專利名稱：磁記錄盤及其制造方法
技術領域：
本發明涉及磁記錄盤及其制造方法。更詳細地說，涉及潤滑層的材料技術。
背景技術：
磁記錄盤是至少由磁性層、保護層和潤滑層按照該順序層合在非磁性基板上而構成的，其中，潤滑層具有在磁記錄盤與磁頭接觸時緩和沖擊的功能。對于以HDD為代表的磁記錄盤驅動裝置來說，伴隨著記錄容量明顯增大，磁記錄盤與磁頭之間的間隙可以進一步變窄。特別地，通過采用LUL(加載/卸載)方式，磁頭的浮起量有進一步降低的傾向，人們要求即使在10nm以下這樣極低浮起量的條件下也能夠穩定地進行工作。
即，在這種條件下，首先，由于高速旋轉中的磁記錄盤與磁頭斷續地接觸，所接觸的部分有時由于摩擦而達到高溫(閃光溫度)，因此，人們要求潤滑層具有耐熱性，即使在這種高溫條件下，潤滑層也不會由于受熱而發生分解和蒸發等。
另外，如果磁記錄盤高速旋轉，就會發生潤滑層移動的所謂遷移(migration)現象，從而會使潤滑層的膜厚容易變得不均勻，在這種狀態下，當進行LUL操作時，往往產生在磁頭從外周側進入時發生飛行-粘滯(fly stiction)故障的問題。所謂飛行-粘滯故障是指磁頭在浮起飛行時導致浮起姿勢或浮起量發生改變的故障，伴隨有不規則的再生輸出。另外，根據不同場合，在浮起飛行中，磁記錄盤與磁頭接觸，往往會引起磁頭損壞盤片表面(head crash)的故障。因此，人們還要求潤滑層不易發生遷移現象。
針對這種要求，人們往往使用具有較高耐熱性、長期穩定性的Solvaysolexis公司制的FOMBLINE Z系潤滑劑作為形成磁記錄盤潤滑層的潤滑劑。另外，為了進一步提高該潤滑劑的性能，需要從這類組合物中除去雜質、或者為了使分子量的分布適當化而進行各種精制。另外，在進行精制時，過去常常使用重均分子量(Mw)、數均分子量(Mn)作為參數(參照專利文獻1)。
專利文獻1特開2004-319058號公報
發明內容
發明要解決的課題 但是，重均分子量或數均分子量存在這樣一個問題，即，由于不能直接地、特定地確定潤滑層的組成，因此，不能正確地評價潤滑劑的特性、特別是不能正確地評價是否容易發生成為飛行-粘滯故障的原因的遷移現象。因此，雖然只要從分子結構和定量方面確定潤滑劑即可，但是，如果采用以往的方法，用核磁共振分光法分析潤滑層，如圖3所示，來自亞甲基(-CH2-)的峰就會與來自羥基(-OH)的峰面積重疊在一起，因此不能從分子結構和定量方面確定潤滑劑，這是存在的問題。
鑒于以上的問題，本發明的課題在于，提供一種通過從分子結構和定量方面確定潤滑劑，既能力圖降低磁頭的浮起量，又能發揮高的可靠性的磁記錄盤及其制造方法。
用于解決課題的手段 為了解決上述課題，本發明人提出了適合于采用核磁共振分光法來分析潤滑劑的方法，通過評價由具有各種不同端基的全氟聚醚化合物的組成比進行各種變化而形成的各種潤滑劑，構成了能夠解決上述課題的潤滑劑。
即，本發明是至少由磁性層、保護層和潤滑層按該順序層合到非磁性基板上而構成的磁記錄盤，其特征在于，在該磁記錄盤中，構成上述潤滑層的潤滑劑的主成分為由以下化學式(化1)表示的全氟聚醚化合物，該全氟聚醚化合物含有端基X由X1表示的第1成分、端基X由X2表示的第2成分、和端基X由X3表示的第3成分，而且，按核磁共振分光法分析獲得的上述第1成分、上述第2成分和上述第3成分在該全氟聚醚化合物中的含量，按摩爾比計，為以下的比率 上述第1成分∶上述第2成分∶上述第3成分＝71～73∶15～17∶11～13 [化1] X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-Xm，n＝9～11 第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH 第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH 第3成分X＝X3＝H 在本發明中，按核磁共振分光法分析獲得的上述第1成分、上述第2成分和上述第3成分在上述全氟聚醚化合物中的總含量，按摩爾比計，優選為99.0％以上。
