專利名稱：用于確定最優寫入功率的光盤記錄裝置及方法
技術領域：
本發明涉及一種通過使用激光在光盤上執行寫入的光盤記錄裝置。本發明尤其涉及一種為在光盤上執行寫入而設定了最優寫入功率的光盤記錄裝置，以及一種用來在該光盤記錄裝置中確定最優寫入功率的方法。
背景技術：
在光盤記錄中確定并控制最優寫入功率的方法中(此后，最優寫入功率簡寫為Po，最優功率控制簡寫為OPC)，通常Po是通過算術上處理寫入特性被計算出來，諸如在寫入時反射系數的波動、寫入后的不對稱、幅度、調制的深度以及通過在適合獲得Po的寫入功率附近(此后，簡寫為Pm)選擇的幾個點上通過試寫(test writing)而獲得的抖動(此后，該一系列處理簡稱為Po操作)。
然而，直到執行OPC，Pm的確切值才是可用的。為此，以可以估計的足夠寬的范圍的寫入功率執行試寫，在由此獲得的寫入特性的基礎上選擇Pm，并且使用在由此選擇的Pm附近的點的寫入特性來執行Po操作。
在OPC中，當光盤在旋轉時，在光盤的連續的記錄軌道中執行試寫。用被改變的寫入功率來執行試寫。然而，在現有技術中，寫入功率簡單地從最低變化到最高，或者相反。由此導致的問題是寫入功率依賴于在光盤上的位置。
圖1示意性地展示了現有技術中的OPC方法。為了便于解釋，在該情況下的示例包括頻率為θt的正弦波形式的寫入靈敏度波動。在該例中執行試寫的功率(此后，數目簡寫為N)的數目是6，但對于每個實際情況該數目可以變化。P(i)是一系列試寫功率，E(i)是一系列通過以P(i)執行試寫而獲得的寫入特性。為了解釋的容易理解，在該例中試寫功率系列P(i)中的寫入功率被設定為隨著值i的增加而增加，但是本發明并不局限于此。
P(i)i0到N-1…(1)P(i)＜P(i+1)…(2)
通常，在OPC中，用被改變的試寫功率來在旋轉光盤的特定的連續的位置上執行試寫。圖1展示了從表示為θs的試寫起始位置執行試寫，寫入功率為P(0)到P(5)。接著，使用由此獲得的寫入特性E(i)執行Po操作。該例展示了{P(1)+P(2)}/2被選擇為Pm，并且在Pm附近的寫入特性E(1)和E(2)被選擇用于Po操作。通過如圖所示的這種寫入靈敏度波動，Po值將是對應于狀態的值，在該狀態中，通過Po操作獲得的寫入靈敏度為高，因為在該Po操作中使用的寫入特性E(1)和E(2)是在高寫入靈敏度的位置上測量的值。
每次執行試寫時，寫入靈敏度波動和試寫起始位置θs之間的相位關系不同。圖2展示了這樣的例子。當在這樣的相位關系下執行OPC時，所獲得的Po值是與狀態對應的值，在該狀態中，寫入靈敏度為低，因為寫入特性E(1)和E(2)是在低寫入靈敏度位置上測量的值。
圖1和圖2的示例展示了現有技術中OPC所具有的問題。特別地，所獲得的Po值的改變是由寫入靈敏度波動和試寫起始位置之間的相位關系決定的，這將導致OPC中具有較低的正確度。
圖23展示了現有技術中的OPC方法。在光盤1上以基本同心形式排列的圓形的弧線箭頭展示了如何在光盤1上形成的螺旋記錄軌道上執行試寫。在靠近中心的位置上放置的數字分別指示光盤1上的位置。P(i)是寫入功率，用它在每個如對應的圓形弧線箭頭所示的部分中執行試寫。為了便于解釋，在寫入功率系列中的寫入功率的數目(N)在此圖中被設定為8，但對于每個實際情況該數目可以變化。同樣為了便于解釋，寫入功率P(i)被設定為隨著值i的增加而增加。
圖24展示了通過OPC獲得的在光盤上的位置、寫入功率和寫入特性之間的關系。這里，E(i)是當以寫入功率P(i)的對應的一個來執行試寫時的寫入特性。如上所述，在OPC中，選擇適于獲得Po的寫入功率Pm，然后選擇Po附近的幾個點，然后執行Po操作。圖24中的示例展示了P(3)被選為Pm，在所選Pm附近的寫入功率P(2)、P(3)和P(4)，以及選擇了寫入特性E(2)、E(3)和E(4)。
順便提及，由于各種原因，在光盤中發生不均勻(uneven)的寫入靈敏度。這樣的不均勻包括由于記錄膜本身的特性引起的不均勻，由于覆蓋膜和反射膜的特性引起的不均勻，以及由于指紋產生的污染引起的不均勻。關注在OPC上的影響，還包括由于光盤彎曲和連接誤差導致的光盤與光學透鏡的相對位置與相對角度的失配引起的外觀不均勻(apparent unevenness)。
大多數這樣的不均勻依賴于在光盤中的位置。為此，在現有技術執行的試寫中，即在用寫入功率簡單地從最大變到最小或者相反的試寫中，以Pm附近的寫入功率執行寫入的區域會變得彼此接近。由此產生的問題是寫入功率和不均勻寫入靈敏度的位置的一些組合導致測量點的數目發生很大的變化，所述測量點受到了寫入靈敏度中不均勻的影響。
圖25展示了光盤上不均勻寫入靈敏度的分布的示例。圖26展示了光盤中位置、寫入功率和寫入特性之間的關系，所有上述都是通過在光盤上執行的OPC獲得的，該光盤具有如圖25所示的不均勻寫入靈敏度的分布。圖25展示了在區域11中存在不均勻寫入靈敏度。在該情況下，在受到不均勻寫入靈敏度影響的Po操作中使用的所有的寫入特性E(2)、E(3)和E(4)，以及使用這些值計算的Po的正確度顯著降低。
圖40示意性地展示了現有技術中的OPC方法。此處，P(i)表示執行試寫的寫入功率。在光盤1上以基本同心方式排列的圓形的弧線箭頭展示了如何在記錄軌道上執行試寫，在靠近中心的位置上放置的數字(0、1、2、3、4、5…)分別表示在光盤1上的位置。如圖所示，在OPC中的試寫是在旋轉光盤1的連續區域中執行，寫入功率是可變的。為了便于解釋，如下式所示，寫入功率P(i)被設定為隨著值i的增加而單調增加。在該情況下，寫入功率系列中的寫入功率的數目(N)被設定為6，但是在OPC的實際情況中可以使用不同的數目。
P(i)i0到N-1其中P(i)＜P(i+1)當執行試寫時，寫入特性依照盤的寫入靈敏度而波動。圖41展示了波動如何發生。三個曲線圖(1)、(2)和(3)中的每個圖的水平軸展示了圖40中光盤上的位置。曲線圖(1)、(2)和(3)中的垂直軸從上而下分別是寫入功率P、寫入靈敏度S和寫入特性E。從上往下數的第三個曲線圖(3)展示了一個例子，其中寫入特性從由虛線表示的理論值偏移到由實線表示的實際值，這是由于不均勻寫入靈敏度影響了寫入特性。由于在OPC中是使用這些寫入特性來計算Po的，在現有技術中產生的問題在于不均勻寫入靈敏度導致Po的低正確度。
該不均勻寫入靈敏度不僅包括光盤中記錄膜和覆蓋層的特性的不均勻，還包括外觀不均勻，諸如由于污染和光軸的錯配引起的寫入功率損失。
已經提出了各種方法用來補償這樣的寫入靈敏度波動以及不均勻寫入靈敏度的影響。然而，在這些方法中，在要執行試寫的區域中寫入特性的測量在補償操作之前(例如，查看已經公開的日本專利申請No.2004-253016和已經公開的日本專利申請No.2002-319135)，或區域上寫入特性的穩定化在補償操作之前(例如，查看已經公開的日本專利申請No.2000-251254)。這些方法的缺點在于，由于重復一系列包括特性測量和寫入的操作，OPC的進程作為整體將趨于復雜。另一個問題是包括在試寫被執行為預處理的區域中的在前寫入的方法不適合于不可重寫的光盤，例如CD-R(可記錄CD)。
發明內容
特別地，根據現有技術的OPC，存在的問題是由光盤中寫入靈敏度波動和試寫起始位置之間的相位關系決定的Po值變化，導致在OPC中的較低的正確度。另一個問題是由于受到光盤的不均勻寫入靈敏度影響而使寫入特性變化，只能以有限的正確度獲得Po。還有一個問題是，在執行試寫的區域中寫入特性的測量和/或在區域中寫入特性的穩定化在補償操作之前的方法中，一系列包括特性測量和寫入的操作需要重復，使得整個OPC進程復雜化。此外，包括在執行試寫的區域中作為預處理的在前寫入的方法不適合于不可重寫的光盤，例如CD-R。
考慮到前面所述，期望提供一種用來確定最優寫入功率的光盤記錄裝置和方法，其能減小光盤的寫入靈敏度波動影響，進而提高在控制寫入功率中的正確度。
根據本發明的一個實施例，能夠提供一種為光盤記錄裝置確定最優寫入功率的方法，以減小光盤的寫入靈敏度波動的影響，并提高在控制寫入功率中的正確度。
此外，根據本發明的一個實施例，能夠提供一種確定光盤記錄裝置的最優寫入功率的方法，以減小光盤的不均勻寫入靈敏度的影響，并提高在控制寫入功率中的正確度。
為了實現上述目標，在光盤記錄裝置中確定光盤的最優寫入功率的方法包括在第一位置和在第二位置試寫作為記錄媒體的該光盤，該第一位置的寫入靈敏度高于該光盤的平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度低于平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量和該第一位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度之間的差值的數量相同，在第一位置和第二位置使用同樣的寫入功率，并從被試寫位置的寫入特性的平均值中獲得該光盤的最優寫入功率。
