專利名稱：包括選擇性刷新操作的電阻式存儲(chǔ)器的制作方法
包括選擇性刷新操作的電阻式存儲(chǔ)器
背景技術(shù)：
一類存儲(chǔ)器是電阻式存儲(chǔ)器。電阻式存儲(chǔ)器利用存儲(chǔ)單元的電 阻<直來(lái)存*奢一4立或多4立凄史4居。例如，橫、編考呈為具有高阻<直的存4諸,元
件可以表示邏輯"1"數(shù)據(jù)比特值，以及被編程為具有低電阻值的
存儲(chǔ)元件可以表示邏輯"0"數(shù)據(jù)比特值。典型地，通過(guò)將電壓脈
沖或電流3永沖施加到存^f諸元件來(lái)電切4奐存4渚元件的電阻l直。
一類電阻式存儲(chǔ)器是相變存儲(chǔ)器。相變存儲(chǔ)器在電阻式存儲(chǔ)元 件中使用相變材料。相變材料呈現(xiàn)至少兩種不同的狀態(tài)。相變材料 的狀態(tài)可以被稱為非晶態(tài)和晶態(tài)，非晶態(tài)涉及更無(wú)序的原子結(jié)構(gòu)， 以及晶態(tài)涉及更有序的晶才各。非晶態(tài)通常比晶態(tài)呈現(xiàn)更高的電阻
率。并且， 一些相變材料呈現(xiàn)多晶態(tài)(例如，面心立方晶格(FCC) 狀態(tài)和六方密堆積(HCP)狀態(tài))，其具有不同的電阻率且可以謬皮 用于存^f諸^:據(jù)比特。在以下描述中，非晶態(tài)通常指具有較高電阻率 的狀態(tài)，而晶態(tài)通常指具有4交^^電阻率的狀態(tài)。
可以可逆地引起相變材^1"中的相變。以這種方式，響應(yīng)于溫度 變化，存儲(chǔ)器可以從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)，以及從晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)。 可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電流穿過(guò)相變材料自身或通過(guò)驅(qū)動(dòng)電流穿過(guò)臨近相 變材料的電阻加熱器來(lái)實(shí)現(xiàn)相變材料的溫度變化。用這兩種方法， 相變材沖+的可控加熱導(dǎo)致相變材并牛中可控的相變。
包括具有由相變材料所制成的多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)陣列的相 變存儲(chǔ)器可^皮編程以利用相變材料的存儲(chǔ)狀態(tài)來(lái)存4諸數(shù)據(jù)。 一種在
這種相變存儲(chǔ)裝置中讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)的方式是控制被施加到相變 材料的電流和/或電壓脈沖。電流和/或電壓的級(jí)別通常對(duì)應(yīng)于每個(gè) 存儲(chǔ)單元中的相變材料內(nèi)所感應(yīng)的溫度。
為了得到較高密度的相變存儲(chǔ)器，相變存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)多比
相變存儲(chǔ)單元中的多比特存儲(chǔ)，多比特或多級(jí)相變存儲(chǔ)單元可以4皮 寫(xiě)成兩種以上的狀態(tài)。如果相變存^f諸單元^皮編禾呈為三個(gè)不同電阻級(jí) 別中的一個(gè)，則每個(gè)單元可以存儲(chǔ)1.5比特的數(shù)據(jù)。如果相變存儲(chǔ) 單元^皮編程為四個(gè)不同電阻級(jí)別中的 一個(gè)，則每個(gè)單元可以存〗諸兩 個(gè)比特的數(shù)據(jù)，等等諸如此類。為了將相變存儲(chǔ)單元編程為中間電 阻值，通過(guò)適當(dāng)?shù)膶?xiě)入策略，控制與非晶態(tài)材料共存的晶態(tài)材料的 總量，由此控制單元電阻。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，在此7>開(kāi)中多級(jí)才喿作的 描述基本上集中在四個(gè)不同電阻級(jí)別或狀態(tài)并且每個(gè)單元兩個(gè)比 特?cái)?shù)據(jù)。這僅是為了示例性的目的，然而，并不意味著限制本發(fā)明 的范圍。原則上，存儲(chǔ)三個(gè)或多個(gè)狀態(tài)是可能的。
相變存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持性能強(qiáng)烈地取決于存儲(chǔ)器的溫度隨時(shí)
間的變化。典型地，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器，在操作溫度達(dá)到85°C 的情況下，確保數(shù)據(jù)保持十年以上。數(shù)據(jù)保持主要是材料的特性， 且取決于相變材料的結(jié)晶溫度。例如，對(duì)于Ge2Sb2Te5，在操作溫 度達(dá)到105。C至110。C情況下，數(shù)據(jù)保持性能是大約十年。然而， 對(duì)于許多應(yīng)用，這個(gè)溫度失見(jiàn)范是不夠的。例如，在汽車應(yīng)用中，可 能超出這個(gè)溫度規(guī)范。同樣，通常存儲(chǔ)裝置不僅是在恒定的環(huán)境溫 度下被操作，而且要經(jīng)歷環(huán)境溫度中的巨大改變。例如，用于汽車 的發(fā)動(dòng)機(jī)控制器的存儲(chǔ)裝置基于發(fā)動(dòng)機(jī)是否運(yùn)轉(zhuǎn)而經(jīng)歷溫度極限。 在這種情況下，存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)保持并不受瞬間的溫度(在一定限 度內(nèi))或平均溫度如此強(qiáng)烈地影響，而是4皮由存4諸裝置所增加的溫
度收支所影響。此外，數(shù)據(jù)保持在多比特相變存儲(chǔ)單元中比在單比 特相變存儲(chǔ)單元中更關(guān)鍵。
出于這些和其他原因，存在本發(fā)明的需求。
發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)實(shí)施例提供了存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)單元陣列和第 一電路。第一電路是用于響應(yīng)于刷新操作請(qǐng)求，僅刷新相變存儲(chǔ)單 元陣列中的被編程為非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元。