本發明是至少由磁性層、保護層和潤滑層按該順序層合到非磁性基板上而構成的磁記錄盤，其特征在于，在該磁記錄盤中，構成上述潤滑層的潤滑劑的主成分為由上述化學式(化1)表示的全氟聚醚化合物，該全氟聚醚化合物含有端基X由X1表示的第1成分、端基X由X2表示的第2成分、端基X由X3表示的第3成分，而且按核磁共振分光法分析獲得的上述第1成分、上述第2成分和上述第3成分在上述全氟聚醚化合物中的總含量，按摩爾比計，為99.0％以上。
在本發明中，還含有在以下的化學式(化2)中，端基X由X4表示的第4成分、端基X由X5表示的第5成分，而且按核磁共振分光法分析獲得的上述第4成分和上述第5成分在上述全氟聚醚化合物中的總含量，按摩爾比計，優選為1.0％以下， [化2] X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-Xm，n＝9～11 第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH 第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH 第3成分X＝X3＝H 第4成分X＝X4＝CF3 第5成分X＝X5＝CF2Cl 在本發明中，當上述潤滑劑還含有上述化學式(化2)中的端基X由X4表示的第4成分和端基X由X5表示的第5成分時，按核磁共振分光法分析獲得的含量，優選上述第4成分比上述第5成分少。
在本發明中，上述保護層由例如碳類材料構成。
本發明的磁記錄盤的制造方法，優選使用通過對潤滑劑用原材料進行分子蒸餾而獲得的上述潤滑劑來形成上述潤滑層。
發明效果 按照本發明，從結構和定量方面確定了潤滑劑中所含的全氟聚醚化合物的端基，因此，可以明確確定潤滑劑的特性。因此，在本發明中，可以確實地獲得耐熱性高、且不易發生成為飛行-粘滯故障原因的遷移現象的潤滑劑。因此，根據本發明，可以提供一類既能實現降低磁頭的浮起量，又能發揮高可靠性的磁記錄盤。
圖1的(A)、(B)分別為示出磁記錄盤的平面圖和概略截面圖。
圖2為示出分子蒸餾裝置簡略構成的說明圖。
圖3為示出直接以1H為對象來對分析試樣進行核磁共振分光分析所獲結果的說明圖。
符號說明 1 磁記錄盤 11 非磁性基板 12 磁性層 13 保護層 14 潤滑層
具體實施例方式 下面，參照
本發明的實施方式。
[磁記錄盤的構成] 圖1的(A)、(B)分別為示出磁記錄盤的平面圖和概略截面圖。
如這些圖所示，本方案的磁記錄盤1具有一種由底層(未圖示)、采用DC磁控管濺射法形成的磁性層12、采用等離子體CVD法形成的保護層13、以及采用浸漬法形成的潤滑層14按照該順序層合在帶有中心孔111的圓形非磁性基板11的表面上而成的結構。非磁性基板11由例如硅鋁酸鹽玻璃等化學強化玻璃構成。保護層13由例如厚度為5nm的氫化碳(類金剛石碳[diamond-like-carbon])構成，承擔著提高耐磨耗性并保護磁性層12的功能。潤滑層14由例如厚度為1.2nm這樣薄的高分子材料構成，承擔著緩和與磁頭接觸時的沖擊的功能。為了采用浸漬法來形成這種潤滑層14，將已形成保護層13的磁記錄盤用基板浸漬到由規定的潤滑劑溶解于有機溶劑而形成的試液中，然后，將其取出并對其進行熱處理，從而使潤滑劑作為潤滑層14而牢固地粘著。
[潤滑層的制作] 圖2為示出分子蒸餾裝置簡略構成的說明圖。在本方案中，作為用于磁記錄盤1的潤滑層14的潤滑劑，可以通過按照各自規定的組成比含有不同端基的多種全氟聚醚化合物來制作，針對使用這種潤滑劑來形成潤滑層14的磁記錄盤進行了各種試驗。在本方案中，當制作這種潤滑劑時，使用Solvaysolexis公司制的FOMBLINE Z系(商品名)的潤滑劑等作為原材料，將該原材料精制后作為潤滑劑使用。作為精制方法，可以采用超臨界抽提法、凝膠滲透色譜(GPC)法、分子蒸餾法等，在本方案中，使用圖2所示的蒸餾裝置對原材料進行分子蒸餾，由此制作各種潤滑劑。
