可變存儲器刷新裝置和方法

專利名稱：可變存儲器刷新裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中描述的各種實施例涉及與半導(dǎo)體存儲器相關(guān)聯(lián)的設(shè)備、系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
微處理器技術(shù)已以比半導(dǎo)體存儲器技術(shù)的速率快的速率演進。因此，在現(xiàn)代主機處理器與半導(dǎo)體存儲器子系統(tǒng)之間通常存在性能不匹配，所述處理器配接到所述半導(dǎo)體存儲器子系統(tǒng)以接收指令和數(shù)據(jù)。舉例來說，據(jù)估計，一些高端服務(wù)器閑置四分之三的時鐘循環(huán)來等待對存儲器請求的響應(yīng)。另外，隨著處理器核心及線程的數(shù)目繼續(xù)增加，軟件應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)技術(shù)的演進已增加了對較高密度存儲器子系統(tǒng)的需求。然而，當前技術(shù)存儲器子系統(tǒng)通常表示性能與密度之間的折衷。較高帶寬可限制在不超出聯(lián)合電子裝置工程委員會(JEDEC)電氣規(guī)范的情況下可連接于系統(tǒng)中的存儲器卡或模塊的數(shù)目。已提出對JEDEC接口標準(例如，動態(tài)數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM))的擴展，但對于未來所預(yù)期存儲器帶寬和密度來說通?？砂l(fā)現(xiàn)其不足。缺點包含存儲器功率優(yōu)化的缺少和主機處理器與存儲器子系統(tǒng)之間的接口的唯一性。隨著處理器和 /或存儲器技術(shù)改變，后一種缺點可導(dǎo)致需要重新設(shè)計接口。


圖1展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。圖2展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的堆棧有邏輯裸片的堆棧式裸片3D存儲器陣列的剖面概念視圖。圖3展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器庫控制器和相關(guān)聯(lián)模塊的框圖。圖4展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的操作存儲器裝置的方法的流程圖。圖5展示根據(jù)本發(fā)明的實施例的較高級信息處置系統(tǒng)的框圖。
具體實施例方式在本發(fā)明的以下詳細說明中，參考形成本發(fā)明的一部分且其中以圖解說明方式展示可實踐本發(fā)明的特定實施例的附圖。充分詳細地描述這些實施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明?？衫闷渌鼘嵤├铱勺龀鼋Y(jié)構(gòu)、邏輯和電改變。圖1包含根據(jù)本發(fā)明的各種示范性實施例的存儲器裝置100的框圖。存儲器裝置 100操作以在一個或一個以上始發(fā)裝置和/或目的地裝置(例如，一個或一個以上處理器) 與堆棧式陣列存儲器“庫”集合110之間大致同時傳送多個出站和/或入站命令串流、地址串流和/或數(shù)據(jù)串流?？僧a(chǎn)生增加的存儲器系統(tǒng)密度、帶寬、并行性和可縮放性。多裸片存儲器陣列實施例聚合在先前設(shè)計中通常位于每一個別存儲器陣列裸片上的控制邏輯。堆棧式裸片群組的子區(qū)段(本發(fā)明中稱為存儲器庫)展示為圖1中的示范性庫110及圖2中的示范性庫230。所圖解說明的實例中展示的存儲器庫共享共用控制邏輯。存儲器庫架構(gòu)戰(zhàn)略性地分割存儲器控制邏輯以增加能量效率同時提供經(jīng)加電存儲器存儲體的較細粒度。所展示實施例還能夠?qū)崿F(xiàn)標準化主機處理器/存儲器系統(tǒng)接口。標準化接口可減少隨著存儲器技術(shù)演進而重新設(shè)計的循環(huán)次數(shù)。圖2是根據(jù)各種示范性實施例的堆棧有邏輯裸片202以形成存儲器裝置100的堆棧式裸片3D存儲器陣列200的剖面概念視圖。存儲器裝置100并入有產(chǎn)生堆棧式裸片3D 存儲器陣列200的一個或一個以上平鋪存儲器陣列203堆棧。