垂直磁記錄介質(zhì)、其制造方法和磁記錄再生裝置的制作方法

專利名稱：：垂直磁記錄介質(zhì)、其制造方法和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及垂直磁記錄介質(zhì)、其制造方法和使用該磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
：近年來，磁盤裝置、軟盤裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置的適用范圍顯著地增大，在其重要性增加的同時，對于這些裝置中所使用的磁記錄介質(zhì)，不斷謀求其記錄密度的顯著提高。尤其是引入MR磁頭和PRML技術(shù)以來，面記錄密度的上升更加激烈，近年又引入GMR磁頭、TuMR磁頭等，每年在以約3040%的速度繼續(xù)增加。這樣一來，對于磁記錄介質(zhì)，要求今后進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高記錄密度化，為此，要求實(shí)現(xiàn)磁記錄層的高矯頑力化和高信噪比(SNR)、高分辨力。迄今廣為使用的縱向磁記錄方式中，隨著線記錄密度提高，磁化的遷移區(qū)域鄰接的記錄磁疇之間要減弱相互的磁化的自退磁作用成為支配性的，因此為了避免該現(xiàn)象，需要不斷減薄磁記錄層，提高形狀磁各向異性。而另一方面，若減薄磁記錄層的膜厚，則用于保持磁疇的能壘的大小和熱能的大小接近于相同水平，所記錄的磁化量由于溫度的影響而得到緩和的現(xiàn)象(熱擺現(xiàn)象)不能忽視，可以說這決定了線記錄密度的極限。在這樣的狀況下，作為用于縱向磁記錄方式的線記錄密度改良的技術(shù)，最近提出了AFC(antiFerromagneticCoupling)介質(zhì)，努力避免在縱向磁記錄中成為問題的熱磁緩和的問題。另外，作為今后用于實(shí)現(xiàn)更高的面記錄密度的有力技術(shù)而受到關(guān)注的是垂直磁記錄技術(shù)。以往的縱向磁記錄方式是使介質(zhì)在面內(nèi)方向磁化，而垂直磁記錄方式其特征是在與介質(zhì)面垂直的方向進(jìn)行磁化。由此可避免在縱向磁記錄方式中妨礙實(shí)現(xiàn)高線記錄密度的自退磁作用的影響，可以認(rèn)為更適合于高密度記錄。另外可以認(rèn)為，由于能夠保持一定的磁性層膜厚，因此在縱向磁記錄中成為問題的熱磁緩和的影響也比較小。垂直磁記錄介質(zhì)，一般是在非磁性基板上以種子層(晶種層；seedlayer)、中間層、磁記錄層、保護(hù)層的順序成膜來制成。另外，成膜至保護(hù)層之后在表面涂布潤滑層的情況較多。很多情況下在種子層之下設(shè)有被稱為軟磁性襯里層的磁性膜。中間層出于更加提高磁記錄層的特性的目的而形成。可以說種子層起到在使中間層和磁記錄層的晶體取向整齊的同時，控制磁性晶體的形狀的作用。為了制造實(shí)現(xiàn)高密度記錄、并且具有優(yōu)異的各種特性的垂直磁記錄介質(zhì)，重要的是磁記錄層的晶體結(jié)構(gòu)。即，在垂直磁記錄介質(zhì)中，很多情況下其磁記錄層的晶體結(jié)構(gòu)采取hep結(jié)構(gòu)，但其(002)晶面與基板面平行，換言之，晶體c軸軸在垂直的方向盡可能不混亂地排列是重要的。為了盡可能不使磁記錄層的晶體混亂，作為垂直磁記錄介質(zhì)的中間層，使用了與以往磁記錄層同樣采取hep結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的Ru。由于在Ru的(002)晶面上磁記錄層的晶體外延生長，因此可以得到晶體取向好的磁記錄介質(zhì)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。即，由于通過提高Ru中間層的(002)晶面取向度，也提高了磁記錄層的取向，因此為了提高垂直磁記錄介質(zhì)的記錄密度，需要改善Ru的(002)晶面取向度。但是，如果在非晶的襯里層上直接成膜出Ru，則為了獲得優(yōu)異的晶體取向性，加厚Ru的膜厚，因此非磁性的Ru減弱了作為軟磁性材料的襯里層的來自磁頭的磁通牽拉。因此，以往在襯里層和Ru中間層之間插入fcc(lll)晶面取向的種子層(例如參照專利文獻(xiàn)2)。fee的種子層即使是薄膜也可以獲得高的晶體取向性，fee的種子層上的Ru，在比在襯里層上直接成膜的Ru薄的膜厚下可以獲得高的晶體取向性。然而，feed種子層上的Ru不能夠控制晶體粒徑，因此引起粒徑的增大，其上面的Co合金的晶體粒徑也增大，噪聲增加，因此記錄再生特性惡化。