此處，當采用下述的核磁共振分光法進行分析時測得，上述原材料的主成分為由下述化學式(化3)表示的全氟聚醚化合物，作為該全氟聚醚化合物，按照以下的組成比含有端基X由X1表示的第1成分(單加合物)、端基X由X2表示的第2成分(雙加合物)、端基X由X3表示的第3成分、端基X由X4表示的第4成分、以及端基X由X5表示的第5成分。
第1成分＝71.9％ 第2成分＝10.5％ 第3成分＝15.0％ 第4成分＝1.4％ 第5成分＝1.2％ [化3] X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-Xm，n＝9～11 第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH 第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH 第3成分X＝X3＝H 第4成分X＝X4＝CF3 第5成分X＝X5＝CF2Cl 另外，上述原材料具有以下所示的屬性 數均分子量(Mn)＝2326.50 平均每存在1個-OH基所相應的該原材料的平均分子量＝627.06 平均每個分子中的-OH的平均數＝3.71 主鏈上的(C2F4O)/(CF2O)之比＝0.89。
為了使用圖2所示的分子蒸餾裝置300來精制原材料，首先，向進料瓶31內加入原材料。雖然分子蒸餾不一定要在減壓環境下進行，但在對含有高分子成分的原材料進行分子蒸餾的場合，希望在規定的減壓環境中進行。這是因為，如果不在減壓環境中進行分子蒸餾，則氣化了的成分的分子與其他分子碰撞的頻率提高，由此，妨礙了原材料在平均自由行程以內的距離內被液化。因此，在向進料瓶31內投入材料后，用排氣裝置42對裝置內進行排氣，以便達到規定的減壓度。此時的減壓度優選例如為1×10-2Pa～1×10-3Pa左右，或者在該值以下的高真空。減壓度可以用真空計40來測量。應予說明，可以利用裝置內的減壓環境，預先對進料瓶31內的材料中所含的雜質氣體等進行脫氣處理。此時，原材料中所含的雜質氣體等通過配管44，流入到排氣裝置42一側，其中的一部分積存在低沸點物冷阱39內。另外，根據需要，也可以用進料瓶的覆套式電阻加熱器32對進料瓶31內的原材料進行加熱。
在裝置內達到規定的減壓度后，使原材料從進料瓶31流入到蒸餾本管35中。從進料瓶31流入到蒸餾本管35的原材料的量(進料量)，可以通過設置在進料瓶31下端的閥門35的開閉量來控制。通常情況下，1～30g/分左右的進料量是適當的。如果進料量過少，則蒸餾需要花費較長時間，而如果進料量過多，則蒸餾效率往往降低。
流入到蒸餾本管35中的原材料，被配置在圓筒狀的蒸餾本管35周圍的蒸餾本管覆套式電阻加熱器36加熱至規定的溫度。在本實施例中，加熱溫度為至少能使原材料氣化的溫度。應予說明，對原材料的加熱溫度的控制，可通過控制蒸餾本管覆套式電阻加熱器36的溫度來進行，也可以通過設置在蒸餾本管35內的溫度計來測定蒸餾本管35內的原材料的實際加熱溫度。
另外，在蒸餾本管35內的長度方向上，設置由例如氟樹脂制的滑動片(wiper)構成的磁耦合攪拌器33，通過攪拌器控制盒34，使該滑動片按20～100rpm左右的旋轉速度在一定方向上旋轉。通過該滑動片的旋轉，原材料在蒸餾本管35的管壁表面上呈薄膜狀，變得容易氣化。氣化了的原材料與設置在蒸餾本管35內的冷卻棒46接觸而被液化，積存在接收餾出物的燒瓶38內。冷卻棒46中，從下端的流入口46a導入冷卻水，并從排出口46b排出。應予說明，未氣化而積存在接收殘留物的燒瓶37內的殘留物，可以利用蒸餾本管覆套式電阻加熱器36來改變加熱溫度，然后再將其投入到進料瓶31內，反復進行蒸餾。另外，以上所示的操作，由操作盤43來控制。
