偶氮金屬螯合色素以及光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法

專利名稱：偶氮金屬螯合色素以及光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及反射率較高的偶氮金屬螯合色素以及將其用于記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，更詳細(xì)的是，涉及適用于可高速記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)、或具有多層記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的偶氮金屬螯合色素以及光學(xué)記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)：
近年來，伴隨著計(jì)算機(jī)的高速化、硬盤容量的增大，可處理的數(shù)據(jù)的大小增加起來。為了應(yīng)對(duì)此種情況，人們開發(fā)了作為大容量記錄介質(zhì)的DVD-R。作為用于DVD-R記錄層的色素，提出了花青苷系、金屬螯合系色素等各種物質(zhì)。有很多被提出的光學(xué)記錄介質(zhì)中，使用了這些色素中耐光性、耐久性等記錄特性優(yōu)異的金屬螯合色素(參照專利文獻(xiàn)1～專利文獻(xiàn)3)。
此外，最近伴隨數(shù)據(jù)量的進(jìn)一步增加，用于在光學(xué)記錄介質(zhì)(以下有時(shí)記做“磁盤”或“光盤”)上記錄信息的記錄速度的高速化正受到重視。例如，DVD-R的一般的記錄速度為約3.5m/s(以下有時(shí)稱作1X)，但也有人提出了可進(jìn)行相當(dāng)于該速度的8倍的約28m/s(以下有時(shí)稱作8X)的速度記錄信息的光學(xué)記錄介質(zhì)(參照專利文獻(xiàn)4)。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開平3-268994號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2日本專利特開平11-166125號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3日本專利特開2000-309722號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4日本專利特開2005-120350號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明欲解決的課題 此種記錄速度的高速化，人們要求具備更高的性能，要求可進(jìn)行相當(dāng)于1X的12倍的約42m/s(以下有時(shí)稱作12X)、或相當(dāng)于1X的16倍的約56m/s(以下有時(shí)稱作16X)的速度記錄信息的光學(xué)記錄介質(zhì)。但是，在以如此高速進(jìn)行記錄時(shí)，記錄所使用的光的照射量(激光時(shí)的激光功率)會(huì)相對(duì)下降。因此，要求即使在較弱的激光功率下也能進(jìn)行記錄的色素。
另一方面，作為光學(xué)記錄介質(zhì)的高容量化的手段，提出了具備2層以上記錄層的多層記錄介質(zhì)。單面具有多層記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的情況，用于記錄·讀取的光從單面入射，但在距離入射面較遠(yuǎn)位置的記錄層，所照射的激光功率較低。因此，在多層記錄介質(zhì)中，也要求可在較弱激光功率下記錄的色素。
但是，現(xiàn)狀是尚未清楚充分滿足上述要求的色素。
鑒于上述課題，本發(fā)明的目的是提供一種偶氮金屬螯合色素以及使用該色素的光學(xué)記錄介質(zhì)，所述偶氮金屬螯合色素可以適用于可進(jìn)行12X或16X的高速記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)或具有2層以上記錄層的多層記錄介質(zhì)的記錄層。
解決課題的方法 本發(fā)明人們?yōu)榱私鉀Q上述課題，以獲得具有高靈敏度且高反射率特性的偶氮金屬螯合色素為目標(biāo)。具體地，發(fā)現(xiàn)通過達(dá)成適于高速記錄的偶氮金屬螯合色素的偶氮配位基和金屬的最佳化、吸收波長(zhǎng)的長(zhǎng)波長(zhǎng)化、記錄波長(zhǎng)下的高折射率化，從而解決上述課題，完成了本發(fā)明。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，提供一種偶氮金屬螯合色素，其特征在于，包含下述通式(1)所示的偶氮系色素化合物和Zn2+。
[化1]
(通式(1)中，R1為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基。Y是用至少2個(gè)氟原子取代的直鏈或含支鏈的烷基。R2、R3、R4、R5及R6各自獨(dú)立，是氫原子或是可取代的直鏈或含支鏈的烷基。R3和R4、R4和R5、R5和R6也可以互相結(jié)合成環(huán)。上述式(1)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子。) 此外，根據(jù)本發(fā)明，可提供一種偶氮金屬螯合色素，其特征在于，包含下述通式(2)所示的偶氮系色素化合物和Zn2+。
[化2]
(通式(2)中，R11為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基。R12為可取代的直鏈或含支鏈的烷基。R13～R18各自獨(dú)立，表示氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基。上述式(2)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子。) 此外，上述通式(2)所示的偶氮系色素化合物優(yōu)選R12為直鏈或含支鏈的烷基、R13～R18各自獨(dú)立，為氫原子或甲基。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，具有記錄層，所述記錄層含有偶氮金屬螯合色素，所述偶氮金屬螯合色素包含上述通式(1)或通式(2)所示的偶氮系色素化合物和Zn2+。
這里，本發(fā)明所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)優(yōu)選具有2個(gè)以上的記錄層，至少1個(gè)記錄層含有偶氮金屬螯合色素，所述偶氮金屬螯合色素包含通式(1)或通式(2)所示的偶氮系色素化合物和Zn2+。
此外，光記錄介質(zhì)優(yōu)選可進(jìn)行12倍速以上的記錄。
發(fā)明的效果 根據(jù)本發(fā)明，提供適用于可高速記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)或具有多層記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的偶氮金屬螯合色素以及光學(xué)記錄介質(zhì)。

具體實(shí)施例方式 以下，詳細(xì)說明用于實(shí)施本發(fā)明的最佳方式(以下稱為發(fā)明的實(shí)施方式)。只是，本發(fā)明不局限于以下實(shí)施方式，可在其要點(diǎn)的范圍內(nèi)進(jìn)行種種變形。本發(fā)明中的光學(xué)記錄介質(zhì)有時(shí)記作“磁盤”或“光盤”。
以下，說明本實(shí)施方式中適用的偶氮金屬螯合色素。
本實(shí)施方式中適用的偶氮金屬螯合色素通過下述通式(1)所示的偶氮系色素化合物和Zn2+螯合結(jié)合而形成。
通式(1)所示的偶氮系色素化合物是，以1，3，4-噻二唑環(huán)為重氮成分，至少具備氟取代烷基磺酰氨基和氨基的偶合劑(カツプラ一)成分結(jié)合而形成。記錄層中含有此種結(jié)構(gòu)的偶氮金屬螯合色素的光學(xué)記錄介質(zhì)的耐光性、耐氣候性優(yōu)異。
