專利名稱：能夠降低耦合效應的存儲單元編程方法
技術領域：
本發明涉及一種存儲單元(memory cell)編程方法。
背景技術：
非易失性存儲裝置可以電擦除和編入(program)數據，而且即使在不提供 電源電壓的情況下也可以保存儲存的數據。非易失性存儲裝置的示例是閃速 存儲器。存儲單元可以包括具有控制柵極、浮動柵極、源極和漏極的單元晶體管。 可以使用Fowler-Nordheim (F-N)隧穿機制來編程或擦除單元晶體管。單元晶體管的示例擦除操作可以通過將地電壓施加到單元晶體管的控制 柵極并且將高于電源電壓的電壓施加到半導體基底(或體)來執行。在擦除偏差 (bias)情況下，在浮動柵極和基底之間的相對大的電壓差會導致在它們之間的 相對強的電場。結果，由于F-N隧穿，浮動柵極中的電子會釋放到基底。這 樣，會降低擦除的單元晶體管的閾值電壓。在示例編程操作中，可以將高于電源電壓的電壓施加到控制柵極，并且 可以將地電壓施加到漏極、源極和基底。在編程偏差情況下，會通過F-N隧 穿將電子注入到單元晶體管的浮動柵極。結果，會增大編程的單元晶體管的 閾丫直電壓。圖1是用于說明包括在非易失性存儲裝置中的存儲單元的結構和操作的示圖。如圖1中所示，可以將電子注入到包括在非易失性存儲裝置中的存儲單 元的浮動柵極FG。電子可被注入浮動柵極FG的狀態被稱為"編程狀態"。電 子可從浮動柵極FG被擦除的狀態被稱為"擦除狀態"。
在編程狀態中，浮動柵極FG的閾值電壓可以高于大約"O"或為正值。在 擦除狀態中，浮動柵極FG的閾值電壓可以低于"O"或為負值。為了提高閃速存儲器的密度，可以使用多層閃速存儲器。在多層閃速存 儲器中，多個數據位(例如，多位數據)可以被存儲在單個存儲單元中。例如， 多位數據(例如，兩位或更多位)可以被存儲在每個存儲單元中。存儲多位數據 的存儲單元被稱為"多層單元(multi-level cell)",存儲單位數據的存儲單元被稱 為"單層單元(single-level ceii)"。多層單元可以利用兩個或更多個閾值電壓存儲多位數據。閾值電壓中的每個可以被包括在多個閾值電壓的對應的閾值電 壓分布中。多層單元也可以具有對應于兩個或更多個閾值電壓分布的兩個或 更多個數據存儲狀態。將描述在多層閃速存儲器的存儲單元中存儲2位數據 的示例。然而，可以在多層閃速存儲器的存儲單元中存儲三位或更多位數據。 存儲2位數據的多層單元可以具有四種數據存儲狀態，例如，"11"、 "01 ，，、 "10"和"00"。在這個示例中，"ll"表示已擦除的狀態,"01"、 "10，，和"00，，表示 已編程的狀態。四種數據存儲狀態可以對應多層單元的各個閾值電壓分布。例如，如果 多層單元的閾值電壓分布為"VTH1-VTH2"、 "VTH3-VTH4"、 "VTH5-VTH6" 和"VTH7-VTH8",則lt據存儲狀態"ll"、 "01"、 "10"和"00"可以分別對應電 壓分布"VTH1-VTH2"、 "VTH3-VTH4"、 "VTH5-VTH6"和"VTH7-VTH8"。在這個示例中，才艮據閾值電壓"ir、 "or、 "io，，和"oo",可以將2位數據存儲在 所述多層單元中。圖2是用于說明包括在非易失性存儲裝置中的多層單元的示例操作的示圖。圖2示出了擦除狀態，其中，在多層單元的浮動柵極FG中沒有電子； 第一編程狀態，其中，將第一部分電子注入到多層單元的浮動柵極FG中； 第二編程狀態，其中，將第二部分電子注入到多層單元的浮動柵極FG中； 第三編程狀態，其中，將數量相對較大的電子注入到多層單元的浮動柵極FG 中。從擦除狀態到第三編程狀態，閾值電壓會逐漸地增加。圖3示出了在圖2中示出的傳統的多層單元的多個閾值電壓分布。參照圖3，傳統的多層單元的16個閾值電壓分布可以表示4位數據。16 個閾值電壓分布可以對應于4位碼(code)的組合。可以通過改變存儲單元的閾值電壓來執行存儲單元編程。改變已編程的-與H效應(coupling effect),這會改變相鄰的存儲單元的閾值電壓。在這個示例中， 編程時的閾值電壓的改變越大，耦合效應越強。另外，與在編程過程的開始 的閾值電壓的改變所導致的耦合效應相比，在編程過程的后半段的閾值電壓 的改變會導致更強的耦合效應。