在使用這種分子蒸餾裝置300制備潤滑劑時，首先，將原材料投入到分子蒸餾裝置300內的進料瓶31中，然后用排氣裝置42將分子蒸餾裝置300內減壓至1×10-3Pa。另外，利用裝置內的減壓環境，預先對進料瓶31內的原材料中所含的雜質氣體等充分地進行脫氣處理。接著，以一定的進料量從進料瓶31流入到蒸餾本管35中。此時，使蒸餾本管35內的滑動片以規定的旋轉速度驅動。應予說明，蒸餾本管35內的溫度為與覆套式電阻加熱器36的設定溫度相等的180℃。然后，在接收餾出物的燒瓶38內獲得180℃的餾出物，從而獲得潤滑劑。應予說明，以上的潤滑劑的精制在潔凈室內進行。所使用的潔凈室內的氛圍氣，是一種比日本工業標準(JIS)B9920規定的潔凈度等級6還要潔凈的氛圍氣。
應予說明，為了使用這種潤滑劑來形成潤滑層14，將潤滑劑分散于作為氟溶劑的三井杜邦氟化學公司制的Vertrel XF(商品名)等中，形成試液，將已形成保護層13的磁記錄盤用基板浸漬到上述的試液中，然后對其進行熱處理，以使潤滑劑牢固地粘著到磁記錄盤用基板上，從而形成潤滑層14。
[采用核磁共振分光法的分析方法] 核磁共振分光法是基于在向物質施加磁場時，原子核所具有的自旋狀態被分裂為2種自旋狀態，因此可以通過照射相當于自旋狀態間的能量差的輻射波來進行分析。此處，自旋狀態間的能量差由于反映出其質子核所處的電子環境(化學環境)，因此，對于得到的峰，可以歸屬于分子中的各原子，從而確定其分子內各原子的存在量。因此，可以詳細地分析分子的結構。
根據核磁共振分光法，可測定的核素是理論上具有核自旋的全部核素，作為其代表例，有1H、13C、19F、31P。其中，以1H為對象，如圖3所示，由于來自亞甲基(-CH2-)的峰和來自羥基(-OH)的峰面積相互重疊，因此難以從結構和定量兩方面確定潤滑劑。因此，在本方案中，通過將以下2種方法并用，采用核磁共振分光法來分析潤滑劑。
首先，第1種方法是以19F為對象的方法，當采用該方法對原材料進行分析時，結果如以下所示， 化學位移(相對值ppm)對應的成分 -52.1 屬于主鏈的峰 -53.7 屬于主鏈的峰 -55.4 屬于主鏈的峰 -89.1 屬于主鏈的峰 -90.7 屬于主鏈的峰 -125.8 屬于主鏈的峰 -129.7 屬于主鏈的峰 化學位移(相對值ppm)對應的成分 -81.3 屬于第3成分的端基的峰 -83.3 屬于第3成分的端基的峰 -56.3 屬于第4成分的端基的峰 -58.0 屬于第4成分的端基的峰 -27.7 屬于第5成分的端基的峰 -29.3 屬于第5成分的端基的峰 -74.5 屬于第5成分的端基的峰 -78.0 屬于第1、2成分的端基的峰的峰底 相互重疊 -80.0 屬于第1、2成分的端基的峰的峰底 相互重疊 具有規定的化學位移，出現了各成分的信號。此處，各信號的峰面積比就成為各成分中的氟元素的存在比，因此，可以確定端基的形狀，而且可以通過主鏈與端基之比來確定分子量。
其次，第2種方法是以1H作為對象的方法，事先通過將原材料用試劑處理而向其中引入官能團，由此改變其端基的結構，然后進行分析。其結果，可以得到顯示與以下化學位移(相對值ppm)相對應的成分的信號 5.5屬于第1成分的峰 5.3屬于第2成分的峰。
因此，可以確定第1成分與第2成分之比。
[潤滑層的構成] 將采用這種分析方法的分析結果與使用各潤滑劑的磁記錄盤1的試驗結果進行對比，如果將最佳的潤滑劑的組成以采用核磁共振分光法的分析結果表示，則在由上述化學式(化3)表示的全氟聚醚化合物中，按照以下的組成比(全氟聚醚化合物中的摩爾比)含有端基X由X1表示的第1成分(單加合物)、端基X由X2表示的第2成分(雙加合物)、端基X由X3表示的第3成分、端基X由X4表示的第4成分、以及端基X由X5表示的第5成分 第1成分＝71.7％ 第2成分＝15.7％ 第3成分＝11.7％ 第4成分＝0.3％ 第5成分＝0.6％。