此外，通過上述重氮成分的1，3，4-噻二唑環(huán)被酯基取代，可提高記錄介質(zhì)的反射率。這是因?yàn)橐腚娮用芏容^高的酯基，可以提高光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的折射率。加上吸收波長(zhǎng)長(zhǎng)波長(zhǎng)化，增大了記錄波長(zhǎng)下的吸收，提高了靈敏度。
[化3]
(式中，R1為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基。Y是用至少2個(gè)氟原子取代的直鏈或含支鏈的烷基。R2、R3、R4、R5和R6各自獨(dú)立，為氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基。R3和R4、R4和R5、R5和R6也可以互相結(jié)合成環(huán)。上述式(1)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子。) 通式(1)中，R1為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基。作為R1，優(yōu)選例如，未取代的直鏈或含支鏈的烷基、或未取代的環(huán)烷基、被氟取代的直鏈或含支鏈的烷基、被烷氧基取代的直鏈或含支鏈的烷基。作為R1，特別優(yōu)選例如，乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、仲丁基等碳原子數(shù)1以上、4以下的直鏈或含支鏈的烷基；環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基等碳原子數(shù)3～碳原子數(shù)8的環(huán)烷基。
從空間阻礙較小的理由來看，特別優(yōu)選甲基、乙基等碳原子數(shù)1～碳原子數(shù)2的直鏈烷基；環(huán)戊基、環(huán)己基等碳原子數(shù)3～碳原子數(shù)6的環(huán)烷基。
作為R1的烷基或環(huán)烷基的取代基，除鹵素原子外，還可舉出含有氧、氮、硫等典型元素的取代基等，但優(yōu)選無取代。
作為通式(1)中的1，3，4-噻二唑環(huán)被CO2R1取代的重氮成分的具體的化合物，可舉出下述結(jié)構(gòu)的優(yōu)選例。
[化4]
通式(1)中的偶合劑成分的苯環(huán)被NHSO2Y取代。此處，Y是被至少2個(gè)氟原子取代的直鏈或含支鏈的烷基。作為烷基，更優(yōu)選碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)6的直鏈或含支鏈的烷基。Y更優(yōu)選碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)3的直鏈烷基。而且，被取代的氟原子的數(shù)量一般在2個(gè)以上，另一方面，通常在7個(gè)以下，優(yōu)選5個(gè)以下，更優(yōu)選3個(gè)以下。作為Y，具體可舉出有，二氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、五氟丙基、2，2，2-三氟乙基、3，3，3-三氟丙基等。作為Y，特別優(yōu)選三氟甲基、2，2，2-三氟乙基。
R2、R3、R4、R5以及R6各自獨(dú)立，為氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基。
作為R2、R3、R4、R5以及R6，可舉出例如，氫原子；甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基等的碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)6的直鏈烷基；異丙基、仲丁基、異丁基、叔丁基、2-乙基己基、環(huán)丙基、環(huán)己基甲基等碳原子數(shù)3至碳原子數(shù)8的支鏈烷基。
作為直鏈或含支鏈的烷基的取代基，可舉出鹵素原子、烷氧基、烷氧基羰基、烷基羰氧基、烷基羰基、二烷基氨基、乙烯基等，例如，氟、氯、溴、碘等的鹵素原子；甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、環(huán)丙氧基、環(huán)己基甲氧基、2-乙基己氧基等碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)8的烷氧基；甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、異丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊氧基羰基、環(huán)丙氧基羰基、環(huán)己基甲氧基羰基、2-乙基己氧基羰基等的碳原子數(shù)2至碳原子數(shù)9的烷氧基羰基；甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、異丙基羰氧基、正丁基羰氧基、異丁基羰氧基、仲丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、正戊基羰氧基、環(huán)丙基羰氧基、環(huán)己基甲基羰氧基、2-乙基己基羰氧基等的碳原子數(shù)2至9的烷基羰氧基；乙?；⒈；?、丁?；?、異丁?；⑽祯；愇祯；?-甲基丁?；⑷谆阴；?、己酰基、環(huán)丙基羰基、環(huán)己基甲基羰基、2-乙基己基羰基等的碳原子數(shù)2至9的烷基羰基；二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二異丙基氨基、二丁基氨基、二異丁基氨基、二-叔丁基氨基、二己基氨基、乙基甲基氨基、丁基戊基氨基等的碳原子數(shù)2至16的二烷基氨基等。
作為R2、R3、R4、R5以及R6，優(yōu)選氫原子、碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)6的直鏈烷基、烯丙基，更優(yōu)選氫原子、碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)2的烷基。優(yōu)選上述烷基無取代。
此外，R3和R4、R4和R5、R5和R6也可以各自互相結(jié)合成環(huán)。形成的環(huán)并無限定，可舉出例如，飽和或不飽和的3元環(huán)至8元環(huán)的碳環(huán)或雜環(huán)。作為優(yōu)選的環(huán)，可舉出如下飽和環(huán)，即R3和R4或R4和R5互相結(jié)合形成5元環(huán)至7元環(huán)，除通式(1)所示的氮原子以外全部由碳形成的飽和環(huán)。所形成的環(huán)也可具有取代基。最優(yōu)選的是，R3和R4互相結(jié)合形成5元環(huán)至7元環(huán)、除通式(1)所示的氮原子以外全部由碳形成的飽和環(huán)，是無取代或被1至3個(gè)甲基取代的情況。
通式(1)所示的偶氮系色素化合物中，作為優(yōu)選的化合物，可舉出下述通式(2)所示的化合物。
[化5]
(式中，R11為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基。R12為可取代的直鏈或含支鏈的烷基。R13～R18各自獨(dú)立，表示氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基。通式(2)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子。) 通式(2)中，R11為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基，具體與上述通式(1)的R1相同。