附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一 步理解，并且這些附圖被并 入且構(gòu)成該說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與 描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。本發(fā)明的其它實(shí)施例以及本發(fā)明 的許多預(yù)期的優(yōu)點(diǎn)將很容易理解，通過(guò)參照以下詳細(xì)描述其變得更 易于理解。附圖中的元件未必彼此按比例繪出。相同的參考標(biāo)號(hào)表
示沖目A的才目如乂^M牛。
圖1是示出存儲(chǔ)裝置的一個(gè)實(shí)施例的示意圖2是示出處于四種不同狀態(tài)中的多比特或多級(jí)相變存儲(chǔ)單元 的一個(gè)實(shí)施例的示意圖3是示出置位相變存儲(chǔ)單元的電阻狀態(tài)的 一個(gè)實(shí)施例的曲線
圖4是示出兩個(gè)不同試驗(yàn)的保持時(shí)間相對(duì)于溫度的一個(gè)實(shí)施例 的圖表；
圖5是示出用于刷新相變存儲(chǔ)單元的方法的 一個(gè)實(shí)施例的流程
圖6是示出存儲(chǔ)裝置的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖7是示出用于刷新相變存儲(chǔ)單元的方法的另 一個(gè)實(shí)施例的流 -呈圖；以及
圖8是示出依次復(fù)位多個(gè)相變存儲(chǔ)單元的一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
在以下詳細(xì)描述中，參考構(gòu)成其一部分的附圖，其中，通過(guò)示
參考^皮描述的附圖的方向，使用方向術(shù)語(yǔ)，例如"頂部"、"底部"、 "前面"、"后面"、"前端"、"尾端"等。因?yàn)楸景l(fā)明的實(shí)施例的元 件能夠^皮;改置于多個(gè)不同的方位，所以出于示例性的目的4吏用方向 術(shù)語(yǔ)但并不夠成對(duì)本發(fā)明的限制。應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的范 圍的情況下，可以采用其它實(shí)施例，并且可以進(jìn)4于結(jié)構(gòu)或邏輯上的 改變。因此，以下詳細(xì)描述不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是出于限制的目的，并且 本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求進(jìn)行限定。
圖1是示出存儲(chǔ)裝置lOOa的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。存儲(chǔ)裝置 100a包括寫(xiě)入電^各124a、控制器120、存儲(chǔ)陣歹ll 101以及讀出電路 126a。存儲(chǔ)陣列101包括多個(gè)相變存儲(chǔ)單元104a-104d (共同地被 稱作相變存儲(chǔ)單元104)、多條位線(BL) 112a-112b (共同地被稱 作位線112)以及多條字線(WL) 110a-110b (共同地被稱作字線 110 )。
周期性地刷新相變存儲(chǔ)單元104以保存它們的值。響應(yīng)于刷新 操作的請(qǐng)求，每個(gè)相變存儲(chǔ)單元104的電阻狀態(tài)被讀取。如果相變 存儲(chǔ)單元104處于非晶態(tài)(即，非晶態(tài)或部分非晶態(tài)和部分晶態(tài))， 則將相變存儲(chǔ)單元104復(fù)位到其纟皮編程的電阻狀態(tài)。處于全晶態(tài)的 相變存^f諸單元104不#1刷新，因?yàn)闇囟茸兓?又能不可逆轉(zhuǎn)地進(jìn)一步 降低處于全晶態(tài)的被編程的電阻。被編程電阻的進(jìn)一步降低不是有 害的， 一目反i也，這增強(qiáng)了讀出窗口 ( sensing window )。
復(fù)位操作比置位操作使用較少的能量和較少的時(shí)間。例如，在 一個(gè)實(shí)施例中， 一個(gè)存儲(chǔ)單元104的復(fù)位操作在0.75V下使用600juA 即450pW持續(xù)30ns。 一個(gè)存儲(chǔ)單元104的置位l乘作4吏用用于持續(xù) 150ns的復(fù)4立才喿作的功率的50%。因此，用于置4立一個(gè)存卡者單元104 的能量等于34pJ,而用于復(fù)位一個(gè)存儲(chǔ)單元104的能量等于14pJ。 通過(guò)僅刷新未處于全晶態(tài)的存儲(chǔ)單元104，消耗較少的能量，并且 以比如果所有存儲(chǔ)單元104都被刷新所需時(shí)間少的時(shí)間完成刷新操 作。
如這里用到的，術(shù)語(yǔ)"電連4妄"并不意p未著元件必須,皮直4妾地 連4妄在一起，并且可以在"電連4妄"的元4牛之間i殳置插入it/f牛。
經(jīng)由信號(hào)通道125將存儲(chǔ)陣列101電連接至寫(xiě)入電路124a、經(jīng) 由信號(hào)通道121電連接至控制器120,以及經(jīng)由信號(hào)通道127電連 4妾至讀出電i 各126a。經(jīng)由信號(hào)通道128將控制器120電連4妄至寫(xiě)入 電^各124a，以及經(jīng)由孑言號(hào)通道130電連4妄至讀出電路126a。將每 個(gè)相變存儲(chǔ)單元104電連接至字線110、位線112以及7>共端或地 114。將相變存儲(chǔ)單元104a電連接至位線112a、字線110a以及7> 共端或地114,以及將相變存儲(chǔ)單元104b電連4妄至位線112a、字 線110b以及7>共端或地114。將相變存4諸單元104c電連4妄至位線 112b、字線110a以及^>共端或地114，以及將相變存儲(chǔ)單元104d 電連4妄至4立線112b、字線110b以及/>共端或;也114。
每個(gè)相變存4諸單元104包括相變?cè)?06和晶體管108。雖然 在示出的實(shí)施例中，晶體管108是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),在其它實(shí) 施例中，晶體管108可以是另外的合適的器件(例如，雙極晶體管 或3D晶體管結(jié)構(gòu))。在其它實(shí)施例中，類似二才及管的結(jié)構(gòu)可以;故用 于取代晶體管108。相變存儲(chǔ)單元104a包括相變?cè)?06a和晶體 管108a。將相變?cè)?06a的一側(cè)電連接至位線112a,且將相變?cè)?件106a的另一側(cè)電連接至晶體管108a的源漏通道的一側(cè)。將晶體 管108a的源漏通道的另一側(cè)電連4妄至^^共端或地114。將晶體管 108a的4冊(cè)4及電連4妾至字線110a。