根據本發明，能夠獲得最優寫入功率，其中光盤寫入靈敏度的波動周期的影響被最小化了，并且能夠提高在控制寫入功率時的正確度。隨著寫入功率控制中的正確度的提高，即使對于寫入功率中的誤差具有小的性能容余的光盤，也可以獲得預定質量的記錄性能。此外，在本發明中，將要被執行的試寫只有兩次，這比現有技術中重復執行光盤功率控制的方法以最小化Po的偏離更加有效。還可以更容易地使用另一種用于補償寫入靈敏度波動的方法。
此外，為了實現上述目標，根據本發明的確定最優寫入功率的方法包括在光盤上試寫，該試寫使用以強度次序排列的和重新排列的試寫功率系列，使得具有彼此相鄰強度的寫入功率不順次排列，測量執行試寫位置的寫入功率特性并基于所測量的寫入特性計算最優寫入功率。
根據本發明，寫入特性變得較少依賴于光盤的位置，從而防止在由光盤中的不均勻靈敏度引起的控制寫入功率中的正確度的減少。
此外，為了實現上述目標，根據本發明的確定最優寫入功率的方法包括在光盤上使用用于監控在系列中被分散排列的寫入靈敏度波動的寫入功率進行試寫，測量執行試寫位置的寫入功率特性，基于所測量的寫入特性計算光盤的寫入靈敏度波動的數量，以及基于被計算的寫入靈敏度波動的數量來校正用來計算最優寫入功率的變量。
根據本發明，可以獲得最優寫入功率，其中光盤寫入靈敏度的不均勻的影響被最小化了，并且可以提高在控制寫入功率中的正確度。隨著寫入功率控制中的正確度的提高，即使對于寫入功率中的誤差具有小的性能容余的光盤，也可以獲得預定質量的記錄性能。此外，根據本發明的方法可以與其它現有方法容易地結合使用。可以期望由于不均勻靈敏度引起的不利效果可以被減少，即使對于與其它方法結合的使用也是如此。
同時，本發明中的寫入功率表示用于例如在光拾取器中寫入的激光發射功率，然而本發明并不局限于此。
同時，根據本發明在最優寫入功率的計算中使用的變量表示用于在例如光拾取器中寫入的激光發射功率，然而本發明并不局限于此。
根據本發明，第一位置和第二位置能夠基于寫入靈敏度的波動周期而被確定。如果獲得正弦波的波動周期，不管試寫起始的位置，可以獲得平均靈敏度的寫入特性。此外，如果關于寫入靈敏度波動周期的信息是預先給定的，即使對于不能夠重寫的光盤，例如CD-R，也可以有效地應用本發明。
作為基于光盤的寫入靈敏度的波動而確定第一位置和第二位置的具體方法，可以使用諸如以恒定寫入功率試寫光盤并獲得寫入特性的波動、基于伺服誤差信息獲得位置、再生在光盤中先前被寫入的基本位置上的信息等方法。
基于通過以恒定寫入功率試寫光盤而獲得的寫入特性的波動，用來獲得光盤的寫入靈敏度的波動周期的方法可以通過使用一個波長被實現，只要其正確度可以被保證，該波長可以短到覆蓋波動周期的四分之一。這所具有的優點在于減少需要試寫的區域。
根據本發明，固定長度的試寫功率系列可以被重復地使用以使第一位置和第二位置被同樣的寫入功率試寫。在該情況下，在第一輪試寫功率系列和第二輪試寫功率系列之間提供間隙，以使第一和第二位置兩者的相位和位置都能夠匹配。此外，試寫功率系列的長度可以被調整，以使當重復使用固定長度的試寫功率系列時，第一位置和第二位置被以同樣的寫入功率寫入。
根據本發明，第一位置和第二位置可以基于基本位置被確定，在該基本位置處，光盤的寫入靈敏度變為平均的。作為具體方法，可以使用諸如以恒定寫入功率試寫光盤并獲得寫入特性的波動、獲得基于伺服誤差信息的位置、再生在光盤中在先寫入的基本位置上的信息等方法。
此外，可以重復地使用固定長度的試寫功率系列，以使第一位置和第二位置被以同樣的寫入功率寫入。然而，在該情況下，可以使用與第一輪試寫功率系列順序相反的第二輪試寫功率系列，以使第一位置和第二位置可以被以同樣的寫入功率寫入。
而且，本發明還包括步驟形成重新排列的寫入功率系列，使得通過使用隨機數使在強度上彼此相鄰的寫入功率不被順次排列。在該情況下，當彼此相鄰排列的寫入功率偶然轉為以強度次序時，為解決該問題，兩個寫入功率中的一個可以被改變成其它任何一個或者次序將被再一次重新排列。
在試寫步驟中，還可以使用重新排列的寫入功率系列試寫光盤，使得基于光盤中靈敏度不均勻的波動而使強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列。
由于光盤的靈敏度不均勻依賴于諸如光盤的旋轉周期等因素，光盤的靈敏度不均勻的影響可以被減小甚至超過具有基于靈敏度不均勻的波動而確定的寫入功率系列的次序，這導致在控制寫入功率中的正確度的提高。
作為使得強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列的試寫方法，例如使用寫入功率系列的方法，其通過將以強度次序彼此相鄰排列的寫入功率分配到第一起始位置的試寫和第二起始位置的試寫。第一起始位置和緊接著第一起始位置的第二起始位置基于所獲得的有關光盤寫入靈敏度波動周期的信息被計算。通過使用隨機數，分別被第一和第二起始位置使用的寫入功率系列的次序可以被重新排列。
此外，可以計算光盤的寫入靈敏度的波動周期，并且基于所計算的周期獲得第一起始位置和第二起始位置。
在試寫步驟中，還可以使用重新排列的寫入功率系列試寫光盤，使得強度彼此相鄰的寫入功率基于在內圓周側的軌道和外圓周側的軌道之間的寫入靈敏度的差異而不被順次排列。
換而言之，光盤中，在內圓周側的軌道和外圓周側的軌道之間的寫入靈敏度存在差異。在該情況下，使用重新排列的寫入功率系列試寫光盤是有效的，這樣使得強度彼此相鄰的寫入功率基于在內圓周側的軌道和外圓周側的軌道之間的寫入靈敏度的差異而不被順次排列。
作為使用重新排列的寫入功率系列試寫光盤使得強度彼此相鄰的寫入功率基于在內圓周側的軌道和外圓周側的軌道之間的寫入靈敏度的差異而不被順次排列的具體方法，為諸如使用以強度次序彼此相鄰排列的寫入功率被分別分配到內圓周側的軌道和外圓周側的軌道的寫入功率系列的方法。
此外，在內圓周側和外圓周側使用的寫入功率系列的次序還可以通過使用隨機數被重新排列。
此外，根據本發明，在校正步驟中，寫入功率系列的校正可以通過將計算的寫入靈敏度波動的量轉換成寫入功率系列中寫入功率的量的波動來執行。此外，在校正步驟中，寫入特性的校正可以通過將計算的寫入靈敏度波動的量轉換成寫入特性的量的波動來執行。然而，在本發明中，寫入功率和/或寫入特性不僅僅是用來適應校正的變量。
寫入功率系列中的任何寫入功率可以被適應于監視寫入靈敏度波動的功率。通過這種方法，使用用來監視寫入靈敏度波動的功率而被寫入的寫入特性還可以被用于計算最優寫入功率，這是有效率的，并導致節省用來試寫光盤的區域。
根據本發明，在確定可記錄類型光盤的最優寫入功率的方法中，光盤的寫入靈敏度的波動周期的影響被最小化，并且在控制寫入功率中的正確度能夠被提高。
此外，根據本發明，在確定可記錄類型光盤的最優寫入功率的方法中，光盤的寫入靈敏度的不均勻的影響被最小化，并且在控制寫入功率中的正確度能夠被提高。
圖1是解釋現有技術中的OPC方法的示意圖。
圖2是解釋現有技術中OPC方法的問題的示意圖。
圖3是展示根據本發明的實施例的光盤記錄裝置的配置的方框圖。
圖4展示了根據第一至第十一實施例的用來確定最優寫入功率的方法的第一原理，其利用了正弦波形的周期。
圖5展示了在第一原理中寫入靈敏度和寫入特性之間的關系。
圖6展示了根據第一至第十一實施例的用于確定最優寫入功率的方法的第二原理，其利用了正弦波形的對稱。
圖7是展示根據本發明的第一實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖8是展示依據本發明的第二實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖9是展示依據本發明的第三實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖10是展示依據本發明的第四實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖11是第一實施例中當k＝1時與試寫相關的圖。
圖12是第一實施例中當k＝3時與試寫相關的圖。
圖13是展示依據本發明的第五實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖14是展示依據本發明的第六實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖15是展示依據本發明的第七實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖16是展示依據本發明的第八實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖17是第五實施例中當k＝1時與試寫相關的圖。
圖18是第五實施例中當k＝3時與試寫相關的圖。
圖19是展示依據本發明的第九實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖20是展示依據本發明的第十實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖21是展示依據本發明的第十一實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖22展示了在第九實施例中如何執行試寫。