另外，也報道了下述例子通過將作為種子層的進(jìn)行hep(002)晶面取向的Mg或Ti的種子層插入到中間層的下面，來將中間層的Ru的晶體粒徑微細(xì)化(專利文獻(xiàn)3)。然而，Mg和Ti等的種子層，由于中間層的Ru與(002)晶體取向面的晶格常數(shù)a的差別大，因此晶體取向性惡化導(dǎo)致的噪聲增大，因此記錄再生特性惡化。為了進(jìn)一步提高記錄再生特性，需要得到兼具晶體粒徑的微細(xì)化和垂直取向性、且記錄再生特性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。期望得到能夠解決該問題且容易地進(jìn)行制造的垂直磁記錄介質(zhì)。專利文獻(xiàn)1日本特開2001-6158號公報專利文獻(xiàn)2日本特開2005-190517號公報專利文獻(xiàn)3日本特開2006-155865號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述狀況而完成的研究，其目的在于通過兼具垂直磁記錄層的粒徑的微細(xì)化和垂直取向性，提供能夠記錄再生高密度信息的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明的另一目的在于提供具有上述特性的磁記錄介質(zhì)的制造方法本發(fā)明的又一目的在于提供具備具有上述的特性的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供以下所記載的磁記錄介質(zhì)、其制造方法和磁記錄再生裝置。(1)一種磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上至少依次含有襯里層、種子層、中間層和垂直磁記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述種子層是hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)樱鲜鲋虚g層依次包含由bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第1中間層和由hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第2中間層。(2)根據(jù)上述(1)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成上述襯里層的軟磁性膜是非晶結(jié)構(gòu)。(3)根據(jù)上述⑴或⑵所述的磁記錄介質(zhì)，其中，上述種子層是含有Mg、Ti、&、肚、￥、如、徹、08或211作為主成分的11叩結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)印?4)根據(jù)上述⑴(3)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)雍?0原子％以上的Cr。(5)根據(jù)上述⑴⑷的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)雍蠧r作為主成分，而且含有選自Pt、Ir、Pd、Au、Ni、Al、Ag、Cu、Rh、Pb、Co、Fe、Mn、V、Nb、Ta、Mo、W、B、C、Si、Ga、In、Ti、Zr、Hf、Ru、Re中的至少一種。(6)根據(jù)上述⑴(5)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)佑善骄綖?nmlOnm的范圍內(nèi)的晶體粒子構(gòu)成。(7)根據(jù)上述⑴(6)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)拥哪ず駷閘nm50nm的范圍內(nèi)。(8)根據(jù)上述⑴(7)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第2中間層的hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)邮呛蠷u或Ru合金的層。(9)根據(jù)上述(1)(8)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，上述垂直磁記錄層的至少一層采取由鐵磁性層的晶粒和非磁性的氧化物晶界構(gòu)成的顆粒結(jié)構(gòu)。