R12為可取代的直鏈或含支鏈的烷基。作為R12，可舉出例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等的碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)6的直鏈烷基；異丙基、仲丁基、異丁基、叔丁基、2-乙基己基、環(huán)丙基、環(huán)己基甲基等的碳原子數(shù)3至碳原子數(shù)8的支鏈烷基等。
這些烷基還可被取代。作為取代基，可舉出鹵素原子、烷氧基、烷氧基羰基、烷基羰氧基、烷基羰基、二烷基氨基等，例如，氟、氯、溴、碘等的鹵素原子；甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、環(huán)丙氧基、環(huán)己基甲氧基、2-乙基己氧基的等碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)8的烷氧基；甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、異丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊氧基羰基、環(huán)丙氧基羰基、環(huán)己基甲氧基羰基、2-乙基己氧羰基等碳原子數(shù)2至碳原子數(shù)9的烷氧基羰基；甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、異丙基羰氧基、正丁基羰氧基、異丁基羰氧基、仲丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、正戊基羰氧基、環(huán)丙基羰氧基、環(huán)己基甲基羰氧基、2-乙基己基羰氧基等的碳原子數(shù)2至碳原子數(shù)9的烷基羰氧基；乙酰基、丙?；?、丁?；惗□；⑽祯；?、異戊酰基、2-甲基丁?；?、三甲基乙?；⒓乎；?、環(huán)丙基羰基、環(huán)己基甲基羰基、2-乙基己基羰基等的碳原子數(shù)2至碳原子數(shù)9的烷基羰基；二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二異丙基氨基、二丁基氨基、二異丁基氨基、二-叔丁基氨基、二己基氨基、乙基甲基氨基、丁基戊基氨基等的碳原子數(shù)2至碳原子數(shù)16的二烷基氨基等。
其中，作為R12，優(yōu)選無取代的直鏈或含支鏈的烷基、碳原子數(shù)1至碳原子數(shù)6的無取代的直鏈烷基、或碳原子數(shù)3至碳原子數(shù)8的無取代的含支鏈烷基。使用無取代的直鏈烷基時(shí)，碳原子數(shù)優(yōu)選5以下，更優(yōu)選4以下。此外，R12的總碳原子數(shù)優(yōu)選7以下，更優(yōu)選6以下，進(jìn)一步優(yōu)選5以下，特別優(yōu)選4以下。作為R12特別優(yōu)選甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基。
R13、R14、R15、R16、R17及R18各自獨(dú)立，表示氫原子、或可取代的直鏈或含支鏈的烷基。作為直鏈或含支鏈的烷基，優(yōu)選碳原子數(shù)1～碳原子數(shù)6的烷基，特別優(yōu)選碳原子數(shù)1或碳原子數(shù)2的烷基。R13、R14、R15、R16、R17及R18為碳原子數(shù)1～碳原子數(shù)2的烷基時(shí)，與碳原子結(jié)合的氫原子可以被其他取代基(例如鹵素原子)取代，但優(yōu)選是無取代的烷基，可舉出甲基、乙基。從容易合成和立體結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)來看，作為R13、R14、R15、R16、R17及R18最優(yōu)選的是氫原子。
作為通式(1)表示的偶氮系色素化合物的分子量，通常在2,000以下。其中，由于對(duì)于溶劑的溶解度增大、還可以得到耐光性、耐氣候性、高反射率性優(yōu)異的色素，因此優(yōu)選分子量1,500以下的偶氮系色素化合物。通式(1)所表示的偶氮系色素化合物中，作為化合物的具體例子，可舉出下述(化6～化34)的物質(zhì)。
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化26]
[化27]
[化28]
[化29]
[化30]
[化31]
[化32]
[化33]
[化34]
對(duì)于偶氮金屬螯合色素，并沒有化學(xué)結(jié)構(gòu)以外的限制。但基于今后越來越需要的可用于通過短波長(zhǎng)的激光進(jìn)行記錄讀取的光學(xué)記錄介質(zhì)，更優(yōu)選測(cè)定色素單層膜時(shí)在波長(zhǎng)700nm以下具有吸收峰的色素，更加優(yōu)選在波長(zhǎng)650～500nm具有吸收峰的色素。
本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素中，與通式(1)所示的偶氮系色素化合形成螯合物的金屬離子為Zn2+。
過去，用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的偶氮金屬螯合色素，作為金屬主要一直使用Ni。由于Ni為6配位8面體的配位化合物結(jié)構(gòu)，因此與具有3構(gòu)象的2個(gè)偶氮配位基形成穩(wěn)定的化合物。另一方面，本發(fā)明中的特征是使用Zn。已知Zn為4配位平面結(jié)構(gòu)的配位化合物，與本發(fā)明中使用的偶氮配位基組合的話，會(huì)以2個(gè)偶氮配位座剩余的形態(tài)形成配位化合物。這樣，由于變成較之于傳統(tǒng)的偶氮Ni配位化合物穩(wěn)定性欠缺的結(jié)構(gòu)，結(jié)果是可用作高靈敏度的記錄層用的材料。
作為形成本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素的方法，可舉出在溶劑中混合配位基和鋅鹽的方法。形成其螯合物時(shí)，上述式(1)或(2)所示的偶氮系色素化合物，為了與Zn2+形成螯合物而脫離質(zhì)子。脫離的質(zhì)子可以是該偶氮系色素化合物的結(jié)構(gòu)中的任意的質(zhì)子，但優(yōu)選酰胺部位的氫原子。根據(jù)需要，也可以使用胺或醇鹽等的堿基以促進(jìn)質(zhì)子的脫離。
以下說明光學(xué)記錄介質(zhì)。
本實(shí)施方式所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)，在記錄層含有偶氮金屬螯合色素，所述偶氮金屬螯合色素包含通式(1)所示的偶氮系色素化合物與Zn2+。光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)成并無限定，但通常具有基板，根據(jù)需要，也可以是設(shè)置了底襯層、金屬反射層、保護(hù)層等的層結(jié)構(gòu)。作為優(yōu)選的層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，可舉出基板上設(shè)置有記錄層、金屬反射層以及保護(hù)層的光學(xué)記錄介質(zhì)。
以下，以具有此種層結(jié)構(gòu)構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)為例，說明本實(shí)施方式所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)。
作為本實(shí)施方式所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)中的基板的材料，基本上只要在記錄光及讀取光的波長(zhǎng)下透明即可。例如可利用聚碳酸酯樹脂、氯乙烯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯等的丙烯酸樹脂、聚苯乙烯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、醋酸乙烯基酯樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、非晶質(zhì)聚烯烴等的高分子材料或玻璃等的無機(jī)材料。基于高生產(chǎn)率、成本、耐吸濕性等的觀點(diǎn)，優(yōu)選使用聚碳酸酯樹脂。