發明內容示例實施例涉及存儲單元和存儲單元編程方法，例如，涉及能夠降低在 存儲單元編程過程中由于閾值電壓的改變所導致的耦合效應的存儲單元和存 儲單元編程方法。示例實施例提供存儲單元和存儲單元編程方法，其中，可以順序地降低 在用于編入后面的位的閾值電壓之間的閾值電壓差。根據至少一個示例實施例，用于在存儲單元中編入n位數據的一種存儲 單元編程方法可以具有多個閾值電壓分布。該存儲單元編程方法可以包括第 一至第n編程操作。可以順序地執行所述編程操作。根據至少一些示例實施例，第一至第n編程操作可以使用多個閾值電壓 分布來分別編入第一至第n位。在第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間 的閾值電壓差可以小于在其它的第一至第n-l編程操作中使用的閾值電壓分 布之間的閾值電壓差中的至少一個。在第一至第n編程操作中使用的閾值電 壓分布之間的閾值電壓差可以(例如，順序地)降低。根據至少一些示例實施例，在第一編程操作中^f吏用的閾值電壓分布之間 的閾值電壓差可以大于在第二至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的 閾值電壓差中的至少一個。在第一編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾 值電壓差可以是在第一至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電 壓差中的最大電壓差。根據示例實施例，存儲單元可以是可以存儲多位數據(例如，n位數據) 的非易失性存儲單元。存儲單元可以是可以存儲多位數據(例如，n位數據) 的多層閃速存儲單元。存儲單元具有根據閾值電壓來分類的2。個閾值電壓分 布。至少一個示例實施例提供一種存儲單元編程方法。根據至少這個示例實 施例，可以順序地執行第一至第n編程操作。第一至第n編程操作可以使用
多個閾值電壓分布來分別地編入第一至第n位。根據至少 一 些示例實施例，第 一 編程操作可以使用位于多個閾值電壓分 布的中間部分的第一中間閾值電壓分布和多個閾值電壓分布中的最小閾值電 壓分布來編入第一位。當使用最小閾值電壓分布來編入第一位時，第二編程 操作可以使用最小閾值電壓分布和位于最小閾值電壓分布和第一中間閾值電 壓分布的中間的第二中間閾值電壓分布來編入第二位。當使用第 一 中間閣值 電壓分布來編入第一位時，第二編程操作可以使用第一中間閾值電壓分布和 位于第一中間閾值電壓分布和最大閾值電壓分布的中間部分的第三中間電壓 分布來編入第二位。至少一個其它的示例實施例提供包括第一至第n編程操作的一種存儲單 元編程方法。根據至少這個示例實施例，第一編程操作可以使用第一閾值電 壓分布和第l/2x2n+l閾值電壓分布來編入數據的第一位。第二編程操作可以 使用第一闊值電壓分布、第l/22x2n+l閾值電壓分布、第2/2、2n+l閾值電壓 分布和第3/22x2n+l閾值電壓分布來編入數據的第二位。第i編程操作可以使 用在第一閾值電壓分布和第(2i-l)/2ix2n+l閾值電壓分布之間的每個閾值電壓 分布來編入數據的第i位。例如，第i編程操作可以使用第一閾值電壓分布、第1/2、2"+1閾值電壓分布、第2/2、2n+l閾值電壓分布.......和第(2i-l)/2、2n+l閾值電壓分布來編入數據的第i位。參數i可以是大于2且小于n的自然數。第n編程操作可以 使用在第一閾值電壓分布和第(2n-l)/2nx2"+l閾值電壓分布之間的每個閾值電 壓分布來編入數據的第n位。例如，第n編程操作可以使用第一閾值電壓分布、第l/2nx2n+l閾值電壓分布、第2/2nx2n+l閾值電壓分布.......和第(2n-l)/2nx2n+l閾值電壓分布來編入數據的第n位。
通過詳細地描述在附圖中示出的示例實施例，示例實施例將變得更加明 顯。附圖中圖1是用于說明傳統的非易失性存儲單元的結構和操作的示圖； 圖2是用于說明傳統的非易失性多層單元的搡作的示圖； 圖3示出了用于圖2中示出的傳統的多層單元的多個傳統閾值電壓分布； 圖4是根據示例實施例的非易失性存儲裝置的框圖6是用于說明存儲單元編程方法；圖7是用于說明根據示例實施例的存儲單元編程方法的對比技術的示例 存儲單元編程方法；存儲單元編程方法；圖9示出了根據示例實施例的存儲單元編程方法中所需的編程時間和讀 取時間的表。
