基于所述測定部的再生信號質量的測定結果，將所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面之間的間隙長作為設定值而決定；以及間隙控制部，基于由所述間隙長決定部決定的設定值，控制所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面的間隙。2.根據權利要求1所述的光學信息再生裝置，其特征在于還包括檢測部，光學檢測所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面之間的間隙長并輸出檢測信號，其中，所述間隙控制部，利用所述檢測信號控制所述間隙。3.根據權利要求1或2所述的光學信息再生裝置，其特征在于所述測定部以至少兩種不同的間隙長測定所述再生信號質量。4.根據權利要求1至3中任一項所述的光學信息再生裝置，其特征在于還包括再生停止部，在即使將所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面之間的間隙長縮短為指定的長度，由所述測定部測定的所述再生信號質量的測定值還不能滿足指定的質量條件的情況下，停止所述光學信息記錄介質的再生。5.根據權利要求1至4中任一項所述的光學信息再生裝置，其特征在于所述間隙長決定部將所述間隙長與所述再生信號質量的測定值的關系為指定關系時的間隙長作為所述設定值而決定。6.根據權利要求5所述的光學信息再生裝置，其特征在于所述間隙長決定部將所述再生信號質量的測定值為指定值時的最大間隙長作為所述設定值而決定。7.根據權利要求5所述的光學信息再生裝置，其特征在于所述間隙長決定部將表示所述間隙長與所述再生信號質量的測定值的關系的特性曲線的切線斜率為指定值時的間隙長作為所述設定值而決定。8.根據權利要求1至7中任一項所述的光學信息再生裝置，其特征在于所述光學信息記錄介質為可記錄或可重寫的介質，所述光學信息再生裝置還包括，以預先確定的記錄功率及記錄策略將測試信號記錄到所述光學信息記錄介質中的測試記錄部，其中，所述測定部，通過從所述光學信息記錄介質再生所述測試信號來測定所述再生信號質量。9.根據權利要求8所述的光學信息再生裝置，其特征在于還包括在所述間隙控制部控制了所述間隙后，將所述記錄功率設定為目標值的記錄功率設定部。10.根據權利要求8所述的光學信息再生裝置，其特征在于還包括在所述間隙控制部控制了所述間隙后，將所述記錄策略設定為目標值的記錄策略設定部。11.一種光學信息再生方法，用于從光學信息記錄介質再生信息，其特征在于包括以下工序測試再生工序，利用由聚光部生成的近場光，測定所述光學信息記錄介質的再生信號質量；間隙長決定工序，基于在所述測試再生工序中的再生信號質量的測定結果，將所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面之間的間隙長作為設定值而決定；以及間隙控制工序，基于在所述間隙長決定工序中決定的設定值，控制所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面的間隙。12.—種集成電路，用于具備生成近場光的聚光部并從光學信息記錄介質再生信息的光學信息再生裝置中，其特征在于包括測定電路，利用由所述聚光部生成的近場光，測定所述光學信息記錄介質的再生信號質量；間隙長決定電路，基于所述測定電路的再生信號質量的測定結果，將所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面之間的間隙長作為設定值而決定；以及間隙控制電路，基于由所述間隙長決定電路決定的設定值，控制所述聚光部與所述光學信息記錄介質的表面的間隙。全文摘要本發明提供的光學信息再生裝置包括生成近場光的聚光部(8)；利用由聚光部生成的近場光測定光學信息記錄介質的再生信號質量的信號質量測定電路(22)；基于信號質量測定電路的再生信號質量的測定結果，將聚光部與光學信息記錄介質的表面之間的間隙長作為設定值來決定的間隙長決定電路(17a)；以及基于間隙長決定電路所決定的設定值控制聚光部與光學信息記錄介質的表面的間隙的間隙控制電路(24)，利用由聚光部生成的近場光，從光學信息記錄介質再生信息。文檔編號G11B7/005GK102308334SQ20108000658公開日2012年1月4日申請日期2010年1月29日優先權日2009年2月12日發明者尾留川正博,鳴海建治申請人:松下電器產業株式會社