這些基板的材料可通過注射模塑成型法等成型為圓盤狀的基板。此外，根據(jù)需要，也可在基板表面形成導(dǎo)向槽或凹痕。此種導(dǎo)向槽或凹痕優(yōu)選在基板成型時(shí)賦予，但也可以在基板上使用紫外線固化樹脂層而賦予。導(dǎo)向槽為螺旋狀時(shí)，該槽間距優(yōu)選0.4μm以上、1.2μm以下左右，特別優(yōu)選0.6μm以上、0.9μm以下左右。
槽深以AFM(原子間力顯微鏡)測(cè)定值為一般100nm以上、200nm以下，特別是為了可以在低速的1X至高速的8X、進(jìn)而12X和16X范圍內(nèi)進(jìn)行記錄，槽深優(yōu)選150nm以上、180nm以下左右。槽深大于上述的下限值時(shí)，低速時(shí)易出現(xiàn)調(diào)制度，槽深小于上述的上限值時(shí)，容易確保充分的反射率。
槽寬以AFM(原子間力顯微鏡)測(cè)定值為一般0.20μm以上、0.40μm以下。用于高速記錄時(shí)，槽寬更優(yōu)選0.28μm以上、0.35μm以下。槽寬大于上述的下限值時(shí)，容易充分地得到推挽信號(hào)振幅。此外，基板的變形對(duì)記錄信號(hào)振幅的影響很大。因此，槽寬大于上述下限值時(shí)，在8X以上、甚至12X、16X的高速記錄時(shí)，可抑制熱干涉的影響，容易得到良好的抖動(dòng)(jitter)。另外，記錄功率界限變寬，對(duì)于激光功率變動(dòng)的容許值變大等，記錄特性和記錄條件變好。槽寬小于上述的上限值時(shí)，在1X等的低速記錄中，可抑制記錄標(biāo)記內(nèi)的熱干涉，易得到良好的抖動(dòng)值。
本實(shí)施方式中所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)中，可記錄地址信息、介質(zhì)種類的信息、記錄脈沖條件以及最佳記錄功率等的信息。作為記錄這些信息的形態(tài)，使用例如DVD-R、DVD+R的規(guī)格書所記載的LPP和ADIP的格式等即可。
本實(shí)施方式中所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在基板上，或根據(jù)需要設(shè)置的底襯層等之上，形成含有上述的偶氮金屬螯合色素的記錄層。含有此種偶氮金屬螯合色素的記錄層需要具有高靈敏度且高反射率，而含有本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素的記錄層就能滿足這種需求。特別是可以實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行12X、16X的高速記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)和后述的具有2個(gè)以上記錄層的多層介質(zhì)。
過去，為了實(shí)現(xiàn)可對(duì)應(yīng)高速記錄的記錄層(使色素高靈敏度化)，會(huì)通過令吸收波長(zhǎng)長(zhǎng)波長(zhǎng)化來增加記錄波長(zhǎng)下的吸收量。但是，此種手法雖然可以增加吸收量，但存在反射率下降的問題。特別是由于要求多層介質(zhì)較單層介質(zhì)更高的反射率，因此更加困難。
然而，使用含有本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素的記錄層的話，可以同時(shí)達(dá)到高靈敏度化和高反射率化。本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素，由于較之于以往的偶氮金屬螯合色素并未采取穩(wěn)定的構(gòu)象，因此可實(shí)現(xiàn)高靈敏度化。
此外，通過導(dǎo)入吸電子基團(tuán)酯基吸收波長(zhǎng)長(zhǎng)波長(zhǎng)化，因此有助于高靈敏度化。通過導(dǎo)入電子密度較高的酯基可以提高折射率，因此可以抑制伴隨吸收波長(zhǎng)的長(zhǎng)波長(zhǎng)化而引起的反射率的下降。
作為本實(shí)施方式所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的成膜方法，可舉出真空蒸鍍法、噴濺法、刮刀法、燒鑄法、旋涂法、浸漬法等一般進(jìn)行的薄膜形成法等?；谂可a(chǎn)率、成本方面，特別優(yōu)選旋涂法。
以旋涂法成膜時(shí)，轉(zhuǎn)速優(yōu)選500rpm～10000rpm。旋涂后，根據(jù)情況，也可進(jìn)行加熱或吹溶劑蒸汽等處理。作為通過刮刀法、燒鑄法、旋涂法、浸漬法等的涂布方法形成記錄層時(shí)的涂布溶劑，只要是不侵蝕基板的溶劑即可，并無特別限定。作為涂布溶劑，可舉出例如，二丙酮醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮等的酮醇系溶劑；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等的溶纖劑系溶劑；正己烷、正辛烷等的鏈狀烴系溶劑；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二甲基環(huán)己烷、正丁基環(huán)己烷、叔丁基環(huán)己烷、環(huán)辛烷等的環(huán)狀烴系溶劑；四氟丙醇、八氟戊醇、六氟丁醇等的全氟烷基醇系溶劑；乳酸甲酯、乳酸乙酯、異酪酸甲酯等的羥基羧酸酯系溶劑等。
本發(fā)明中，記錄層中的本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素的含量只要能得到本發(fā)明的效果則無特別限定，但通常為0.1～100質(zhì)量％，優(yōu)選10～100質(zhì)量％，更優(yōu)選40～100質(zhì)量％。
記錄層成膜時(shí)，根據(jù)需要，也可在上述色素中混合猝滅劑(クエンチヤ一)、紫外線吸收劑、粘合劑等的添加劑。此外，也可將具有猝滅劑效果、紫外線吸收效果等各種效果的取代基導(dǎo)入上述色素中。作為為了提高記錄層的耐光性和耐久性而添加的單態(tài)氧猝滅劑，優(yōu)選乙酰丙酮配位基系、雙二硫代-a-二酮系或雙苯基二硫代系等的雙二硫代系、硫代兒茶酚系、水楊醛肟系、硫代雙酚鹽系等的金屬配位化合物。另外，也適用胺系化合物。
此外，為了改善記錄特性等，也可并用其他色素。此外，為了可以同時(shí)進(jìn)行高速記錄和低速記錄，也可并用適用于本實(shí)施方式的偶氮金屬螯合色素和低速記錄用的色素。但是，該混合比率為，相對(duì)于偶氮金屬螯合色素的重量為不足60％，優(yōu)選50％以下，更優(yōu)選40％以下。
另一方面，并用上述低速記錄用色素時(shí)，混合比率通常在0.01％以上。低速記錄用色素的混合比率過大時(shí)，可能難以充分得到8X以上高速記錄所必需的記錄靈敏度。
作為可并用的色素，可舉出例如，與通式(1)所示的偶氮系色素化合物同一系統(tǒng)的偶氮系色素化合物。
此外，作為可并用的色素，可舉出與具有上述特定的特性或結(jié)構(gòu)的偶氮金屬螯合色素同系統(tǒng)的、偶氮系色素或偶氮系金屬螯合色素、花青苷系色素、方酸菁(スクアリリウム)系色素、萘醌系色素、蒽醌系色素、卟啉系色素、四吡嗪并紫菜嗪(テトラピラボルフイラジン)系色素、靛酚系色素、吡喃鎓系色素、硫代吡喃鎓系色素、甘菊環(huán)鎓(azulenium)系色素、三苯基甲烷系色素、呫噸系色素、陰丹士林系色素、靛系色素、硫代靛系色素、部花青系色素、雙亞甲基吡咯系色素、噻嗪系色素、吖啶系色素、噁嗪系色素、靛苯胺系色素等，其他系統(tǒng)的色素也可。此外，作為色素的熱分解促進(jìn)劑，可舉例如，金屬系抗震劑、金屬茂化合物、乙酰丙酮配位基系金屬配位化合物等的金屬化合物。