具體實施方式
現在將參照附圖更充分地描述本發明的各種示例實施例，其中，附圖中 示出了本發明的一些示例實施例。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層和區 域的厚度。這里公開了本發明的詳細的示意性實施例。然而，這里公開的具體結構 和功能的細節僅代表描述本發明的示例實施例的意圖。然而，本發明可以以 許多不同的形式來實施，并不應被理解為僅限于這里闡述的實施例。因此，盡管本發明的示例實施例能進行各種修改及可選擇的變形，但是 附圖中示例性地示出了本發明的實施例并將在這里對其進行詳細描述。然而， 應該理解的是，意圖不是將本發明的示例實施例限制為所公開的具體形式， 相反，本發明的示例實施例旨在覆蓋落入本發明的范圍內的所有的修改、等 同物和變形。在對附圖的整個描述中，相同的標號表示相同的元件。應該理解的是，雖然術語第一、第二等可以在這里用來描述各種元件， 但是這些元件不應該受這些術語限制。這些術語僅是用來將一個元件與另一 元件區分開。例如，在不脫離本發明示例實施例的范圍的情況下，第一元件 可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。如這里 使用的，術語"和/或"包括所列出的有關項的一個或多個的任意和所有組合。應該理解的是，當元件被稱為與另一元件"連接"或"結合"時，它可以直 接與另一元件連接或結合，或者可以存在中間元件。相反，當元件被稱為與 另一元件"直接連接"或"直接結合"時，不存在中間元件。用于描述元件之間 的關系的其它詞應該按相似的方式解釋(例如，"在......之間"與"直接在......之 間，，，"相鄰"與"直接相鄰"等)。這里使用的術語只是出于描述具體實施例的目的，而不是為了限制本發 明的示例實施例。除非上下文清楚地指出，否則這里所使用的單數形式也意 在包括復數形式。還應該理解的是，當術語"包括"、"包含"、"含"和/或"含 有"在這里使用時，其表明所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件 的存在，但不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/ 或它們的組的存在或添加。還應注意的是，在一些可選擇的實施中，功能/動作可以不按附圖中標注 的順序發生。例如，依賴有關的功能/動作，連續示出的兩個圖實際上可以基 本同時執行，或者有時可以以相反的順序執行。圖4是根據示例實施例的非易失性存儲裝置的框圖。參照圖4,非易失性存儲裝置可以使用第一鎖存器(latch)LATl和第二鎖 存器LAT2將數據編入存儲單元中。當將第二位數據編入存儲單元中時，可 以通過第一鎖存器LAT1鎖存第一位數據，并且可以通過第二鎖存器LAT2 鎖存第二位數據。參考在第一鎖存器LAT1中存儲的第一位數據，非易失性 存儲裝置可以將存儲在第二鎖存器LAT2中的第二位數據編入存儲單元中。 可以基于第一位的閾值電壓來確定第二位的閾值電壓。在根據示例實施例的存儲單元編程方法中，多位數據(例如，n位數據， 其中，n是自然數)可以被編入到具有多個閾值電壓分布的存儲單元中。存儲單元編程方法的示例實施例可以包括第一至第n編程操作。可以順 序地執行第一至第n編程操作。第一至第n編程操作可以使用多個閾值電壓 分布來分別編入第一至第n位。在第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以小于在前 面的第一至第(n-l)編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差中的至 少一個。可以降低(例如，順序地降低)在第一至第n編程操作中使用的閾值電壓 分布之間的閾值電壓差。根據至少一個示例實施例，在第一編程操作中使用 的閾值電壓差可以大于在第二至第n編程操作中使用的閾值電壓差中的至少 一個。例如，在第一編程操作中使用的閾值電壓差可以是最大閾值電壓差。 根據至少一個示例實施例，在第n編程操作中使用的閾值電壓差可以小于在 第一至第(n-l)編程操作中使用的閾值電壓差中的至少一個。