專利名稱：制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
基于原子力顯微鏡(AFM)的數(shù)據(jù)存儲裝置已由P. Vettiger等人在"The millipede - more than 1000 tips for future AFM data storage, IBM Journal Research Development, Vol. 44, No. 3， March 2000"中7>開。該存A者裝置基于用 探針(每個具有尖端(tip))陣列對存儲介質(zhì)進行x、 y機械掃描而具有讀寫 功能。探針并行操作，操作期間每個探針掃描存儲介質(zhì)的相關(guān)場區(qū)(fidd)。 存儲介質(zhì)包括聚合物層。每個尖端具有20-40nm之間的直徑，尖端以接觸模 式跨聚合物層的表面移動。該接觸模式通過對探針施加力使探針的尖端能接 觸聚合物層的表面來實現(xiàn)。為此，探針具有懸臂，在懸臂的端部攜帶尖端。 位由聚合物層中的凹入標記或非凹標記來表示。在裝置以讀/寫模式操作期 間，懸臂跨越聚合物層的表面移動時它們對這些形貌變化作出響應。
凹入標記通過熱機械記錄而形成在聚合物層上。這通過加熱相對于聚合 物層以接觸模式操作的各探針的尖端來實現(xiàn)。尖端的加熱通過專用于凹入標 記的寫入/形成的加熱器實現(xiàn)。聚合物層在被加熱的尖端接觸的區(qū)域局部軟 化。結(jié)果在所述層上產(chǎn)生凹入，該凹入例如具有與在其形成中使用的尖端的 直徑相當?shù)募{米級直徑。
讀取也通過熱機械和無念完成。探針利用專用于讀取/檢測凹入標記過程的 加熱器被加熱。在該情況下，探針被加熱但不導致其關(guān)聯(lián)尖端的加熱，即加 熱溫度不足以如寫入所必需的那樣軟化聚合物層。熱檢測是基于這樣的事 實當探針在凹入中移動時探針與存儲介質(zhì)之間的熱傳導改變，因為在該情 況下熱傳輸更有效率。結(jié)果，懸臂的溫度下降且因此其電阻也改變。于是該 電阻變化被測量且用作測量信號。
目前，用于上述存儲裝置中的聚合物層通過旋涂選擇的聚合物到基板例 如硅晶片上來制備。當在一般位尺寸長度級上測量時用該方法制造的聚合物層的表面粗糙度在1-2 nm左右。
如上所述，信息以凹入標記和非凹標記的形式編碼到聚合物層中?？紤] 到一般由旋涂得到的表面粗糙度，希望在用于檢測信息的存儲裝置的壽命規(guī) 格期間獲得大于10dB的信噪比(SNR )。為了獲得這樣的檢測裕度(sensing margin),每個凹入應一般形成有例如lOrnn左右的深度。因為凹入的橫向尺 寸在與其深度相同的量級，不可避免地，存儲裝置的記錄密度因此受到限制。
因此，需要提供一種制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，當用于數(shù)據(jù)存儲裝置時， 與使用以前提出的方法例如旋涂制造的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)相比，該數(shù)據(jù)存儲介質(zhì) 使所述裝置達到增大的記錄密度。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，包括步驟 a)涂布包括聚合物材料的層到模板表面的至少一部分上，由此得到改性的 模板表面；b)將步驟(a)中制造的改性的模板表面與目標表面夾住，由此 得到一組件；c)將液體引入到步驟(b)中得到的組件的周圍，由此將改性 的模板表面的包括聚合物材料的層轉(zhuǎn)移到目標表面上的至少一相鄰區(qū)域。