另外，該潤滑劑具有以下所示的屬性 數均分子量(Mn)＝2630.12 平均每存在1個-OH基所相應的該潤滑劑的平均分子量＝656.31 平均每個分子中的-OH的平均數＝4.01 主鏈上的(C2F4O)/(CF2O)之比＝0.91。
另外，從即使將磁頭的浮起量設定在10nm以下時，也可以確保磁記錄頭1具有足夠的可靠性的觀點考慮，規定各成分的組成比時，則在采用核磁共振分光法分析時，可以獲得第1成分、第2成分和第3成分的含量，按摩爾比計，優選在全氟聚醚化合物中含有以下的比率的結果 71～73∶15～17∶11～13。
即，在全氟聚醚化合物中，在醇改性的全氟聚醚化合物中，含有二醇化合物、三醇化合物、四醇化合物等具有各種端基結構的化合物，醇改性的程度，即，全氟醚主鏈的端基上鍵合的羥基個數不同，潤滑分子的潤滑性能和對保護層13的附著力則會不同。因此，只要限定二醇化合物、三醇化合物、四醇化合物等各種醇改性化合物的比率，就可以確實地決定潤滑分子的潤滑性能和對保護層13的附著力。
另外，即使在將磁頭的浮起量設定為10nm以下時，從能夠確保磁記錄頭1具有足夠的可靠性的觀點考慮，當確定采用核磁共振分光法分析時測得的第1成分、第2成分和第3成分的總含量時，可以獲得總含量按摩爾比計優選為99.0％以上的結果。即，在使用上述原材料的場合，對所含有的第4成分和第5成分采用核磁共振分光法分析時，可以獲得其總含量按摩爾比計優選為1.0％以下的結果。
進而，可得到第4成分優選比第5成分少的結果。其理由可以認為，作為潤滑劑中所含的雜質的第4成分和第5成分，在高溫下對潤滑劑的分解所起的促進作用的程度較差。
(其他實施例) 應予說明，關于在說明本實施方案時使用的圖中的構成(形狀、大小以及配置關系)，僅僅概略地示出了可以理解和實施本發明的程度，而且，對于數值和各構成中的組成(材質)，不過只進行了舉例說明。因此，本發明并不限定于以上說明的實施方案，可以在不背離權利要求所示技術思想的范圍內進行適宜的變更。
權利要求
1、磁記錄盤，至少由磁性層、保護層和潤滑層按該順序層合到非磁性基板上而構成，其特征在于，在該磁記錄盤中，
構成上述潤滑層的潤滑劑的主成分為由以下化學式(化1)表示的全氟聚醚化合物，該全氟聚醚化合物含有端基X由X1表示的第1成分、端基X由X2表示的第2成分、和端基X，
按核磁共振分光法分析獲得的上述第1成分、上述第2成分和上述第3成分在該全氟聚醚化合物中的含量，按摩爾比計，為以下的比率
上述第1成分∶上述第2成分∶上述第3成分＝71～73∶15～17∶11～13
[化1]
X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-X
m，n＝9～11
第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH
第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH
第3成分X＝X3＝H
2、權利要求1所述的磁記錄盤，其特征在于，按核磁共振分光法分析獲得的上述第1成分、上述第2成分和上述第3成分在上述全氟聚醚化合物中的總含量，按摩爾比計，為99.0％以上。
3、磁記錄盤，至少由磁性層、保護層和潤滑層按該順序層合到非磁性基板上而構成，其特征在于，在該磁記錄盤中，
構成上述潤滑層的潤滑劑的主成分為由以下化學式(化2)表示的全氟聚醚化合物，該全氟聚醚化合物含有端基X由X1表示的第1成分、端基X由X2表示的第2成分、和端基X由X3表示的第3成分，而且，