圖23是解釋現有技術中的OPC方法的示意圖。
圖24展示了在光盤中位置、寫入功率和寫入特性之間的通過OPC獲得的關系。
圖25展示了光盤中寫入靈敏度不均勻的分布的示例。
圖26展示了通過OPC在具有圖25所示的不均勻寫入靈敏度分布的光盤上獲得的在光盤中位置、寫入功率和寫入特性之間的關系。
圖27展示了依據本發明的實施例的用于確定最優寫入功率的方法中，在光盤中位置、寫入功率和寫入特性之間的關系。
圖28是展示依據本發明的第十二實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖29是展示依據本發明的第十三實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖30是展示依據本發明的第十四實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖31展示了第十四實施例的用于確定最優寫入功率的方法中，在光盤中位置、寫入功率和寫入特性之間的關系。
圖32是展示依據本發明的第十五實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖33展示了第十五實施例的用于確定最優寫入功率的方法中，在光盤中位置、寫入功率和寫入特性之間的關系。
圖34是展示依據本發明的第十六實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖35是展示依據本發明的第十七實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖36展示了依據第十七實施例的用于確定最優寫入功率的方法中，光盤內圓周側和外圓周側的寫入功率的次序。
圖37是展示依據本發明的第十八實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖38展示了依據第十八實施例的用于確定最優寫入功率的方法中，光盤內圓周側和外圓周側的寫入功率的次序。
圖39是展示依據本發明的第十九實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。
圖40是解釋現有技術中OPC方法的圖。
圖41是解釋現有技術中OPC方法的問題的圖。
圖42是展示在依據本發明的第二十實施例的用于確定最優寫入功率的方法中的試寫方法的示意圖。
圖43是展示依據第二十實施例的用于確定最優寫入功率的方法的流程圖。
圖44示意性地展示了依據第二十實施例的用于確定最優寫入功率的方法中變量之間的關系。
圖45是與比率ΔE/ΔP的計算方法相關的示意圖，即寫入特性的變化與用于監視寫入靈敏度波動周期的寫入功率Pt附近的寫入功率的比率。
圖46是與用于寫入功率補償系數的插入處理相關的示意圖。
圖47是展示寫入靈敏度的波動周期的影響如何通過校正的寫入功率系列抑制的示意圖。
圖48展示了依據本發明的第二十一實施例的用于確定最優寫入功率的方法中寫入特性的校正的示例。
圖49是展示第二十一實施例的用于確定最優寫入功率的方法的流程圖。
圖50是展示在依據本發明的第二十二實施例的用于確定最優寫入功率的方法中試寫方法的示意圖。
圖51示意性地展示了第二十二實施例的用于確定最優寫入功率的方法中變量之間的關系。
圖52是展示依據第二十二實施例的用于確定最優寫入功率的方法的流程圖。
圖53是展示依據第二十三實施例的用于確定最優寫入功率的方法的流程圖。
具體實施例方式
下面，將參考附圖詳細描述本發明的實施例。
圖3是展示依據本發明的實施例的光盤記錄裝置的配置的方框圖。在圖中，參考數字1是光盤。主軸馬達2旋轉光盤1。光拾取器3包括例如光學元件部分，諸如半導體激光器，驅動半導體激光器的驅動電路，透鏡以及致動器等。滑動馬達4沿光盤1的切向移動光拾取器3。再生部7從由光拾取器3獲得的信號中再生記錄在光盤1上的數據、位置信息和同步時序。依照由光拾取器3監視的各種誤差上的信息、從再生部7獲得的同步時序等，伺服部5控制主軸馬達2、滑動馬達4和光拾取器3的致動器。在期望狀態，伺服部5控制光盤1的旋轉數；光拾取器3的位置；和從光拾取器3輸出的激光束的位置、光軸、傾斜、聚焦等。自動功率控制(APC)部6依照由光拾取器3監視的信息控制激光發射功率等處于期望值。寫入特性測量部8基于來自光拾取器3的信息測量寫入特性，諸如調制程度、不對稱、β值、抖動等。寫入功率調制部9依照將要被寫入的信息適當地調制光拾取器3的激光發射功率。控制部10控制每個部件，并且包括序列發生器、中央處理單元、存儲器等。
為了再生在光盤1中的數據，適當的光斑從光拾取器3投射到光盤1上。另外，伺服部5適當地旋轉光盤，并且將光拾取器3移動到期望的位置。此外，通過控制致動器等，光斑被制成沿光盤1的記錄軌道掃描。在該狀態，再生部7再生記錄在光盤1中的數據。
為了在光盤1中寫入數據，寫入功率調制部9適當地調制光拾取器3的光的波形，該波形來自數據再生狀態的光的波形，并且因此數據被寫入到光盤1中。此時使用的有關寫入功率的信息通過在寫入之前執行的OPC獲得。
影響OPC的寫入靈敏度因素的波動周期包括記錄膜特有的波動，以及由例如寫入光的相對傾斜和光斑對于記錄軌道的錯配而產生的外觀波動，該錯配是由于光盤1的傾斜和扭曲引起的。這些寫入靈敏度的波動周期依賴于光盤1中的物理位置。因此，當光斑掃描旋轉光盤1的表面時，可以觀察到依賴于光盤1中物理關系的周期性的寫入靈敏度波動。這樣的寫入靈敏度波動包括，例如具有與光盤1旋轉周期相等周期的寫入靈敏度的波動周期，和具有與光盤1的記錄軌道中形成的導槽的形狀或擺動相關的周期的寫入靈敏度波動。還包括其中每個具有通過將上述周期中的一個整除而得到的周期的寫入靈敏度波動。
這些寫入靈敏度波動中的大多數能夠近似于單個正弦波或多個正弦波。每個波動的周期能夠從由伺服部5獲得的誤差信息和從預先測量的數據中計算出。
在本發明的第一至第十一實施例中，關注的事實在于這些寫入靈敏度波動的每一個具有正弦波圖案的周期。在試寫的同時，以同樣的寫入功率在第一位置和第二位置執行寫入，該第一位置具有比目標光盤1的平均靈敏度更高的靈敏度，該第二位置具有比平均靈敏度更低的靈敏度，且其與平均靈敏度的差值等于第一位置處的寫入靈敏度與平均靈敏度的差值。為了減少光盤1的寫入靈敏度波動的影響，從執行試寫的位置中的平均寫入特性得到Po。
用于確定在其中的每一個位置上執行試寫以獲得平均寫入特性的兩個特定位置的方法的示例包括利用周期的方法和利用正弦波對稱的方法。
圖4展示了用來確定最優寫入功率的方法的第一原理，該方法利用了正弦波形的周期。這里，為了便于解釋，給出具有單個正弦波圖案的寫入靈敏度波動的示例。近似于多個正弦波組合的寫入靈敏度波動可以被視為其每一個都具有單個正弦波圖案的寫入靈敏度波動的組合。
在圖4中，垂直軸是光盤1的寫入靈敏度，水平軸是在記錄軌道的方向(在圓周方向)上位置的極坐標表示的角度。這里，假定寫入靈敏度S(θ)可以近似由下式表示，該S(θ)是在位置θ處的寫入靈敏度。
S(θ)＝A·sin(2·π·θ/θt)+Sv …(3)其中A，Sv和θt分別是寫入靈敏度波動的幅度、均值和周期。
在第一原理的方案中，在位置θa和位置θb均以特定寫入功率P執行寫入，位置θb離位置θa的距離等于k·θt/2(其中k是奇數)。只要所要選擇的兩個位置之間具有合適的距離，則任何位置都能夠作為兩個位置被選擇。
假定在位置θa和θb的寫入靈敏度分別是Sa和Sb，并且基于式(4)表示的正弦波的性質，可以建立式(5)和(6)表示的關系。
sin(θ)＝-sin(θ+k·π)(其中k是奇數) …(4)Sb＝A·sin(2·π·θb/θt)+Sv＝A·sin(2·π·θa/θt+k·π)+Sv因此Sa-Sv＝-(Sb-Sv)…(5)因此Sv＝(Sa+Sb)/2 …(6)在圖4中，假定k＝1，并且位置θa和θb兩者均置于單個正弦波中。然而，兩個位置θa和θb的每一個都可以通過使用等于3或更大的奇數k來置于多個正弦波上。
這里，以寫入功率P在進行寫入時的寫入特性以函數Es(S)表示，即寫入靈敏度的函數。通常，由寫入靈敏度波動引起的Es(S)的變化足夠小以使在Es(S)中的變化近似為關于S的線性變化。圖5展示了這種情況。這里，Es(Sa)和Es(Sb)分別是記錄軌道上位置θa和θb處的寫入特性，Es(Sv)是具有平均靈敏度Sv的位置處的寫入特性。在OPC中將要使用的寫入特性優選是以平均靈敏度Sv獲得的寫入特性Es(Sv)。在該方案中，由式(6)得出的下式容易地給出這樣優選的寫入特性。
Es(Sv)≈{Es(Sa)+Es(Sb)}/2 …(7)該方案具有優點在于無論正弦波圖案的寫入靈敏度波動的周期什么時候可用，都可以獲得以平均寫入靈敏度執行寫入的寫入特性，而與試寫的起始位置無關。