此外，還可根據(jù)需要并用膠粘劑、流平劑、消泡劑等。作為優(yōu)選的膠粘劑，可舉出有，聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝酸纖維素、醋酸纖維素、酮系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、聚烯烴等。
記錄層(色素層)的膜厚并無特別限定，但優(yōu)選50nm以上、300nm以下。色素層的膜厚大于上述的下限值時(shí)，可以抑制熱擴(kuò)散的影響、容易進(jìn)行良好的記錄。此外，由于不易在記錄信號(hào)產(chǎn)生變形，易于加大信號(hào)振幅。色素層的膜厚小于上述上限值時(shí)，易于提高反射率，易于使讀取信號(hào)特性變得良好。
此外，記錄層的槽部膜厚通常在90nm以上、180nm以下，優(yōu)選50nm以上、90nm以下，槽間部的膜厚通常在50nm以上、100nm以下，優(yōu)選30nm以上、70nm以下。槽部膜厚或槽間部膜厚大于上述下限值時(shí)，可加大地址信息(LPP或ADIP)的振幅，易于抑制錯(cuò)誤的產(chǎn)生。槽部膜厚或槽間部膜厚小于上述上限值時(shí)，可以抑制記錄標(biāo)記內(nèi)的蓄熱的影響以及串?dāng)_變大，易于使抖動(dòng)變得良好。
適用于本實(shí)施方式的光學(xué)記錄介質(zhì)，通過使將含有具有上述特定的特性或結(jié)構(gòu)的偶氮金屬螯合色素的記錄層、和設(shè)置于上述基板的槽形狀進(jìn)行組合，可以令反射率在40％以上。因此，可以實(shí)現(xiàn)例如與DVD-ROM有讀取互換的DVD-R(規(guī)格上有DVD-R、DVD+R 2種，以下總稱為DVD-R)。此外，反射率指的是，將光盤的槽上設(shè)軌道時(shí)的、將650nm+10nm-5nm的波長(zhǎng)范圍的激光用搭載于拾波器的磁盤讀取機(jī)(例如，DVD播放器、DVD-ROM檢查器、DVD驅(qū)動(dòng)器)測(cè)定的反射率。
接著，在記錄層上，優(yōu)選形成厚50nm～300nm的反射層。作為反射層的材料，可以將讀取光的波長(zhǎng)下反射率十分高的物質(zhì)，例如，Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta以及Pd的金屬單獨(dú)使用或做成合金來使用。
其中，Au、Al、Ag的反射率高，更適合做反射層的材料。特別優(yōu)選Ag和Ag合金，其高反射率、高熱傳導(dǎo)度優(yōu)異。
此外，除了這些金屬以外，還可以含有以下物質(zhì)。例如，Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等的金屬及半金屬。
其中，特別優(yōu)選以Ag為主成分的物質(zhì)，因?yàn)槠涑杀镜土⑴c偶氮金屬螯合色素組合時(shí)具有反射率提高的傾向，且在設(shè)置后述的印刷接受層時(shí)可得到潔白漂亮的底色等。這里的主成分指的是含量在50％以上的物質(zhì)。也可以用金屬以外的材料將低折射率薄膜和高折射率薄膜交互重疊形成多層膜而用作反射層。
作為形成反射層的方法，可舉出例如，噴濺法、離子鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空蒸鍍法等。此外，在基板之上或反射層之下，也可以設(shè)置用于提高反射率、改善記錄特性、提高附著力等的公知的無機(jī)系或有機(jī)系的中間層、粘合層。
作為形成在反射層之上的保護(hù)層的材料，只要是保護(hù)反射層免受外力的，則無特別限定。例如，作為有機(jī)物質(zhì)，可舉出熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、電子射線固化性樹脂、UV固化性樹脂等。此外，作為無機(jī)物質(zhì)，可舉出SiO2、SiN4、MgF2、SnO2等。熱塑性樹脂、熱固化性樹脂等可通過溶解于適當(dāng)?shù)娜軇┖笞鳛橥坎家和坎?、干燥來形成。UV固化性樹脂可以直接或溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┖笳{(diào)制成涂布液，然后涂布該涂布液，通過照射UV光使之固化來形成。
作為UV固化性樹脂，可使用例如，聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯系樹脂。這些材料可以單獨(dú)使用或混合使用，可以不僅做成1層使用，也可做成多層膜使用。
作為形成保護(hù)層的方法，與記錄層相同地使用旋涂法或燒鑄法等涂布法或噴濺法和化學(xué)蒸鍍法等的方法，其中優(yōu)選旋涂法。保護(hù)層的膜厚通常在0.1μm以上、100μm以下的范圍內(nèi)。本實(shí)施方式中，保護(hù)層的膜厚優(yōu)選3μm以上，更優(yōu)選5μm以上，另一方面，優(yōu)選30μm以下，更優(yōu)選20μm以下。
此外，本實(shí)施方式并不限定于上述樣態(tài)，可進(jìn)行種種變形。例如，光學(xué)記錄介質(zhì)可具有2個(gè)以上的多個(gè)記錄層。另外，也可以使用如下手段，貼合反射層面上沒有槽的所謂偽基板，或者也可以使相對(duì)的、反射層面相互作為內(nèi)側(cè)的2片光學(xué)記錄介質(zhì)互相貼合等。為了保護(hù)表面或防止灰塵附著，也可以在基板鏡面一側(cè)形成將紫外線固化樹脂、無機(jī)系薄膜等成膜。此外，還可以在反射層上所設(shè)置的保護(hù)層之上，或者在反射層面上貼合的基板之上等，再形成印刷接受層。
(多層介質(zhì)) 作為本實(shí)施方式所適用的光學(xué)記錄介質(zhì)，也可作為含有2個(gè)以上記錄層的多層介質(zhì)優(yōu)選適用。作為多層介質(zhì)，既可以是從光學(xué)記錄介質(zhì)的兩面照射光進(jìn)行記錄、讀取的介質(zhì)，也可以是從光學(xué)記錄介質(zhì)的單面照射光進(jìn)行記錄讀取的介質(zhì)。尤其，可以適宜用于從單面照射光進(jìn)行記錄、讀取的類型的介質(zhì)。這是因?yàn)?，含有本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素的記錄層靈敏度高且反射率高。
適用于本實(shí)施方式的多層介質(zhì)如果是具有2個(gè)以上記錄層的介質(zhì)，則記錄層數(shù)量沒有限定，通常為2層～5層，優(yōu)選2層～3層。此外，層結(jié)構(gòu)并無限定，但通常每個(gè)記錄層通過中間層等的其他層而存在。另外，每個(gè)記錄層優(yōu)選為各自與反射層組合的層結(jié)構(gòu)。
若例示具有2層記錄層、從單面照射光進(jìn)行記錄、讀取的方式的多層介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)，可舉出基板/第1記錄層/第1反射層/中間層/第2記錄層/第2反射層/保護(hù)層這樣的結(jié)構(gòu)，這些各層之間，也可適當(dāng)具有其他層。
多層介質(zhì)中，介于2個(gè)以上記錄層之間的中間層，可以是單層構(gòu)成，也可以是多層膜。中間層通常透明且可以形成導(dǎo)向槽，由粘合力較高的樹脂構(gòu)成。此外，使用固化粘合時(shí)收縮率較小的樹脂，其介質(zhì)的形狀穩(wěn)定性較高，因此優(yōu)選。
此外，中間層由優(yōu)選由不會(huì)對(duì)相鄰的記錄層造成損害的材料構(gòu)成。作為構(gòu)成中間層的材料，可舉出例如，熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、放射線固化性樹脂等固化性樹脂。另外，中間層的材料可單獨(dú)使用1種，也可以以任意的組合及比例并用2種以上。
中間層的材料中，優(yōu)選放射線固化性樹脂，尤其優(yōu)選紫外線固化性樹脂。作為紫外線固化性樹脂，可舉出自由基系(自由基聚合型的)紫外線固化性樹脂和陽離子系(陽離子聚合型的)紫外線固化性樹脂，均可使用。