相變存儲(chǔ)單元104b包括相變?cè)?06b和晶體管108b。將相 變?cè)?06b的一側(cè)電連接至位線112a，且將相變?cè)?06b的另一 側(cè)電連4妾至晶體管108b的源漏通道的一側(cè)。將晶體管108b的源漏 通道的另一側(cè)電連接至公共端或地114。將晶體管108b的柵極電連 4妄至字線110b。
相變存儲(chǔ)單元104c包括相變?cè)?06c和晶體管108c。將相變 元件106c的一側(cè)電連4妄至4立線112b,且將相變?cè)?06c的另一側(cè) 電連4妾至晶體管108c的源漏通道的一側(cè)。將晶體管108c的源漏通 道的另一側(cè)電連接至公共端或地114。將晶體管108c的柵極電連接 至字線110a。
相變存儲(chǔ)單元104d包括相變?cè)?06d和晶體管108d。將相 變?cè)?06d的一側(cè)電連沖妄至位線112b,且將相變?cè)?06d的另一 側(cè)電連接至晶體管108d的源漏通道的一側(cè)。將晶體管108d的源漏 通道的另一側(cè)電連4妄至7>共端或;也114。將晶體管108d的柵4及電連 4妾至字線110b。
在另一個(gè)實(shí)施例中，將每個(gè)相變?cè)?06都電連4妄至7>共端或 地114,以及將每個(gè)晶體管108都電連接至位線112。例如，對(duì)于相
變存儲(chǔ)單元106a，將相變?cè)?06a的一側(cè)電連接至7>共端或地 114。將相變?cè)?06a的另一側(cè)電連接至晶體管108a的源漏通道 的一側(cè)。爿夸晶體管108a的源漏通道的另一側(cè)電連4妄至4立線112a。
才艮據(jù)本發(fā)明，每個(gè)相變?cè)?06都包括可由多種材泮牛制成的相 變材料。通常，作為這種材料，包含來(lái)自周期表第VI族的一個(gè)或 多個(gè)元素的石克族化物合金(chalcogenide alloy)是有用的。在一個(gè) 實(shí)施例中，相變?cè)?06的相變材料是由^ii族化物的化合物材料(例 如，GeSbTe、 SbTe、 GeTe或AglnSbTe)所制成。在另一個(gè)實(shí)施例 中，相變材料是無(wú)硫族元素，例如，GeSb、 GaSb、 InSb或GeGaInSb。 在其它實(shí)施例中，相變材料是由包括Ge、 Sb、 Te、 Ga、 As、 In、 Se和S中一個(gè)或多個(gè)元素的任意合適的材料所制成的。
在溫度變化的影響下，每個(gè)相變?cè)?06可以從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?晶態(tài)或乂人晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)。因此，在相變?cè)?06a-106d中的一 個(gè)相變?cè)南嘧儾牧现?，與非晶態(tài)材料共存的晶態(tài)材料的數(shù)量確 定了用于在存儲(chǔ)裝置100a中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的兩個(gè)或多個(gè)狀態(tài)。在非晶 態(tài)下，相變材^l"比晶態(tài)下呈現(xiàn)明顯較高的電阻率。因此，相變?cè)?106a-106d的兩個(gè)或多個(gè)狀態(tài)的電阻率不同。在一個(gè)實(shí)施例中，兩 個(gè)或多個(gè)狀態(tài)是兩個(gè)狀態(tài)，且使用二進(jìn)制系統(tǒng)，其中，這兩個(gè)狀態(tài) 4皮貝武值為比特值"0"和"1"。在另一個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)或多個(gè)狀 態(tài)可以是三個(gè)狀態(tài)，且可以使用三進(jìn)制系統(tǒng)，其中，這三個(gè)狀態(tài)被 賦值為比特值"0"、 "1"和"2"。在另一個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)或多個(gè) 狀態(tài)是四個(gè)狀態(tài)，其可以#1分配多個(gè)比特值，例如，"00"、 "01"、
"10"以及"11"。在其它實(shí)施例中，兩個(gè)或多個(gè)狀態(tài)可以是相變 元件的相變材料中的任何適當(dāng)數(shù)量的狀態(tài)。
控制器120包括微處理器、微控制器或其它用于控制存儲(chǔ)電路 100a的操作的適當(dāng)?shù)倪壿嬰娐??？刂破?20控制包括經(jīng)由寫(xiě)入電路 124a和讀出電路126a將控制和數(shù)據(jù)信號(hào)施加到存儲(chǔ)陣列101的存儲(chǔ)電路100a的讀耳又和寫(xiě)入才喿作。在一個(gè)實(shí)施例中，寫(xiě)入電^各124a 經(jīng)由信號(hào)通道125和位線112將電壓脈沖提供給存儲(chǔ)單元104以對(duì) 存儲(chǔ)單元編程。在其它實(shí)施例中，寫(xiě)入電路124a經(jīng)由信號(hào)通道125 和位線112將電流脈沖提供給存儲(chǔ)單元104以對(duì)存儲(chǔ)單元編程。
讀出電路126a經(jīng)由位線112和信號(hào)通道127讀取存4諸單元104 的兩個(gè)或多個(gè)狀態(tài)中的每一個(gè)狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，為了讀取存 儲(chǔ)單元104之一的電阻，讀出電路126a提供流過(guò)存《諸單元104之 一的電流。然后，讀出電^各126a讀取該存4諸單元104之一的兩端 的電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，讀出電路126a提供存儲(chǔ)單元104之一 的兩端的電壓，且讀取流過(guò)該存^f諸單元104之一的電流。在一個(gè)實(shí) 施例中，寫(xiě)入電路124a提供跨越存儲(chǔ)單元104之一的電壓，且讀 出電i 各126a讀取流過(guò)該存4諸單元104之一的電流。在一個(gè)實(shí)施例 中，寫(xiě)入電路124a才是供流過(guò)存4諸單元104之一的電流，且讀出電 ^各126a讀取該存4諸單元104之一的兩端的電壓。