將多個存儲器陣列(例如， 存儲器陣列203)制作到多個裸片中的每一者(例如，裸片204)上。接著，存儲器陣列裸片經(jīng)堆棧以形成堆棧式裸片3D存儲器陣列200。將堆棧式裸片中的每一者劃分成多個“瓦片”(例如，與堆棧式裸片204相關(guān)聯(lián)的瓦片205A、205B和及205C)。每一瓦片(例如，瓦片205C)可包含一個或一個以上存儲器陣列203。存儲器陣列203并不限于任何特定存儲器技術(shù)且可包含動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、快閃存儲器等。堆棧式存儲器陣列瓦片集合208可包含來自堆棧式裸片中的每一者的單個瓦片 (例如，瓦片212B、212C和212D，其中基底瓦片在圖1中被隱藏而看不到)。功率、地址和/ 或數(shù)據(jù)以及類似共用信號可沿“Z”維度220在傳導(dǎo)路徑(例如，傳導(dǎo)路徑224)(例如，“貫穿晶片互連”(TWI))橫越堆棧式瓦片集合208。注意，TWI未必需要完全穿過特定晶片或裸片。因此，將堆棧式裸片3D存儲器陣列200分割成存儲器“庫”(例如，存儲器庫230) 集合。每一存儲器庫包含堆棧式瓦片集合(例如，瓦片集合208)、來自多個堆棧式裸片中的每一者的一個瓦片以及用以電互連瓦片集合208的TWI集合。所述庫中的每一瓦片包含一個或一個以上存儲器陣列(例如，存儲器陣列M0)。在存儲器裝置100內(nèi)上下文中，圖1中圖解說明所得存儲器庫集合102(類似于來自圖2的存儲器庫230)。存儲器裝置100還包含多個存儲器庫控制器(MVC) 104(例如，MVC 106)。每一 MVC以一對一關(guān)系通信地耦合到對應(yīng)存儲器庫(例如，集合102中的存儲器庫 110)。因此，每一 MVC能夠獨立于其它MVC與其相應(yīng)存儲器庫之間的通信而與對應(yīng)存儲器
庫通信。存儲器裝置100還包含多個可配置串行化通信鏈路接口(SCLI) 112。SCLI 112被劃分成SCLI出站群組113及SCLI入站群組115，其中“出站”和“入站”方向是從處理器 114的角度界定的。多個SCLI 112中的每一者能夠與其它SCLI 112同時操作。SCLI112 一起將多個MVC 104通信地耦合到一個或一個以上主機處理器114。存儲器裝置100呈現(xiàn)去往主機處理器114的高度抽象、多鏈路、高吞吐量接口。存儲器裝置100還可包含開關(guān)116。在一些實施例中，開關(guān)116可包括矩陣開關(guān)， 其還可稱為交叉連接開關(guān)。開關(guān)116通信地耦合到多個SCLI 112且通信地耦合到多個MVC 104。開關(guān)116能夠?qū)⒚恳?SCLI交叉連接到選定MVC。因此，主機處理器114可跨越多個 SCLI 112以大致同時方式存取多個存儲器庫102。此架構(gòu)可為現(xiàn)代處理器技術(shù)(包含多核心技術(shù))提供高處理器/存儲器帶寬。存儲器裝置100還可包含耦合到開關(guān)116的存儲器組構(gòu)控制寄存器117。存儲器組構(gòu)控制寄存器117接受來自配置源的存儲器構(gòu)造配置參數(shù)且配置存儲器裝置100的一個或一個以上組件以根據(jù)可選模式操作。舉例來說，開關(guān)116和多個存儲器庫102及多個MVC 104中的每一者通?？山?jīng)配置以響應(yīng)于單獨存儲器請求而彼此獨立地操作。此配置可由于 SCLI 112與存儲器庫102之間的并行性而增強存儲器系統(tǒng)帶寬。另一選擇為，可經(jīng)由存儲器組構(gòu)控制寄存器117重新配置存儲器裝置100以致使多個存儲器庫102中的兩者或兩者以上的子集和對應(yīng)MVC子集響應(yīng)于單個請求而同時操作。后一種配置可用于存取比與單個庫相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)字的寬度寬的數(shù)據(jù)字。此技術(shù)可降低等待時間?？赏ㄟ^將選定位型式加載到存儲器組構(gòu)控制寄存器117中來實現(xiàn)其它配置。在一個實例中，出站SCLI 113可包含多個出站差分對串行路徑(DPSP)128。 DPSPU8通信地耦合到主機處理器114且可共同地輸送出站包。出站SCLI 113還可包含耦合到多個出站DPSP 1 的解串行化器130。