專利名稱：用于垂直寫入器的受控前屏蔽厚度的方法和裝置的制作方法
用于垂直寫入器的受控前屏蔽厚度的方法和裝置
背景技術：
硬盤驅動器(HDD)典型地包括一個或多個磁介質盤或其他磁存儲介質，其中的每 個都具有用于存儲數據的同心數據磁道。在使用多個盤時，由具有基本相同直徑的同軸盤 形成堆疊。由滑塊攜帶的換能頭用于讀寫給定盤上的數據磁道。所述滑塊由頭臂組件(HAA) 攜帶，該頭臂組件包括致動器臂以及懸吊組件，該滑塊可包括負載梁和萬向節。該萬向節可 以是固定至負載梁的獨立金屬元件以支承其上的滑塊，或者可以與負載梁整體地形成。操 作期間，當相關聯的盤旋轉時，滑塊在盤表面的小氣墊上滑動。致動器臂具有樞紐，以便相 對于盤可移動地定位滑塊。可包括微致動器組件，以提供懸吊組件和滑塊的附加精確定位。 電連接沿著懸吊延伸，以將換能頭電連接到位于致動器臂上或其附近的組件。這些電連接 可形成于懸吊本身上，或可位于相對懸吊支承的獨立互連結構上，例如折疊(flex-on)懸 吊(FOS)。磁存儲介質可將數據存儲為比特，且磁化方向在介質平面內，或者垂直于介質平 面。更大的存儲密度通常可通過垂直記錄獲得。滑塊包括滑塊體和包括換能頭的外套。該外套是電絕緣的。多個接合盤形成在滑 塊上，例如在滑塊的后邊緣或頂面上，以便將換能頭的元件穿過外套電連接到外部電路。換能頭典型地包括寫入器和讀取器。讀取器包括用于檢索存儲在盤(或其他磁存 儲介質)上的磁編碼信息的傳感器。來自盤表面的磁通量造成了傳感器的一個或多個傳感 層的磁性向量的旋轉，這進而造成傳感器電屬性的變化，該變化可以通過使電流穿過傳感 器并測量傳感器兩端的電壓而檢測到。取決于傳感器的幾何結構，傳感電流可在傳感器層 的平面(CIP)內或者垂直于傳感器層的平面(CPP)穿過。然后外部電路將電壓信息轉換為 適當格式，并且按需處理該信息，以恢復盤上的編碼信息。用于垂直記錄換能頭的寫入器典型地包括主極和返回極，它們在換能頭的氣墊表 面(ABS)被間隙層彼此分開。返回極可包括沿著ABS延伸的前屏蔽(或后屏蔽)部分。前 屏蔽可用于向寫入器提供改進的磁場梯度，用以提高線性記錄密度。主極和返回極可通過 后間隙閉合器或后通孔在遠離ABS的區域互相連接。一層或多層導電線圈被放置在主極和 返回極之間，并由電絕緣層包封。導電線圈可具有不同的構造，例如螺旋或薄餅形構造。為 了向盤(或其他磁存儲介質)寫入數據，電流被施加到導電線圈以在主極的極尖下的盤內 生成磁場。通過反轉經過線圈的電流的方向，寫入到磁存儲介質的數據極性被反轉，并且磁 轉變被寫入到磁存儲介質的兩個相鄰比特之間。磁記錄頭技術的進步主要是由增加HDD的記錄密度的需求驅動的。隨著記錄密度 的增長，磁存儲介質的數據磁道的磁道寬度趨于變小，也就是說，磁道間距增加了。現代垂 直磁記錄頭的性能與可提供用于寫入垂直介質的磁寫入場相關，其當磁道間距相對高時趨 于減小。換能頭的組件配置可相對于能生成的寫入場影響性能。例如，相對高的磁道間距 趨于限制寫入器極尖的尺寸，特別是極尖寬度，并減小主極和前屏蔽之間(以及主極和返 回極之間)的間隙層尺寸。所有這些因素趨于弱化寫入器的性能。前屏蔽的存在也趨于在 寫入器可提供的磁場大小方面弱化寫入器的性能。
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發明概述一種根據本發明的用于形成具有磁寫入器的換能頭的方法，包括形成與寫入器 極和間隙層相鄰的底座，在底座上沉積前屏蔽，蝕刻前屏蔽，以及在蝕刻后的前屏蔽上沉積 回填層。所述前屏蔽在蝕刻時具有受控厚度。
圖1-3為根據本發明的換能頭的一部分在各種制造階段期間的橫截面視圖。圖4為圖1-3中的換能頭的該部分在制造完成后的實施例的橫截面視圖。圖5為圖1-3中的換能頭的該部分在制造后的實施例的橫截面視圖。圖6為換能頭的實施例的一部分在各種制造階段期間的橫截面視圖。圖7為圖6中的換能頭的該部分在制造完成后的實施例的橫截面視圖。圖8為根據本發明的換能頭的制造方法的流程圖。圖9為換能頭的制造方法的實施例的流程圖。