才艮據(jù)本發(fā)明的第一方面，包括聚合物材料的層涂覆到模板表面的至少一 部分上，由此得到改性的模板表面(步驟(a))。模板表面基于其表面粗糙 度來選擇，優(yōu)選是相對無缺陷的。改性的模板表面被夾到目標表面，由此得 到一組件(步驟(b))。目標表面是例如包括聚合物材料的層期望沉積于其 上的表面。通過引入液體到組件的周圍，改性的模板表面的包括聚合物材料 的層轉(zhuǎn)移到目標表面上的至少一相鄰區(qū)域上(步驟(c))。包括聚合物材料 的層以其先前與模板表面接觸的表面現(xiàn)在被暴露的方式轉(zhuǎn)移到目標表面上。 本發(fā)明利用了這樣的事實，即包括聚合物材料的層的暴露表面的表面粗糙度 幾乎是其先前接觸且現(xiàn)在已從其分隔開的模板表面的表面粗糙度的復制 (replication )。如前所述，因為選擇才莫板表面是相對無缺陷的，所以包括聚 合物材料的層的暴露表面呈現(xiàn)與其先前接觸的模板表面相同的平坦度，且有 利地，在數(shù)平方毫米的面積上呈現(xiàn)該點。
以上述方式，與采用旋涂法可得到的相比，能制造表面粗糙度減小的包 括聚合物材料的層。因此，可以制造小于10nm深度和橫向尺寸的凹入標記 而不損害檢測裕度和/或需要復雜的檢測機制。由于在包括聚合物材料的層上形成減小尺寸的凹入標記成為可能，所以在具有該層的數(shù)據(jù)存儲裝置中可獲 得相應的記錄密度的改善。另一優(yōu)點是，沉積包括聚合物材料的層到目標表 面上能以不需要復雜的處理設(shè)備和/或步驟的方式進行。
示例地，當在目標表面的O.lpm2面積內(nèi)測量時，才艮據(jù)本發(fā)明第一方面 沉積在目標表面上的包括聚合物材料的層的均方才艮(root mean squared, rms ) 表面粗糙度值不大于0.2nm,而在相同尺度上測量時，以前提出的技術(shù)例如 旋涂獲得的一般為0.5nm到l.Onm。與例如旋涂法相比，以本發(fā)明第一方面 獲得的改善從各方法制造的樣品的表面形貌的功率譜(energy spectra)尤其 明顯。特別地，在一般位距離(bit distance )的波長區(qū)域，即約20nm到50nm, 相對于旋涂法，本發(fā)明的第一方面獲得約5倍的改善。這將在下面進一步詳 纟田論述。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的一實施例，模板表面具有親水性。期望地，模板 表面包括下述之一的表面云母基板、火焰退火玻璃基板、硅基板上的硅氧 化物層、以及(100)表面鉤鈦礦基板。優(yōu)選地，聚合物材料包括可交聯(lián)聚 合物。在該情況下，還優(yōu)選地，在步驟(b)之前進行改性的模板表面的加 熱。期望地，液體包括才及性液體。
在本發(fā)明中某些材料的親水性用于沉積與以前提出的技術(shù)例如旋涂法 獲得的相比表面粗糙度減小的聚合物層到基板上。這可以通過使用具有親水 性且是相對無缺陷表面的模板表面來進行。包括聚合物材料的層涂覆到具有 親水性的模板表面，由此得到改性的模板表面(步驟(a))。改性的模板表 面然后與包括聚合物的層期望沉積于其上的目標表面一起被夾住，由此得到 一組件(步驟(b))。然后極性液體被引入到組件的周圍。因為極性液體被 吸引到模板表面(因為模板表面具有親水性)，所以它滲透到包括聚合物材 料的層與模板表面之間的界面。極性液體和親水性才莫板表面之間的吸引力導 致包括聚合物材料的層與才莫板表面之間的分離壓力，由此使它們分離且使包 括聚合物材料的層沉積到目標表面上與組件中改性的模板表面相鄰的區(qū)域 上(步驟(c))。因為包括聚合物材料的層的暴露表面先前位于與模板表面 接觸，所以暴露表面的表面粗糙度基本是模板表面的表面粗糙度的復制。在 第一方面的一實施例中，因為選擇模板表面是相對無缺陷的(見上面的論 述)，所以暴露表面也呈現(xiàn)該性質(zhì)，且因此與利用旋涂法獲得的相比具有減 小的表面粗糙度。示例地，在第一方面的一實施例中，模板表面可選擇為云母基板的表面。 除了是親水性的以外，選擇云母是因為其獨特的屬性，即解理時，它產(chǎn)生相 對無缺陷的表面。包括聚合物材料的層涂覆到新解理的云母的至少一部分表