出站SCLI還可包含通信地耦合到解串行化器 130的多路分用器138。在一個實施例中，DSPS、解串行化器和多路分用器的配置促進數(shù)據(jù)包或數(shù)據(jù)子包的有效傳送。類似于出站SLCI，在一個實施例中，入站SCLI以及DSPS、串行化器和多路復(fù)用器的類似配置促進數(shù)據(jù)包或數(shù)據(jù)子包的有效傳送。圖3是根據(jù)各種示范性實施例的MVC (例如，MVC 106)及相關(guān)聯(lián)模塊的框圖。MVC 106可包含可編程庫控制邏輯(PVCL)組件310。PVCL 310將MVC 106介接到對應(yīng)存儲器庫 (例如，存儲器庫110)。PVCL 310產(chǎn)生與對應(yīng)存儲器庫110相關(guān)聯(lián)的一個或一個以上控制信號和/或定時信號。PVCL 310可經(jīng)配置以使MVC 106適于選定配置或選定技術(shù)的存儲器庫110。因此，舉例來說，最初可使用當前可用DDR2DRAM來配置存儲器裝置100。隨后，可通過重新配置PVCL 310以包含DDR3存儲體控制和定時邏輯來調(diào)適存儲器裝置100以適應(yīng)基于DDR3 的存儲器庫技術(shù)。MVC 106還可包含通信地耦合到PVCL 310的存儲器定序器314。存儲器定序器314 基于用來實施相關(guān)聯(lián)存儲器庫110的技術(shù)執(zhí)行存儲器技術(shù)相依操作集合。舉例來說，存儲器定序器314可執(zhí)行與對應(yīng)存儲器庫110相關(guān)聯(lián)的命令解碼操作、存儲器地址多路復(fù)用操作、存儲器地址多路分用操作、存儲器刷新操作、存儲器庫訓(xùn)練操作和/或存儲器庫預(yù)取操作。在一些實施例中，存儲器定序器314可包括DRAM定序器。在一些實施例中，存儲器刷新操作可始發(fā)于單獨刷新控制器(未展示)中。下文更詳細地描述其它存儲器刷新操作。存儲器定序器314可經(jīng)配置以使存儲器裝置100適于選定配置或技術(shù)的存儲器庫 110。舉例來說，存儲器定序器314可經(jīng)配置以與和存儲器裝置100相關(guān)聯(lián)的其它存儲器定序器同時操作。此配置可用于響應(yīng)于單個高速緩沖存儲器線請求而將來自多個存儲器庫的寬數(shù)據(jù)字遞送到與主機處理器114相關(guān)聯(lián)的高速緩沖存儲器線(未展示)。MVC 106還可包含寫入緩沖器316。寫入緩沖器316可耦合到PVCL 310以緩沖從主機處理器114到達MVC 106的數(shù)據(jù)。MVC 106可進一步包含讀取緩沖器317。讀取緩沖器317可耦合到PVCL 310以緩沖從對應(yīng)存儲器庫110到達MVC 106的數(shù)據(jù)。MVC 106還可包含無序請求隊列318。無序請求隊列318建立對包含于存儲器庫 110中的多個存儲器存儲體的讀取和/或?qū)懭氩僮鞯挠行蛐蛄?。所述有序序列?jīng)挑選以避
6免對任何單個存儲器存儲體的順序操作以減少存儲體沖突并降低讀取/寫入周轉(zhuǎn)時間。MVC 106還可包含錯誤追蹤器，例如，存儲器庫錯誤邏輯(MVEL)組件324。MVEL3M 可追蹤3D存儲器陣列200的存儲器單元的多個部分的多個錯誤率。下文更詳細地論述錯誤率數(shù)據(jù)的使用?？墒褂肕VEL 3M來追蹤若干個不同部分的錯誤率。在一個實例中，針對每一裸片204追蹤錯誤率。其它實例包含追蹤每一瓦片205、每一陣列203等的錯誤率。在一個實例中，正被追蹤的部分為動態(tài)的。舉例來說，如果裸片204具有超過閾值的錯誤率，那么可選擇裸片204內(nèi)的一部分來進行追蹤。在另一實例中，如果錯誤率低于一部分(例如，瓦片)中的閾值錯誤率，那么MVEL可僅追蹤包含所述瓦片的庫的錯誤率。在一個實例中，使用3D存儲器陣列200的一部分的所追蹤錯誤率信息來調(diào)整(例如，改變) 選定部分中的刷新率。圖3展示包含存儲器映射315的實施例。存儲器映射315保持追蹤3D存儲器陣列200內(nèi)的各個部分，且追蹤特定被追蹤部分特有的一個或一個以上特性。實例包含追蹤 3D存儲器陣列200的若干個存儲器單元的個別裸片204、庫230、瓦片205或其它群組的一個或一個以上特性。在一個實例中，存儲器映射315同時保持追蹤一個以上部分的此類信
