專利名稱：降低存儲器在自我刷新模式中的電流的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于降低存儲器在自我刷新模式中的電流的方法，尤指一種用
以降低動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在自我刷新模式中的電流的方法。
背景技術(shù)：
請參考圖1,圖1所繪示的是為動態(tài)隨機存取存儲器中(未顯示)的局部字 元線驅(qū)動電路100的示意圖，如圖1所示，局部字元線驅(qū)動電路100包含有晶 體管P2、 N3、 N4,其中Vpp、 Vlow與Vr均為電壓源，并且局部字元線驅(qū)動電 路100是耦接于一字元線WL。在現(xiàn)有技術(shù)中，電壓源Vpp的初始電壓準位為3 伏特，電壓源Vlow的初始電壓準位為-0.6伏特，電壓源Vr的初始電壓準位為 1.8伏特。
在該動態(tài)隨機存取存儲器進入一自我刷新模式之后，晶體管P2的柵極與漏 極之間的電壓差仍然會一直維持在3.6伏特，亦即電壓源Vpp的電壓準位會一 直維持在3伏特，并且電壓源Vlow的電壓準位會一直維持在-0.6伏特，因此在 現(xiàn)有技術(shù)中會有柵極誘發(fā)的漏極漏電流(gate induced drain leakage, GIDL )以 致自我刷新電流過大的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的的一在于提供一種可以降低一存儲器在一自我刷 新模式中的電流的方法，以解決上述的問題。
本發(fā)明提出了一種降低一存儲器在一自我刷新模式中的電流的方法，該存 儲器包含有一字元線驅(qū)動電路(word line driver)，該字元線驅(qū)動電路包含有一 晶體管，該晶體管包含有一控制端、 一第一端耦接一字元線與一第二端，該方 法包含有在該存儲器進入該自我刷新模式之后于一自我刷新操作時段中， 控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于一第一數(shù)值；以及于一非自我刷 新操作時段中，控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于小于該第一數(shù)值
的一第二數(shù)值。
本發(fā)明的有益效果在于通過讓該動態(tài)隨機存取存儲器在進入該自我刷新 模式之后，可以于非自我刷新操作的時段中將局部字元線驅(qū)動電路100中的晶 體管P2的柵極與漏極之間的電壓差變小，可以大幅地減少柵極誘發(fā)的漏極漏電 流(gate induced drain leakage, GIDL )，進而降4氐該動態(tài)隨才幾存取存儲器的自 我刷新電流量。
圖1所繪示的為一動態(tài)隨機存取存儲器中(未顯示)的局部字元線驅(qū)動電 路100的示意圖2所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的第一實施例的一種降低該動態(tài)隨機存取存儲 器在該自我刷新模式中的電流的方法的示意圖3所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的第二實施例的一種降低該動態(tài)隨機存取存儲 器在該自我刷新模式中的電流的方法的示意圖4所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的第三實施例的一種降低該動態(tài)隨機存取存儲 器在該自我刷新模式中的電流的方法的示意圖。
附圖標記說明100-局部字元線驅(qū)動電路；P2、 N3、 N4-晶體管。
具體實施例方式
本發(fā)明是有關(guān)于可以降低動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在自我刷新模式 中的電流的方法，而本說明書將會描述一些關(guān)于應(yīng)用本發(fā)明的方法的實施例， 但在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)該了解到本發(fā)明可以應(yīng)用于各種類型的 存儲器中，并不局限于以下的說明中所提供的特定實施例或是實現(xiàn)這些特定實 施例的技術(shù)特征的特定方法。
一般而言，本發(fā)明方法可以應(yīng)用于任何種類的存儲器，在本說明書中是揭 露一種應(yīng)用于動態(tài)隨機存取存儲器中的方法，但這只是用于舉例說明，本發(fā)明 的范圍不限于此，此外，在不影響本發(fā)明技術(shù)揭露的狀況下，在本說明書中將 利用包含有一局部字元線驅(qū)動電路(local word line driver)的一動態(tài)隨才幾存取存 儲器作為一個例子來說明本發(fā)明方法的操作原理。
請再參考圖1,圖1所繪示的是為一動態(tài)隨機存取存儲器中(未顯示)的局 部字元線驅(qū)動電路100的示意圖，如圖1所示，局部字元線驅(qū)動電路100包含
有晶體管P2、 N3、 N4，其中Vpp、 VIow與Vr均為電壓源，在本實施例中，電 壓源Vpp的初始電壓準位為3伏特，電壓源Vlow的初始電壓準位為-0.6伏特， 以及電壓源Vr的初始電壓準位為1.8伏特。
