磁記錄介質、其制造方法以及磁記錄再生裝置的制作方法

專利名稱：：磁記錄介質、其制造方法以及磁記錄再生裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及磁記錄介質、其制造方法以及使用該磁記錄介質的磁記錄再生裝置。本申請基于在2006年5月8日在日本提出申請的特愿2006-129335號以及在2007年1月23日在日本提出申請的特愿2007-013026號要求優先權，將它們的內容援引到其中。
背景技術：
：近年來磁盤裝置、軟性磁盤裝置、磁帶裝置等磁記錄裝置的應用范圍得到顯著增大，其重要性增加，同時對于這些裝置中所使用的磁記錄介質，不斷謀求其記錄密度的顯著提高。特別是MR磁頭和PRML技術導入以來，面記錄密度的上升更為激烈，近年還導入了GMR^P茲頭、TuMR磁頭等，繼續以每年約100%的速度增加。這樣一來，對于磁記錄介質，要求今后進一步實現高記錄密度化，為此，要求實現磁記錄層的高頑磁力化和高信號雜音比(S/N比)、高分辨力。迄今廣為使用的縱向磁記錄方式中，隨著線記錄密度提高，磁化的遷移區域鄰接的記錄磁疇之間要減弱相互的磁化的自退磁作用成為支配性的，因此為了避免該現象，需要不斷減薄磁記錄層，提高形狀磁各向異性。而另一方面，若減薄磁記錄層的膜厚，則用于保持磁疇的能壘的大小和熱能的大小接近于相同水平，所記錄的磁化量由于溫度的影響而得到緩和的現象(熱擺現象)不能忽視，可以說這決定了線記錄密度的限度。其中，作為用于縱向磁記錄方式的線記錄密度改良的技術，最近提出了AFC(AntiFerromagneticCoupling)介質，努力避免在縱向磁記錄中成為問題的熱磁緩和的問題。另外，作為今后用于實現更高的面記錄密度的有力的技術而受到關注的是垂直磁記錄技術。以往的縱向磁記錄方式是使介質在面內方向磁化，而垂直磁記錄方式其特征是與介質面垂直的方向進行磁化。由此可避免在縱向磁記錄方式中妨礙實現高線記錄密度的自退磁作用的影響，可以認為更適合于高密度記錄。另外可以認為，由于能夠保持一定的磁性層膜厚，因此在縱向磁記錄中成為問題的熱磁緩和的影響也比較小。垂直磁記錄介質，一般是在非磁性基板上以基底層、中間層、磁記錄層、保護層的順序來成膜的。另外，成膜至保護層之后在表面涂布潤滑層的情況較多。另外，很多情況下在基底層之下設有被稱為軟磁性襯里層的磁性膜。中間層出于更加提高磁記錄層的特性的目的而形成。另外可以說基底層在使中間層、磁記錄層的結晶取向整齊的同時，起到控制磁性結晶的形狀的作用。為了制造具有優異特性的垂直磁記錄介質，磁記錄層的結晶結構是重要的。即，在垂直磁記錄介質中，很多情況下其磁記錄層的結晶結構采取hcp結構，但其(002)晶面相對于基板面平行，換言之，結晶c軸軸高效率地垂直取向。作為評價垂直磁記錄介質中磁記錄層的結晶c軸[002軸在相對于基板垂直的方向是否盡可能不混亂而排列的方法，可以使用搖擺曲線(rockingcurve)的半值寬。首先，將在基板上成膜的膜置于X射線衍射裝置中，分析相對于基板面平行的晶面。通過掃描X射線的入射角，可觀測到與晶面對應的衍射峰。使用Co系合金的垂直磁記錄介質的情況下，hcp結構的c軸002方向進行與基板面垂直的取向，因此將觀測到與(002)面對應的峰。接著，在維持衍射該(002)面的布拉格角的狀態下使光學系統相對于基板面搖擺。此時，相對于將光學系統傾斜的角度繪制(002)面的衍射強度時，可以描繪以搖擺角0°為中心的衍射強度曲線。將其稱為搖擺曲線。此時，(002)面相對于基板面極好地平行一致的場合，可以得到銳利的形狀的搖擺曲線，但相反地，(002)面的方向較寬地分散時，可以得到寬的曲線。于是，將搖擺曲線的半值寬A650作為垂直磁記錄介質的結晶取向良否的指標使用的情況較多。根據本發明，通過使用由具有fcc結構的元素與具有bcc結構或hcp結構的元素的合金形成，兼具(lll)面取向的結晶結構和由fcc結構與bcc結構或hcp結構的混合所引起的層狀無規則晶格(層疊缺陷)的中間層，對于將與磁記錄層同樣采取hcp結構的Ru或Re、或者Ru合金、Re合金用于中間層的介質，可以制作厶650小的垂直磁記錄介質。