肩、ο待追蹤的每一部分的特性的實例包含但不限于錯誤率、溫度、掉電狀態(tài)及刷新率。 在一個實施例中，使用在存儲器映射315中追蹤的其它特性中的一者或一者以上來確定刷新率。在示范性實施例中，存儲器映射315位于耦合到存儲器裝置的本地存儲裝置內(nèi)。 使用3D存儲器陣列的一個實例，存儲器映射315位于直接耦合到3D存儲器陣列200的邏輯芯片202上。在一個實例中，存儲器映射存儲于非易失性存儲器(例如，邏輯芯片202上的快閃存儲器)中。將存儲器映射315在本地存儲于本地附接邏輯芯片202內(nèi)的存儲器裝置100上允許存儲器裝置100優(yōu)化獨立于處理器114的存儲器操作。以上列舉供在存儲器優(yōu)化中使用的反饋特性的實例(錯誤率、溫度、掉電狀態(tài)和刷新率)。在一個實例中，每一 MVC 106包含單獨存儲器映射315，不過本發(fā)明并不受如此限制。其它實施例包含在邏輯芯片202上用以服務(wù)3D存儲器陣列200的單個存儲器映射315 或其它數(shù)目的存儲器映射315。在一個實施例中，存儲器映射315為動態(tài)的，且基于一個或一個以上反饋特性(例如，以上所列舉的實例)而改變。使用溫度作為示范性特性，3D存儲器陣列200的一個或一個以上部分可以不同溫度操作。作為響應(yīng)，存儲器映射315允許根據(jù)不同部分的溫度不同地處理所述不同部分。舉例來說，較熱裸片204可映射到比較冷裸片204所需更頻繁的刷新率。在動態(tài)存儲器映射315中，如果相應(yīng)局部溫度在操作期間改變，那么存儲器映射也可改變。如上所論述，還可監(jiān)視和調(diào)整例如庫、瓦片等其它部分。使用掉電狀態(tài)實例，3D存儲器陣列200的一個或一個以上部分可在不同掉電狀態(tài)中操作。作為響應(yīng)，存儲器映射315允許根據(jù)不同部分的掉電狀態(tài)不同地處理所述不同部分。舉例來說，最近未存取過的庫230可處于需要刷新但并非以與當前正被存取的庫230 一樣高的刷新率刷新的掉電狀態(tài)中。其它庫230的其它快速響應(yīng)時間電力狀態(tài)可映射到較高刷新率。在動態(tài)存儲器映射315中，當各個部分的掉電狀態(tài)在操作期間改變時，存儲器映射也可改變。如上所論述，還可監(jiān)視和調(diào)整例如裸片、瓦片等其它部分。
使用錯誤率實例，3D存儲器陣列200的一個或一個以上部分可經(jīng)歷不同錯誤率。 作為響應(yīng)，存儲器映射315允許根據(jù)不同部分的錯誤率不同地處理所述不同部分。舉例來說，經(jīng)歷高錯誤率的瓦片205可映射到較高刷新率，而經(jīng)歷低錯誤率的瓦片205可映射到較低刷新率。在動態(tài)存儲器映射315中，如果各個部分的錯誤率在操作期間改變，那么存儲器映射也可改變。如上所論述，還可監(jiān)視和調(diào)整例如裸片、庫等其它部分。在一個實例中，除調(diào)整特性(例如，刷新率)之外，如果超過一部分的錯誤率閾值， 那么還停用3D存儲器陣列200的所述部分，且存儲器映射315保持追蹤所停用部分，從而使3D存儲器陣列200的剩余部分正常運行。在一個實例中，可使用選定部分的錯誤率來提供健康監(jiān)視評級，其能夠預(yù)測即將來臨的故障。舉例來說，在一個實施例中，如果一個或多個特定部分的錯誤率超過閾值，那么可提供健康監(jiān)視器評級以指示需要替換存儲器裝置。雖然上文是針對每一示范性特性對刷新率的影響而個別地論述的，但本發(fā)明并不限于此。在一個實例中，同時追蹤例如溫度、掉電狀態(tài)及錯誤率等多個特性，且其效應(yīng)經(jīng)組合以提供3D存儲器陣列200的一部分的經(jīng)優(yōu)化刷新率。除以上動態(tài)存儲器映射實例外，在一個實施例中，存儲器映射315為靜態(tài)的。靜態(tài)存儲器映射的一個實例包含僅在系統(tǒng)(例如，個人計算機)的每一加電后即刻產(chǎn)生的存儲器映射。在每一加電評估之后，靜態(tài)存儲器映射實例不可監(jiān)視反饋特性。另一靜態(tài)實例包含制作之后的測試。存儲器映射315可包含選定部分內(nèi)的在制作之后固有存在的由例如硅的變化、光刻缺陷等因素引起的性能或其它特性的固定映射。在制作實例中，包含若干個不同刷新率的靜態(tài)存儲器映射315在制作之后即產(chǎn)生以依據(jù)此變化而優(yōu)化3D存儲器陣列200。圖4展示在以上實施例中所論述的操作存儲器裝置的示范性方法。