(10)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是采用濺射法制造在非磁性基板上至少依次含有襯里層、種子層、中間層和垂直磁記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其特征在于，作為hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)觼硇纬缮鲜龇N子層，而且，依次形成由bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第1中間層和由hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第2中間層來作為上述中間層。(11)一種磁記錄再生裝置，是具有磁記錄介質(zhì)和對該磁記錄介質(zhì)記錄再生信息的磁頭的磁記錄再生裝置，其特征在于，磁記錄介質(zhì)是上述(1)(9)的任一項所述的磁記錄介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在垂直磁性層的晶體結(jié)構(gòu)尤其是hep結(jié)構(gòu)的晶體c軸相對于基板面角度分散極小的狀態(tài)下取向、并且構(gòu)成垂直磁性層的晶粒的平均粒徑極微細(xì)的高記錄密度特性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。圖1是表示本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的剖面結(jié)構(gòu)一例的圖。圖2是表示fee結(jié)構(gòu)的(111)面取向的圖。圖3是表示hep結(jié)構(gòu)的(002)面取向的圖。圖4是表示bcc結(jié)構(gòu)的(110)面取向的圖。圖5是表示本發(fā)明的垂直磁記錄再生裝置的結(jié)構(gòu)的圖。標(biāo)號說明1-非磁性基板、2-軟磁性襯里層、3-種子層、4-第1中間層、5-第2中間層、6_垂直磁性層、7-保護(hù)層、10-垂直磁記錄介質(zhì)、11-介質(zhì)驅(qū)動部、12-磁頭、13-磁頭驅(qū)動部、14-記錄再生信號處理系統(tǒng)具體實(shí)施例方式以下一邊參照附圖一邊對本發(fā)明的內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，如圖1所示，是在非磁性基板1上至少具有軟磁性襯里層2、構(gòu)成控制緊上方的膜的取向性的取向控制層的種子層3和第1中間層4、第2中間層5、易磁化軸(晶體c軸)相對于基板主要垂直地取向的垂直磁性層6和保護(hù)層7的垂直磁記錄介質(zhì)10。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中所使用的非磁性基板，只要是非磁性基板就沒有特別的限5定，可以使用任意的非磁性基板。作為其具體例，可以舉出以A1為主成分的例如Al-Mg合金等的A1合金基板、由通常的鈉玻璃(sodaglass)、鋁硅酸鹽系玻璃、非晶玻璃類、硅、鈦、陶瓷、藍(lán)寶石、石英、各種樹脂形成的基板等。其中，使用A1合金基板、結(jié)晶化玻璃、非晶玻璃等的玻璃制基板的情況較多。在玻璃基板的情況下，優(yōu)選鏡面拋光基板、如Ra<1A那樣的低Ra基板等。如果為輕度，則也可以帶有紋理(texture)。在磁盤的制造工序中，通常首先進(jìn)行基板的洗滌和干燥，在本發(fā)明中，從確保各層的粘附性的觀點(diǎn)考慮，也優(yōu)選在其形成前進(jìn)行洗滌、干燥。關(guān)于洗滌，不僅包括水洗滌，還包括通過腐蝕(反濺射)進(jìn)行的洗滌。另外，基板尺寸也沒有特別的限定。接著對垂直磁記錄介質(zhì)的各層進(jìn)行說明。軟磁性襯里層被設(shè)置于較多的垂直磁記錄介質(zhì)中。在向介質(zhì)記錄信號時，起著引導(dǎo)來自磁頭的記錄磁場，并對磁記錄層高效率地施加記錄磁場的垂直成分的作用。作為軟磁性襯里層材料，只要是FeCo系合金、CoZrNb系合金、CoTaZr系合金等所謂的具有軟磁性特性的材料就可以使用。軟磁性襯里層特別優(yōu)選為非晶結(jié)構(gòu)。通過使其為非晶結(jié)構(gòu)，可防止表面粗糙度(Ra)增大，并降低磁頭的浮起量，能夠進(jìn)一步高記錄密度化。軟磁性襯里層可以作為單層來構(gòu)成，但在兩層之間夾入Ru等的極薄的非磁性薄膜從而使軟磁性層間具有AFC的情形也較多地采用。襯里層的總膜厚為20nm120nm左右，但可根據(jù)記錄再生特性與0W(Overwrite；寫入)特性的平衡來適當(dāng)確定。在本發(fā)明中，在軟磁性襯里層上設(shè)置控制緊上方的膜的取向性的取向控制層，取向控制層由多個層構(gòu)成。