面上，由此得到改性的云母表面(步驟(a))。聚合物材料可例如包括可交 聯(lián)聚合物，諸如苯乙烯-苯并環(huán)丁烯無規(guī)共聚物(PS-BCB )。為了激活PS-BCB 的組分之間的交聯(lián)，改性的云母表面可例如加熱到約220攝氏度約30分鐘。 與使前述交聯(lián)反應發(fā)生相關(guān)的優(yōu)點在于后面的退火和/或在溶劑中浸沒不影 響根據(jù)第一方面一實施例制造的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的表面外貌。然后，改性的云 母表面與包括PS-BCB的層期望沉積于其上的目標表面一起被夾住，由此得 到一組件(步驟(b))。然后，極性液體例如水被引入到組件的周圍。由于 云母表面具有親水性，水分子將被吸引到云母表面，所以它滲透到包括 PS-BCB的層與云母表面之間的界面中。這導致包括PS-BCB的層從云母表 面分離并沉積到目標表面上與組件中改性的云母表面相鄰的區(qū)域(步驟 (c))。因為包括PS-BCB的層的暴露表面先前位于與云母表面接觸，所以 PS-BCB的暴露表面的表面粗糙度基本是云母表面的表面粗糙度的復制。在 第一方面的一實施例中，因為選擇云母表面是相對無缺陷的(見上述)，所 以PS-BCB的暴露表面也呈現(xiàn)該性質(zhì)，且因此與使用旋涂法可獲得的相比， 其具有減小的表面粗糙度。
當然，第一方面的實施例不限于使用云母基板的表面用于模板表面。事 實上，具有親水性和與云母相同/相似的表面質(zhì)量的任何其他表面都可使用。 例如，模板表面可包括火焰退火玻璃基板、硅基板上的硅氧化物層以及(100 ) 表面鈣鈦礦基板之一的表面。另外，第一方面的實施例不限于使用PS-BCB 作為聚合物材料。事實上，任何其它合適的可交聯(lián)聚合物都可使用。
根據(jù)第 一方面的另 一實施例，模板表面可包括提供在支承體上的犧牲層 的表面。優(yōu)選地，犧牲層包括水溶性鹽、硅氧化物、金屬和有機材料的層之 一。當犧牲層包括硅氧化物層時，液體優(yōu)選包括氫氟酸。
可選擇犧牲層以進一步促進包括聚合物材料的層容易地轉(zhuǎn)移到目標表 面上。包括聚合物材料的層被涂覆到犧牲層的至少一部分上(步驟(a))。 如此改性的犧牲層然后接觸目標表面且與其一起被夾住，由此得到一組件 (步驟(b))。為了促進包括聚合物材料的層從犧牲層轉(zhuǎn)移到目標表面上與 組件中改性的犧牲層相鄰的區(qū)域上，該層通過引入適當選擇的液體而被溶解。
優(yōu)選地，犧牲層選擇為水溶性鹽例如氯化鈉、氯化鉀等的層。
期望地，犧牲層包括硅基板上的硅氧化物層。在這種情況下，硅氧化物
層的去除可通過4吏用包括有效蝕刻硅氧化物層的氬氟酸的液體而^皮促進。
優(yōu)選地，犧牲層包括金屬層，在這種情況下，液體可包括例如合適的酸
寸生々蟲刻劑。
期望地，犧牲層包括有機材料，其具有形成有序取向?qū)蛹锤叨扔行虻谋?膜的屬性。有機材料可例如是包括自有序烷基分子、自有序嵌段共聚物等的 材料。有機材料也可以是能形成液晶層的材料。犧牲層包括有機材料時，液 體可以是適于與有機材料一起使用且能溶解有機材料的容積。
數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲裝置。
根據(jù)本發(fā)明的 一方面的特征可應用到任意其它方面，反之亦然。
現(xiàn)在將以示例方式參考附圖，附圖中 圖1示出本發(fā)明一實施例中的步驟；
圖2示出通過旋涂(圖2a)和本發(fā)明的一實施例(圖2b)沉積在硅基 板上的PS-BCB層的AFM圖像；
圖3示出圖2的示例的功率i普(power spectra);
圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例制備的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)；以及