具體實施例方式一般而言，本發明提供了一種用于硬盤驅動器(HDD)的換能頭中的磁寫入器的前 屏蔽(或后屏蔽)的受控厚度的方法和裝置。前屏蔽的厚度(具有一般沿喉部高度方向限 定的厚度)在限定喉部高度是顯著的，并且在確定磁寫入器性能方面是一個重要的參數。 在現有技術中，前屏蔽的厚度已在形成換能頭的氣墊表面(ABS)的研磨過程期間限定。然 而，研磨操作往往具有一些變量，這可能導致前屏蔽厚度的變化。取決于所期望的前屏蔽厚 度、用于研磨的設備以及用于控制研磨的技術，研磨的變化可以代表前屏蔽的總厚度的一 個顯著部分。研磨變化的顯著性隨著更大的面記錄密度而增加。制造期間的研磨變化也可 引入相同設計的換能頭之間的性能變化。因此，喉部高度的控制對于寫入器性能，特別是相 對高磁道間距的寫入器的性能非常重要。本發明提供一種在研磨操作之前且獨立于研磨操 作限定前屏蔽厚度的方法。將通過查看以下描述而更好的理解本發明的細節以及本發明的 進步和優點。滑塊典型地通過這樣的過程形成，該過程包括處理包括稍后分離為單個滑塊的多 個滑塊/換能頭組件的晶片，盡管不使用晶片而單獨形成滑塊仍然是可能的。在單個滑塊 分離之前，晶片的處理一般被稱為晶片級制造。晶片級制造可包括在滑塊體上各層的選擇 性沉積、圖案化以及材料的去除以及其他處理步驟。在許多情況下，可以同時對晶片的所有 滑塊/換能頭組件進行處理步驟。圖1-3為根據本發明的換能頭40的一部分在晶片級制 造的各階段期間的橫截面視圖。盡管圖1-3中未示出，但滑塊體可位于朝向換能頭40所示 部分的底部。此外，應該注意到，換能頭40可包括其他結構，例如圖中為簡化而沒有示出的 讀取器組件。圖1為在晶片級制造期間換能頭40的寫入器的一部分的橫截面視圖。該換能頭 40包括主寫入器極42、軛層44、間隙層46、底座48及回填物50。軛層44以及主寫入器極 42由磁通傳導材料制成，并被安排成互相接觸。主寫入器極42以及軛44可具有任意適當 的構造，并可使用常規方法形成。盡管未示出，但本領域普通技術人員可以理解，線圈磁耦 合到主寫入器極42，以便在主寫入器極內生成磁場，用來以眾所周知的方式進行寫入操作。回填物50可用于填充位于與換能頭40的寫入器組件相鄰的區域，且可以是電絕緣的材料。 通常，回填物50用于填充在制造過程中由于圖案化和其他結構部分的去除而留下的空隙。 如圖1的實施例所示，回填物50位置同時與主寫入器極42和軛44相鄰。間隙層46與軛44相對位于主寫入器極42上方并與其相鄰的位置。間隙層46典 型地由非鐵磁材料制成。間隙層46的厚度T1可根據特定應用的需要而變化。降低厚度T1 可有助于增加換能頭40的線性記錄密度能力。底座48與主寫入器極42相對位于間隙層46上方并與其相鄰的位置。底座48以 相對于間隙層46的相鄰表面54成角α限定邊緣52。角α可以為90°。在可選實施例 中，角α可以小于90°。底座48的邊緣52可以從間隙層46的表面54延伸經過底座48 的整個厚度，并可使用常規的圖案化(例如光刻)和蝕刻技術(例如離子研磨、反應離子蝕 刻、反應離子束蝕刻等)形成。底座48可由碳、SiC、Al203、硬化光刻膠材料、Ta或其他合適 的材料制成。在沉積間隙層46和底座48并且限定邊緣52之后，可與底座48的邊緣52和間隙 層46的表面54相鄰沉積前屏蔽材料56。前屏蔽材料56可以是磁通傳導材料，典型地為諸 如MFe之類的鐵磁材料。在所示實施例中，前屏蔽材料56可使用離子束沉積(IBD)、等離 子體氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)或其他合適的共形沉積技術來沉積。如圖1所示，前屏蔽材料56限定了前屏蔽第一部分56A、前屏蔽第二部分56B和 前屏蔽第三部分56C。前屏蔽第一部分56A具有厚度T2。前屏蔽第二部分56Β沿著間隙層 46的表面54延伸并且具有厚度Τ3。前屏蔽第三部分56C沿著底座48部分延伸，并且可具 有與前屏蔽第二部分56Β幾乎相同的厚度Τ3。