即，從基板側(cè)起形成種子層、第1中間層和第2中間層。在本發(fā)明中，優(yōu)選種子層是以Mg、Ti、&、Hf、Y、Ru、Re、Os或Zn為主成分的hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)印Ｆ渚w結(jié)構(gòu)為六方最密結(jié)構(gòu)(hep結(jié)構(gòu))。優(yōu)選種子層的平均晶體粒徑為6nm20nm的范圍內(nèi)。種子層的厚度優(yōu)選為110nm的范圍。在本發(fā)明中，在種子層上依次地配置有第1中間層、第2中間層。第1中間層為體心立方晶格結(jié)構(gòu)(bcc結(jié)構(gòu))，而且，其上面的與磁記錄層接觸的第2中間層為六方最密晶格結(jié)構(gòu)(hep結(jié)構(gòu))。所謂本申請發(fā)明中規(guī)定的作為種子層、中間層材料的bcc結(jié)構(gòu)和hep結(jié)構(gòu)，鑒于本申請發(fā)明的主旨，當(dāng)然是指在本申請發(fā)明的磁記錄介質(zhì)實(shí)際使用的環(huán)境下的晶體結(jié)構(gòu)即常溫下的晶體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的中間層，采取bcc的(110)晶體取向的第1中間層介于采取hep的(002)晶體取向的種子層與同樣采取hep的(002)晶體取向的第2中間層之間。由于層疊在中間層上的磁記錄層的晶體取向，大致由中間層的晶體取向來決定，因此該中間層的取向控制性在垂直磁記錄介質(zhì)的制造上極為重要。另外，如果能夠同樣地將中間層的晶粒的平均粒徑控制為微細(xì)，則連續(xù)地成膜于其上的磁記錄層的晶體粒徑也容易繼承其形狀，磁記錄層的晶粒也變得微細(xì)的情況較多。另外，據(jù)說磁記錄層的晶體粒徑越微細(xì)則可使信號與噪聲的強(qiáng)度比(SNR)越大。在此對晶體結(jié)構(gòu)中的晶面進(jìn)行說明。所謂在以往的種子層中常見的「fee結(jié)構(gòu)的(111)晶面」，如圖2所示，為單邊的長度為《^2a/2(a:晶格常數(shù))的正六角形連起的面。在fee晶體之中，該(ill)面是最密面，因此fee晶體在非晶的軟磁性襯里層上(111)晶面擇優(yōu)取向。圖3表示hep結(jié)構(gòu)的(002)晶面的圖像。hep結(jié)構(gòu)的(002)晶面也與fee(111)晶面同樣地，由正六角形連起的面表示。然而，單邊的長度是a。hep(002)晶面也是最密面，容易擇優(yōu)取向，而且，與fee(111)晶面同樣地，由正六角形連起的面表示。fee(111)晶面和hcp(002)晶面都是正六角形，因此fcc(lll)晶面上的hcp(002)晶面，即使膜厚不那么厚也能夠得到高的晶體取向性。過去曾進(jìn)行了通過選擇fee晶體的晶格常數(shù)/"2a/2和hep晶體的晶格常數(shù)a的值相近的材料來更加改善晶體取向的嘗試。然而，為了提高垂直磁記錄介質(zhì)的記錄密度，不僅要改善晶體取向性，而且需要將磁記錄層的晶體粒徑微細(xì)化。在層疊了正六角形彼此的fcc(lll)晶面和hcp(002)晶面的場合，沒有任何障礙地層疊而進(jìn)行結(jié)晶生長，因此取向提高，但難以控制磁性層的晶體粒徑。另一方面，對于hep晶體的種子層而言，通過使用Mg或Ti，相對于作為中間層而一般廣泛使用的Ru的潤濕性差，因此雖然能夠?qū)u的晶體粒徑微細(xì)化，但由于與Ru的晶格常數(shù)的差別大，因此磁性層的晶體取向性容易惡化(參照表1)表1<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>在本發(fā)明中，將作為第1中間層導(dǎo)入的hcc結(jié)構(gòu)的(110)晶面示于圖4，如圖4所見，與迄今顯示的fee(111)晶面和hep(002)晶面不同，對于bcc(110)晶面而言，六邊的長度之中，3個邊是a，其余的3個邊是<^3a/2，晶面未成為正六角形。對于bcc晶體而言，(110)晶面是最密面，因此在作為種子層的hep(002)晶面上也擇優(yōu)取向，但與hep上的hep的情況不同，由不為正六角形所導(dǎo)致的失配有時成為結(jié)晶生長的障礙。然而，該失配有助于晶體粒徑的控制。關(guān)于晶體取向性，可通過取得種子層的hep晶體的晶格常數(shù)與第1中間層的bcc晶體的晶格常數(shù)進(jìn)而與第2中間層的hep晶體的晶格常數(shù)的平衡來改善。具體地講，通過選擇圖3和圖4的六角形的面積取得盡量相近的值那樣的材料，反倒能夠獲得hep/hep層積異常的晶體取向性。