圖5示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的步驟。
具體實施例方式
說明書中，相同的附圖標記或符號用于指示相同或相似部件。
現(xiàn)在參照圖1，其示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的步驟。
如圖la，在步驟(a)中，包括聚合物材料的層2被涂覆到模板表面1 的至少一部分上，由此獲得改性的模板表面2，。在本發(fā)明一實施例中，改性 的模板表面是模板表面1和涂覆于其上的包括聚合物材料的層2的結(jié)合。
如圖lb所示，在步驟(b)中，步驟(a)中制造的改性的模板表面2， 接觸目標表面3并與其夾在一起，由此獲得一組件。目標表面3可以例如是期望沉積包括聚合物材料的層2到其上的表面。
如圖1C所示，在步驟(C)中，通過引入液體4到步驟(b)中獲得的
組件的周圍，改性的模板表面2，的包括聚合物材料的層2被轉(zhuǎn)移到目標表面 3上至少相鄰的區(qū)域上。在本發(fā)明一實施例中，包括聚合物材料的層2可被 轉(zhuǎn)移到目標表面3上位于與改性的模板表面2，直接相鄰的區(qū)域上。在進行步 驟(c )之后，通過加熱目標表面3,包括聚合物材料的層2可被轉(zhuǎn)移到整個 目標表面3上或者其一部分上(例如位于與步驟(c)中包括聚合物材料的 層2轉(zhuǎn)移到其上的目標表面3的區(qū)域相鄰)。
以示例方式，聚合物材料是苯乙烯-苯并環(huán)丁烯無規(guī)共聚物 (polystyrene-r-benzocyclobutene random copolymer, PS-BCB )， 其具有是可 交聯(lián)聚合物的屬性，其具有疏水性，且其不是吸濕性的。模板表面l是新解 理的云母的表面。選擇云母是因為具有親水性及其獨特的屬性，即解理時其 產(chǎn)生相對無缺陷的表面。在該情況下，在步驟(a)中，PS-BCB的層2通過 旋涂被涂覆到云母表面1上，由此得到改性的云母表面2，。通常，通過滴 PS-BCB溶液到云母表面1上且然后以約2000轉(zhuǎn)每分鐘的速度旋轉(zhuǎn)云母表面 1來進行旋涂。以此方式，PS-BCB的層2以約100nm的厚度涂覆到云母表 面1上。當然，可以通過改變PS-BCB在其溶液中的權(quán)重來使PS-BCB以所 需的厚度沉積到云母表面1上。在PS-BCB的層2被旋涂到云母表面1上之 后，所得到的改性的云母表面2，在220攝氏度被加熱約30分鐘。這樣做以 激活PS-BCB中組分的交聯(lián)反應。
在步驟(b)中，使步驟(a)中制造的改性的云母表面2，接觸目標表面 3并與其夾在一起，由此得到一組件。目標表面3可以是例如硅基板的表面。 所述"夾，，可通過適合本發(fā)明實施例的應用(例如適合于數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的單 個或大規(guī)3莫制造)的任何方法和/或裝置來實現(xiàn)。
在步驟(c)中，極性液體4例如水^l引入到步驟(b)中獲得的組件的 周圍。 一般地，這通過將組件浸在水中來進行。由于被親水性的云母表面1 吸引，水分子滲透包括PS-BCB的層2與云母表面l之間的界面。水分子和 云母表面1之間的吸引力導致分離壓力施加在包括PS-BCB的層2與云母表 面1之間，使它們自發(fā)分開。這些表面的分開還受到排斥水分子的PS-BCB 的疏水特性的輔助。以此方式，改性的云母表面2'的包括PS-BCB的層2轉(zhuǎn) 移到硅基板3上的至少一相鄰區(qū)域。然后云母表面l被浮脫，轉(zhuǎn)移到珪基板上的包括PS-BCB的層2用氮氣吹干。