圖2為在晶片級制造期間，圖1所示階段之后的階段中換能頭40的寫入器的該部 分的橫截面視圖。在沉積前屏蔽材料56之后，可以蝕刻前屏蔽材料56，以便限定前屏蔽第 一部分56Α的表面58，并調節厚度T2和Τ3。蝕刻可以改變厚度T2和T3的比率，并可完全去 除前屏蔽材料56被選擇的部分。應該注意的是，蝕刻可以通過這樣的方式選擇性地執行 增加前屏蔽第一部分56Α的厚度T2，但再沉積從屏蔽第二部分56Β去除的材料。用于去除 前屏蔽材料56的一部分的蝕刻技術可包括離子研磨、反應離子蝕刻、反應離子束蝕刻以及 其他合適的蝕刻工藝。蝕刻過程可按角度α執行(見圖1)，基本平行于底座48的邊緣52， 以便形成基本平行于邊緣52的前屏蔽第一部分56Α的表面58。蝕刻之后，表面58基本為 平面，并且安排為基本平行于底座48的邊緣52。如圖2所示，蝕刻操作已經完全去除了前 屏蔽第二部分56Β和前屏蔽第三部分56C(去除的前屏蔽的第二部分56Β和第三部分56C 在圖2中顯示為假想線)，留下了可表示完整的換能頭40的前屏蔽結構的前屏蔽第一部分 56Α。表面58的形成導致厚度T2的最大值的限定。在所示實施例中，第一部分56Α的 橫截面基本為矩形，并且接觸間隙層46表面54。間隙層46的表面54的一部分通過假象線 所示的前屏蔽材料56的一部分的去除而暴露出來。在蝕刻時，厚度T2可大于約lOnm，例如 在約IO-IOOnm的范圍之內，并且在一個實施例中可以為約50-100nm，并且在另一個實施例 中可以為約50nm。厚度T2的具體值可以按照特定應用的需要而變化。圖3為在晶片級制造期間，圖2所示階段之后的階段的換能頭40的寫入器的該部 分的橫截面視圖。如圖3所示，與前屏蔽第一部分56A的表面58以及間隙層46表面54相
6鄰沉積回填物60。回填物60可以是諸如Ta之類的非鐵磁材料，并且可以是與回填物50相 同或不同的材料。在沉積回填物60之后，可以執行研磨操作，從而限定換能頭40的ABS。圖4為換能頭40的該部分的實施例在研磨操作完成后——也就是在圖3所示階段 之后的階段晶片級制造完成或接近完成——的橫截面視圖。換能頭40被研磨操作去除的 部分以假象線顯示。研磨目標62在期望的ABS位置建立。研磨操作可以以常規的方式使 用公知的技術和設備進行。如圖4所示，研磨在與研磨目標62位置相對應的位置限定ABS 64。研磨還在ABS 64處限定主寫入器極42的極尖。在所示實施例中，ABS 64與前屏蔽第 一部分56A的表面58對齊并暴露該表面，并且回填物60已經被完全去除，但研磨操作并 未改變前屏蔽第一部分56A的厚度T2。研磨操作通常包括離開給定研磨目標的一些偏差。 例如，在使用常規設備和技術的情況下，研磨偏差在約正負15nm(或更小)范圍內都是正常 的。但是，由于厚度T2的最大值在研磨操作之前限定，所以研磨偏差將無法增加所完成的 換能頭40的厚度T2，這將有助于提供更一致的性能特性。圖5為換能頭40的該部分的替換實施例在研磨操作完成后，也就是圖3所示的階 段之后的階段晶片級制造完成或接近完成時的橫截面視圖。換能頭40被研磨操作去除的 部分以假象線顯示。如圖5所示，替換研磨目標62’選擇為與前屏蔽第一部分56A的表面 58間隔開距離T4。ABS 64限定在與研磨目標62’位置相對應的位置。在所示實施例中， 回填物第一部分60Α在研磨操作后仍然保留，只去除回填物60的一部分。回填物第一部分 60Α充當隔離物，這樣前屏蔽第一部分56Α從ABS 64凹入。如上所指出的，研磨操作通常包括離開給定研磨目標的一些偏差，并且研磨偏差 在約正負15nm范圍內都是正常的。通過將距離T4選定為至少等于給定研磨偏差(例如，大 于約15nm)，在研磨操作中厚度T2減小的風險就可被降低或消除。如果將距離T3選定為大 于給定研磨偏差(例如，大于約15nm)，則回填物第一部分60A在研磨后仍然保留，而不管任 何去除回填物60相對于研磨目標62’更接近于前屏蔽第一部分56A的附加量的研磨偏差。