在操作410中， 針對存儲器裝置的若干個不同部分產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)。此些部分的實例包含在以上實施例中所論述的各個部分。操作數(shù)據(jù)的實例包含例如在以上實施例中所論述的溫度、掉電狀態(tài)、錯誤率等特性。在操作420中，使用操作數(shù)據(jù)產(chǎn)生存儲器映射。在操作430中，使用存儲器映射以大于零的第一刷新率刷新存儲器裝置的第一部分。在操作440中，使用存儲器映射以大于零且不同于第一數(shù)據(jù)率的第二刷新率刷新存儲器裝置的第二部分。除大于零的所論述兩個或兩個以上刷新率外，在選定實例中，可根本不刷新其它部分。如上所述，除結(jié)合存儲器映射315操作外，MVEL 3M還可使用陣列修復(fù)邏輯3 來執(zhí)行有缺陷存儲器陣列地址重新映射操作。陣列修復(fù)邏輯3 可重新映射對位于存儲器庫或裸片等上(例如，圖2的堆棧式裸片204上)和/或邏輯裸片202 (例如，備用陣列327) 上的冗余單元或單元陣列的請求。MVEL 3 還可使用TWI修復(fù)邏輯3 來執(zhí)行與對應(yīng)存儲器庫110相關(guān)聯(lián)的TWI修復(fù)操作。各個實施例的設(shè)備和系統(tǒng)可用于除高密度、多鏈路、高吞吐量半導(dǎo)體存儲器子系統(tǒng)以外的應(yīng)用中。因此，本發(fā)明的各個實施例并不限于此。存儲器裝置100的圖解說明打算提供對各個實施例的結(jié)構(gòu)的一般理解。圖解說明并不打算用作對可能使用本文中所描述結(jié)構(gòu)的設(shè)備和系統(tǒng)的所有元件和特征的完整說明。各個實施例的新穎設(shè)備和系統(tǒng)可包括在計算機、通信與信號處理電路、單處理器或多處理器模塊、單個或多個嵌入式處理器、多核心處理器、數(shù)據(jù)開關(guān)及其它信息處置系統(tǒng)中使用的電子電路或并入到所述電子電路中。
此些系統(tǒng)的實例包含但不限于電視、蜂窩式電話、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、個人計算機(例如，膝上型計算機、桌上型計算機、手持式計算機、平板計算機等)、工作站、無線電、 視頻播放器、音頻播放器(例如，MP3(動畫專家組、音頻層幻播放器)、運輸工具、醫(yī)療裝置 (例如，心臟監(jiān)視器、血壓監(jiān)視器等)、機頂盒和其它裝置。圖5中包含個人計算機的高級實例以展示本發(fā)明的較高級裝置應(yīng)用。圖5是并入有根據(jù)本發(fā)明的實施例的至少一個存儲器裝置506的信息處置系統(tǒng)500的框圖。在此實例中，信息處置系統(tǒng)500包括數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，所述數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)包含系統(tǒng)總線502以耦合系統(tǒng)的各個組件。系統(tǒng)總線502提供信息處置系統(tǒng)500的各個組件當中的通信鏈路且可實施為單個總線、總線組合或以任何其它適合方式實施。芯片組合件504耦合到系統(tǒng)總線502。芯片組合件504可包含任何電路或操作兼容的電路組合。在一個實施例中，芯片組合件504包含可為任何類型的處理器508或多個處理器。如本文中所用，“處理器”意指任何類型的計算電路，例如但不限于微處理器、微控制器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)或任何其它類型的處理器或處理電路。如本文中所用，“處理器”包含多個處理器或多個處理器核心。在一個實施例中，存儲器裝置506包含于芯片組合件504中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到可在芯片組合件504中使用的各種各樣存儲器裝置配置。以上實施例中描述在操作期間連續(xù)刷新的存儲器裝置(例如，DRAM)。DRAM裝置的一個實例包含在以上實施例中所描述的具有集成邏輯芯片的堆棧式存儲器芯片3D存儲器裝置。存儲器506還可包含非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)。