從圖ld可以看出，包括PS-BCB的層2以其先前接觸云母表面1的表 面現(xiàn)在被暴露的方式轉(zhuǎn)移到硅基板3上。本發(fā)明利用了這樣的事實，即包括 PS-BCB的層2的暴露表面5的表面粗糙度幾乎是其先前接觸且現(xiàn)在已從其 分開的云母表面1的表面粗糙度的復制。因為新解理的云母具有相對無缺陷 的屬性，所以包括PS-BCB的層2的暴露表面5表現(xiàn)出與其先前接觸的云母 表面l相同的平坦度，且有利地，在數(shù)平方毫米的面積上表現(xiàn)出此點。
本發(fā)明允許包括聚合物材料的層2以不需復雜的處理設(shè)備和/或步驟的 方式沉積到目標表面3上。在給出以示范本發(fā)明的原理的上述示例中，通過 利用作用在水4分別與親水性云母表面1和層2中的疏水性PS-BCB之間的 表面力，進行PS-BCB的層2到硅基板3上的轉(zhuǎn)移。
如前所述，當在目標表面3的0.1jim2面積中測量時，以上述方式沉積 到目標表面3上的包括聚合物材料的層2的均方根(rms)表面粗糙度值約 幼.2nm，而當在相同尺度上測量時，以先前提出的技術(shù)例如旋涂法獲得的均 方根表面粗糙度值為0.5nm至lnm。以本發(fā)明一實施例獲得的相對于旋涂法 的表面粗糙度值改善證實于圖2中，圖2示出通過旋涂法(圖2a)和本發(fā)明 (圖2b )沉積在云母表面1上的包括PS-BCB的層2的AFM圖像。通過這 些圖像的灰度變化示出表面形貌的改變。比較圖2a和2b顯見，利用本發(fā)明 一實施例制造的包括PS-BCB的層2的表面形貌且因此表面粗糙度的變化小 于用旋涂法獲得的。
為了在圖2a和2b所示的層之間進行定量比較，請參照圖3,圖3示出 它們的表面形貌的功率譜。這里，在圖3中，圖2a的旋涂樣品的譜由"x" 指示，根據(jù)本發(fā)明一實施例制造的樣品由"y"指示，檢測機械的電子噪聲 由"z，，指示。
從圖3可以看出，利用本發(fā)明一實施例沉積在云母表面1上的包括 PS-BCB的層2的功率鐠(曲線y)的幅度達到比旋涂法獲得的(曲線x)低 一個lt量級。這轉(zhuǎn)變?yōu)?，利用本發(fā)明一實施例沉積在云母表面1上的包括 PS-BCB的層2中的凹入深度與利用旋涂法準備的相比減小到三分之一，然 而，盡管更淺了，但其能夠以與用于通過旋涂制備的包括PS-BCB的層2的 SNR相當?shù)腟NR檢測到。由于與旋涂法相比，利用本發(fā)明一實施例制造的 包括PS-BCB的層2具有減小的表面粗糙度，所以在該層上可以形成更淺的凹入標記，而不會損及檢測裕度和/或需要復雜的一t測設(shè)備。因為凹入標記的 橫向尺寸與其深度一起縮放，所以對于利用本發(fā)明一實施例制造的包括
PS-BCB的層2，與旋涂法相比，所形成的凹入標記的數(shù)目可增大，這得到 增大的記錄密度性能。
可利用本發(fā)明 一 實施例獲得的相對于例如旋涂法的改善從一般的位 (bit)距離的頻率區(qū)域中的功率的幅度來看尤其明顯。具體地，在約0.02/nm 處(在圖3中由標記"相關(guān)區(qū)域"的箭頭指示)，與利用本發(fā)明一實施例的 沉積在云母表面1上的包括PS-BCB的層2相關(guān)的功率語的幅度為180左右， 而用旋涂法獲得的為約36 (這些單位與圖3—致)。另外，后一信號受到檢 測系統(tǒng)的電子噪聲的限制，其由曲線"z"指示。于是，在數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中 一般位距離的波長區(qū)域，本發(fā)明一實施例相對于旋涂法獲得至少5倍的改善。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例制造的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。x軸和y軸表示記 錄的像元(pixel)的數(shù)量。在該情況下，像元到像元的距離是約4nm。