回填物第一部分60A的存在可提供一些優點。例如，由于ABS 64在使用期間受到 潛在的磨損(例如由于氧化、摩擦、滑塊和旋轉的磁存儲介質之間接觸等)，所以可選擇回 填物第一部分60A的材料屬性以控制換能頭40的磨損特性。回填物第一部分60A為“近 點”，也就是說，它表示換能頭40的寫入器離開相關存儲介質(例如HDD系統的磁盤)最小 距離的部分。保持回填物第一部分60A隨時間變化的相對恒定厚度，并且從而保持前屏蔽 第一部分56A離開相關存儲介質相對恒定距離的能力可能是有益的。此外，回填物第一部 分60A材料屬性的選擇可助于控制換能頭40接近主寫入器極42的熱機械能力。這可助于 例如在換能頭40操作期間控制極和屏蔽的衰退特性。根據本發明，還可以有眾多替換的前屏蔽構造。圖6為制造期間換能頭40’的另一 實施例的一部分的橫截面視圖。可類似于圖1所示的換能頭40來構造換能頭40’。然而， 換能頭40’之后的制造階段可不同于換能頭40。如圖6所示，給出了前屏蔽第一部分56A 和前屏蔽第二部分56B，其可通過適當地調節蝕刻過程，以留下整個前屏蔽第二部分56B的 至少一部分(或通過完全省略蝕刻過程)而完成。在所示實施例中。前屏蔽第一部分56A 和前屏蔽第二部分56B各自的橫截面都基本為矩形，并且形成“L”形。表面58的形成仍然 會導致限定厚度T2最大值。前屏蔽第二部分56B限定表面68，其可安排為基本平行于間隙層46的表面54。在所示實施例中，前屏蔽第二部分56B鄰接前屏蔽第一部分56A，并且間隙層46的表面54 被前屏蔽材料56所覆蓋。厚度T2可大于約lOnm，例如在約IO-IOOnm的范圍之內，并且在 一個實施例中可以為約50-100nm，并且在另一個實施例中可以為約50nm。前屏蔽第二部分 56B可具有大致等于T2的厚度T3，盡管厚度T2和T3每個的特定值都可以按照特定應用的需 要而獨立變化。與前屏蔽第一部分56Α的表面58以及前屏蔽第二部分56Β的表面68相鄰沉積回 填物60。回填物60可以是諸如Ta之類的非鐵磁材料，并且可以是與回填物50相同或不同 的材料。在沉積回填物60之后，可以執行研磨操作，從而限定換能頭40’的ABS。圖7為圖6中的換能頭的該部分的一個實施例在研磨操作完成后，也就是圖6所 示的階段之后的階段在制造完成或接近完成時的橫截面視圖。換能頭40’被研磨操作去除 的部分以假想線顯示。如圖7所示，研磨目標62”選擇為與前屏蔽第一部分56Α的表面58 間隔開距離T5。ABS 64限定在與研磨目標62”位置相對應的位置。應該認識到，研磨目標 62”的位置可按照特定應用的需要而變化。在所示實施例中，回填物部分60C在研磨操作后 仍然保留，只去除回填物60中以假想線顯示的部分。從而回填物部分60C充當隔離物，這 樣前屏蔽第一部分56Α從ABS 64凹入。然而，前屏蔽第二部分56Β延伸到ABS 64，并且暴 露于ABS 64。如上所指出的，研磨操作通常包括離開給定研磨目標的一些偏差，并且研磨偏差 在約正負15nm范圍內都是正常的。通過將距離T5選定為至少等于給定研磨偏差(即大于 約15nm)，在研磨操作期間前屏蔽第一部分56A的厚度T2減小的風險就可被降低或消除。如 果將距離T5選定為大于給定研磨偏差(例如，大于約15nm)，則回填物部分60C在研磨后仍 然保持與前屏蔽第一部分56A相鄰，而不管任何去除回填物60相對于研磨目標62”更接近 于前屏蔽第一部分56A的附加量的研磨偏差。然而，在換能頭40’的這個實施例中，前屏蔽 第二部分56B通常延伸到ABS 64，而不管研磨目標62”的位置或者研磨偏差量如何。這種 構造可有助于減小由操作期間前屏蔽衰退導致的性能偏差，因為前屏蔽第二部分56B通常 總是延伸到ABS 64。圖8為根據本發明的換能頭制造方法的流程圖。首先，形成軛、主寫入器極和間隙 層(分別為步驟100、102和104)。步驟100、102和104可以按任意特定應用所需的順序進 行。應當注意的是，這些步驟可以按常規的方式執行，并可包括任何合適的沉積、圖案化、材 料去除或者其他所需的工藝。