在該動態(tài)隨機存取存儲器進入一自我刷新模式之后，本發(fā)明的方法會在一 自我刷新操作的時段中，控制晶體管P2的柵極(控制端)與漏極之間的電壓差 對應(yīng)于一第一數(shù)值，例如3.6伏特，亦即使電壓源Vpp的電壓準位維持在3伏 特，并且使電壓源Vlow的電壓準位維持在-0.6伏特；以及在一非自我刷新操作 時段中，控制晶體管P2的柵極與漏極之間的電壓差為對應(yīng)于小于第一數(shù)值的一 第二數(shù)值，例如3.3伏特，亦即使電壓源Vpp與電壓源Vlow之間的電壓差從 3.6伏特降低為3.3伏特。
請參考圖2，圖2所繪示的是為依據(jù)本發(fā)明的一第一實施例的一種降低該動 態(tài)隨機存取存儲器在該自我刷新模式中的電流的方法的示意圖，如圖2所示， 在該動態(tài)隨機存取存儲器進入該自我刷新模式之后，本發(fā)明第 一 實施例的方法 會在非自我刷新操作的時段中，逐漸降低電壓源Vpp的電壓準位到2.8伏特， 以及逐漸提高電壓源Vlow的電壓準位到-0.5伏特，然而，在此請注意，以上所 述的實施例僅為舉例說明，并非本發(fā)明的限制條件。
請參考圖3，圖3所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的一第二實施例的一種降低該動態(tài) 隨機存取存儲器在該自我刷新模式中的電流的方法的示意圖，如圖3所示，在 該動態(tài)隨機存取存儲器進入該自我刷新模式之后，本發(fā)明第二實施例的方法會 在非自我刷新操作的時段中，逐漸降低電壓源Vpp的電壓準位到2.7伏特，以 及使電壓源Vlow的電壓準位維持在-0.6伏特，然而，在此請注意，以上所述的 實施例僅為舉例說明，并非本發(fā)明的限制條件。
請參考圖4,圖4所繪示的是為依據(jù)本發(fā)明的一第三實施例的一種降低該動 態(tài)隨機存取存儲器在該自我刷新模式中的電流的方法的示意圖，如圖4所示， 在該動態(tài)隨機存取存儲器進入該自我刷新模式之后，本發(fā)明第三實施例的方法 會在非自我刷新操作的時段中，使電壓源Vpp的電壓準位維持在3伏特，以及 逐漸提高電壓源Vlow的電壓準位到-0.3伏特，然而，在此請注意，以上所述的 實施例僅為舉例說明，并非本發(fā)明的限制條件。
綜上所述，由于本發(fā)明所揭露的方法讓該動態(tài)隨機存取存儲器在進入該自 我刷新模式之后，可以于非自我刷新操作的時段中將局部字元線驅(qū)動電路100 中的晶體管P2的柵極與漏極之間的電壓差變小，因此可以大幅地減少柵極誘發(fā)
的漏極漏電流(gate induced drain leakage, GIDL ),所以可以降低該動態(tài)隨機 存取存儲器的自我刷新電流量。
以上對本發(fā)明的描述是說明性的，而非限制性的，本專業(yè)技術(shù)人員理解， 在權(quán)利要求限定的精神與范圍之內(nèi)可對其進行許多修改、變化或等效，但是它 們都將落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種降低存儲器在自我刷新模式中的電流的方法，該存儲器包含有一字元線驅(qū)動電路，該字元線驅(qū)動電路包含有一晶體管，該晶體管包含有一控制端、一第一端以及一耦接于一字元線的第二端，該方法包括以下步驟:在該存儲器進入該自我刷新模式之后:在自我刷新操作時段中，控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于一第一數(shù)值；以及于一非自我刷新操作時段中，控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于小于該第一數(shù)值的一第二數(shù)值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，控制該控制端與該第二端之 間的電壓差對應(yīng)于小于該第一數(shù)值的該第二數(shù)值的步驟包含有降低該晶體管的該控制端的電壓準位；以及 使該晶體管的該第二端的電壓準位維持不變。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于小于該第一數(shù)值的該第二數(shù)值的步驟包含有 提高該晶體管的該第二端的電壓準位；以及使該晶體管的該控制端的電壓準位維持不變。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，控制該控制端與該第二端之 間的電壓差對應(yīng)于小于該第一數(shù)值的該第二數(shù)值的步驟包含有降低該晶體管的該控制端的電壓準位；以及 提高該晶體管的該第二端的電壓準位。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種降低一存儲器在自我刷新模式中的電流的方法，該存儲器包含有一字元線驅(qū)動電路，該字元線驅(qū)動電路包含有一晶體管，該晶體管包含有一控制端、一第一端耦接于一字元線與一第二端，該方法包含有在該存儲器進入該自我刷新模式之后于一自我刷新操作時段中，控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于一第一數(shù)值；以及于一非自我刷新操作時段中，控制該控制端與該第二端之間的電壓差對應(yīng)于小于該第一數(shù)值的一第二數(shù)值。
文檔編號G11C11/4063GK101377951SQ200810149369
公開日2009年3月4日 申請日期2008年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月23日
發(fā)明者袁德銘 申請人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司