以約 24nm的節(jié)距(pitch)寫入凹入(indentation )，對于d = 1代碼(即，在數(shù)據(jù) 道中凹入標記('r)之間有至少一個非凹標記('O，))，這轉(zhuǎn)變?yōu)?.4萬億位 每平方英寸的存儲密度。凹入的深度是約2mn,總體SNR是約8db，這對于 獲得小于10-4的原始位誤差率(raw bit error rate)是足夠的，即，平均而言 且沒有采用校正機制，對于10000位獲得一個誤差。預期SNR主要受限于 檢測凹陷所使用的系統(tǒng)的電子噪聲。有利地，凹入的減小的深度造成凹入周 圍輪緣(rim)形成的減少，輪緣的形成通常干擾和扭曲凹入的檢測。
對于模板表面1,本發(fā)明不限于使用云母。事實上，可以使用親水性且 具有與云母相同/相似表面質(zhì)量的其他基板。例如，火焰退火的玻璃基板的表
面、硅基板上的硅氧化物層、或者(100)表面鈣鈦礦可被使用，這些對于 在用于批量制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的環(huán)境中實施本發(fā)明是優(yōu)選的。在(100)表 面4丐鈦礦的情況下，這可由AB03表示，其中元素A是鑭系石成土金屬，B是 過渡金屬，O是氧。其特定例子是鈦酸鍶。
作為選擇，模板表面1可包括在支承體上的犧牲層。參照圖5a，在步驟 (a)中，包括聚合物材料的層2被涂覆到設(shè)置在支承體7上的犧牲層6的 至少一部分上，由此得到改性的犧牲層2"。在該情況下，改性的犧牲層2" 當作是包括聚合物材料的層2和其上涂覆層2的犧牲層6的結(jié)合。
從圖5b可以看出，在步驟(b)中，改性的犧牲層2"然后接觸目標表面3并與目標表面3夾在一起，由此得到一組件。如圖5c所示，為了促進 包括聚合物材料的層2從改性的犧牲層2"轉(zhuǎn)移到與組件中改性的犧牲層2" 相鄰的目標表面3的區(qū)域上，通過引入適當?shù)囊后w4來溶解犧牲層6 (步驟 (c))。
支承體7可包括例如Si ( 111 )、 Si ( 110)、 Si ( 100)、 Ge ( 100)晶體 表面等，這樣做是因為這些晶體表面的外貌(profile )。
犧牲層6可選擇為水溶性鹽例如氯化鈉、氯化鉀等的層。
作為選擇，犧牲層6可包括硅基板7上的硅氧化物層。在該情況下，可 通過使用包括氫氟酸(其有效地蝕刻硅氧化物層6)的液體4促進步驟(c) 中硅氧化物層6的去除。
犧牲層6可包括金屬層，在該情況下，液體4可包括例如合適的酸性蝕 刻劑。
犧牲層6可包括有機材料，其具有形成有序取向?qū)?，即高度有序的薄?的屬性。有機材料可以是例如包括自有序烷基分子、自有序嵌段共聚物(block copolymer)等的材料。有機材料也可以是能形成液晶層的材料。犧牲層6 包括有機材料時，液體4可以是適于與有機材料一起使用且能溶解有機材料 的溶劑。
在本發(fā)明一實施例中，聚合物材料可具有疏水性(在該情況下，優(yōu)選其 也是吸濕性的)或親水性。
可選擇模板表面1和目標表面3從而它們各自的表面能使得步驟(c) 中引入的液體的分子優(yōu)選被吸引到模板表面1而不是目標表面3。示例地， 應選擇目標表面3呈現(xiàn)比模板表面1更弱的親水性，或者具有疏水性。特別 地，當兩者都具有疏水性的目標表面3和聚合物材料用在本發(fā)明的實施例中 時，有助于聚合物材料的層2轉(zhuǎn)移到目標表面3上。由于其疏水屬性，目標 表面3和包括聚合物材料的層2結(jié)合地排斥極性液體4的分子。與目標表面 3不具有疏水性時相比，這導致極性液體4施加更強的分離壓力(其引起包 括聚合物材料的層2從親水性的模板表面1分離)。此外，作用在這些疏水 性表面之間的范德瓦爾斯力促進了包括聚合物材料的層2更牢固地貼到目標 表面3上。目標表面是例如硅基板、其氫鈍化表面、或者涂覆在基板上的具 有疏水性的聚合物層。
本發(fā)明的實施例不限于數(shù)據(jù)存儲應用，可例如用在任何其它掃描探針應用中，諸如高分辨平板印刷(lighography )、生物化驗等。