自由基系紫外線固化樹脂使用例如含有成分為紫外線固化性化合物(游離基系紫外線固化性化合物)和光聚合引發(fā)劑的組合物。作為自由基系紫外線固化性化合物，例如，可以將單官能(甲基)丙烯酸酯及多官能(甲基)丙烯酸酯作為聚合性單體成分使用。這些分別可以單獨(dú)使用1種或以任意的組合及比例并用2種以上。此外，這里，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯并稱為(甲基)丙烯酸酯。
光聚合引發(fā)劑并無限制，優(yōu)選例如，分子開裂型或脫氫型。本發(fā)明中，優(yōu)選使用以自由基聚合型的丙烯酸酯為主體的未固化的紫外線固化樹脂前驅(qū)體，令其固化而得到中間層。
另一方面，作為陽離子系紫外線固化性樹脂，可舉出例如，含有陽離子聚合型的光引發(fā)劑的環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，可舉出例如，雙酚A-表氯醇型、脂環(huán)式環(huán)氧、長(zhǎng)鏈脂肪族型、溴化環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯型、縮水甘油醚型、雜環(huán)式系等。作為環(huán)氧樹脂，優(yōu)選使用游離的氯和氯離子含量較少的。氯的量?jī)?yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0.5重量％以下。
此外，作為陽離子聚合型的光引發(fā)劑，可舉出锍鹽、碘鎓鹽、重氮鎓鹽等。
中間層中，通常與上述基板一樣地形成有導(dǎo)向槽。基板上所形成的導(dǎo)向槽的形狀與中間層上形成的導(dǎo)向槽的形狀可以相同，也可以不同。
中間層的膜厚并無限定，但通常在5μm以上，優(yōu)選10μm以上，通常在100μm以下，優(yōu)選70μm以下。中間層的膜厚均勻較為理想。
中間層的形成方法并無限制，為任意，但通常如下形成。
使用了熱塑性樹脂、熱固化性樹脂等的中間層，將熱塑性樹脂等溶解在適當(dāng)?shù)娜軇﹥?nèi)，調(diào)制成涂布液。然后，可以涂布該涂布液，通過干燥(加熱)來形成中間層。
另一方面，使用了放射線固化性樹脂的中間層，可直接或?qū)⑵淙芙庠谶m當(dāng)?shù)娜軇﹥?nèi)調(diào)制成涂布液，涂布該涂布液，照射適當(dāng)?shù)姆派渚€，令其固化而形成。
此外，涂布方法并無限制，可使用例如，旋涂法或燒鑄法等的涂布法等。其中，優(yōu)選旋涂法。特別是使用了高粘度的樹脂的中間層，也可通過網(wǎng)板印刷等而涂布形成。
本實(shí)施方式所適用的多層介質(zhì)中，本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素可用于任意一個(gè)記錄層。
本發(fā)明中，多層記錄層中的本發(fā)明的偶氮金屬螯合色素的含量只要能得到本發(fā)明的效果則無特別限定，但1個(gè)記錄層中通常為0.1～100重量％，優(yōu)選10～100重量％，更優(yōu)選40～100重量％。
在如上所述得到的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄，通常是通過向設(shè)置在基板的兩面或單面上的記錄層照射激光而進(jìn)行。激光所照射到的部分上，一般會(huì)出現(xiàn)激光能量的吸收而引起的分解、發(fā)熱、熔融等記錄層的熱變形。所記錄的信息的讀取，通常是通過讀取激光所引起的熱變形發(fā)生的部分和未發(fā)生部分的反射率之差而進(jìn)行的。
記錄·讀取所使用的激光并無特別限定，可舉出例如，可以在可見區(qū)域廣范圍選擇波長(zhǎng)的色素激光、波長(zhǎng)633nm的氦氖激光、最近開發(fā)的波長(zhǎng)680nm、650nm、635nm附近的高輸出半導(dǎo)體激光、400nm附近的藍(lán)激光、波長(zhǎng)532nm的高次諧波變換YAG激光等。其中，基于輕量性、操作簡(jiǎn)便、緊湊性、成本等觀點(diǎn)，適用的是半導(dǎo)體激光。適用于本實(shí)施方式的光學(xué)記錄介質(zhì)，可在選擇自這些的一個(gè)波長(zhǎng)或多個(gè)波長(zhǎng)下進(jìn)行高密度記錄及讀取。
實(shí)施例 以下通過實(shí)施例對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行具體說明。但本發(fā)明在不超越其要點(diǎn)范圍內(nèi)并不限于本實(shí)施方式。
(實(shí)施例1) (a)化合物制造例 (重氮偶合反應(yīng)) 將2-氨基-5-乙氧基羰基-1，3，4-噻二唑(結(jié)構(gòu)式1a)12.2g溶解在醋酸84g、磷酸72g、硫酸28g中，冷卻至5℃以下，滴下43％亞硝基硫酸22g，調(diào)制2-氨基-5-乙氧基羰基-1，3，4-噻二唑的重氮液。
接著，在下述結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物8.6g與甲醇172ml的溶液中，在5℃以下的條件下，滴下先前得到的重氮液，攪拌2小時(shí)。接著，用28％氨水中和后，過濾已析出的結(jié)晶，精制后得到下述結(jié)構(gòu)式1c所示的偶氮化合物20g。
[化35]
[化36]
[化37]
(含金化) 將結(jié)構(gòu)式1c所示的偶氮化合物2.3g溶解于69ml的四氫呋喃中，溶解在10ml的二甲基甲酰胺中，濾出不溶物質(zhì)。接著，將醋酸鋅2水合物0.64g溶解在9ml的甲醇中，將此在室溫下滴入到結(jié)構(gòu)式1c所示的偶氮化合物的溶液中。再加入甲醇120ml，攪拌后減壓濃縮。將析出的固體用甲醇懸濁洗滌、過濾、干燥，得到偶氮鋅螯合色素1.8g。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為588nm、克吸光系數(shù)為146L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為609nm。
(b)記錄例 將如此調(diào)制成的偶氮鋅螯合色素1.5重量％的TFP(2，2，3，3-四氟-1-丙醇(以下稱為TFP))溶液旋涂在形成有磁跡間距0.74μm、槽深160nm、槽寬0.31μm的導(dǎo)向槽的透明聚碳酸酯基板上，80℃下干燥20分鐘。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm。在該記錄層上噴濺厚120nm的銀之后，旋涂3μm厚的紫外線固化樹脂，再將無槽的透明聚碳酸酯基板旋涂粘合劑后貼合，制造出光學(xué)記錄介質(zhì)。
對(duì)于該光學(xué)記錄介質(zhì)，用波長(zhǎng)650nm、數(shù)值孔徑0.65的記錄讀取裝置，用根據(jù)DVD-RSpecification for General Ver.2.1的記錄脈沖策略(ストラテジ一)條件，進(jìn)行記錄速度56.0m/秒(DVD-R的16倍速相當(dāng)于16X)、最短標(biāo)記長(zhǎng)0.4μm的EFM正調(diào)制的隨機(jī)信號(hào)記錄。然后，將使用相同的評(píng)估機(jī)器進(jìn)行記錄的部分的信號(hào)以3.5m/秒(相當(dāng)于DVD-R的1倍速)讀取，測(cè)定低頻抖動(dòng)(英文bottom jitter)(data to clock jitter)。此外，作為換算從相同評(píng)估機(jī)器輸出的電壓值的值，測(cè)定反射率(反射率與電壓成比例)。此外，低頻抖動(dòng)值不足9.5％，優(yōu)選不足9.0％。反射率優(yōu)選更高的。
測(cè)定的結(jié)果良好，16X的記錄靈敏度為45.5mW、低頻抖動(dòng)為8.8％。此外，反射率也良好，得到較高的58％。