信息處置系統(tǒng)500還可包含外部存儲器511，外部存儲器511又可包含適于特定應(yīng)用的一個或一個以上存儲器元件，例如，一個或一個以上硬驅(qū)動機512和/或處置可更換媒體513(例如，快閃存儲器驅(qū)動機、壓縮磁盤(CD)、數(shù)字視頻磁盤(DVD)等)的一個或一個以上驅(qū)動機。信息處置系統(tǒng)500還可包含顯示裝置509 (例如，監(jiān)視器)、額外外圍組件510 (例如，揚聲器等)以及鍵盤和/或控制器514，其可包含鼠標、軌跡球、游戲控制器、話音辨識裝置或準許系統(tǒng)用戶將信息輸入到信息處置系統(tǒng)500中及自信息處置系統(tǒng)500接收信息的任何其它裝置。雖然描述了本發(fā)明的若干個實施例，但以上列舉內(nèi)容并不打算詳盡無遺。雖然本文中已圖解說明和描述了特定實施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，經(jīng)計算以實現(xiàn)相同目的的任何布置可替代所展示的特定實施例。此申請案打算涵蓋本發(fā)明的任何改造或變化。應(yīng)理解，以上說明打算為圖解說明性而非限制性。在審閱以上說明后，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將即刻明了以上實施例的組合以及其它實施例。
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權(quán)利要求
1.一種存儲器裝置，其包括若干個存儲器單元，其位于堆棧式存儲器陣列內(nèi)；邏輯，其耦合到所述若干個存儲器單元；存儲器映射，其由邏輯區(qū)域用來以相應(yīng)刷新率選擇性地刷新所述若干個存儲器單元的不同部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述若干個單元位于堆棧中的多個裸片上，所述邏輯位于所述堆棧中的所述裸片中的一者上，且所述存儲器映射存儲于邏輯裸片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述邏輯包含用以追蹤所述部分中的相應(yīng)一者的錯誤率的錯誤追蹤器，其中所述所追蹤的錯誤率用于調(diào)整所述部分中的所述相應(yīng)一者的所述刷新率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其中所述邏輯經(jīng)配置以在所述部分中的至少一者的錯誤率超過閾值時指示需要替換所述存儲器裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器裝置，其中所述部分中的所述相應(yīng)一者的所述刷新率還使用所述存儲器裝置的另一特性來調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器裝置，其中所述另一特性包含所述部分中的所述相應(yīng)一者的所感測溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器裝置，其中所述另一特性包含所述部分中的所述相應(yīng)一者的掉電狀態(tài)。
8.一種存儲器裝置，其包括存儲器裸片堆棧；邏輯裸片，其用以管理所述存儲器裸片堆棧中的刷新率，其中所述邏輯裸片附接到所述存儲器裸片堆棧；存儲器映射，其位于所述邏輯裸片中且用于以不同刷新率刷新所述存儲器裸片堆棧內(nèi)的不同部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述邏輯裸片經(jīng)配置以從所述存儲器裸片堆棧接收操作數(shù)據(jù)且基于所述操作數(shù)據(jù)動態(tài)地調(diào)整所述不同刷新率中的至少一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述邏輯裸片經(jīng)配置以動態(tài)地改變所述不同部分的大小。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射經(jīng)配置以使得可以不同于所述存儲器裸片堆棧中的第二裸片的速率刷新所述存儲器裸片堆棧中的第一裸片。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射經(jīng)配置以使得可以不同于所述存儲器裸片堆棧中的第二庫的速率刷新所述存儲器裸片堆棧中的第一庫。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器裝置，其中每一庫與單獨存儲器映射相關(guān)聯(lián)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述存儲器映射經(jīng)配置以使得可以不同于所述存儲器裸片堆棧中的第二瓦片的速率刷新所述存儲器裸片堆棧中的第一瓦片。