在相變存4諸單元104a的置^f立才喿作期間，通過(guò)寫(xiě)入電^各124a, 一個(gè)或多個(gè)置位電流或電壓月永沖^皮選擇性地^f吏能，且經(jīng)由位線112a 4皮發(fā)送至相變?cè)?06a,因此，用一皮選擇以激活晶體管108a的字 線110a將相變?cè)?06a加熱至高于其結(jié)晶溫度(但通常低于其熔 化溫度)。以這種方式，在這個(gè)置位才喿作期間，相變?cè)?06a達(dá)到 其晶態(tài)或部分晶態(tài)和部分非晶態(tài)。在相變存儲(chǔ)單元104a的復(fù)位操 作期間，通過(guò)寫(xiě)入電路124a,復(fù)位電流或電壓力永沖凈皮選4奪性地/f吏能， 且經(jīng)由位線112a被發(fā)送至相變?cè)?06a。復(fù)位電流或電壓快速i也 加熱相變?cè)?06a至高于其熔化溫度。在電流或電壓脈沖被關(guān)閉 后，相變?cè)?06a快速地淬火冷卻至非晶態(tài)或部分非晶態(tài)和部分 晶態(tài)。類似于相變存儲(chǔ)單元104a, 4吏用類似的電流或電壓脈沖，置 位和復(fù)位相變存儲(chǔ)單元104b-104d和存儲(chǔ)陣列100a中的其它相變 存儲(chǔ)單元104。
圖2是示出處于四種不同習(xí)犬態(tài)200a、 200b、 200c和200d的多
比特或多級(jí)相變?cè)猑f牛106的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。相變it/f牛106包 括由絕》彖材并牛206側(cè)向包圍的相變材并+ 204 。相變?cè)?06可以具
幾何結(jié)構(gòu)的絕纟彖材并+ 206的任何合適的幾何結(jié)構(gòu)。
相變材料204在一端電連接至第一電極208，且在另一端，電 連4矣至第二電才及210。經(jīng)由第一電才及208和第二電才及210將月永沖才是 供給相變?cè)?06。通過(guò)相變材坤+ 204的電流通道是/人第 一 電4及208 和第二電極210中的一個(gè)至第一電極208和第二電極210中的另一 個(gè)。相變?cè)?06提供用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)比特的存儲(chǔ)位置。
絕緣材料206可以是任何合適的絕緣體，例如，Si02、 SiOx、 SiN、氟4b的石英^皮璃(FSG)或硼石粦石圭酸鹽3皮璃(BPSG)。第一電 才及208和第二電才及210可以是4壬4可合適的電才及材津牛，例如，TiN 、 TiSiN、 TiAlN、 TaN、 TaSiN、 TaAlN、 W、 WN、 Al或Cu。
將相變材料204編程為四種電阻狀態(tài)中的一種以存儲(chǔ)兩比特?cái)?shù) 據(jù)。將寫(xiě)入電3各(例如，寫(xiě)入電3各124a)電連才妄至第一電才及208以 將脈沖提供給相變材料204。脈沖將相變材料204復(fù)位或?qū)⑵渌?種電阻狀態(tài)中的一種編程到相變材料204中。在200b中，通過(guò)相 變，相變材#+ 204的小部分212已經(jīng):被編程為晶態(tài)以改變相變?cè)?106的電阻。在200c中，通過(guò)相變，相變材泮牛204的中等大小部分 214已經(jīng)凈皮編禾呈為晶態(tài)以改變相變?cè)?06的電阻。在200d中，大 部分216,其基本上是所有的相變材料204,通過(guò)相變，已經(jīng)被編 禾呈為晶態(tài)以改變相變?cè)脚?06的電阻。
被編程的部分的大小與相變材料204和相變?cè)?06的電阻有 關(guān)。200b-200d的三個(gè)不同的相變部分加上200a的初始狀態(tài)提供了 相變材料204中的四種電阻狀態(tài)，且相變?cè)?06提供用于存儲(chǔ)兩
比特凄t據(jù)的存4諸位置。在一個(gè)實(shí)施例中，200a的相變?cè)?06的狀 態(tài)是"00"， 200b的相變?cè)?06的狀態(tài)是"01", 200c的相變?cè)?件106的狀態(tài)是"10",以及200d的相變?cè)?06的狀態(tài)是"11"。 在另一個(gè)實(shí)施例中，200a的相變?cè)?06的狀態(tài)是"11"， 200b的 相變?cè)?06的狀態(tài)是"10", 200c的相變?cè)?06的狀態(tài)是"01", 以及200d的相變?cè)?06的狀態(tài)是"00"。
在200a,將相變材并+204復(fù)位至基本上的非晶態(tài)。在相變?cè)?106的復(fù)位才喿作期間，經(jīng)由寫(xiě)入電^各124a提供復(fù)^f立電流力永沖通過(guò)第 一電才及208和相變材泮牛204。復(fù)位電流月永沖力口熱相變材料204至高 于其熔化溫度，且相變材料204被快速地冷卻以在200a實(shí)現(xiàn)基本 上的非晶態(tài)。在復(fù)位操作之后，相變材料204包括218和220處的 晶態(tài)相變材料和222處的非晶態(tài)相變材料。200a處的基本上的非晶 態(tài)，在這里^皮稱作為非晶態(tài)之一，是相變?cè)?06的高阻狀態(tài)。
為了將相變材料204編程為其它三種狀態(tài)200b-200d中的一 種，經(jīng)由寫(xiě)入電路124a提供置位電流通過(guò)第一電極208和相變材 料204。在200b處，寫(xiě)入電3各124a才是供置位電流脈沖以將'J、體積 部分212編程為晶態(tài)。晶態(tài)比非晶態(tài)具有4交小的阻抗，且200b處 的相變?cè)?06比200a處的基本上非晶態(tài)的相變?cè)?06具有較 低的電阻。200b處的部分晶態(tài)和部分非晶態(tài)，在這里^皮稱作為非晶 態(tài)之一，是相變?cè)?06的次高阻狀態(tài)。
在200c處，寫(xiě)入電路124a提供置位電流脈沖以將中等體積部 分214編程為晶態(tài)。因?yàn)榫B(tài)部分214比晶態(tài)部分212大，且晶態(tài) 比非晶態(tài)具有較小的阻抗，所以200c處的相變?cè)?06比200b處 的相變?cè)?06和200a處的非晶態(tài)相變?cè)?06具有較低的電阻。 200c處的部分晶態(tài)和部分非晶態(tài)，這里被稱為非晶態(tài)之一，是相變 元件106的次最^f氐電阻狀態(tài)。