另一方面，存在另一種方法，在該方法中，可以獲得寫入靈敏度波動的相位和利用正弦波的對稱。圖6展示了在其中利用對稱的第二原理。位置θv是在該方案中的基本位置，并且在位置θv處，S(θ)＝Sv。在圖6中，假定θv＝θt/2，但θv可以為0或為θt。其它與圖5中使用的符號相同的符號表示與如前所釋的內容相同的內容。
在該方案中，θa和θb被排列在兩個位置，其中之一位于中央θv之前，另一個在θv之后，而θa和θb的每一個離θv同樣的距離。
通過這樣的排列，正弦波的對稱給出了式(5)和(6)所示的關系。作為結果，式(7)給出了以平均靈敏度Sv寫入時的寫入特性Es(Sv)。
該方案具有優點在于無論寫入靈敏度波動為平均靈敏度的位置什么時候可用，都可以獲得以平均寫入靈敏度執行寫入的寫入特性，而與寫入靈敏度波動的周期無關。
上面已經描述的是用于確定在執行試寫以找出平均寫入靈敏度中使用的兩個特定位置的兩種方法。特別地，已經描述了利用周期和利用對稱的示例。該實施例并不局限于這些示例。例如，可以以下述方式執行試寫。在試寫之前執行以特定寫入功率的寫入，然后在寫入特性波動的基礎上特別地確定具有高靈敏度的位置和具有低靈敏度的位置。之后執行試寫。
圖7是展示依據本發明第一實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，該方法利用正弦波的周期。圖11是第一實施例中當k＝1時與試寫相關的圖，圖12是第一實施例中當k＝3時與試寫相關的圖。這里，Lb是在光盤1的記錄軌道上的距離，其中以寫入功率P(i)執行試寫(此后這種距離被稱作塊長度)。此外，Lg是用來對準第一輪P(i)系列的和第二輪的P(i)系列的位置相位所提供的間隔距離(此后這種距離被稱作間隙)。在圖11和圖12，P(i)系列的數目N設為6，但是本發明并不局限于這種情況。
在第一實施例中，通過測量等方式預先獲得每一個光盤1的寫入靈敏度波動的周期θt，然后在光盤記錄裝置的存儲器中作為數據庫存儲。
依據第一實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程將被詳細地介紹。
(步驟S1101)開始，控制部10從控制部10的存儲器所存儲的數據庫中獲得用于目標光盤1的寫入靈敏度波動的周期θt。
(步驟S1102)在所獲得的靈敏度周期θt、塊長度Lb和P(i)系列的數目N的基礎上，控制部10確定值k使得滿足下列條件。
條件1k是正奇數，并且條件2k·θt/2≥N·Lb …(8)注意到，盡管k可以取很大的值，其使在試寫中使用的軌道長度更長，然而通常優選地k取所有能滿足上述條件的最小值。
(步驟S1103)接下來，控制部10通過使用下式來計算間隙長度Lg以對準第一輪試寫和第二輪試寫的位置相位。
Lg＝k·θt/2-N·Lb…(9)(步驟S1104)基于迄今所獲得的條件，控制部10執行試寫，例如如圖11和圖12所示。在間隙部分中，以適當的寫入功率執行寫入，或根本不執行寫入。此外，第一輪寫入和第二輪寫入可以作為連續的進程執行，或作為兩個分離的過程執行。
(步驟S1105)控制部10在執行試寫的位置上測量寫入特性Ea(i)和Eb(i)。
(步驟S1106)控制部10使用式(7)以平均寫入靈敏度計算寫入特性E(i)。
(步驟S1107)控制部10執行操作以獲得最優寫入功率Po。已經提出了用于該操作的各種方法，本發明并不局限于特定的方法。
(步驟S1108)這樣，當寫入靈敏度波動的影響被減小時，獲得最優寫入功率Po。
如前所述，存在各種寫入靈敏度波動因素。當與周期波動有關的一部分因素即諸如光斑的相對傾斜、與記錄軌道的錯排(此后，這樣的錯排被稱作偏軌)以及聚焦的錯排(此后，這樣的錯排被稱作偏焦)的這種部分因素被減少時，OPC中的正確度能夠被提高。這些因素的誤差信息可以從伺服部5獲得。
圖8是展示依據本發明的第二實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，其使用從伺服部5獲得的有關寫入靈敏度波動的信息。
(步驟S1201)控制部10通過從伺服部5獲得各個因素的誤差信息，測量包括諸如傾斜、偏軌和偏焦等因素的寫入靈敏度波動。用于測量的更長的時間使對于θt的測量正確度提高，但是只要將正確度維持在特定的水平，例如只覆蓋四分之一周期的更短時間是可以允許的。
(步驟S1202)控制部10從在步驟S1201獲得的信息中計算寫入靈敏度波動周期θt。后續進程即步驟S1102到步驟S1108，與第一實施例中的步驟相同。
在制造光盤1的過程中，通常可以知道，由光盤1的記錄膜的特性波動、和反射膜或覆蓋膜的特性得到寫入靈敏度波動。一般地，在可記錄的光盤1中，為指示物理位置的目的(此后，這樣的位置被稱作地址)，溝槽結構受到擺動調制，或提供凹坑。執行這些處理以將地址信息嵌入到光盤1中，并且其中將關于光盤1的寫入靈敏度波動周期的信息例如在這里嵌入到這些凹坑中的方法也是有利的。
圖9是展示依據本發明的第三實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。該方法使用嵌入到光盤1中的有關寫入靈敏度波動的周期的信息。
(步驟S1301)控制部10從嵌入到光盤1的信息獲得寫入靈敏度周期θt。后續進程即步驟S1102到步驟S1108與第一實施例中的步驟相同。
當在光盤1中直接寫入時，可以從觀察到的寫入特性波動中獲得寫入靈敏度波動的周期。這樣的直接寫入可以是短的長度，甚至短到只覆蓋大約四分之一周期，只要將正確度維持在特定的水平即可。該實施例比其它實施例的優點在于節省了用于試寫的區域。此外，由于在本發明的該實施例中只獲得周期，因此也可以使用不可重寫的光盤1，例如CD-R。在不可重寫的光盤1的不將被執行非試寫的區域中執行試寫。在可重寫的光盤1的情況下，可以在將執行非試寫的同一區域中執行試寫。
圖10是展示依據本發明的第四實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，在該方法中通過在光盤1中以恒定寫入功率執行寫入來獲得寫入特性波動的周期。
(步驟S1401)開始，以恒定寫入功率P在光盤1上執行寫入。
(步驟S1402)控制部10通過在步驟S1401執行寫入的位置處測量寫入特性來獲得寫入靈敏度波動的周期θt。后續進程即步驟S1102到步驟S1108與第一實施例中的步驟相同。
在第一實施例到第四實施例中，通過提供間隙，使第一輪P(i)系列的位置相位和第二輪P(i)的位置相位對準。可以通過改變寫入塊長度來執行相位對準。特別地，調整塊長度，使得第一輪試寫的長度和第二輪試寫的長度為θt/2。然而，注意，一般地，短的寫入塊長度減小了寫入特性的正確度，使得在該情況中適當地調整值k。
圖13是展示依據本發明的第五實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，在該方法中，通過改變寫入塊長度，使第一輪P(i)系列的位置相位和第二輪P(i)系列的位置相位對準。圖17是第五實施例中當k＝1時與執行的試寫相關的圖。圖18是第五實施例中當k＝3時與執行的試寫相關的圖。
(步驟S1501)開始，控制部10從控制部10的存儲器所存儲的數據庫中獲得目標光盤1的寫入靈敏度波動的周期θt。
(步驟S1502)接下來，控制部10從所獲得的寫入靈敏度波動的周期θt、塊長度Lb和P(i)系列的數目N來確定滿足下述條件的值k。
Lb＝{k·θt/2}/N …(10)其中k是正奇數。
值k可以是1，但當塊長度Lb對于所期望的寫入特性的正確度來說太短時，可以適當地選擇更大的正奇數。
(步驟S1503)接下來，基于迄今所獲得的信息，控制部10執行例如圖17和圖18所示的試寫。此時沒有在第一實施例中使用的那樣的間隙。后續進程即步驟S1105到步驟S1108與第一實施例中的步驟相同。
、[第七實施例]、[第八實施例]如第二實施例到第四實施例，用來在步驟S1501獲得周期θt的方法的示例包括來自例如伺服部5的誤差信息，在光盤1中嵌入信息的方法，以恒定功率P等執行寫入的方法等。作為第六實施例、第七實施例和第八實施例的用于確定各個實施例的最優寫入功率的方法分別在圖14、圖15和圖16中展示。在獲得周期θt后進行的進程與第五實施例中的相同。
圖19是展示依據本發明的第九實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，該方法利用寫入靈敏度波動的對稱。圖22展示了在該第九實施例中如何執行試寫。這里，θv是在將要執行試寫的區域內的基本位置，并且在該基本位置，寫入靈敏度S(θ)等于平均靈敏度Sv。
(步驟S1901)基于來自伺服部5的誤差信息，控制部10測量諸如傾斜、偏軌和偏焦的波動。用于測量的更長的時間使測量對于θt的正確度提高，但是只要將正確度維持在特定的水平，更短的時間是可以允許的，例如只覆蓋四分之一周期的時間。
(步驟S1902)控制部10從在步驟S1901獲得的信息估計寫入靈敏度波動，并且獲得基本位置θv，在該基本位置上，估計的寫入靈敏度等于平均寫入靈敏度Sv。基本位置可以是包括0，θt/2和θt的任何位置，只要S(θ)＝Sv。