作為本發明的中間層的材料，優選磁記錄層的Co系合金相對于中間層的潤濕性不太大的材料。具體地講，如果是表示中間層(Solid)上的Co(Liquid)的潤濕性的參數即擴散系數S,。取-l(J/m2)以上、+2(J/m2)以下的值的材料，磁記錄層的Co系合金就容易形成微小的晶粒。在此，擴散系數Sxc°由Sxc°=Yx-Yc。-Yx-c。式求得。其中，Yx表示X(Solid)的表面自由能(J/m2)，Yc。表示Co(Liquid)的表面自由能(J/m2)，Yx-c。表示X-Co間的界面能(J/m2)。另外，通過使合金的平均原子間距dw為2.0人~3.5A，磁記錄層的Co系合金可以外延生長。磁記錄層按照文字是實際進行信號記錄的層。作為材料，CoCr、CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtB-X、CoCrPtB-X-Y、CoCrPt畫O、CoCrPt-Si02、CoCrP"Cr203、CoCrPt-Ti02、CoCrPt-Zr02、CoCrPt-Nb2Os、CoCrPt-Ta205、CoCrPt-Ti02等的Co系合金薄膜被使用的情況較多。特別是使用氧化物一磁性層的場合，氧化物包圍磁性Co晶粒的周圍，采取顆粒(granular)結構，Co晶粒彼此的磁相互作用減弱，噪聲減少。最終該層的結晶結構、磁性質決定記錄再生特性。為了磁記錄層采取顆粒結構，優選提高中間層的成膜氣壓，附加表面的凹凸。通過氧化物磁性層的氧化物聚集于中間層表面的凹的部分，而成為顆粒結構。但是，由于升高氣壓，中間層的結晶取向性惡化，還存在表面粗糙度過大的可能，因此通過將中間層雙層化，分成低氣壓成膜層和高氣壓成膜層，可保證取向性和表面凹凸的兼備。以上各層的成膜通常可以使用DC磁控'踐射法或RF'減射法。也能夠使用RF偏壓、DC偏壓、脈沖DC、脈沖DC偏壓、02氣體、H20氣導入N2氣體。此時的濺射氣體壓力可根據各個層來適當確定以使得特性達到最佳，但一般控制在0.130Pa左右的范圍。看介質的性能來調整。的層，可以使用碳膜、Si02膜等，但多數場合可使用碳膜。膜的形成可以使用濺射法、等離子體CVD法等，但近年來較多地使用等離子體CVD法。還可以使用磁控等離子體CVD法。膜厚為lnm10nm左右，優選為2~6nm左右，進一步優選為24腿。特別是通過調整中間層的高氣壓成膜和磁記錄層的成膜氣壓，可以在維持結晶取向性的狀態下利用氧化物制作磁性結晶孤立的噪聲小的磁記錄層。圖3是表示使用上述垂直磁記錄介質的垂直磁記錄再生裝置的一例的圖。圖3所示的磁記錄再生裝置具備圖1所示的構成的磁記錄介質10、使磁記錄介質IO旋轉驅動的介質驅動部11、對磁記錄介質IO記錄再生信息的磁頭12、使該磁頭12相對于磁記錄介質10進行相對運動的磁頭驅動部13和記錄再生信號處理系統14從而構成。記錄再生信號處理系統14，能夠處理從外部輸入的數據，將記錄信號送至磁頭12，處理來自磁頭12的再生信號，將數據送至外部。本發明的磁記錄再生裝置中所用的磁頭12，可以使用不僅有利用各向異性磁阻效應(AMR)的MR(MagnetoResistance)元件，還有利用巨大石茲阻效應(GMR)的GMR元件、利用隧道效應的TuMR元件等作為再生元件的、適于更高記錄密度的磁頭。實施例以下示出實施例具體說明本發明。(實施例l、比較例l)將放置了HD用玻璃基板的真空室預先進行真空排氣至1.0xl0—spa以接著，在該基板上使用濺射法在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中分別形成50nm的軟磁性襯里層CoNbZr、5nm的作為基底層的采取非晶結構的NiTa。作為中間層，使用了具有fcc結構的元素與Cr的合金材料Pt-Cr、Ir-Cr、Pd-Cr、Au-Cr(實施例1-1~1-4)。Cr的混合方法是在成膜時使基板公轉而進行的。從基板架(holder)的旋轉中心到基板中心的距離為396mm,成膜時的基板架轉速為160rpm。在成膜時，通過任意地調整兩個靼的放電輸出功率，來控制膜中存在的Cr濃度。Cr合金的組成，調查各靶的膜堆積速度和放電輸出功率的關系，由成膜時的放電輸出功率、放電時間等通過計算求得。