按核磁共振分光法分析獲得的上述第1成分、上述第2成分和上述第3成分在上述全氟聚醚化合物中的總含量，按摩爾比計，為99.0％以上，
[化2]
X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-X
m，n＝9～11
第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH
第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH
第3成分X＝X3＝H
4、磁記錄盤，至少由磁性層、保護層和潤滑層按該順序層合到非磁性基板上而構成，其特征在于，在該磁記錄盤中，
構成上述潤滑層的潤滑劑的主成分為由以下化學式(化3)表示的全氟聚醚化合物，該全氟聚醚化合物含有端基X由X1表示的第1成分、端基X由X2表示的第2成分、端基X由X3表示的第3成分、端基X由X4表示的第4成分、以及端基X由X5表示的第5成分，
而且，按核磁共振分光法分析獲得的上述第4成分和上述第5成分在上述全氟聚醚化合物中的總含量，按摩爾比計，為1.0％以下，
[化3]
X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-X
m，n＝9～11
第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH
第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH
第3成分X＝X3＝H
第4成分X＝X4＝CF3
第5成分X＝X5＝CF2Cl
5、磁記錄盤，至少由磁性層、保護層和潤滑層按該順序層合到非磁性基板上而構成，其特征在于，在該磁記錄盤中，
構成上述潤滑層的潤滑劑的主成分為由以下化學式(化4)表示的全氟聚醚化合物，該全氟聚醚化合物含有端基X由X1表示的第1成分、端基X由X2表示的第2成分、端基X由X3表示的第3成分、端基X由X4表示的第4成分、以及端基X由X5表示的第5成分，
而且，對于按核磁共振分光法分析獲得的含量，上述第4成分比上述第5成分少，
[化4]
X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-X
m，n＝9～11
第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH
第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH
第3成分X＝X3＝H
第4成分X＝X4＝CF3
第5成分X＝X5＝CF2Cl
6、權利要求1所述的磁記錄盤，其特征在于，上述保護層由碳類材料構成。
7、權利要求1～6任一項所述的磁記錄盤的制造方法，其特征在于，使用通過對潤滑劑用原材料進行分子蒸餾而獲得的上述潤滑劑來形成上述潤滑層。
全文摘要
本發明為了獲得一種既能實現降低磁頭的浮起量，又能發揮高可靠性的磁記錄盤，從分子結構和定量方面確定潤滑劑。即，在構成磁記錄盤1的潤滑層14時，使用一類在由下述化學式(化1)表示的全氟聚醚化合物中具有以下組成比的潤滑劑。第1成分＝71.7％第2成分＝15.7％第3成分＝11.7％第4成分＝0.3％第5成分＝0.6％化1X-OCH2CF2-(CF2O)m(C2F4O)n-CF2OCH2O-X m，n＝9～11第1成分X＝X1＝CH2CH(OH)CH2OH第2成分X＝X2＝CH2CH(OH)CH2OCH2CH(OH)CH2OH第3成分X＝X3＝H第4成分X＝X4＝CF3第5成分X＝X5＝CF2Cl。
文檔編號G11B5/725GK101278340SQ20068003612
公開日2008年10月1日 申請日期2006年9月28日 優先權日2005年9月30日
發明者鈴木宏太, 下川貢一 申請人:Hoya株式會社