由此，層疊在hep(002)晶體取向的第2中間層上的磁記錄層也被控制晶體粒徑，關(guān)于取向性，晶體c軸軸也高效率地相對于基板進(jìn)行垂直取向。作為評價在垂直磁記錄介質(zhì)中磁記錄層的晶體c軸軸是否在與基板垂直的方向盡可能不混亂地排列的方法，可以使用搖擺曲線(rockingcurve)的半值寬。首先，將在基板上成膜出的膜置于X射線衍射裝置中，分析與基板面平行的晶面。通過掃描X射線的入射角，可觀測到與晶面對應(yīng)的衍射峰。使用了Co系合金的垂直磁記錄介質(zhì)的情況下，hep結(jié)構(gòu)的c軸方向進(jìn)行取向使得與基板面垂直，因此將觀測到與(002)面對應(yīng)的峰。接著，在維持衍射該(002)面的布拉格角的狀態(tài)下使光學(xué)系統(tǒng)相對于基板面搖擺。此時，相對于將光學(xué)系統(tǒng)傾斜的角度繪制(002)面的衍射強(qiáng)度時，可以描繪以布拉格角0°為中心的衍射強(qiáng)度曲線。將其稱為搖擺曲線。此時，(002)晶面相對于基板面極好地平行一致的場合，可以得到銳利的形狀的搖擺曲線，但相反地，(002)晶面的方向較寬地分散時，可以得到寬的曲線。于是，將搖擺曲線的半值寬△950作為垂直磁記錄介質(zhì)的晶體取向良否的指標(biāo)使用的情況較多。根據(jù)本發(fā)明，通過由具有hep結(jié)構(gòu)的元素或其合金構(gòu)成的種子層進(jìn)行(002)晶面取向，在其上具有bcc結(jié)構(gòu)的元素或其合金構(gòu)成的第1中間層進(jìn)行(110)晶面取向，而且在該第1中間層上形成由具有進(jìn)行(002)晶面取向的hep結(jié)構(gòu)的元素或其合金構(gòu)成的第2中間層，與只使用具有hep結(jié)構(gòu)的元素的中間層的介質(zhì)相比較，能夠制作A050值小的垂直磁記錄介質(zhì)。第1中間層優(yōu)選以Cr為主成分(優(yōu)選為60原子％以上)。此外可以含有選自Pt、Ir、Pd、Au、Ni、Al、Ag、Cu、Rh,Pb、Co、Fe、Mn、V、Nb、TeuMo、W、B、C、Si.Ga,In、Ti、Zr、Hf、Ru、Re中的至少一種。第1中間層的晶體平均粒徑優(yōu)選為3lOnm的范圍。另外，第1中間層的厚度優(yōu)選為150nm的范圍。第2中間層優(yōu)選是含有Ru或Ru合金的層。Ru合金中的其他成分是Cr、Co、Ti等。該第2中間層的晶體平均粒徑優(yōu)選為310nm的范圍，層的厚度優(yōu)選為515nm的范圍。磁記錄層按照字面意思是實(shí)際進(jìn)行信號記錄的層。作為構(gòu)成磁記錄層的材料的具體例，可舉出CoCr、CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtB-X、CoCrPtB-X-Y、CoCrPt-0、CoCrPt_Si02、CoCrPt-Cr203、CoCrPt_Ti02、CoCrPt_Zr02、CoCrPt_Nb205、CoCrPt_Ta205、CoCrPt_Al203、CoCrPt-B203、CoCrPt-W02、CoCrPt-ff03等的Co系合金薄膜。特別是使用氧化物磁性層的場合，通過氧化物包圍磁性Co晶粒的周圍，并且采取顆粒結(jié)構(gòu)，Co晶粒彼此的磁相互作用減弱，噪聲減少。最終該層的晶體結(jié)構(gòu)和磁性質(zhì)決定記錄再生。為了磁記錄層采取顆粒結(jié)構(gòu)，優(yōu)選提高中間層的成膜氣壓從而在中間層表面上形成凹凸。通過氧化物磁性層的氧化物聚集在中間層表面的凹的部分，從而變成顆粒結(jié)構(gòu)。但是，由于提高氣壓，導(dǎo)致中間層的晶體取向性惡化，并且，有可能表面粗糙度過大，因此優(yōu)選通過在低氣壓下成膜出第1中間層、在高氣壓下成膜出第2中間層，來確保兼具取向性和表面凹凸。以上各層的成膜通常可以使用DC磁控濺射法或RF濺射法。也可以使用RF偏壓、DC偏壓、脈沖DC、脈沖DC偏壓、02氣、H20氣、N2氣、H2氣等。此時的濺射氣體壓力可根據(jù)各個層來適當(dāng)確定以使得特性達(dá)到最佳，但一般控制在0.130Pa左右的范圍?？唇橘|(zhì)的性能來適當(dāng)調(diào)整該氣壓。保護(hù)層是從由于磁頭與介質(zhì)的接觸所導(dǎo)致的損傷來考慮為保護(hù)介質(zhì)而形成的，保護(hù)層的形成可以使用碳膜、3102膜等，但多數(shù)場合使用碳膜。膜的形成可以使用濺射法、等離子體CVD法等，但近年來較多地使用等離子體CVD法。還可以使用磁控等離子體CVD法。