中間層膜厚調節成為20nm。作為比較例，分別形成了20nm的作為現有中間層使用的Ru和ZK均為hcp結構)(比較例1-1~1-2)。成膜時的氣壓為Ar、10Pa。接著，在這些試樣的表面形成作為磁記錄層的Co-Cr-Pt-Si02、作為保護層的C膜，作為磁記錄介質。關于得到的垂直磁記錄介質(實施例1-1~1-4、比較例1-1~1-2)，對它們涂布潤滑劑，使用美國GUZIK公司制的讀寫分析器1632以及轉臺S1701MP，進行了記錄再生特性的評價。然后，利用Kerr測定裝置進行了靜磁特性的評價。另外，為了調查磁記錄層的Co系合金的結晶取向性，利用X射線衍射裝置進行了磁性層的搖擺曲線測定。根據各自的測定，高信號雜音比SNR、頑磁力Hc、厶650、Co晶粒粒徑的結果在表l中一覽示出。任一參數都是在評價垂直磁記錄介質的性能時廣泛使用的指標。在表l的實施例1-1~1-4中，當Cr為5%時，各自未成為層狀無規則晶格，因此成為大致fcc結構的中間層。由于A650值小，因此盡管磁性層的結晶相對于M在垂直方向取向性良好地生長，但是SNR、Hc各參數值低。可以認為這是因為，相對于基板垂直的方向除了fcc的<111>以外，在<-111>、<1-11>、<11-1>方向磁性層結晶也進行取向的緣故。在實施例1-1~1-4的0>30%時，SNR、Hc、A650各參數相對于比較例得到改善。雖然A650值比Cr為5%時惡化少許，但通過Cr量增加而引起層疊缺陷，變為層狀無規則晶格，由此可以認為中間層只具有<111>軸對稱性。由此可以認為，靜磁特性和電磁特性均劇烈提高。此外，對于頑磁力為3000Oe以上的試樣，使用TEM進行磁記錄層的Co系合金的晶粒粒徑觀察。結果示于表2。由表2來看，使用了層狀無規則晶格的中間層，相對于比較例不僅結晶取向性優異，在磁記錄層的Co合金的晶粒粒徑控制方面也優異。(實施例2、比較例2)與實施例1同樣在玻璃基板上形成軟磁性層、基底層。制作了形成20nm的Pt-Cr、Ir-Cr的膜作為中間層的膜(實施例2-1和2-2)。各自的Cr組分是，對于Pt-Cr,Cr=14%、24%、34%、44%、55%、65%、75%，對于Ir-Cr，Cr=42%、53%、64%、70%。作為比較例，制作了將Pt、Cr、Ir與實施例2-1、2-2同樣地成膜了的膜(比較例2-1~2-3)。另外，與實施例1同樣制作了在中間層上成膜至磁記錄層和C膜為止的試樣(實施例2-1和2-2、比較例21~2誦3)。對成膜至中間層為止的試樣進行X射線衍射的in-Plane測定，確認了層狀無規則晶格所引起的衍射峰。另外，成膜至磁性層為止的試樣，利用Kerr測定裝置測定了靜磁特性。X射線衍射的結果示于圖4，靜磁特性結果示于表3。在圖4中，在2ex-70。附近顯現的衍射峰是起因于fcc結構的(111)面取向的峰。從圖4左圖在Cr:34~65%的范圍，從圖4右圖在Cr:42~64%的范圍下，在29x-40。附近顯現峰。該峰是起因于層狀無規則晶格的峰，從表2看，在顯現29乂=40。附近的峰的Cr組成下，顯示出頑磁力Hc為3500Oe這一高值。即可得出下述結論通過向具有fcc結構的元素添加Cr，而變為層狀無規則晶格，只在垂直方向具有軸對稱性，由此頑磁力提高。(實施例3、比較例3)與實施例1、2同樣在玻璃基板上形成軟磁性層。作為基底層，在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中分別形成5nm的具有fee結構的Ni。作為中間層，使用了具有fcc結構的元素與Ta、W的合金材料Pt-Ta、Pd畫Ta、Ir-Ta、Au-Ta、Ni-Ta、Pt-W、Pd畫W、Ir-W、Au畫W、Ni-W(實施例3-1~3-10)。另夕卜，使用了具有fcc結構的元素與Ti的合金材料Pt-Re、Pd-Re、Ir-Re、Au-Re、Ni-Re(實施例3-11~3-15)。分別在氣壓為0.6Pa的Ar氣氛中形成10nm的膜后，將氣壓升高至10Pa,進一步形成10nm的膜。再者，表中為了比較Ta、W、Re的含量為Oat。/。的情況而一并記載。