在此討論步驟100、102和104僅僅是為了提供下述方法步驟 的背景。因此，在替換實施例中可省略步驟100、102和104，并可包括未具體提到的額外步 馬聚ο其次，形成底座(步驟106)。所述底座可在間隙層上形成。應當理解的是，步驟 106中底座的形成可包括任何合適的沉積、圖案化、材料去除或者其他所需的工藝。所形成 的底座通常提供隨后將沉積前屏蔽材料的邊緣。形成底座后，與底座相鄰，并且通常也與間隙層的表面相鄰沉積前屏蔽材料(步 驟108)。該前屏蔽材料可使用例如離子束沉積(IBD)、等離子體氣相沉積(PVD)、原子層沉 積(ALD)或其他合適的共形沉積技術來沉積。然后蝕刻該前屏蔽材料(步驟110)。步驟 110去除前屏蔽材料的一部分，并在適當的位置留下所沉積的前屏蔽材料的至少一部分。所 保留的前屏蔽材料可具有任意期望的構造。蝕刻過程限定前屏蔽(沿喉部高度方向)的最
8大厚度。適于去除前屏蔽材料的該部分的蝕刻技術包括離子研磨、反應離子蝕刻、反應離子 束蝕刻以及其他公知的蝕刻工藝。在前屏蔽材料被蝕刻成所需的構造之后，與所保留的前屏蔽材料相鄰沉積回填物 (步驟112)。然后執行研磨操作，以限定用于換能頭的ABS (步驟114)。研磨可包括設置研 磨目標，然后執行研磨操作，以除去材料至研磨目標。由于之前限定了前屏蔽的最大厚度， 所以該厚度在研磨操作期間不會增加。此外，如果研磨目標建立在大于或等于與研磨操作 相關的研磨偏差的距離處，則研磨操作期間前屏蔽的最小厚度可保持不變。另外，如果研磨 目標建立在大于與研磨操作相關的研磨偏差的距離處，那么回填物的一部分將保留為所保 留的前屏蔽材料和ABS之間的隔離物。圖9為換能頭制造方法的替換實施例的流程圖。首先，形成軛、主寫入器極和間隙 層(分別為步驟200、202和204)。步驟200、202和204可以按任意特定應用所需的順序進 行。應當注意的是，這些步驟可以按常規的方式執行，并可包括任何合適的沉積、圖案化、材 料去除或者其他所需的過程。在此討論步驟200、202和204僅僅是為了提供下述方法步驟 的背景。因此，在替換實施例中可省略步驟200、202和204，并可包括未具體提到的額外步 馬聚ο其次，形成底座(步驟206)。所述底座可在間隙層上形成。應當理解的是，步驟 206中底座的形成可包括任何合適的沉積、圖案化、材料去除或者其他所需的工藝。所形成 的底座通常提供隨后將沉積前屏蔽材料的邊緣。形成底座后，與底座相鄰，并且通常也與間隙層的表面相鄰以受控厚度沉積前屏 蔽材料(步驟208)。在這一實施例中，沉積過程限定前屏蔽的最大厚度，減少或去掉了所需 要的后續材料去除步驟(即蝕刻)。在前屏蔽材料以期望的構造形成在合適的位置之后，與前屏蔽材料相鄰沉積回填 物(步驟210)。然后執行研磨操作，以限定用于換能頭的ABS(步驟212)。研磨可包括設 置研磨目標，然后執行研磨操作，以除去材料至研磨目標。由于之前限定了前屏蔽的最大厚 度，所以該厚度在研磨操作期間不會增加。此外，如果研磨目標建立在大于或等于與研磨操 作相關的研磨偏差的距離處，則研磨操作期間前屏蔽的最小厚度可保持不變。另外，如果研 磨目標建立在大于與研磨操作相關的研磨偏差的距離處，那么回填物的一部分將保留為前 屏蔽材料和ABS之間的隔離物。盡管已經參照優選實施例對本發明進行了說明，但本領域技術人員將認識到，可 在不背離本發明的精神和范疇的情況下，在形式和細節方面作出改變。例如，未特別討論的 附加結構和附加制造過程也可為本發明所用。
權利要求