(實(shí)施例2) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物變更為下述的結(jié)構(gòu)式2b，通過以與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到下述結(jié)構(gòu)式2c所示的偶氮化合物和鋅的偶氮鋅螯合色素。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為591nm、克吸光系數(shù)為141L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為611nm。
[化38]
[化39]
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，用與實(shí)施例1相同的條件對(duì)該磁盤實(shí)施記錄讀取。此時(shí)，結(jié)果良好，16X的記錄靈敏度為45.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為8.9％，反射率為57％。
(實(shí)施例3) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物變更為下述的結(jié)構(gòu)式3b，通過用與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到下述結(jié)構(gòu)式3c所示的偶氮化合物和鋅的偶氮鋅螯合色素。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為592nm、克吸光系數(shù)為142L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為610nm。
[化40]
[化41]
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，用與實(shí)施例1相同的條件對(duì)磁盤進(jìn)行記錄讀取。結(jié)果良好，16X記錄靈敏度為43.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為8.8％，反射率為57％。
(實(shí)施例4) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物變更為下述的結(jié)構(gòu)式4b，通過用與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到下述結(jié)構(gòu)式4c所示的偶氮化合物和鋅的偶氮鋅螯合色素。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為586nm、克吸光系數(shù)為142L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為605nm。
[化42]
[化43]
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，用與實(shí)施例1相同的條件對(duì)磁盤進(jìn)行記錄讀取。結(jié)果良好，16X記錄靈敏度為52.5mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為8.6％，反射率為56％。
(實(shí)施例5) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1a所示的化合物變更為下述的結(jié)構(gòu)式5a，將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物變更為結(jié)構(gòu)式4b，通過用與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到下述結(jié)構(gòu)式5c所示的偶氮化合物和鋅的偶氮鋅螯合色素。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為586nm、克吸光系數(shù)為138L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為604nm。
[化44]
[化45]
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，用與實(shí)施例1相同的條件對(duì)磁盤進(jìn)行記錄讀取。結(jié)果良好，16X記錄靈敏度為52.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為9.0％，反射率為54％。
(實(shí)施例6) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1a所示的化合物變更為下述的結(jié)構(gòu)式6a，將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物變更為結(jié)構(gòu)式4b，通過用與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到下述結(jié)構(gòu)式6c所示的偶氮化合物和鋅的偶氮鋅螯合色素。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為586nm、克吸光系數(shù)為129L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為602nm。
[化46]
[化47]
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，用與實(shí)施例1相同的條件對(duì)磁盤進(jìn)行記錄讀取。結(jié)果良好，16X記錄靈敏度為50.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為8.8％，反射率為50％。
(比較例1) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1a所示的化合物變更為下述結(jié)構(gòu)式7a，將實(shí)施例1中的結(jié)構(gòu)式1b所示的化合物變更為下述結(jié)構(gòu)式7b，通過用與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到下述結(jié)構(gòu)式7c所示的偶氮化合物和鋅的偶氮鋅螯合色素。
該偶氮鋅螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為580nm、克吸光系數(shù)為145L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為603nm。
[化48]
[化49]
[化50]
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，用與實(shí)施例1相同的條件對(duì)磁盤進(jìn)行記錄讀取。結(jié)果，16X記錄靈敏度為54.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為8.9％，反射率為47％。與實(shí)施例1相比，低頻抖動(dòng)幾乎沒有變化，較為良好，但反射率較實(shí)施例1低11％，用于記錄的功率(16X記錄靈敏度)也需要達(dá)到1.19倍。
(比較例2) (a)化合物制造例 將實(shí)施例1中的醋酸鋅2水合物變更為醋酸鎳4水合物，通過用與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行反應(yīng)，得到結(jié)構(gòu)式1c所示的偶氮化合物和鎳的偶氮鎳螯合色素。
該偶氮鎳螯合色素在氯仿中的最大吸收波長(zhǎng)為595nm、克吸光系數(shù)為137L/g·cm、涂布膜的吸收峰波長(zhǎng)為613nm。
(b)記錄例 除使用上述色素以外，用與實(shí)施例1完全相同的條件制作光學(xué)記錄介質(zhì)。該記錄層的槽間部膜厚為40nm、槽部膜厚為85nm，與實(shí)施例1的色素基本相同。