作為比較例，將采取fcc結構的Pt、Pd、Ir、Au、Ni與采取相同的fcc結構的Ag、Cu的合金材料Pt-Ag、Pd-Ag、Ir-Ag、Au-Ag、Ni-Ag、Pt-Cu、Pd-Cu、Ir-Cu、Au-Cu、Ni-Cu分別在0.6Pa/10Pa的氣壓下與實施例3同樣地通過公轉成膜各形成lOnm的膜(比較例3-1~3-10)。接著，在這些試樣的表面，形成作為磁記錄層的Co-Cr-Pt-Si02、作為保護層的C膜，作為磁記錄介質。由各自的測定，Ta合金、W合金、Ti合金、Ag合金、Cu合金各自的高信號雜音比SNR、頑磁力Hc、A950的結果在表4~8中一覽示出。由表46可知，通過添加Ta、W、Ti，A05O稍孩i增大，磁記錄層的取向稍微惡化，但SNR、頑磁力大幅度改善。另一方面，由表7、8可知，即使添加Ag、Cu，SNR、頑磁力Hc、△650這些全部參數大致沒有變化。(實施例4、比較例4)與實施例3同樣在玻璃基板上形成軟磁性層、基底層。作為中間層，向具有fcc結構的Pt、Pd中添加了合計40%的第6副族元素Cr、Mo、W。作為組成，Cr=40%、Mo=40%、W=40%、Cr=20%+Mo=20%、Mo=20%+W=20%、W=20%+Cr=25%。制作了膜厚與實施例3同樣在氣壓0.6Pa/10Pa下各成膜lOnm的膜(實施例4-1~4-12)。作為比較例，制作了在Ru中與實施例4同樣地添加第6副族元素Cr、Mo、W而成膜的膜(比較例4-1~4-6)。對于它們，與實施例3同樣地形成磁性層和保護膜，作為磁記錄介質。關于評價，除了SNR、頑磁力Hc、△650以外，還由平面TEM圖像求得平均粒徑。Pt合金、Pd合金、Ru合金各自的高信號雜音比SNR、頑磁力Hc、A650、平均粒徑的結果在表9中一覽示出。由表9來看，在Pt、Pd中添加了Cr、Mo、W的樣品，大體上對于所有的參數值，都比在Ru中添加的樣品大。作為原因，可舉出對于Ru合金，磁記錄層的結晶取向性好；晶粒粒徑小。在Ru的情況下，可以認為當添加Cr、Mo、W時特性惡化。(實施例5、比較例5)與實施例3、4同樣在玻璃基板上形成軟磁性層、基底層，作為中間層，向具有fcc結構的Pt、Pd中添加了具有相同的fcc結構的Ni、和30%的第6副族元素W。作為Ni添加量為0、20%、40%。制作了膜厚與實施例3、4同樣在氣壓0.6Pa/10Pa下各成膜10nm的膜(實施例5-1~5-6)。作為比較例，制作了在Ru中添加0、20%、40%的Ni而成膜的膜(比較例5-1~5-3)。對于它們，與實施例3、4同樣地形成磁性層和保護膜，作為磁記錄介質。關于評價，求得SNR、頑磁力、A650、平均粒徑。Pt合金、Pd合金、Ru合金各自的高信號雜音比SNR、頑磁力Hc、A650、平均粒徑的結果在表IO中一覽示出。由表10可知，即使代替采取與Pt、Pd相同的fcc結構的Ni，SNR等參數也基本沒有變化，維持了特性。相反，如果在采取hcp結構的Ru中添加Ni，則結晶取向性惡化，SNR、頑/磁力也惡化。(實施例6、比較例6)與實施例1~3同樣在玻璃基板上形成軟磁性層、基底層，作為中間層，向具有fcc結構的Pd中添加了40%的W。制作了膜厚在氣壓0.6Pa下各成膜lOnm的膜。制作了在其上在Ar氣壓10Pa氣氛中各形成10nm的Ru或Re膜的膜(實施例6-1~6-2)。作為比較例，與實施例4的成膜順序相反，制作了下述膜在0.6Pa下形成10nm的Ru或Re膜，在該膜上在10Pa下形成10nm的在具有fcc結構的Pd中添加了40%的W的合金的膜(比較例6-1~6-2)。與實施例3~5同樣地形成磁性層和保護膜，作為磁記錄介質。關于評價，求得SNR、頑磁力、厶650、平均粒徑。低氣壓Pd-W樣品、高氣壓Pd-W樣品各自的高信號雜音比SNR、頑磁力Hc、△650、平均粒徑的結果在表ll中一覽示出。由表11可知，與Pd40W/Ru，Re相比，以Ru，Re/Pd40W的順序成膜時，雖然磁記錄介質的結晶取向性沒有變化，但是晶粒粒徑變大，SNR降低。(實施例7、比較例7)與實施例3~6同樣在玻璃基板上形成軟磁性層、基底層，作為中間層，向具有fcc結構的Pd中添加了30%的W，進而添加了第3主族元素C或第4主族元素Ga。