(步驟S1903)控制部10通過使用下式來計算試寫的起始位置θs。
θs＝θv-Lb·N …(11)其中Lb是寫入塊的長度，N是P(i)系列的數目。
(步驟S1904)控制部10執行試寫，以使第一輪P(i)系列中的次序和第二輪P(i)系列中的次序關于基本位置θv是軸對稱的。換而言之，如圖22所示，寫入功率以在第二輪P(i)系列中的次序排列，該次序是第一輪P(i)系列中的次序的相反次序。
后續進程即步驟S1105到步驟S1108與第一實施例中的步驟相同。
、[第十一實施例]如第三實施例到第四實施例，用于在步驟S1901和步驟S1902獲得基本位置θv的方法的示例包括例如將信息嵌入到光盤1中的方法、以恒定寫入功率P執行寫入的方法等。作為第十實施例和第十一實施例的用于確定各個實施例最優寫入功率的方法分別在圖20和圖21中展示。
在第十實施例中，光盤1中寫入位置上的信息(此后，該信息被稱作地址信息)和θv之間的關系可以被編譯進數據庫，然后當執行OPC時從地址信息中被計算。
第十一實施例具有與第四實施例相似的優點，并且其優點在于可以從大約四分之一周期的寫入中獲得θv，并且甚至在光盤1是不可重寫數據的類型的情況下能夠獲得θv。在獲得基本位置θv后進行的進程與第九實施例中的相同。
在第一到第十一實施例中，注意到每個寫入靈敏度波動具有正弦波圖案的周期。換而言之，在上述每個實施例中描述的是如下所示。在試寫時，在第一位置和第二位置以相同的寫入功率執行寫入，該第一位置具有比目標光盤1的平均靈敏度更高的靈敏度，該第二位置具有比平均靈敏度更低的寫入靈敏度，且其與平均靈敏度的差值和該第一位置的寫入靈敏度與平均靈敏度之間的差值相同。為減少光盤1的寫入靈敏度波動的影響，可以從執行試寫的位置處的平均寫入特性中獲得Po。
在后續的實施例，即第十二到第十九實施例中，注意到寫入靈敏度中的不均勻大多數依賴于盤中的位置，因而試寫不是通過使用其中寫入功率以從最大向下的次序排列的寫入功率系列被執行的。在這些實施例中，而是通過依照適當的方法改變次序來執行試寫。
特別地，試寫被以這樣的寫入功率系列執行，在該寫入功率系列中重新排列寫入功率以使強度相鄰的寫入功率不被順次排列。這樣，消除了對盤中位置的依賴性，并且減輕了不均勻寫入靈敏度的影響。
圖27展示了第十二到第十九實施例的原理。圖27中所示的是本發明的例子，其應用于圖26所示的存在不均勻寫入靈敏度的情況。這里，與盤中位置相關的寫入功率P(i)的次序被重新排列，以使強度相鄰的寫入功率不被順次排列。通過以這樣的寫入功率系列執行試寫，寫入特性E(i)變得更少依賴于盤中的位置。特別地，在圖26所示的相關技術的方案中，所有在Po操作中使用的寫入特性E(2)、E(3)和E(4)被不均勻寫入靈敏度影響。然而，在基于第十二到第十九實施例的原理的圖27的示例中，只有E(2)被不均勻寫入靈敏度影響。因此，如此獲得的Po的正確度顯著提高。
為了易于理解解釋，迄今所使用的示例中的每一個都具有僅局部發生的不均勻寫入靈敏度。然而，在實際情況的大多數中，寫入靈敏度的不均勻被廣闊地分散在光盤1上，并且通過OPC獲得的Po的期望值是反映光盤1的平均寫入靈敏度的值。第十二至第十九實施例具有關于盤中位置的Po操作中使用的分散分布寫入特性的效果，并且具有優點在于由此獲得的Po比依據現有技術的方法獲得的Po更接近平均值。
下面，將特別描述本發明的實施例。
圖28是展示依據本發明的第十二實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖。該實施例采用其中使用隨機數來重新排列寫入功率系列中的寫入功率P(i)的次序的方案。
(步驟S2101)開始，控制部10通過使用隨機數重新排列預先給定的寫入功率系列中的寫入功率P(i)的次序，產生在其中強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列的新的寫入功率系列，并且將新系列存儲在控制部10的存儲器中。這里，所述給定的寫入功率系列是在其中寫入功率以強度次序排列的系列。在使用隨機數的重新排列后，在強度彼此相鄰的兩個寫入功率碰巧被順次排列了的情況下，則這兩個寫入功率中的一個被另一個寫入功率替換，或執行另一次重新排列以解決這樣的問題。
(步驟S2102)控制部10執行控制，并通過使用存儲在存儲器中的寫入功率系列來引起光盤1中的試寫被執行。
(步驟S2103)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8去測量執行試寫的位置處的寫入特性。
(步驟S2104)接下來，控制部10通過使用由寫入特性測量部8測量的寫入特性來引起Po操作被執行。
(步驟S2105)由按照上述進程獲得的Po的值較少受到不均勻寫入靈敏度影響。
在第十二至第十九實施例中，用于試寫的寫入功率的次序傾向于更少地依賴光盤1的不均勻寫入靈敏度。為此，在每個OPC中，可以通過使用先前存儲在存儲器中的寫入功率系列來執行試寫。當寫入功率系列上的信息被存儲時，最初給出的寫入功率系列通過使用隨機數被重新排列，以使強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列。該執行試寫的方式具有優點在于得到寫入功率的最優排列。特別地，與特定的寫入功率P(i)和與另一個寫入功率P(h)相對應的寫入功率相互相鄰的位置被均勻地以相互之間特定距離在光盤1上分布。
圖29是展示依據本發明的第十三實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，在該方法上應用上述執行試寫的方式。
(步驟S2201)開始，控制部10執行控制，并且通過使用先前存儲在存儲器中的寫入功率系列上的信息來引起試寫被執行，該系列具有已經被重新排列的寫入功率以使強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列。只有單個寫入功率系列可以被存儲在存儲器中。可替換地，具有不同的寫入功率排列的多個寫入功率系列可以被存儲在存儲器中，并且所存儲的系列中的一個可以被適當地選擇以執行試寫。后續進程與第十二實施例的步驟S2103至S2105相同。
影響OPC的不均勻寫入靈敏度還包括寫入靈敏度中的外觀不均勻，其由光盤1的扭曲或連接誤差引起的與光學透鏡的相對位置或角度的錯配而產生。當掃描旋轉著的光盤1上的記錄軌道時，觀察該類型的不均勻寫入靈敏度作為寫入靈敏度波動，該寫入靈敏度波動具有等于旋轉著的光盤1的周期的周期或具有通過整除該旋轉周期所得到的值的周期。當執行寫入功率的重新排列時，可以通過將該寫入靈敏度波動的周期考慮在內來執行更高正確度的Po操作。
圖30是展示依據本發明的第十四實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，在該方法上應用上述重新排列的方式。圖31展示了在采用該重新排列方式的情況下，在光盤中的位置、寫入功率P(i)和寫入特性E(i)之間的關系。
為了便于解釋，這里假定寫入功率系列中的數據的數目被設為10(N＝10)，并且該寫入靈敏度波動具有周期為θt的正弦波圖案。圖31展示了當在Po操作中使用的寫入特性為E(4)、E(5)、E(6)和E(7)時的狀態，在狀態中，{P(5)+P(6)}/2被選為Pm。
依據正弦波的特性，在特定位置θa的靈敏度和在離開θa距離為θt/2×k(k為奇數)的位置θb的靈敏度的平均值約等于整個光盤1的平均靈敏度。為了這個原因，通過將強度彼此相鄰的寫入功率P(i)和寫入功率P(i+1)分別排列在位置θa和θb，由此獲得的值Po變得更接近平均靈敏度。
在圖31的示例中，從位置θa開始試寫A，從位置θb開始下一個試寫B，該位置θb與位置θa相距θt/2。在試寫A中，以寫入功率P(i)執行試寫，其中i是偶數，而在試寫B中，以寫入功率P(i+1)執行試寫，其中，試寫A中的對應i加1，即i是奇數。通過以這樣的方式執行試寫，在以寫入功率P(i)的寫入位置和以寫入功率P(i+1)的寫入位置之間的距離始終等于θt/2。
下述是參考圖30描述的依據第十四實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程，該方法利用了上述的特性。
(步驟S2301)由于通過伺服部5獲得了光盤1的旋轉速度、來自光軸的傾斜等的信息，控制部10觀察該信息，然后計算寫入靈敏度周期θt。這里，可以通過對數個周期執行測量來測量值θt。可替代地，只要能夠獲得足夠的正確度，就可以從對于近似四分之一周期的觀察測量結果中計算出值θt。
(步驟S2302)接下來，基于試寫的起始位置θa，控制部10通過使用下式計算出下一個起始位置θb。
θb＝θa+θt/2×k (k是奇數)…(12)這里，將用于試寫的記錄軌道的長度考慮在內，k的期望值是1，因為越小的值越有效率。然而，在從位置θa開始的試寫重疊到位置θb的情況中，值k可以適當地是更大的值。