在200d,寫(xiě)入電路124a提供置位電流脈沖以將基本上所有的 相變材料216編程為晶態(tài)。因?yàn)榫B(tài)比非晶態(tài)具有較小的阻抗，所 以200d處的才目變?cè)缗?06具有比200c處的才目變?cè)?牛106、 200b處 的相變?cè)?06、以及200a處的非晶態(tài)的相變?cè)?06更低的電阻。 200d處的基本上的晶態(tài)是相變?cè)?06的最低電阻狀態(tài)。在其它實(shí) 施例中，相變?cè)?06可以被編程為任何適當(dāng)數(shù)量的電阻值或狀態(tài)。 在其它實(shí)施例中，相變?cè)?06可以被置位到基本上的晶態(tài)，且復(fù) 4立月永沖可以#:用于^)尋相變?cè)脚?06編禾呈為所需的電阻i"直或a犬態(tài)。
圖3是示出置位相變?cè)?06的電阻狀態(tài)的 一個(gè)實(shí)施例的曲線 圖250。曲線圖250包括在x軸254上的被施加到相變?cè)囊园?培(A )為單位的電流相對(duì)于在施加指定電流之后在y軸252上的 相變?cè)囊詺W姆為單位的電阻。如256所表示的，從完全復(fù)位的 相變?cè)_(kāi)始，在大約OA和0.3 x 1(T3A之間的電流不改變?nèi)珡?fù)^f立 狀態(tài)的相變?cè)碾娮锠顟B(tài)。在大約0.3 x 10—3A和0.5 x 1(T3A之間 的電流爿夸相變?cè)碾娮桡萑畱B(tài)改變至如260所表示的部分置^M犬 態(tài)。在大約0.5 x 1(T3A和1.4 x 1(T3A之間的電流將相變?cè)碾娮?狀態(tài)改變至如258所表示的全置位狀態(tài)。在大約1.4xlO^A和1.6 x 10—3A之間的電流將相變?cè)碾娮锠顟B(tài)改變至如262所表示的部 分復(fù)位狀態(tài)。比大約1.6x 1(T3A大的電流將相變?cè)碾娮锠顟B(tài)變 回至如256所表示的全復(fù)位狀態(tài)。為獲得部分置位、全置位、部分 復(fù)位以及全復(fù)位狀態(tài)的具體電流的范圍基于所使用的相變材料、所
從如256所表示的全復(fù)位狀態(tài)開(kāi)始，通過(guò)控制電流將相變?cè)?106編禾呈為四種電阻狀態(tài)中的一個(gè)。如果沒(méi)有施力口電流，貝'J相變?cè)?件保持在全復(fù)位狀態(tài)。如果施加了小電流脈沖，則相變?cè)痪幊?至如264所表示的第一狀態(tài)。這個(gè)狀態(tài)在圖2中的200a處被示出。 在一個(gè)實(shí)施例中，這個(gè)狀態(tài)是"11"狀態(tài)。如果施加了4交高的電流 脈沖，相變?cè)痪幊虨槿?66所表示的第二狀態(tài)。這個(gè)狀態(tài)在圖 2中的200b處被示出。在一個(gè)實(shí)施例中，這個(gè)狀態(tài)是"10"狀態(tài)。 如果施加了超過(guò)第二狀態(tài)的較高的電流，相變?cè)痪幊虨槿?68 所表示的第三狀態(tài)。這個(gè)狀態(tài)在圖2中200c處4皮示出。在一個(gè)實(shí) 施例中，這個(gè)狀態(tài)是"01"狀態(tài)。如果施加了超過(guò)第三狀態(tài)的較高 的電流，相變?cè)皮編程為如270所表示的全置位狀態(tài)。這個(gè)狀態(tài) 在圖2中200d處凈皮示出。在一個(gè)實(shí)施例中，這個(gè)狀態(tài)是"00"狀 態(tài)。
從如258所表示的全置位狀態(tài)開(kāi)始，還可以通過(guò)控制電流將相 變?cè)幊虨樗姆N電阻狀態(tài)中的一種。例如，如果施加了第一電流， 則相變?cè)痪幊虨槿?72所表示的第一狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中， 這個(gè)狀態(tài)是"00"狀態(tài)。如果施加了超過(guò)第一狀態(tài)的較高的電流， 則相變?cè)?1編程為如274所表示的第二狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中， 這個(gè)狀態(tài)是"01"狀態(tài)。如果施加了超過(guò)第二狀態(tài)的較高的電流， 則相變?cè)ぞ幊虨槿?76所表示的第三狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中， 這個(gè)狀態(tài)是"10"狀態(tài)。如果施加了超過(guò)第三狀態(tài)的較高的電流， 則相變?cè)痪幊虨槿?78所表示的全復(fù)位狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中， 這個(gè)狀態(tài)是"11"狀態(tài)。
圖4是示出兩個(gè)不同試驗(yàn)的保持時(shí)間相對(duì)溫度的一個(gè)實(shí)施例的 圖表280。圖表280包括在x軸284上的以開(kāi)氏溫標(biāo)(K)為單位 和在x軸286上以1/kT ( eV")的為單位的溫度(T ),以及在Y軸 282上以秒(s)為單位的4呆持時(shí)間(tret)。線288a示出了第一試-瞼 中的單比特存儲(chǔ)單元的保持時(shí)間相對(duì)溫度的關(guān)系，以及線288b示 出了第二試驗(yàn)中的單比特存儲(chǔ)單元的保持時(shí)間相對(duì)溫度的關(guān)系。對(duì) 于單比特相變存儲(chǔ)單元，數(shù)據(jù)保持時(shí)間是關(guān)鍵的，且對(duì)于多比特相
變存4諸單元來(lái)il，問(wèn)題更突出。
如圖表280中所示出的，在298處表示，在105。C下，數(shù)據(jù)保 持在存儲(chǔ)裝置100a中10年的規(guī)范。如果存儲(chǔ)裝置100a的相變?cè)?件106如296所表示的每年刷新一次，可以在接近120。C (393 K) 的溫度下操作存儲(chǔ)裝置lOOa。如果存儲(chǔ)裝置100a的相變?cè)?06 如294所表示的每月刷新一次，則可以在接近130°C (403 K)的溫度 下才乘作存儲(chǔ)裝置100a。如果存儲(chǔ)裝置100a的相變?cè)?06如292 所表示的每天刷新一次，則可以在接近150。C (423 K)的溫度下操作 存^f諸裝置100a。如果存4諸裝置100a的相變?cè)?06如290所表示 的每小時(shí)刷新一次，則可以在4妾近170。C (443 K)的溫.度下才喿作存^f諸 裝置100a。當(dāng)縮短刷新周期時(shí)，可以增加存^f諸裝置100a能夠經(jīng)受 的溫度。