膜厚為lnmlOnm左右，優(yōu)選為26nm左右，進(jìn)一步優(yōu)選為24nm。圖5表示使用了上述垂直磁記錄介質(zhì)的垂直磁記錄再生裝置的一例。圖5所示的磁記錄再生裝置具備圖1所示的磁記錄介質(zhì)10、使磁記錄介質(zhì)10旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的介質(zhì)驅(qū)動部11、對磁記錄介質(zhì)10記錄再生信息的磁頭12、使該磁頭12相對于磁記錄介質(zhì)10進(jìn)行相對運(yùn)動的磁頭驅(qū)動部13和記錄再生信號處理系統(tǒng)14從而構(gòu)成。記錄再生信號處理系統(tǒng)14，能夠處理從外部輸入的數(shù)據(jù)，將記錄信號送至磁頭12，處理來自磁頭12的再生信號，將數(shù)據(jù)送至外部。本發(fā)明的磁記錄再生裝置中所用的磁頭12，可以使用不僅具有利用各向異性磁阻效應(yīng)(AMR)的MR(MagnetoResistance)元件，還具有利用巨大磁阻效應(yīng)(GMR)的GMR元件、利用隧道效應(yīng)的TuMR元件等來作為再生元件的、適于更高記錄密度的磁頭。實(shí)施例以下舉出實(shí)施例來具體地說明本發(fā)明。(實(shí)施例1、比較例1)將放置了HD用玻璃基板的真空室預(yù)先進(jìn)行真空排氣至1.OX10_5Pa以下。接著，使用濺射法在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中在該基板上形成50nm厚的軟磁性襯里層CoTa&。在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中分別成膜出7nm厚的hep結(jié)晶的Mg、Ti、Hf、Re來作為種子層(實(shí)施例1-11-4)。分別在氣壓為0.6Pa、12Pa的Ar氣氛中在該種子層上成膜出lOnm厚的bcc結(jié)晶的Cr來作為第1中間層，成膜出lOnm厚的hep結(jié)晶的Ru來作為第2中間層。作為比較例，分別成膜出7nm厚的fee結(jié)晶的Ni、Cu、Pt、hcp結(jié)晶的Mg、Ti、Hf、Re來作為種子層(比較例1-17)。分別在氣壓為0.6Pa、0.6Pa、12Pa的Ar氣氛中在該種子層上成膜出lOnm厚的Ru來作為第1中間層，成膜出lOnm厚的Ru來作為第2中間層。在本實(shí)施例和比較例中，成膜出90(Col0Cr20Pt)-10(Ti02)來作為磁記錄層，形成C膜來作為保護(hù)層，從而制成為垂直磁記錄介質(zhì)。對得到的垂直磁記錄介質(zhì)涂布潤滑劑，使用美國⑶ZIK公司制的讀寫分析器1632以及轉(zhuǎn)臺S1701MP，進(jìn)行了記錄再生特性(高信噪比SNR)的評價。然后，利用Kerr測定裝置進(jìn)行了靜磁特性(矯頑力Hc)的評價。另外，為了調(diào)查垂直磁記錄層的Co晶體的晶體取向性，利用X射線衍射裝置進(jìn)行了磁性層的搖擺曲線(A050)的測定。而且，使用透射型電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行了磁記錄層的Co晶體粒徑測定。對于實(shí)施例和比較例，求出高信噪比SNR、矯頑力Hc、A650、Co平均晶體粒徑。將結(jié)果示于表2。任一個參數(shù)都是在評價垂直磁記錄介質(zhì)性能的場合被廣泛使用的指標(biāo)。表2試樣種子層(結(jié)構(gòu))第1中間層(結(jié)構(gòu))第2中間層(結(jié)構(gòu))SNR(dB)He(Oe)」05O(deg.)Co晶體的平<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>如表2所示，如實(shí)施例那樣的hcp/bcc/hcp的構(gòu)成，與比較例的fcc/hcp/hcp構(gòu)成進(jìn)行比較，晶體取向性為同等以上，磁記錄層的Co晶體粒徑已微細(xì)化，由此可看到SNR改善。另外，與比較例的hcp/hcp/hcp構(gòu)成比較，晶體粒徑大致同等，晶體取向性已改善，由此可看到SNR改善。(實(shí)施例2、比較例2)與實(shí)施例1同樣地在玻璃基板上成膜出軟磁性層，在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中成膜出lOnm厚的hep結(jié)晶的Mg來作為種子層。在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中分別成膜出10nm厚的Cr、CrlOV、CrlOff,CrlOMn、CrlORu、Cr30V、Cr30W、Cr30Mn、Cr30Ru來作為第1中間層(實(shí)施例2-12-9)。