(步驟S2303)接下來，控制部10執行控制，并且使從具有寫入功率P(i)的位置θa開始的試寫被執行，其中i是偶數。對于寫入功率系列中的寫入功率的次序，應用下式。
i＝0，2，4，…，N-2…(13)
(步驟S2304)接下來，控制部10執行控制，并且使從具有寫入功率P(i)的位置θa開始的試寫被執行，其中i是奇數。對于寫入功率系列中的寫入功率的次序，應用下式。
i＝1，3，5，…，N-1 …(14)注意，步驟S2303和步驟S2304可以是寫入操作的連續系列。
后續進程與第十二實施例中的步驟S2103至S2105的相同。
在第十四實施例中，在從位置θa或位置θb開始的試寫中使用的寫入功率P(i)被以強度次序排列。然而，可以如在第十二實施例中一樣通過使用隨機數來重新排列次序。
圖32是展示依據本發明的第十五實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，上述重新排列方式被應用到該方法中。圖33展示了采用該重新排列方式的情況下，在光盤中的位置、寫入功率P(i)和寫入特性E(i)之間的關系。
(步驟S2401)由于通過伺服部5獲得了光盤1的旋轉速度、來自光軸的傾斜等的信息，因此控制部10觀測該信息，然后計算出寫入靈敏度周期θt。這里，可以通過對數個周期執行測量來測量值θt。可替代地，只要能夠獲得足夠的正確度，就可以從對于近似四分之一周期的觀察測量結果中計算出值θt。
(步驟S2402)基于試寫的起始位置θa，控制部10通過使用式(12)計算下一個起始位置θb。
這里，將用于試寫的記錄軌道的長度考慮在內，k的期望值是1，因為越小的值越有效率。然而，在從位置θa開始的試寫重疊到位置θb的情況中，值k可以適當地是更大的值。
(步驟S2403)控制部10產生具有不同元素0，1，2，…和N/2-1的陣列Mj，然后重新排列元素的次序。
Mj＝{0，1，2，…，N/2-1} …(15)(j＝0，1，2，…，N/2-1)(步驟S2404)接下來，控制部執行控制，并且使從位置θa開始的試寫被執行。對于此時使用的寫入功率系列中的寫入功率P(i)的次序，應用下式。
i＝Mj×2(j＝0，1，2，…，N/2-1) …(16)(步驟S2405)接下來，控制部10執行控制，并且引起將要從位置θb開始的試寫將被執行。對于此時使用的寫入功率系列中的寫入功率P(i)的次序，應用下式。
i＝Mj×2+1(j＝0，1，2，…，N/2-1) …(17)后續操作與第十二實施例中的步驟S2103至S2105的相同。
由于甚至粗略估計的周期的信息都具有一定的效果，寫入靈敏度的周期θt預先從光盤1的形狀和特性計算，并且通過將如此被計算出的寫入靈敏度考慮在內得到寫入功率的次序。例如，如圖33所示，在重新排列寫入功率之后，寫入功率的次序被存儲在控制部10的存儲器中，以使具有強度的寫入功率不被順次排列。然后，在每個OPC中，通過使用該備用的次序執行試寫。該方法具有優點在于寫入功率的次序如第十三實施例一樣被持續優化。
圖34是展示依據本發明的第十六實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，在其中采用上述的試寫的方式。
(步驟S2501)開始，控制部10從存儲器中讀取預先假定的光盤1的寫入靈敏度θt的周期的信息。
(步驟S2502)接下來，控制部10將試寫的起始位置設在θa，然后通過使用式(12)計算下一個位置θb。
(步驟S2503)接下來，控制部10從存儲器中讀取從位置θa開始的試寫的寫入功率的次序，并且引起從位置θa開始的試寫A。這里，只有單個的一組寫入功率次序被存儲到存儲器中。可替代地，多組寫入功率的次序可以被存儲到存儲器中，并且從這些存儲的次序中選擇一組適當的次序。
(步驟S2504)接下來，控制部10從存儲器中讀取從位置θb開始的試寫的寫入功率的次序，并且引起從位置θb開始的試寫B。同樣在該情況下，多組寫入功率的次序可以被存儲到存儲器中，并且從這些存儲的次序中選擇一組適當的次序。
后續操作與第十二實施例中的步驟S2103至S2105的相同。
為了解釋方便，步驟S2501、S2502、S2503和S2504被分開描述。然而，實際上，這些進程可以被合并以組成試寫的一系列連續操作。
在光盤1中，在位于內圓周側的軌道(此后稱作內軌)和位于外圓周側的軌道(此后稱作外軌)之間的寫入靈敏度不同。在該情況下，通過使用已經被重新排列的寫入功率系列來執行有效試寫，以使當將光盤1的內軌和外軌之間的寫入靈敏度的差異考慮在內時，強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列。
圖35是展示依據本發明的第十七實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，上述的重新排列方式被應用到該方法。圖36展示了位于光盤1的內圓周側和外圓周側的位置的寫入功率系列P(i)。圖36在該實施例中展示了通過使用寫入功率P(i)在位于光盤1的內圓周側的位置執行試寫，其中i是偶數，以及通過使用寫入功率P(i)在位于光盤1的外圓周側的位置執行試寫，其中i是奇數。
下述是參考圖35的流程圖描述的該實施例中的操作。
(步驟S2601)開始，控制部10執行控制，并且通過使用寫入功率P(i)在位于光盤1的內圓周側的位置執行試寫，其中i是偶數。
(步驟S2602)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8測量位于內圓周側的并且執行試寫的位置上的寫入特性。
(步驟S2603)接下來，控制部10通過使用寫入功率P(i)在位于光盤1的外圓周側的位置執行試寫，其中i是奇數。
(步驟S2604)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8測量位于外圓周側的并且執行試寫的位置上的寫入特性。
后續操作與第十二實施例中的步驟S2104至S2105的相同。
通過使用如第十三實施例中的隨機數可以重新排列內外圓周側每一個的試寫中使用的寫入功率的次序。
圖37是展示依據本發明的第十八實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，該方法中使用上述重新排列的方式。圖38展示了光盤1的內圓周側和外圓周側的寫入功率P(i)的次序。
(步驟S2701)開始，控制部10產生由式(15)定義的陣列Mj，并且其具有不同的元素0，1，2，…N/2-1。然后控制部10重新排列元素的次序。
(步驟S2702)接下來，控制部10執行控制，并且在光盤1的內圓周側引起試寫被執行。此時，式(16)被應用于寫入功率的次序。
(步驟S2703)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8測量位于內圓周側的并且執行試寫的位置上的寫入特性。
(步驟S2704)接下來，控制部10執行控制，并且在光盤1的外圓周側引起試寫被執行。此時，式(17)被應用于寫入功率的次序。
(步驟S2705)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8測量位于外圓周側的并且執行試寫的位置上的寫入特性。
后續操作與第十二實施例中的步驟S2104至S2105的相同。
如在第十三實施例中，用于在位于光盤1的內圓周側的位置上和外圓周側位置上執行試寫的寫入功率次序可以被預先確定，然后被存儲到控制部10的存儲器中。
圖39是展示依據本發明的第十九實施例的用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，使用存儲的方式被應用到該方法中。
(步驟S2801)開始，控制部10通過使用先前存儲在存儲器中的用于內圓周側的寫入功率系列來引起在光盤1的內圓周側的位置上執行試寫。單個一種類型的寫入功率的次序被存儲到存儲器中。可替代地，多類型的寫入功率的次序可以被存儲到存儲器中，并且從這些存儲的次序中選擇一個適當的次序。
(步驟S2802)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8測量位于內圓周側的并且執行試寫的位置上的寫入特性。
(步驟S2803)接下來，控制部10依據先前存儲在存儲器中的寫入功率的次序來引起在光盤1的外圓周側的位置上執行試寫。只有單個的寫入功率的次序被存儲到存儲器中。可替代地，多類型的寫入功率的次序可以被存儲到存儲器中，并且從這些存儲的次序中可以選擇一個適當的次序。
(步驟S2804)接下來，控制部10引起寫入特性測量部8測量位于外圓周側的并且執行試寫的位置上的寫入特性。
后續操作與第十二實施例中的步驟S2104、S2105的相同。
迄今已經闡釋的是與通過使用寫入功率系列來執行試寫的計算Po的方法相關的一些實施例，該寫入功率系列已經被重新排列以使強度彼此相鄰的寫入功率不被順次排列。包括第十二到第十九實施例的概念的本發明不局限于這些實施例所展示的。其它方法也可以被采用，只要寫入功率的強度變得更少依賴于在光盤1中的相對位置。