添加量為0%、5%、10%。制作了膜厚在氣壓0.6Pa/10Pa下各成膜10nm的膜(實施例7-1~7-6)。作為比較例，在Pd中添加了0%、5%、10%的、第3主族元素C或第4主族元素Ga。膜厚與實施例同樣(比較例7-1~7-6)。與實施例3~6同樣地形成磁性層和保護膜，作為磁記錄介質。關于評價，求得SNR、頑磁力、△650、平均粒徑。Pd-W-C、Pd-W-Ga、Pd-C、Pd-Ga各自的高信號雜音比SNR、頑磁力Hc、厶650、平均粒徑的結果在表12中一覽示出。由表12可知，即使在Pd中添加C、Ga，也看不到特性的改善，但若添加到Pd-W中，則晶粒粒徑孩i細化，可看到SNR的改善。(實施例8、比較例8)與實施例3~7同樣在玻璃基板上形成軟磁性層、基底層，作為中間層，向具有fcc結構的Pd中添加了40%的W，在氣壓10Pa下形成15nm的膜。制作了在其上在Ar氣壓10Pa下形成5nm的Pd40W、Pd40W-5(SiO2)、Pd40W-10(SiO2)膜的膜(實施例8-1~8-3)。作為比較例，制作了在氣壓10Pa下形成15nm的Ru膜，在其上在氣壓10Pa下形成5nm的Ru、Ru-5(Si02)、Ru-10(SiO2)膜的膜(比較例8-1~8-3)。與實施例3~7同樣地形成磁性層和保護膜，作為磁記錄介質。關于評價，求得SNR、頑磁力、A650、平均粒徑。Pd-W/Pd-W-氧化物、Ru/Ru-氧化物的各自的高信號雜音比SNR、頑》茲力Hc、A650、平均粒徑的結果在表13中一覽示出。由表13可知，當在Pd40W中添加氧化物時，晶粒粒徑變小，SNR改善。可以認為原因是SiO;j在Pd40W周圍偏析。另一方面，當在Ru中添加氧化物時，結晶取向惡化，SNR、頑磁力也惡化。可以認為這是因為Si02不能偏析，并弄亂Ru的結晶取向的緣故。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表6<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表7<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表12<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>產業上的可利用性本發明可適用于磁記錄介質、其制造方法以及使用該磁記錄介質的磁記錄再生裝置。權利要求1.一種磁記錄介質，是在非磁性基板上至少具有襯里層、基底膜、中間層和垂直磁記錄膜的垂直磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有bcc結構的元素群的元素的合金材料形成，兼具(111)取向的結晶結構和由fcc結構與bcc結構的混合所引起的層狀無規則晶格(層疊缺陷)。2.—種磁記錄介質，是在非磁性基板上至少具有襯里層、基底膜、中間層和垂直磁記錄膜的垂直磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有hcp結構的元素群的元素的合金材料形成，兼具(111)取向的結晶結構和由fcc結構與hcp結構的混合所引起的層狀無規則晶格(層疊缺陷)。3.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以選自Pt、Ir、Pd、Au、Ni、Al、Ag、Cu、Rh、Pb和Co之中的至少一種為主成分的具有fcc結構的合金、和選自Fe、Cr、V、W、Mo和Ta之中的具有bcc結構的元素的合金材料形成。4.根據權利要求2所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以選自Pt、Ir、Pd、Au、Ni、Al、Ag、Cu、Rh、Pb和Co之中的至少一種為主成分的具有fcc結構的合金、和選自Y、Mg、Zn、Hf、Re、Os和Ru之中的具有hcp結構的元素的合金材料形成。5.根據權利要求1~4的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層中，具有fcc結構的元素的比例之和為20原子％~95原子％。