例如，在第n編 程操作中使用的閾值電壓差可以是最小閾值電壓差。在第i編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差(其中，i是大于2且小于n的自然數)可以小于或等于在第j編程操作中使用的閾值電壓差 (其中，j是大于l且小于i的自然數)。例如，在后一編程操作中使用的閾值 電壓差可以小于或等于在前一編程操作中使用的閾值電壓差。在第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以是在第一 至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差中的最小的。在第 n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以小于或等于在第一 至第n-l編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差中的至少一個(例 如，^壬一個)。在第 一編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以大于在第 二至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差中的至少一個。 例如，在第 一編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以是在第 一至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差中的最大的。存儲單元可以是可以存儲多位數據(例如，n位數據)的非易失性存儲單 元。存儲單元可以是可以存儲多位數據(例如，n位數據)的多層閃速存儲單元。 根據示例實施例的存儲單元可以具有根據閾值電壓來分類的2n個閾值電壓分 布。出于示意性的目的，這里將描述根據示例實施例的能夠存儲4位數據的 具有16個閾值電壓分布的存儲單元。然而，示例實施例不限于16個閾值電 壓分布和4位^:據。圖5是用于說明才艮據示例實施例的存儲單元編程方法的示圖。將在假設 n二4的情況下來描述圖5中示出的存儲單元編程方法。此外，在圖5中，最 小的闊'值電壓分布被稱為第一閾值電壓分布，最大的閾值電壓分布被稱為第 十六閾值電壓分布。每個閾值電壓分布與其上的對應的碼一同示出。然而， 對應的碼是作為示例來提供的，也可以使用不同的碼。根據示例實施例的存儲單元編程方法包括順序地執行第一至第n編程操 作。通過利用多個閾值電壓分布，第一至第n編程操作可以被用來分別編入 第一至第n位。參照圖5,第一編程操作可以使用第一中間(intermediate)閾值電壓分布和 最低閾值電壓分布來編入第一位，其中，第一中間閾值電壓分布位于多個閾
值電壓分布的中間位置，最低閾值電壓分布是所述多個閾值電壓分布中的最 低的閣值電壓分布。例如，參照圖5,第一中間閾值電壓分布可以是第九閾 值電壓分布，并且最低閾值電壓分布可以是第一閾值電壓分布。例如，第一 編程操作可以使用第一闊值電壓分布和第九閾值電壓分布來編入第一位。第二編程操作可以使用最小閾值電壓分布和第二中間閾值電壓分布來編入第二位。例如，當使用最小閾值電壓分布來編入第一位時，第二中間閾值 電壓分布可以在最低閾值電壓分布和第 一 中間閾值電壓分布之間的中間位 置。第二編程操作可以使用第 一 中間閾值電壓分布和第三中間閾值電壓分布 來編入第二位。例如，當使用第一中間閾值電壓分布來編入第一位時，第三 中間電壓分布可以在第一中間閾值電壓分布和最大閾值電壓分布之間的中間 位置。例如，參照圖5， 第二中間閾值電壓分布可以是第五閾值電壓分布，第 三中間閾值電壓分布可以是第十三閾值電壓分布。例如，當使用第一閾值電 壓分布來編入第一位時，第二編程操作可以使用第一閾值電壓分布和第五閾 值電壓分布來編入第二位。當使用第九閾值電壓分布來編入第一位時，第二 編程操作可以使用第九閾值電壓分布和第十三閾值電壓分布來編入第二位。在這個示例中，可以執行第三和第四編程操作。例如，再次參照圖5， 第三編程操作可以使用第 一閾值電壓分布和第三閾值電壓分布、使用第五閾 值電壓分布和第七閣值電壓分布、使用第九閾值電壓分布和第十一閾值電壓 分布，或者使用第十三閾值電壓分布和第十五闊值電壓分布來編入第三位。