圖5是示出用于刷新相變存儲(chǔ)單元104 (例如，存儲(chǔ)裝置100a 中的相變存儲(chǔ)單元104)的方法300的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。在302 中，控制器120接收或發(fā)出刷新才喿作請(qǐng)求。在304中，通過(guò)激活字 線以導(dǎo)通所選存儲(chǔ)單元104的晶體管108，來(lái)選4奪字線110上或存 儲(chǔ)單元塊104中的第 一存儲(chǔ)單元104。在306中，讀出電路126a讀 取所選存儲(chǔ)單元104的電阻狀態(tài)。在308中，讀出電i 各126a和/或 控制器120確定所選存儲(chǔ)單元104是處于晶態(tài)還是非晶態(tài)。如果所 選存儲(chǔ)單元104處于晶態(tài)，那么，在310中，對(duì)于所選存儲(chǔ)單元104 不執(zhí)行進(jìn)一步操作。如果所選存儲(chǔ)單元104處于非晶態(tài)，那么在312 中，寫(xiě)入電路124a通過(guò)將所選存儲(chǔ)單元104復(fù)位至其所編程的電 阻狀態(tài)，來(lái)刷新所選存4諸單元。
在314中，控制器120確定字線110上或存儲(chǔ)單元塊104中的 所有存儲(chǔ)單元104是否已經(jīng)進(jìn)行了潛在刷新檢查。如果字線110上 或存儲(chǔ)單元塊104中的所有存儲(chǔ)單元104都沒(méi)有進(jìn)行過(guò)潛在刷新檢 查，則選擇字線110上或存儲(chǔ)單元塊104中的下一個(gè)存儲(chǔ)單元104。 隨著下一個(gè)存儲(chǔ)單元104被選4奪，控制返回到方框306，在此讀出電^各126a讀耳又所選存儲(chǔ)單元104的電阻狀態(tài)并且重復(fù)這個(gè)過(guò)程。 如果字線110上或存^f諸單元塊104中的所有存l諸單元104都已經(jīng)進(jìn) 行了潛在刷新檢查，那么，在318中，完成對(duì)當(dāng)前字線110或存儲(chǔ) 單元104的當(dāng)前塊的刷新才喿作。然后，重復(fù)方法300的方才醫(yī)304-318 以檢查下一條字線110或存儲(chǔ)單元104的下一塊，直到存儲(chǔ)陣列101 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元104已經(jīng)進(jìn)行過(guò)潛在刷新沖企查。
圖6是示出存4諸裝置100b的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖。存4渚裝 置100b類似于前面描述的且參考圖1所示出的存儲(chǔ)裝置100a，除 了在存儲(chǔ)裝置100b中，用寫(xiě)入電路124b取代寫(xiě)入電路124a,且用 讀出電i 各126b耳又代讀出電^各126a。讀出電^各126b包括多個(gè)讀出》丈 大器(SA) 132a-132b (共同地被稱為讀出放大器132)和多個(gè)緩 沖器136a-136b (共同地被稱為緩沖器136)。存儲(chǔ)裝置100b使能 對(duì)于字線110上的所有存4諸單元的并4于刷新:操作。
經(jīng)由信號(hào)通道125將寫(xiě)入電^各124b電連4妄至位線112。經(jīng)由信 號(hào)通道125a將寫(xiě)入電路124b電連接至位線112a，以及經(jīng)由信號(hào)通 道125b將寫(xiě)入電3各124b電連4妄至位線112b。經(jīng)由信號(hào)通道127 將讀出方欠大器132的l俞入端電連4妄至位線112。經(jīng)由信號(hào)通道127a 將讀出放大器132a的輸入端電連接至位線112a,以及經(jīng)由信號(hào)通 道127b將讀出》文大器132b的輸入端電連4妄至位線112b。
經(jīng)由信號(hào)通道134將讀出放大器132的輸出端電連接至緩沖器 136的車lr入端。經(jīng)由4言號(hào)通道134a將讀出方文大器132a的lt出端電 連接至緩沖器136a的輸入端，以及經(jīng)由信號(hào)通道134b將讀出放大 器132b的輸出端電連接至緩沖器136b的輸入端。經(jīng)由信號(hào)通道138 將緩沖器136的輸出端電連接至寫(xiě)入電路124b的輸入端。經(jīng)由信 號(hào)通道138a將緩沖器136a的輸出端電連接至寫(xiě)入電路124b的輸 入端，以及經(jīng)由信號(hào)通道138b將緩沖器136b的輸出端電連接至寫(xiě) 入電^各124b的llr入端。
讀出方文大器132a經(jīng)由位線112a和信號(hào)通道127a讀取所選存 儲(chǔ)單元104a-104b的兩個(gè)或多個(gè)狀態(tài)中的每一個(gè)。在刷新操作期間， 緩沖器136a臨時(shí)地存4諸由讀出》文大器132a所傳遞的所選存+者單元 104a-104b的狀態(tài)。響應(yīng)于非晶態(tài)的所選存儲(chǔ)單元104a-104b的狀 態(tài)，緩沖器136a將寫(xiě)使能信號(hào)傳遞給寫(xiě)入電路124b。響應(yīng)于寫(xiě)使 能信號(hào)，寫(xiě)入電路124b經(jīng)由信號(hào)通道125a和位線112a將所選存 儲(chǔ)單元104a-104b再編程為其所編程的電阻狀態(tài)。
讀出方文大器132b經(jīng)由位線112b和信號(hào)通道127b讀取所選存 儲(chǔ)單元104c-104d的兩個(gè)或多個(gè)狀態(tài)中的每一個(gè)。在刷新操作期間， 緩沖器136b臨時(shí)地存儲(chǔ)由讀出放大器132b所傳遞的所選存儲(chǔ)單元 104c-104d的狀態(tài)。響應(yīng)于非晶態(tài)的所選存々者單元104c-104d的狀 態(tài)，緩沖器136b將寫(xiě)使能信號(hào)傳遞給寫(xiě)入電路124b。響應(yīng)于寫(xiě)使 能信號(hào)，寫(xiě)入電路124b經(jīng)由信號(hào)通道125b和位線112b將所選存 儲(chǔ)單元104c-104d再編程為其所編程的電阻狀態(tài)。
圖7是示出用于刷新相變存儲(chǔ)單元104 (例如，存儲(chǔ)裝置100b 中的相變存儲(chǔ)單元104)的方法400的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。在 402中，控制器120接收或發(fā)出刷新才喿作的請(qǐng)求。在404中，激活 字線110以讀取字線110上的存^f諸單元104的電阻狀態(tài)。在406中， 讀出放大器132讀取字線110上的所有存儲(chǔ)單元104的狀態(tài)，且將 狀態(tài)傳遞至緩沖器136。