6.根據權利要求l、3~5的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有bcc結構的元素群的元素的合金材料形成，并添加有選自第三主族元素(B、Al、Ga、In、Tl)或第四主族元素(C、Si、Ge、Sn、Pb)的至少一種元素，其非過渡金屬元素之和為0~30原子％。7.才艮據權利要求2~5的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有hcp結構的元素群的元素的合金材料形成，并添加有選自第三主族元素(B、Al、Ga、In、Tl)或第四主族元素(C、Si、Ge、Sn、Pb)的至少一種元素，其非過渡金屬元素之和為0~30原子％。8.根據權利要求l、3~6的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，是由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有bcc結構的元素群的元素的合金材料形成，并添加了015原子。/。的Si、Ti、Cr、Ta、Nb、W、Zr、Hf、Fe的氧化物的材料。9.根據權利要求27的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，是由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有hcp結構的元素群的元素的合金材料形成，并添加了0~15原子V。的Si、Ti、Cr、Ta、Nb、W、Zr、Hf、Fe的氧化物的材料。10.根據權利要求1~9的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的粒徑為3nm~10nm。11.根據權利要求1~10的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的膜厚為lnm~50nm。12.根據權利要求111的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，構成襯里層的軟》茲性膜為非晶結構。13.根據權利要求112的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，在所述襯里層與中間層之間具有基底層，所述基底層為fcc(111)晶面取向、或六方晶系共價鍵合性材料、非晶。14.根據權利要求113的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有bcc結構的元素群的元素的合金材料形成，其上具有六方最密結構(hcp)的Ru、Re或者Ru合金、Re合金呈(002)晶面取向。15.根據權利要求1~13的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層，由以具有fcc結構的元素群中的至少一種為主成分的、與選自具有hcp結構的元素群的元素的合金材料形成，在其上具有六方最密結構(hcp),呈(002)晶面取向。16.才艮據權利要求1~7的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述垂直磁記錄膜的至少一層為氧化物磁性膜或Co以及Pd的連續疊層膜。17.根據權利要求1~16的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層由Cr與具有fcc結構的元素的合金材料形成，Cr組分為10原子％~卯原子％。18.根據權利要求116的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層由Pt-Cr合金材料形成，Cr組分為15原子％~75原子％。19.根據權利要求1~16的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層由Ir-Cr合金材料形成，Cr組分為20原子％~80原子％。