接著，以與實(shí)施例1相同的條件對(duì)磁盤進(jìn)行記錄讀取。結(jié)果，16X記錄靈敏度為31.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為9.8％，反射率為42％。與實(shí)施例1相比，記錄靈敏度雖然良好，但反射率較實(shí)施例1低16％，低頻抖動(dòng)也惡化。
實(shí)施例1～實(shí)施例6和比較例1和比較例2的結(jié)果如表1所示。
[表1]
根據(jù)表1所示的結(jié)果，可知實(shí)施例1～實(shí)施例6較之于比較例1和比較例2，在記錄特性和反射率均得到較好的結(jié)果。其中，特別是在實(shí)施例1～實(shí)施例3使用的色素，16X的記錄靈敏度、低頻抖動(dòng)以及反射率全部良好，特別優(yōu)選。
(實(shí)施例7) 使用與實(shí)施例1使用的色素相同的色素，制作2層介質(zhì)，評(píng)價(jià)層0、層1各自的記錄層的記錄特性。此外，2個(gè)記錄層均使用與實(shí)施例1相同的色素。此處，層0表示距離基板近的一側(cè)的記錄層(第1記錄層)，層1表示距離激光入射較遠(yuǎn)的一側(cè)的記錄層(第2記錄層)。此外，作為第1反射層，形成20nm膜厚的AgBi1.0合金，作為第2反射層，形成120nm膜厚的Ag，作為中間層，形成50μm膜厚的紫外線固化性樹脂。磁跡間距均為0.74μm，槽深為層0170nm、層1180nm，槽寬兩者均為0.31μm。層0的槽間部膜厚為30nm，槽部膜厚為65nm。此外，層1的槽間部膜厚為40nm，槽部膜厚為75nm。
對(duì)于該光學(xué)記錄介質(zhì)，用波長(zhǎng)650nm、數(shù)值孔徑0.65的記錄再生裝置，用根據(jù)DVD+R8.5Gbytes Basic Format Specifications version 1.1的記錄脈沖策略條件，進(jìn)行記錄速度61.4m/秒(DVD+R的16倍速相當(dāng)于16X)、最短標(biāo)記長(zhǎng)0.44μm的EFM正調(diào)制的隨機(jī)信號(hào)記錄。然后，將用相同的評(píng)估機(jī)器記錄的部分的信號(hào)以3.84m/秒讀取，測(cè)定低頻抖動(dòng)(data toclock jitter)。
評(píng)價(jià)的結(jié)果良好，層0的16X記錄靈敏度為50.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為6.5％。反射率為20％，層1的16X記錄靈敏度為80.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)為8.0％，反射率為19％。
(比較例3) 除了使用與比較例1中使用的色素相同的色素之外，通過與實(shí)施例7相同地方法制作2層介質(zhì)。此外，2個(gè)記錄層均使用與比較例1相同的色素。對(duì)于該光學(xué)記錄介質(zhì)，通過與實(shí)施例7相同的方法，測(cè)定記錄特性以及反射率。結(jié)果與實(shí)施例7的結(jié)果一起在表2所示。
[表2]
根據(jù)表2所示的結(jié)果，層0的16X的記錄靈敏度為66.0mW、1X讀取時(shí)的低頻抖動(dòng)顯示為6.5％，記錄特性良好。但是，反射率為13％，可知反射率顯著下降。此外，層1的16X記錄時(shí)試驗(yàn)器的激光功率不足，80mW下不能記錄。反射率也變成12％，與實(shí)施例7相比顯著下降。
使用了特定的方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員很清楚可以在不脫離本發(fā)明的意圖和范圍而進(jìn)行各種變化。
此外，本申請(qǐng)是基于2006年9月25日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)(專利申請(qǐng)2006-259597)，其整體被引用。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性 根據(jù)本發(fā)明，提供適用于可進(jìn)行高速記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)或具有多層記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的偶氮金屬螯合色素以及光學(xué)記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種偶氮金屬螯合色素，其特征在于，包含下述通式(1)所示的偶氮系色素化合物與Zn2+，
[化1]
式中，R1為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基，Y是被至少2個(gè)氟原子取代的直鏈或含支鏈的烷基，R2、R3、R4、R5和R6各自獨(dú)立，為氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基，R3和R4、R4和R5、R5和R6也可以互相鍵合形成環(huán)，上述式(1)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子。
2.一種偶氮金屬螯合色素，其特征在于，包含下述通式(2)所示的偶氮系色素化合物與Zn2+，
[化2]
式中，R11為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基，R12為可取代的直鏈或含支鏈的烷基，R13～R18各自獨(dú)立，表示氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基，上述式(2)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子。
3.如權(quán)利要求2所述的偶氮金屬螯合色素，其特征在于，所述通式(2)的R12為直鏈或含支鏈的烷基、R13～R18各自獨(dú)立，為氫原子或甲基。
4.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，具有記錄層，所述記錄層含有權(quán)利要求1～3任意一項(xiàng)所述的偶氮金屬螯合色素。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，具有2個(gè)以上的記錄層，至少1個(gè)記錄層含有所述偶氮金屬螯合色素。
6.如權(quán)利要求4或5所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于，可進(jìn)行12倍速以上的記錄。
全文摘要
本發(fā)明提供適用于可以高速記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)和具有多層記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層的偶氮金屬螯合色素以及光學(xué)記錄介質(zhì)。一種偶氮金屬螯合色素，其特征在于，包含通式(1)所示的偶氮系色素化合物與Zn2+，(式中，R1為可取代的直鏈或含支鏈的烷基、或是可取代的環(huán)烷基。Y是被至少2個(gè)氟原子取代的直鏈或含支鏈的烷基。R2、R3、R4、R5和R6各自獨(dú)立，為氫原子或可取代的直鏈或含支鏈的烷基。R3和R4、R4和R5、R5和R6也可以互相結(jié)合形成環(huán)。上述式(1)的化合物為了與Zn2+構(gòu)成螯合色素而脫離質(zhì)子)。
文檔編號(hào)G11B7/247GK101517006SQ20078003548
公開日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2007年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月25日
發(fā)明者照田尚, 內(nèi)田直幸, 佐竹賢一, 野田善宏 申請(qǐng)人:三菱化學(xué)媒體株式會(huì)社