在408中，如果存儲(chǔ)在緩沖器136中的狀態(tài)是非晶態(tài)，則在410 中，緩沖器136激活用于該位線112的寫(xiě)使能信號(hào)。如果存儲(chǔ)在緩 沖器136中的狀態(tài)是晶態(tài)，則在412中，緩沖器136將用于該位線 112的寫(xiě)使能信號(hào)保持為去激活。在414中，寫(xiě)入電路124b基于寫(xiě) 使能信號(hào)施加位線脈沖以僅復(fù)位處于非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元104。在一 個(gè)實(shí)施例中，每次老卩以l美(subgroup )(例如， 一次兩條、三條、四 條或其它適當(dāng)數(shù)量的位線112)的方式提供位線脈沖。在416中，
完成對(duì)當(dāng)前字線的刷新才喿作。重復(fù)方法400的方框404-416以檢查 下一個(gè)字線110上的存儲(chǔ)單元104的電阻狀態(tài)，直到存儲(chǔ)陣列101 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元104都已經(jīng)進(jìn)行過(guò)潛在刷新沖企查。
圖8是示出在刷新才乘作期間依次復(fù)位多個(gè)相變存儲(chǔ)單元104的 一個(gè)實(shí)施例的時(shí)序圖500。時(shí)序圖500包括字線110上的字線(WL) 信號(hào)502、第一位線112上的第一位線(BL1 )信號(hào)504、第二位線 112上的第二位線(BL2)信號(hào)506、第三位線112上的第三位線 (BL3 )信號(hào)508以及第四位線112上的第四位線(BL4)信號(hào)510。
對(duì)于存儲(chǔ)單元104的典型的置位和復(fù)位操作，如512處所表示 的，激活字線信號(hào)502。在514處表示出，存儲(chǔ)單元104的典型置 位操作時(shí)間，限制了存儲(chǔ)單元104的寫(xiě)入周期時(shí)間。在典型的寫(xiě)入 周期時(shí)間內(nèi)，復(fù)位脈沖516、 518、 520、 522和^皮施加到其他位線 112的其他復(fù)位脈沖相對(duì)于彼此具有時(shí)移。通過(guò)移動(dòng)復(fù)位脈沖，使
得它們不重疊，避免了刷新#:作期間電流消一毛的增加。此外，通過(guò)
在典型的寫(xiě)入周期時(shí)間內(nèi)連續(xù)地施加多個(gè)復(fù)位脈沖而不是僅一個(gè) 復(fù)位脈沖，在刷新操作期間節(jié)省了時(shí)間。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了包括刷新操作的相變存儲(chǔ)器。刷新操作 僅刷新處于非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元。通過(guò)不刷新處于晶態(tài)的不呈現(xiàn)數(shù)據(jù) 保持時(shí)間問(wèn)題的存儲(chǔ)單元，在刷新操作期間，時(shí)間和能量都^皮節(jié)省 了。
雖然在此描述的具體實(shí)施例基本上集中在使用相變存儲(chǔ)單元， 但是本發(fā)明可以被應(yīng)用到任何適當(dāng)類型的電阻式存儲(chǔ)單元。
盡管在此已經(jīng)示出且描述了具體的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通4支術(shù)人 員將意識(shí)到，在不背離本發(fā)明范圍的情況下，大量的替換和/或等同 的實(shí)施方式可以替換所示出和描述的具體實(shí)施例。該申請(qǐng)旨在覆蓋 在此論述的具體實(shí)施例的任何修改或變化。因此，本發(fā)明僅由權(quán)利 要求和其等同所限制。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器，包括相變存儲(chǔ)單元陣列；以及第一電路，用于響應(yīng)于刷新操作請(qǐng)求來(lái)僅刷新所述相變存儲(chǔ)單元陣列中的被編程為非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，還包括第二電路，用于在刷新操作期間讀取所述相變存儲(chǔ)單元 陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元以確定每個(gè)存儲(chǔ)單元是否被編程為非 晶態(tài)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中，所述第一電路通過(guò)在置 位操作時(shí)間內(nèi)連續(xù)地復(fù)位至少兩個(gè)存儲(chǔ)單元來(lái)刷新所述相變 存卡者單元陣列中的所述至少兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中，所述第一電路通過(guò)如下 步驟刷新所述存儲(chǔ)單元激活字線以讀取所述字線上的每個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)；讀耳又所述字線上的每個(gè)存儲(chǔ)單元的所述狀態(tài)，且臨時(shí)存 儲(chǔ)每個(gè)存儲(chǔ)單元的所述狀態(tài)；響應(yīng)于包括非晶態(tài)的每個(gè)臨時(shí)存儲(chǔ)的狀態(tài)來(lái)提供寫(xiě)使能 信號(hào)；以及響應(yīng)于每個(gè)寫(xiě)使能信號(hào)來(lái)刷新存儲(chǔ)單元。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中，所述相變存儲(chǔ)單元陣列 包括單比特相變存儲(chǔ)單元陣列。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中，所述相變存儲(chǔ)單元陣列 包括多比特相變存儲(chǔ)單元陣列。