依據前面描述的第十二到第十九實施例，OPC中不均勻寫入靈敏度的影響可以被容易地減少。使用更正確的OPC，即使在對于寫入功率誤差只具有很小的性能容余的光盤1中，也可以獲得期望的寫入性能。
在現有技術中，用于減輕不均勻寫入靈敏度的影響所采取的措施的例子包括在試寫之前的預處理、重復執行多次的OPC、和伸長的試寫的物理長度。然而，在第十二到第十九實施例中，試寫方法本身具有減小寫入不均勻靈敏度的效果。因此，沒有預處理或沒有OPC的重復是必要的，這將導致用于執行OPC的更短的時間。用于試寫的物理長度可以被做得更短，以使光盤1的記錄區域不被浪費。
此外，第十二到第十九實施例可以容易地與現有技術中的方法在一起使用，以使進一步減輕不均勻寫入靈敏度的效果在期待中。
在第十二到第十九實施例中描述的如下。注意到寫入靈敏度的不均勻大多數依賴于盤中的位置，因而試寫不是通過使用其中寫入功率以從最大向下的次序排列的寫入功率系列被執行的。在這些實施例中，而是通過依照適當的方法改變次序來執行試寫。特別地，試寫被以這樣的寫入功率系列執行，在該寫入功率系列中，重新排列寫入功率以使強度相鄰的寫入功率不被順次排列。這樣，消除了對光盤中位置的依賴性，并且減輕了不均勻寫入靈敏度的影響。
下面，還將描述本發明的其它實施例(第二十到第二十三實施例)。
在第二十到第二十三實施例中，通過離散地排列特定的功率Pt來執行試寫，該特定功率Pt用于監視用于測試P(i)的寫入功率系列之中的寫入靈敏度波動。然后，從執行試寫的位置的寫入特性計算光盤1的寫入靈敏度波動。此外，在第二十到第二十三實施例中，通過將波動的數量轉換成用于計算最優寫入功率的變量的變化數量來做校正，該變量的變化數量例如為寫入功率或寫入特性中的變化數量。然后，通過使用校正的結果計算Po。這樣，更正確的OPC成為可能。
此后，將給出依據第二十到第二十三實施例的用于確定最優寫入功率的方法的描述。
圖42是展示在依據本發明的第二十實施例的用于確定最優寫入功率的方法中的試寫方法的示意圖。這里，每個圓形的弧線箭頭代表記錄軌道，沿該軌道以特定的寫入功率執行試寫。箭頭的圓形系列代表以通過OPC被改變的寫入功率來如何執行試寫。數目從0到9，每個箭頭的內側放置每一個，代表光盤上的位置j。每個沿記錄軌道執行試寫的寫入功率由對應的箭頭指示，該寫入功率由Pt和P(i)代表。當Pt代表用于監視寫入靈敏度波動的恒定功率時，P(i)代表用于試寫的寫入功率系列。
為了便于解釋，在該實施例中，在寫入功率系列P(i)中用于試寫的寫入功率的數目N被設為6，但是本發明并不局限于此。此外，在本實施例中，以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt在光盤中偶數間隔的位置執行試寫，特別在位置0，3，6和9。只要這樣的位置被離散排列，就可以不在偶數間隔排列位置。
圖43是展示用于確定最優寫入功率的方法的流程圖，在該情況下采用校正寫入功率的值的方法，該方法被作為校正寫入靈敏度波動的影響的方法。圖44示意性地展示了該實施例的用于確定最優寫入功率的方法中變量之間的關系。在圖44中，E(i)代表在以寫入功率系列P(i)執行試寫的對應位置處測量的寫入特性。Et(j)代表在以用于監視寫入靈敏度波動的功率P t執行試寫的光盤中對應的位置j處測量的寫入特性。校正系數A(j)被用于在光盤中對應的位置j校正寫入靈敏度。Pc(i)代表寫入功率系列，該寫入功率系列通過將寫入靈敏度中波動的數量轉換成寫入功率已被校正。
下面是用于確定該實施例的最優寫入功率的方法中的特定的進程。
(步驟S3101)開始，如圖42所示，在光盤1中以寫入功率系列P(i)執行試寫，其中經過以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt試寫的位置被離散排列。
(步驟S3102)在執行試寫的位置處測量寫入特性E(i)和Et(j)。
(步驟S3103)對應于以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt執行試寫的位置的寫入特性(Et(0)、Et(3)、Et(6)和Et(9))的平均值Etav依據下式被計算出。
Etav＝{Et(0)+Et(3)+Et(6)+Et(9)}/4…(18)(步驟S3104)如圖45所示，計算比率ΔE/ΔP，即寫入特性的變化與用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt附近的寫入功率的變化的比率。基于用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt和對應的寫入特性Et(j)，以及用于在功率Pt附近試寫的功率P(i)和對應的寫入特性E(i)來執行該計算。
(步驟S3105)寫入特性Et(j)和平均值Etav之間的差反映了寫入靈敏度變化的數量。在該實施例中，寫入靈敏度變化的數量被轉換成執行校正的寫入功率中的變化的數量。為此目的，為每個以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt執行試寫的光盤中的位置(0，3，6和9)計算轉換系數(校正系數)Aj。通過使用下式來執行計算。
A(j)＝{(Et(j)-Etav)·ΔP/ΔE}/Pt…(19)(步驟S3106)如圖46所示，基于在步驟S3105獲得的寫入功率變換系數(校正系數)A(j)，對于光盤中其它位置的變換系數(校正系數)A(j)通過內插處理進行計算。
作為內插處理的方法，可以采用簡單的線性內插方法，但本發明并不局限于該方法。
(步驟S3107)寫入靈敏度的變化數量被轉換成等量的寫入功率的變化，然后使用該寫入功率的變化數量來做校正。換而言之，校正過的寫入功率Pc(i)系列依據下式計算。
Pc(i)＝{1+A(j)}·P(i) …(20)(步驟S 3108)使用寫入特性E(i)和為寫入靈敏度的變化被校正的寫入功率系列Pc(i)來執行Po操作。提出了不同的Po操作的方法，并且本發明并不局限于上述的方法。
圖47展示了通過將用于試寫的寫入功率系列P(i)用校正過的功率系列Pc(i)替換而減小寫入靈敏度波動的影響。虛線代表通過未校正的寫入功率P(i)獲得的寫入特性，而實線代表通過用寫入靈敏度的變化校正過的寫入功率系列Pc(i)獲得的寫入特性。通過用Pc(i)替換P(i)，通過黑圈指示的測量值被校正成通過白圈指示的對應的值。換而言之，抑制了光盤1的寫入靈敏度波動的影響。
(步驟S3109)通過上面描述的進程獲得為寫入靈敏度的變化所校正的Po。
接下來，將描述本發明的第二十一實施例。
在第二十實施例中，為寫入靈敏度波動的影響作了校正。為寫入靈敏度的變化的校正是通過將寫入靈敏度的變化轉換成寫入功率中變化的數量進行的。然而，寫入靈敏度波動的影響可以通過將寫入靈敏度中的變化轉換成寫入特性中的變化來進行校正。例如，當寫入特性在執行試寫的寫入功率的范圍內近似為線性時，通過使用寫入特性中的變化進行校正處理比使用寫入功率中變化的數量更簡單。
圖48展示了通過使用寫入特性校正的示例。這里，實線指示在寫入靈敏度沒有不均勻的情況下的寫入特性。E(m)代表在光盤中位置j以功率P(m)執行寫入的情況下的寫入特性。這里，處于不均勻寫入靈敏度影響下的E(m)不在實線上，該實線代表沒有不均勻的情況下的寫入特性。此時，如圖48清楚地所示，在沒有不均勻寫入靈敏度情況下的寫入特性Ec(m)由下式表示。
Ec(m)＝E(m)-A(j)·P(m)·ΔE/ΔP…(21)通過將式(19)代入式(21)，獲得下式。
Ec(m)＝E(m)+{Etav-Et(j)}P(m)/Pt…(22)從上式可見，當值Et(j)——在光盤中位置j以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt執行寫入的情況下的寫入特性——被得到時，可以不用計算ΔE/ΔP而得到Ec(m)。此外，當P(m)/Pt可以近似為1時，可以使用下式。
Ec(m)≈E(m)+{Etav-Et(j)} …(23)由于上式的使用消除了乘和除，則該使用具有的優點在于通過軟件操作的數量將被顯著減少。
圖49是展示用于確定最優寫入功率的方法的進程的流程圖，在該情況下，通過利用上面描述的特性，采用其中校正寫入特性的方法作為用于寫入靈敏度波動影響的校正的方法。
(步驟S3101)開始，如圖42所示，以用于在光盤1中試寫的寫入功率系列P(i)來執行試寫，其中用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt被分散地排列。
(步驟S3102)對執行試寫的位置測量寫入特性E(j)、Et(j)。
(步驟S3103)依據式(18)計算出對應于以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt執行試寫的位置的寫入特性(Et(0)、Et(3)、Et(6)和Et(9))的平均值Etav。上述進程與第二十實施例的步驟S3101到S3103的進程相同。