15.一種操作存儲器裝置的方法，其包括使用通過使用來自存儲器裝置的若干個不同部分的操作數(shù)據(jù)而產(chǎn)生的存儲器映射來以大于零的第一刷新率刷新所述存儲器裝置的第一部分；以及使用所述存儲器映射來以大于零且不同于所述第一刷新率的第二刷新率刷新所述存儲器裝置的第二部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進一步包括產(chǎn)生所述操作數(shù)據(jù)，其中一旦加電后即刻執(zhí)行產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)，且所述不同刷新率在所述存儲器裝置的操作期間為靜態(tài)的。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進一步包括產(chǎn)生所述操作數(shù)據(jù)，其中在制作之后執(zhí)行產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)，且所述不同刷新率在所述存儲器裝置的操作期間為靜態(tài)的。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進一步包括產(chǎn)生所述操作數(shù)據(jù)，其中產(chǎn)生操作數(shù)據(jù)為動態(tài)的且作為反饋用于在所述存儲器裝置的操作期間動態(tài)地調(diào)整所述存儲器映射和所述不同刷新率。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中產(chǎn)生所述存儲器裝置的若干個不同部分的操作數(shù)據(jù)包含追蹤每一不同存儲器部分的錯誤率。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其進一步包含如果所述存儲器裝置的一部分中的所追蹤錯誤率超過閾值錯誤率，那么停用所述部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中產(chǎn)生存儲器裝置的若干個不同部分的操作數(shù)據(jù)進一步包含追蹤裝置溫度。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中產(chǎn)生所述存儲器裝置的若干個不同部分的操作數(shù)據(jù)進一步包含追蹤所述不同存儲器部分中的每一者的掉電狀態(tài)。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中產(chǎn)生所述存儲器裝置的若干個不同部分的操作數(shù)據(jù)包含產(chǎn)生存儲器裸片堆棧內(nèi)的若干個不同存儲器庫的操作數(shù)據(jù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中產(chǎn)生所述存儲器裝置的若干個不同部分的操作數(shù)據(jù)包含產(chǎn)生存儲器裸片堆棧內(nèi)的若干個不同存儲器瓦片的操作數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明描述存儲器裝置和方法，例如監(jiān)視和調(diào)整給定存儲器裝置的各個不同部分的特性的那些存儲器裝置和方法。不同部分的實例包含瓦片或陣列或裸片。所描述的一種存儲器裝置和方法包含監(jiān)視和調(diào)整3D存儲器裸片堆棧中的不同部分的特性?？稍诙鄠€選定部分處調(diào)整的一個特性包含刷新率。
文檔編號G11C11/406GK102272849SQ200980153463
公開日2011年12月7日 申請日期2009年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者喬·M·杰德羅 申請人:美光科技公司