第四編程操作可以使用第一閾值電壓分布和第二闊值電壓分布、使用第 三閾值電壓分布和第四閾值電壓分布、使用第五閾值電壓分布和第六閾值電 壓分布、使用第七閾值電壓分布和第八閾值電壓分布、使用第九閾值電壓分 布和第十閾值電壓分布、使用第十一閾值電壓分布和第十二閾值電壓分布、 使用第十三閾值電壓分布和第十四閾值電壓分布，或者使用第十五閾值電壓 分布和第十六閾值電壓分布來編入第四位。在根據示例實施例的存儲單元編程方法中，在用于順序地編入多個位的 閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以降低(例如，順序地降低)。例如，在用于 編入第四位的第 一 閾值電壓分布和第二閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以 小于在用于編入第一位的第一閾值電壓分布和第九閾值電壓分布之間的閾值 電壓差。在用于編入第四位的第一閾值電壓分布和第二閾值電壓分布之間的
閾值電壓差可以小于在用于編入第三位的第一閾值電壓分布和第三閾值電壓 分布之間的閾值電壓差。因此，可以降低耦合效應，其中，用于對特定的存 儲單元編程的閾值電壓的變化改變了它周圍的存儲單元的閾值電壓。在傳統的存儲單元編程方法中，在用于編入后一位(例如，第二位)的閾 值電壓分布之間的閾值電壓差可以大于在用于編入前一位(例如，第一位)的閾 值電壓分布之間的閾值電壓差。在根據示例實施例的存儲單元編程方法中， 用于編入后一位(例如，第二位)的閾值電壓分布之間的閾值電壓差可以小于用 于編入前一位(例如，第一位)的閾值電壓分布之間的閾值電壓差。因此，在根 據示例實施例的存儲單元編程方法中，隨著編程的進行，可以降低由于在閾 值電壓的變化所導致的耦合效應。在根據示例實施例的存儲單元編程方法中，對應于用于編入各個位的閾 值電壓分布的碼可以具有至少一個共同的位。例如，參照圖5,與位于最低 閾值電壓分布(例如，第一閾值電壓分布)和第一中間閾值電壓分布(例如，第例如，第一至第八閾值電壓分布可以具有第一位的值為"r的碼。此外，與位 于第一中間閾值電壓分布和最高閾值電壓分布之間的閾值電壓分布對應的碼 可以具有至少一個共同的位。同樣地，第九至第十六閾值電壓分布可以具有 第一位的值為"o"的碼。與位于最低閾值電壓分布(例如，第一閾值電壓分布)和第二中間閾值電一個共同的位(例如，兩個共同的位)。例如，第一至第四閾值電壓分布可以具 有第一和第二位的值為"ir，的碼。同樣地，與位于第二中間閾值電壓分布(例 如，第五閾值電壓分布)和第一中間閾值電壓分布(例如，第九閾值電壓分布) 之間的閾值電壓分布對應的碼可以具有至少 一個共同的位(例如，兩個共同的 位)。例如，第五至第八閾值電壓分布可以具有第一和第二位的值為"io，，的碼。 與位于第一中間閾值電壓分布(例如，第九閾值電壓分布)和第三中間閾 值電壓分布(例如，第十三閾值電壓分布)之間的閾值電壓分布對應的碼可以具 有至少一個共同的位(例如，兩個共同的位)。例如，第九至第十二閾值電壓分 布可以具有第一和第二位的值為"or，的碼。與位于第三中間閾值電壓分布(例 如，第十三閾值電壓分布)和最高閾值電壓分布(例如，第十六閾值電壓分布) 之間的閾值電壓分布對應的碼可以具有至少一個共同的位(例如，兩個共同的 位)。例如，第十三至第十六閾值電壓分布可以具有第一和第二位的值為"OO" 的碼。例存儲單元編程方法。這里與示例實施例對比來描述如圖6-8中所示的對比 技術的示例。參照圖6、圖7和圖8,在對比示例存儲單元編程方法中，數據是從最低 有效位(LSB)至最高有效位(MSB)順序地存儲的。因此，在用于編入MSB的 閾值電壓分布之間的閾值電壓差大于在用于編入LSB的閾值電壓分布之間的 閾值電壓差。取時間的表。參照圖9，根據上述示例實施例的存儲單元編程方法和在圖6、圖7和圖 8中示出的對比技術的存儲單元編程方法可以具有相等或基本相等的編程時 間。例如，根據上述示例實施例的存儲單元編程方法可以在不增加編程時間 的情況下減小由于閾值電壓的改變導致的耦合效應。