7. —種存儲(chǔ)器，包括電阻式存儲(chǔ)單元陣列；讀出電^各，^皮配置為用于讀出所述電阻式存々者單元陣列 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)；寫(xiě)入電3各，；陂配置為用于編程所述電阻式存4諸單元陣列 中的每個(gè)存1'諸單元；以及控制器，被配置為用于控制刷新操作，其中，所述讀出 電^各讀出每個(gè)存^f諸單元的所述狀態(tài)，以及所述寫(xiě)入電鴻"f又刷新 #皮讀出為處于比最低電阻狀態(tài)高的電阻狀態(tài)的每個(gè)存^f諸單元 的所述狀態(tài)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中，所述讀出電路包括用于 在刷新4喿作期間臨時(shí)存儲(chǔ)每個(gè)存儲(chǔ)單元的所述讀出狀態(tài)的緩 沖器，所述緩沖器將指示哪些存儲(chǔ)單元處于比所述最低電阻狀 態(tài)高的電阻狀態(tài)的信號(hào)提供給所述寫(xiě)入電路。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中，所述電阻式存儲(chǔ)單元陣 列包括字線，以及所述刷新操作并行地刷新一條字線上的所有 存儲(chǔ)單元。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中，所述寫(xiě)入電路通過(guò)在置 位才喿作時(shí)間內(nèi)連續(xù)地復(fù)位至少兩個(gè)存4諸單元來(lái)刷新所述至少 兩個(gè)存〗渚單元。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中，所述電阻式存儲(chǔ)單元陣 列包括單比特電阻式存儲(chǔ)單元陣列。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中，所述電阻式存儲(chǔ)單元陣 列包括多級(jí)電阻式存儲(chǔ)單元陣列。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中，所述電阻式存儲(chǔ)單元陣 列包括相變存儲(chǔ)單元陣列。
14. 一種存儲(chǔ)器，包括相變存儲(chǔ)單元陣列；以及用于響應(yīng)于刷新操作請(qǐng)求來(lái)僅刷新處于非晶態(tài)的存儲(chǔ)單 元的裝置。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其中，所述用于僅刷新處于 非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元的裝置包括用于并4亍地刷新至少兩個(gè)存儲(chǔ)-單元的裝置。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其中，所述用于刷新僅處于非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元的裝置包括在置位操作時(shí)間內(nèi)連續(xù)地復(fù)位 至少兩個(gè)存^f諸單元。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其中，所述相變存儲(chǔ)單元陣 列包括單比特相變存儲(chǔ)單元陣列。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其中，所述相變存儲(chǔ)單元陣 列包括多比特相變存儲(chǔ)單元陣列。
19. 一種用于刷新存儲(chǔ)器的方法，所述方法包括讀取相變存儲(chǔ)單元陣列中的第 一存儲(chǔ)單元的第 一狀態(tài)； 確定所述第一狀態(tài)是否是非晶態(tài)；以及響應(yīng)于確定所述第一狀態(tài)是非晶態(tài)來(lái)刷新所述第一存儲(chǔ) 單元的所述狀態(tài)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括讀取所述相變存儲(chǔ)單元陣列中的第二存儲(chǔ)單元的第二狀態(tài)；確定所述第二狀態(tài)是否是非晶態(tài)；以及響應(yīng)于確定所述第二狀態(tài)是非晶態(tài)來(lái)刷新所述第二存儲(chǔ) 單元的所述狀態(tài)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，與刷新所述第一存儲(chǔ)單 元的所述狀態(tài)并行地才丸行刷新所述第二存^f諸單元的所述狀態(tài)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，在置位操作時(shí)間內(nèi)連續(xù) 地執(zhí)行刷新所述第二存儲(chǔ)單元的所述狀態(tài)和刷新所述第 一存 ^諸單元的所述狀態(tài)。
23. 才艮據(jù)4又利要求19所述的方法，其中，讀取所述第一存4諸單元 的所述第一狀態(tài)包括讀取單比特相變存儲(chǔ)單元陣列中的所述 第 一存儲(chǔ)單元的所述第 一狀態(tài)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，讀取所述第一存儲(chǔ)單元 的所述第一狀態(tài)包括讀取多比特相變存儲(chǔ)單元陣列中的所述 第 一存儲(chǔ)單元的所述第 一狀態(tài)。
25. —種用于刷新存4諸單元的方法，所述方法包括激活相變存+者單元陣列中的字線； 將所述字線上的每個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)讀取至緩沖器中； 激活來(lái)自存儲(chǔ)非晶態(tài)的每個(gè)緩沖器的寫(xiě)使能信號(hào)；以及 對(duì)應(yīng)于激活的寫(xiě)使能信號(hào)，刷新所述字線上的存儲(chǔ)單元。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，刷新存儲(chǔ)單元包括對(duì)應(yīng) 于激活的寫(xiě)使能信號(hào)，復(fù)位所述字線上的存儲(chǔ)單元。
27. 才艮據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，激活所述相變存儲(chǔ)單元 陣列中的所述字線包括激活單比特相變存儲(chǔ)單元陣列中的所 述字線。
28. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，激活所述相變存儲(chǔ)單元 陣列中的所述字線包括激活多級(jí)相變存儲(chǔ)單元陣列中的所述 字線。
全文摘要
一種存儲(chǔ)器包括相變存儲(chǔ)單元陣列和第一電路。該第一電路是用于響應(yīng)于刷新操作請(qǐng)求來(lái)刷新相變存儲(chǔ)單元陣列中的僅被編程為非晶態(tài)的存儲(chǔ)單元。
文檔編號(hào)G11C11/56GK101188139SQ200710166498
公開(kāi)日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2007年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月21日
發(fā)明者托馬斯·哈普, 揚(yáng)·鮑里斯·菲利普 申請(qǐng)人:奇夢(mèng)達(dá)北美公司