(步驟S3201)基于光盤中位置j(0，3，6和9)的寫入特性Et(j)，其中以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt來執行寫入，光盤中其它位置的寫入特性Et(j)通過內插處理計算。
(步驟S3202)作為通過將寫入靈敏度中的變化轉換成寫入特性中的變化的數量而被校正的寫入特性即寫入特性Ec(i)依據式(22)或式(23)被計算出。
(步驟S3203)使用寫入功率系列P(i)和為寫入靈敏度的變化而校正的寫入特性Ec(i)來執行Po操作。
(步驟S3204)通過按照上述進程獲得為寫入靈敏度波動而被校正的值Po。
用于試寫的寫入功率系列P(i)中的任何值可以被用作為用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt。這樣，通過以用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt寫入而獲得的寫入特性也可以被有效地用于Po操作。此外，這樣的使用減少了光盤1上的試寫區域。
圖50是展示該實施例的用于確定最優寫入功率的方法中執行試寫的方式的示意圖。圖51示意性地展示了該實施例的用于確定最優寫入功率的方法中變量之間的關系。
在該實施例中，用于試寫的寫入功率系列P(i)中的寫入功率P(3)被用作為用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt。如圖50所示，用于試寫的區域一直到光盤中的位置8，這意味著用于試寫的區域與第二十實施例和第二十一實施例相比被減少了。另一方面，在圖51中沒有寫入特性E(3)。這里，E(3)可以被定義為寫入特性Et(0)、Et(3)、Et(5)和Et(8)中的任何一個，對應于光盤中以寫入功率P(3)執行寫入的位置。可替代地，寫入特性E(3)可以被定義為通過以寫入功率P(3)執行寫入而獲得的所有寫入特性的平均值。
圖52是展示在定義功率Pt的方式被應用于第二十實施例的情況下試寫進程的流程圖。在步驟S3301，用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt從用于試寫的寫入功率系列P(i)中選擇。然后，通過使用用于試寫的寫入功率系列P(i)執行光盤1中的試寫，而用于監視寫入靈敏度波動的被選擇功率Pt被離散排列。步驟S3302以后的進程與第二十實施例中的相同。
圖53是展示在定義功率Pt的方式被應用于第二十一實施例的情況下，試寫進程的流程圖。在步驟S3401，用于監視寫入靈敏度波動的功率Pt從用于試寫的寫入功率系列P(i)中選擇。然后，通過使用用于試寫的寫入功率系列P(i)執行光盤1中的試寫，而用于監視寫入靈敏度波動的選中的功率Pt被離散排列。步驟S3402以后的進程與第二十一實施例中的相同。
上面已經描述了通過寫入功率P(i)或通過寫入特性E(i)校正寫入靈敏度波動的影響的示例，但是本發明并不局限于此。
應當注意，本發明不局限于上述的實施例，并且在本發明的范圍內可以做出各種變化。
本領域技術人員應當理解，在所附權利要求或類似物的保護范圍內，可以依據設計的需要和其它因素而作出各種變化、組合、子組合和替代。
相關申請的交叉引用本申請包含與2006年5月31日在日本專利局申請的日本專利申請JP2006-152477、2006年4月21日申請的JP2006-117366和2006年4月11曰申請的JP2006-108971相關的主題，其全部內容在此作為參考并入。
權利要求
1.一種用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，包括在第一位置和在第二位置試寫作為記錄媒體的光盤，該第一位置的寫入靈敏度高于該光盤的平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度低于平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量和該第一位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量相同，在第一位置和第二位置使用同樣的寫入功率；以及從試寫位置的寫入特性的平均值中獲得該光盤的最優寫入功率。
2.如權利要求1所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，基于光盤的寫入靈敏度的波動周期來確定第一位置和第二位置。
3.如權利要求2所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，基于寫入特性的波動獲得光盤的寫入靈敏度的波動周期，該寫入特性通過以恒定的寫入功率試寫該光盤來獲得。
4.如權利要求2所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，基于伺服誤差信息獲得光盤的寫入靈敏度的波動周期。
5.如權利要求2所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，通過再現先前被寫入光盤的寫入靈敏度的波動周期的信息獲得光盤的寫入靈敏度的波動周期的信息。
6.如權利要求2所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，在第一輪試寫功率系列和第二輪試寫功率系列之間提供間隙，使得當重復使用固定長度的試寫功率系列時，第一位置和第二位置被以相同的寫入功率寫入。
7.如權利要求2所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，試寫功率系列的長度被調整，以使當重復使用固定長度的試寫功率系列時，第一位置和第二位置被以相同的寫入功率寫入。
8.如權利要求1所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，基于基本位置確定第一位置和第二位置，在該基本位置，寫入靈敏度的波動周期變為平均值。
9.如權利要求8所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，基于寫入特性的波動獲得該基本位置，該寫入特性通過以恒定的寫入功率試寫該光盤而獲得。
10.如權利要求8所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，基于伺服誤差信息獲得該光盤的寫入靈敏度的基本位置。
11.如權利要求8所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，通過再現先前被寫入光盤的基本位置的信息來獲得基本位置的信息。
12.如權利要求8所述的用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法，其中，使用與第一輪試寫功率系列順序相反次序的第二輪試寫功率系列，使得當重復使用固定長度的試寫功率系列時，第一位置和第二位置被以相同的寫入功率寫入。
13.一種光盤記錄裝置，包括光拾取器，其能夠改變寫入功率；寫入特性測量部，其從由光拾取器獲得的信息中測量寫入特性；控制部，其控制作為記錄媒體的光盤的試寫，使得第一位置和第二位置以同樣的寫入功率被試寫并且從由寫入特性測量部在該第一和第二位置測量的寫入特性的平均值中獲得該光拾取器的最優寫入功率，其中該第一位置的寫入靈敏度高于該光盤的平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度低于平均寫入靈敏度，且該第二位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量和該第一位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量相同。
全文摘要
用于在光盤記錄裝置中對光盤確定最優寫入功率的方法包括在第一位置和在第二位置試寫作為記錄媒體的光盤，該第一位置的寫入靈敏度高于該光盤的平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度低于平均寫入靈敏度，該第二位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量和該第一位置的寫入靈敏度與平均寫入靈敏度的差值的數量相同；在第一位置和第二位置兩者上使用同樣的寫入功率；以及從試寫位置的寫入特性的平均值中獲得該光盤的最優寫入功率。
文檔編號G11B7/125GK101079284SQ20071012925
公開日2007年11月28日 申請日期2007年4月11日 優先權日2006年4月11日
發明者児玉英隆 申請人:索尼株式會社