作為比較例，在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中分別成膜出lOnm厚的Cr50V、Cr50W、Cr50Mn、Cr50Ru、Cr70V、Cr70W、Cr70Mn、Cr70Ru來作為第1中間層(比較例2-12-8)。在上述膜組成中，「CrlOV」意指V為10原子％，其余(90原子％)為Cr。其他的組成也同樣。接著，與實(shí)施例1同樣地在試樣的表面上成膜出作為磁記錄層的CoCrPt-Ti02、作為保護(hù)層的C膜，從而這制成為垂直磁記錄介質(zhì)。分別測定了高信噪比SNR、矯頑力Hc、A050。將結(jié)果示于表3。表310<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由表3可知，第1中間層的合金組成的Cr的比例為50(at%)以下時，晶體取向性惡化，SNR惡化。(實(shí)施例3、比較例3)與實(shí)施例1、2同樣地在玻璃基板上成膜出軟磁性層。與實(shí)施例1同樣地在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中成膜出7nm厚的Mg、Ti、Hf、Re來作為種子層(實(shí)施例3_13-4)。作為比較例，在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中成膜出7nm厚的分別添加了20原子％的Ni和Nb的層來作為種子層(比較例3-13-8)。分別在氣壓為0.6Pa、10Pa的Ar氣氛中成膜出10nm厚的具有bcc結(jié)構(gòu)的Crl5Mo來作為第1中間層，在第1中間層上成膜出lOnm厚的Ru來作為第2中間層。接著，在這些試樣的表面上成膜出作為磁記錄層的93(Col3Crl3Pt)_7(W02)、作為保護(hù)層的C膜，從而制成為磁記錄介質(zhì)。根據(jù)各自的測定，測定了高信噪比SNR、矯頑力He、A650。結(jié)果示于表4。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>如表4所示，當(dāng)在hep結(jié)晶的種子層上添加了Ni或Nb從而hep結(jié)晶性破壞時，Co晶粒的取向性惡化，SNR相對于實(shí)施例降低ldB以上。認(rèn)為是因為當(dāng)種子層不是hep結(jié)構(gòu)時其上面的第1中間層的bcc(lio)晶體取向性惡化的緣故。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在垂直磁性層的晶體結(jié)構(gòu)尤其是hep結(jié)構(gòu)的晶體c軸相對于基板面角度分散極小的狀態(tài)下進(jìn)行取向，并且構(gòu)成垂直磁性層的晶粒的平均粒徑極微細(xì)，顯示出優(yōu)異的高記錄密度特性。充分利用上述特性，本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)能夠在磁盤裝置等的磁記錄再生裝置等中應(yīng)用。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，也可在期待今后進(jìn)一步提高記錄密度的ECC介質(zhì)、離散磁道介質(zhì)、圖案介質(zhì)之類的新的垂直記錄介質(zhì)中應(yīng)用。本發(fā)明中表示數(shù)值范圍的“以上”和“以下”均包括本數(shù)。權(quán)利要求一種磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上至少依次含有襯里層、種子層、中間層和垂直磁記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述種子層是hcp結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)?，所述中間層依次包含由bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第1中間層和由hcp結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第2中間層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成所述襯里層的軟磁性膜為非晶結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述種子層是含有Mg、Ti、Zr,Hf,Y、Ru、Re、Os或Zn作為主成分的hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)印?.