在根據另一示例實施例的存儲單元編程方法中，可以在具有第一至第2n 閾值電壓分布的存儲單元中編入多個(例如，n個)數據位。下文中，假設第一 至第2n閾值電壓分布的閾值電壓順序地增加。存儲單元編程方法的示例實施例包括第一至第n編程操作。在第一編程 操作過程中，可以使用第一闊值電壓分布和第l/2x2n+l閾值電壓分布來編入 數據的第一位。例如，參照圖5示出的情況(其中，n = 4)第一編程操作可以 使用第一閾值電壓分布和第九閾值電壓分布來編入第一數據位。第二編程操作可以使用第一閾值電壓分布、第l/22x2n+l閾值電壓分布、 第2/22x2n+l閾值電壓分布和第3/2、2n+l閾值電壓分布來編入第二數據位。 第i編程操作(其中i是大于l且小于n的自然數)可以使用第一閾值電壓分布、第l/2ix2n+l閾值電壓分布、第2/2ix2n+l閾值電壓分布.......和第(2i-l)/2ix2n+l閾值電壓分布來編入第i數據位。第n編程操作可以使用第一閾值電壓分布，第l/2nx2n+l闊值電壓分布、第2/2nx2n+l閾值電壓分布.......和第(2n-l)/2nx2n+l閾值電壓分布來編入第n數據位。如這里描述的，在根據示例實施例的存儲單元編程方法中，可以降低(例 如，順序地降低)用于順序地編入數據位的閾值電壓差，從而降低耦合效應，
元的閾值電壓。雖然已經參考這里示出的示例實施例具體地示出并描述了本發明，本領 域技普通術人員應該理解的是，在不脫離權利要求所限定的本發明的精神和 范圍的情況下，可以在形式和細節上做出各種改變。
權利要求
1、一種存儲單元編程方法，用于在具有多個閾值電壓分布的存儲單元中編入n位數據，該方法包括第一至第n編程操作，編入所述n位數據的第一至第n位，所述第一至第n編程操作是使用所述多個閾值電壓分布來執行的，并且是被順序地執行的；其中在所述第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差小于或等于在所述第一至第n-1編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差中的至少一個。
2、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，在所述第一至第n 編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差順序地降低。
3、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，在第i編程操作中使 用的閾值電壓分布之間的差小于或等于在第j編程操作中使用的閾值電壓分 布之間的差，其中，i是在2和n之間的自然數， j是小于i的自然數。
4、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，在所述第n編程操作 中使用的閾值電壓分布之間的差是在所述第一至第n編程操作中使用的閾值 電壓分布之間的差中的最小的差。
5、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，在所述第n編程操作 中的閾值電壓分布之間的差小于在所述第一至第n-l編程操作中使用的閾值 電壓分布之間的差中的至少一個。
6、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，在所述第一編程操作 中使用的閾值電壓分布之間的差大于或等于在所述第二至第n編程操作中使 用的闊值電壓分布之間的差。
7、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，在所述第一編程操作 中使用的閾值電壓分布之間的差是在所述第一至第n編程操作中使用的閾值 電壓分布之間的差中的最大的差。
8、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，所述存儲單元是存儲 n位數據的非易失性存儲單元。
9、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，所述存儲單元是存儲 n位數據的多層閃速存儲單元。