上面單純以示例方式描述了本發(fā)明，可在本發(fā)明的范圍內(nèi)進行細節(jié)的修改。
或者以任何合適的組合提供。
權(quán)利要求
1.一種制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，包括步驟a)涂覆包括聚合物材料的層(2)到模板表面(1)的至少一部分上，由此得到改性的模板表面(2’)；b)夾住目標表面(3)與步驟(a)中制造的所述改性的模板表面(2’)，由此得到一組件；以及c)引入液體(4)到步驟(b)中獲得的所述組件的周圍，由此將所述改性的模板表面(2’)的包括聚合物材料的層(2)轉(zhuǎn)移到所述目標表面(3)上的至少一相鄰區(qū)域上。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其中所述模板表面 (1)具有親水性。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其中所述模板 表面(1)包括下述之一的表面云母基板、火焰退火的玻璃基板、硅基板 上的硅氧化物層和(100)表面鈣鈦礦基板。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其中所述聚合 物材料包括可交聯(lián)的聚合物。
5. 如權(quán)利要求2、 3或4所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，還包括在步 驟(b)之前加熱所述改性的模板表面(2，)的步驟。
6. 如權(quán)利要求2到5中的任一項所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其 中所述液體(4)包括極性液體。
7. 如權(quán)利要求1所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其中所述模板表面 (1)包括設(shè)置在支承體(7)上的犧牲層(6)的表面。
8. 如權(quán)利要求7所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其中所述犧牲層(6) 包括水溶性鹽、硅氧化物、金屬和有機材料的層之一。
9. 如權(quán)利要求8所述的制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，其中當犧牲層(6) 包括硅氧化物層時，液體(4)包括氪氟酸。
10. —種數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法制造。
11. 一種數(shù)據(jù)存儲裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1至9的任一項所述的方法 制造的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的方法，包括步驟a)涂覆包括聚合物材料的層(2)到模板表面(1)的至少一部分上，由此得到改性的模板表面(2’)；b)夾住目標表面(3)與步驟(a)中制造的所述改性的模板表面(2’)，由此得到一組件；以及c)引入液體(4)到步驟(b)中獲得的所述組件的周圍，由此將所述改性的模板表面(2’)的包括聚合物材料的層(2)轉(zhuǎn)移到所述目標表面(3)上的至少一相鄰區(qū)域上。
文檔編號G11B9/00GK101410898SQ200780010422
公開日2009年4月15日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者伯恩德·W·戈特斯曼, 厄爾斯·T·杜里格, 阿明·W·諾爾 申請人:國際商業(yè)機器公司