一種用于形成具有磁寫入器的換能頭的方法，所述方法包括形成與寫入器極和間隙層相鄰的底座；在所述底座上沉積前屏蔽；蝕刻所述前屏蔽，其中所述前屏蔽在蝕刻時具有受控厚度；以及在蝕刻之后在所述前屏蔽上沉積回填物層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括研磨所述換能頭，以限定氣墊表面，其中研磨所述換能頭去除所述回填物層的至少一 部分。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，研磨所述換能頭將所述前屏蔽暴露于氣墊表面。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在研磨之前限定所述前屏蔽的厚度，并且在 研磨期間保持不變。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，研磨所述換能頭留下氣墊表面和前屏蔽之 間的回填物層的一部分。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使用離子束沉積技術來沉積所述前屏蔽。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使用等離子體氣相沉積技術來沉積所述前屏蔽。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使用離子研磨技術來蝕刻所述前屏蔽。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使用反應離子蝕刻技術來蝕刻所述前屏蔽。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，使用反應離子束蝕刻技術來蝕刻所述前屏蔽。
11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括 形成寫入器極；以及形成與寫入器極相鄰的間隙層，其中所述間隙層在所述寫入器極和所述底座之間延伸。
12.一種用于形成具有磁寫入器的換能頭的方法，所述方法包括 形成與寫入器極和間隙層相鄰的底座；在所述底座上沉積前屏蔽； 在所述前屏蔽上沉積回填物層；以及研磨所述換能頭，以限定氣墊表面，其中研磨所述換能頭去除所述回填物層的至少一 部分。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，使用原子層沉積技術來沉積所述前屏蔽。
14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述前屏蔽在沉積時具有受控厚度。
15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括在沉積回填物層之前蝕刻所述前屏蔽，其中蝕刻所述前屏蔽限定前屏蔽的厚度。
16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，使用選自下組的技術蝕刻所述前屏蔽，該 組包括離子研磨、反應離子蝕刻和反應離子束蝕刻。
17.如權利要求12所述的方法，其特征在于，研磨所述換能頭將所述前屏蔽暴露于氣墊表面。
18.如權利要求12所述的方法，其特征在于，研磨所述換能頭留下氣墊表面和前屏蔽 之間的回填物層的一部分。
19.一種用于換能頭的磁寫入器，所述磁寫入器包括寫入器極，所述寫入器極將極尖限定在所述換能頭的氣墊表面上； 間隙層；底座，其中所述間隙層在所述寫入器極和所述底座之間延伸； 前屏蔽，所述前屏蔽與所述底座和所述間隙層相鄰定位；以及 回填物層，所述回填物層定位在氣墊表面上，其中所述前屏蔽的第一部分定位在回填 物層與底座之間，并且與氣墊表面間隔開。
20.如權利要求19所述的寫入器，其特征在于，所述前屏蔽的第二部分從所述前屏蔽 的第一部分延伸到所述氣墊表面。
全文摘要
一種用于形成具有磁寫入器的換能頭的方法，包括形成與寫入器極和間隙層相鄰的底座，在底座上沉積前屏蔽，蝕刻所述前屏蔽，以及在蝕刻后的前屏蔽上沉積回填層。所述前屏蔽在蝕刻時具有受控厚度。
文檔編號G11B5/127GK101923863SQ20101023975
公開日2010年12月22日 申請日期2010年5月17日 優先權日2009年5月18日
發明者P·E·安德森 申請人:希捷科技有限公司