根據(jù)權(quán)利要求13的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)雍?0原子％以上的Cr。5.根據(jù)權(quán)利要求14的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)雍蠧r作為主成分，而且含有選自Pt、Ir、Pd、Au、Ni、Al、Ag、Cu、Rh、Pb、Co、Fe、Mn、V、Nb、Ta、Mo、W、B、C、Si、Ga、In、Ti、Zr、Hf、Ru、Re中的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求15的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)佑善骄綖?nmIOnm的范圍內(nèi)的晶體粒子構(gòu)成。7.根據(jù)權(quán)利要求16的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第1中間層的bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)拥哪ず駷镮nm50nm的范圍內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求17的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成第2中間層的hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)邮呛蠷u或Ru合金的層。9.根據(jù)權(quán)利要求18的任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述垂直磁記錄層的至少一層采取由鐵磁性層的晶粒和非磁性的氧化物晶界構(gòu)成的顆粒結(jié)構(gòu)。10.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是采用濺射法制造在非磁性基板上至少依次含有襯里層、種子層、中間層和垂直磁記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)的方法，其特征在于，作為hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)觼硇纬伤龇N子層，而且，依次形成由bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第1中間層和由hep結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第2中間層來作為所述中間層。11.一種磁記錄再生裝置，是具有磁記錄介質(zhì)和對該磁記錄介質(zhì)記錄再生信息的磁頭的磁記錄再生裝置，其特征在于，磁記錄介質(zhì)是權(quán)利要求19的任一項所述的磁記錄介質(zhì)。全文摘要一種磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上至少依次含有襯里層、種子層、中間層和垂直磁記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述種子層是hcp結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)樱⑶?，所述中間層依次包含由bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第1中間層和由hcp結(jié)構(gòu)的(002)晶體取向?qū)訕?gòu)成的第2中間層。另外，所述bcc結(jié)構(gòu)的(110)晶體取向?qū)觾?yōu)選是含有60原子％以上的Cr的結(jié)構(gòu)。該磁記錄介質(zhì)，通過兼具垂直磁記錄層的晶體粒徑的分離，晶體粒徑的微細(xì)化和垂直取向性而具有能夠記錄再生高密度信息的特性。文檔編號G11B5/65GK101809660SQ200880109310公開日2010年8月18日申請日期2008年7月25日優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日發(fā)明者佐々木有三,小松田辰,橋本篤志,黑川剛平申請人:昭和電工株式會社