10、 如權利要求1所述的存儲單元編程方法，其中，所述存儲單元具有 2n個閾值電壓分布，根據閾值電壓將所述2n個閾值電壓分布分組。
11、 一種存儲單元編程方法，用于在具有2n個閾值電壓分布的存儲單元中編入n位lt據，該方法包括第一編程操作，使用第一閾值電壓分布和第l/2x2n+l閾值電壓分布來編 入所述數據的第一位；第二編程操作，使用所述第一閾值電壓分布、第l/2、2n+l閾值電壓分布、 第2/2、2n+l閾值電壓分布和第3/2、2n+l閾值電壓分布來編入所述數據的第 二位；第i編程操作，使用在所述第一閾值電壓分布和第(2'-l)/2ix2"+l閾值電 小于n的自然數；第n編程操作，使用在所述第一閾值電壓分布和第(2M)/2"x2n+l閾值電所述第一至第2n閾值電壓分布的閾值電壓順序地增加。
12、 如權利要求11所述的存儲單元編程方法，其中，第二編程操作使用 所述第一閾值電壓分布和所述第l/2、2n+l閾值電壓分布或者使用所述第 2/22x2n+l閾值電壓分布和所述第3/22x2n+l閾值電壓分布來編入所述數據的 第二位，第n編程操作使用所述第一閾值電壓分布和所述第l/2nx2n+l閾值電壓分 布、使用所述第2/2nx2n+l閾值電壓分布和所述第3/2nx2n+l闊值電壓分布或者使用所述第(2n-2)/2Dx2n+l闊值電壓分布和所述第(2M)/2nx2n+l闊值電壓分布來編入所述數據的第n位。
13、 一種存儲單元編程方法，用于在具有多個閾值電壓分布的存儲單元 中編入n位數據，該方法包括第一至第n編程操作，使用所述多個閾值電壓分布來分別編入所述n位 數據的第一至第n位，所述第一至第n編程操作是順序地執行的，其中，所述第一編程操作使用第一中間閾值電壓分布和第一中間閾值電壓分布 來編入所述數據的第 一位，所述第 一中間閾值電壓分布在所述多個閾值電壓 分布中的最大閾值電壓分布和最小閾值電壓分布之間。
14、 如權利要求13所述的存儲單元編程方法，其中，與位于所述最小閾至少一個共同的位值，與位于所述第一中間閾值電壓分布和最大閾值電壓分布之間的閾值電壓 分布對應的碼具有至少 一個共同的位值。
15、 如權利要求14所述的存儲單元編程方法，其中，所述第二編程操作包括當使用所述最小閾值電壓分布來編入所述第一位時，使用所述最小閾值 電壓分布和第二中間閾值電壓分布來編入所述數據的第二位，所述第二中間 閾值電壓分布在所述最小閾值電壓分布和所述第一中間閾值電壓分布之間；或者，當使用所述第一中間閾值電壓分布來編入所述第一位時，使用所 述第 一 中間閾值電壓分布和第三中間闊值電壓分布來編入所述數據的第二 位，所述第三中間閣值電壓分布在所述第一中間閾值電壓分布和所述最大閾 值電壓分布之間。
16、 如權利要求15所述的存儲單元編程方法，其中，與位于所述最小閾至少一個共同的位值。
17、 如權利要求15所述的存儲單元編程方法，其中，與位于所述第二中 間閾值電壓分布和所述第一中間閾值電壓分布之間的閾值電壓分布對應的碼 具有至少一個共同的位值。
18、 如權利要求15所述的存儲單元編程方法，其中，與位于所述第一中 間閾值電壓分布和所述第三中間閾值電壓分布之間的閾值電壓分布對應的碼 具有至少 一個共同的位值。
19、 如權利要求15所述的存儲單元編程方法，其中，與位于所述第三中 間閾值電壓分布和所述最大閾值電壓分布之間的閾值電壓分布對應的碼具有 至少一個共同的位值。
20、 如權利要求13所述的存儲單元編程方法，其中，存儲單元是存儲n 位數據的多層閃速存儲單元。
全文摘要
本發明提供一種存儲單元編程方法，在該存儲單元編程方法中，使用多個閾值電壓分布來執行第一至第n編程操作，以編入n位數據的第一至第n位。順序地執行第一至第n編程操作。在第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差小于或等于在第一至第n-1編程操作中使用的閾值電壓分布之間的閾值電壓差中的至少一個。
文檔編號G11C16/10GK101211662SQ200710301180
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月26日 優先權日2006年12月28日
發明者樸允童, 樸奎燦, 李忠浩, 玄在雄, 趙慶來, 邊成宰 申請人:三星電子株式會社