20.根據權利要求1~16的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層由Pd-Cr合金材料形成，Cr組分為10原子％~60原子％。21.根據權利要求1~16的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層由Au-Cr合金材料形成，Cr組分為10原子％~70原子％。22.根據權利要求1~16的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層是Pt的比例為20原子％~90原子％，并添加了選自過渡金屬元素群Ti、V、Cr、Fe、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Os之中的至少一種元素的合金材料。23.根據權利要求116的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層是Pd的比例為20原子％~90原子％，并添加了選自過渡金屬元素群Ti、V、Cr、Fe、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Os之中的至少一種元素的合金材料。24.根據權利要求1~16的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層是Ir的比例為20原子％~90原子％，并添加了選自過渡金屬元素群Ti、V、Cr、Fe、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Os之中的至少一種元素的合金材料。25.根據權利要求116的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層是Au的比例為25原子％~85原子％,并添加了選自過渡金屬元素群Ti、V、Cr、Fe、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Os之中的至少一種元素的合金材料。26.根據權利要求116的任一項所述的磁記錄介質，其特征在于，所述中間層的至少一層是Ni的比例為30原子％~95原子％，并添加了選自過渡金屬元素群Ti、V、Cr、Fe、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Os之中的至少一種元素的合金材料。27.—種磁記錄介質的制造方法，是在非磁性基板上至少具有襯里層、基底膜、中間層和垂直磁記錄膜的垂直磁記錄介質的制造方法，其特征在于，通過向具有fcc結構的元素中添加具有bcc結構或hcp結構的元素，使所述中間層的至少一層成為具有層狀無規則晶格(層疊缺陷)的進行(111)取向的結晶結構。28.—種磁記錄再生裝置，是具備磁記錄介質和在該磁記錄介質上記錄再生信息的磁頭的磁記錄再生裝置，其特征在于，磁記錄介質為權利要求1~26的4壬一項所述的磁記錄介質。全文摘要本發明提供通過兼備垂直磁記錄層的粒徑微細化和垂直取向性而可進行高密度信息記錄再生的磁記錄介質、其制造方法以及磁記錄再生裝置。所述磁記錄介質是在非磁性基板上至少具有襯里層、基底膜、中間層和垂直磁記錄膜的垂直磁記錄介質，其中，所述中間層的至少一層，由具有fcc結構的元素與具有bcc結構或hcp結構的元素的合金材料構成，并且，為兼具(111)取向的結晶結構和由fcc結構與bcc結構或hcp結構的混合所引起的層狀無規則晶格(層疊缺陷)的結構。另外，中間層的至少一層，由以選自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一種為主成分的具有fcc結構的合金和具有bcc結構或hcp結構的元素的合金材料構成。文檔編號G11B5/667GK101438345SQ20078001645公開日2009年5月20日申請日期2007年5月7日優先權日2006年5月8日發明者佐佐木有三,前田知幸,坂口龍二,竹尾昭彥,高橋研,齊藤伸申請人:國立大學法人東北大學;株式會社東芝;昭和電工株式會社