測試裝置以及測試方法

專利名稱：測試裝置以及測試方法
技術領域：
本發明與測試半導體存儲器等被測存儲器的測試裝置以及測試方法相 關。本發明尤其與進行被測存儲器的寫入測試的測試裝置相關。本申請與 以下美國的專利申請有關。在認可將文獻作為參照文獻納入的指定國家，下 述申請中所記載內容作為參考被納入本申請，作為本申請的一部分。申請編號11/298， 562申請曰期2005年12月9曰 背景技術以前，閃速存儲器等作為半導體存儲器為大家所熟悉。半導體存儲器 有很多的用途，不同的用途要求不同的數據寫入時間。這里所講的數據寫 入時間是指在將指定的數據寫入半導體存儲器時，該數據的寫入從開始 到完成所需要的時間。以半導體存儲器用于數碼攝像機的圖像數據的收錄時的情況為例予以說明。在動畫攝影時，傳送相當于VAG圖像(大約31萬像素)的數據的情 況下，其數據量，每l幀大約為5Mb。通過將該數據壓縮，每l幀的數據量 例如可能變為242Kb。若將動畫的幀數設定為每秒30幀，那么1帕的傳送時間大約為33ms。 但是，數據傳輸的時間還包括讀寫校驗等動作的時間，不能將所有的時間 都用于數據的寫入。比如，每l幀的傳送時間中，8ms用于數據的寫入。也 即是，在上面的例子中，將242Kb的數據寫入半導體存儲器中需要大約8ms 的時間。以半導體存儲器每頁的記憶容量為2KB來計算，要容納1幀的數據需 要15頁。這樣，在上面的例子中，半導體存儲器需要能夠在8ms的時間內 寫入15頁的數據量。上述測量數據寫入時間的測試，作為測試半導體存儲器等被測存儲器 的項目廣為人知。在本測試中，向被測存儲器的每頁中寫入所規定的數據， 測量每頁的寫入時間。以前的測試裝置，將每1頁的寫入時間規定為測試規格。如上述例子 所示，針對要求以8ms的時間寫入15頁數據的半導體存儲器，規定其每1 頁的寫入時間為8ms/15=530jis。并且，如果某1頁的數據寫入時間長于上述規定值，則判斷含有該頁 的塊為異常塊。塊是指數據寫入的單位，本例中假設15頁組成一個塊。 對于該異常塊，實際安裝時的數據寫入被禁止。而且，存在超過一定 數量的異常塊的被測存儲器就被認定為次品。通過這樣的測試，篩選出符 合規格要求的半導體存儲器用于裝配。現在，還沒有找到有關的專利文獻， 在此省略其記載。發明內容該發明打算解決的問題但是相對于實際安裝所要求的規格，比如在8ms的時間內寫入15頁數 據，在以前的測試中要求每頁以530 ns的時間寫入。從塊單位看來，以前 的測試的規定值與實際安裝時要求的規格相同。但是，半導體存儲器的每1頁的數據寫入時間并不完全相同，會因為 頁的不同而產生差異。因此，在以前的測試中所要求的規定值嚴于實際安 裝時所要求的規格。也即是，在以前的測試中，要求塊中所包含的全部的 頁的數據寫入時間都應在比如530jus以下，而實際安裝所要求的規格是塊 中的所有的頁的平均寫入時間應在530 ja s以下。也即是，在以前的測試中，會把在實際安裝時沒有問題的半導體存儲 器當作次品剔除。這樣，就會降低半導體存儲器制造時成品合格率。為此，從一個側面來講，本發明的目的在于提供能解決上述課題的測 試裝置和測試方法。這個目的是通過申請范圍內的獨立項所記載的特征的 組合達成的。另外，在從屬項中規定了證明本發明更有利的具體例子。為了解決課題所采用的手段為了解決上述的課題，在本發明的第一形態中，作為測試半導體存儲 器的測試裝置，提供具備把預設的測試數據寫入到被測半導體存儲器各個 頁中，檢測被測存儲器的寫入單元，和收錄被測存儲器的測試結果的失效 存儲單元的測試裝置。同時，上述失效存儲單元又由測量測試數據寫入到 半導體存儲器的每一 頁所需的寫入時間的測量單元，把測量的寫入時間以 設定的頁數進行累計的累計單元，以及將累計單元算出的累計值和預先設在累計單元內，累計計算每1個具有事先設定的頁數的頁數群的寫入 時間。在判定單元內，根據每1個頁數群的累計寫入時間，分別判定頁組 是否合格。在失效存儲單元內，還可以具有失效存儲器，用來與各個頁數 群對應收錄對每一 頁數群的判定結果。在失效存儲單元內，還具有減法單元，把從寫入時間測量單元測到的每 頁的寫入時間分別減去預定的平均規格值而得3'j的差值輸入i 'J累計單元， 判定單元可以根據差值的累加值是否小于0來判定每組頁數群是否合格。還可以在判定單元內，設置兩個判定器。在第1判定器內，對每組頁 數群的寫入時間的累計值，是否大于累計期待值，從而判定每組頁數群是 否合格。在第2判定器內，比較每組頁數群里的每頁的寫入時間，是否大 于預先設定的絕對規格值，從而判定每頁是否合格。還可以在判定單元里設置第3判定器，在該第3判定器內，不僅要求 每組頁數群的累計寫入時間比累計期待值小，而且只有在每組頁數群里的 每頁的寫入時間均小于絕對規格值時才判定該頁數群為合格塊。在失效存儲單元內，還可以設置預先收錄累計期待值，將其提供給第1判定器的累計期待值寄存器，以及預先設定絕對規格值，將其提供給第2判定器的絕對規格值寄存器。失效存儲單元，還可以在第2判定器內，設置如果判定某一頁的寫入時間超過了絕對規格值，那么在累計單元內，該頁的寫入時間就會被去除 再繼續進行累計，而且在該組頁數群的最后一頁后面再追加一頁的頁數群 控制單元。在失效存儲單元內，還可以設置不僅要求每組頁數群的累計寫入時間 比累計期待值小，而且只有在每組頁數群里的每頁的寫入時間小于絕對規格值時才判定該頁合格的第3判定器，以及收錄每頁的判定結果的失效存儲器。在失效存儲單元內，也可以設置頁數寄存器，計數器以及復位器。頁 數寄存器里存有預先設定的頁數。計數器計數與測試數據的寫入周期大致 一樣的許可信號的脈沖數。當計數器中所記的數值與頁數寄存器中的數值 一致時，累計單元中的累計值以及計數器里的數值復位。在第2判定器內， 如果判定有一 頁的寫入時間超過了絕對規格值，則以 一個脈沖的許可信號 停止計數器的計數，而且禁止累計單元累加這一頁的寫入時間。在失效存儲單元內，可以并列設置第1和第2兩個累計單元。在第1 累計單元內被累計的第1頁數群中的部分頁，可以和在第2累計單元內被 累計的第2頁數群重復。第1累計單元內的累計值與第2累計單元內的累 計值，都小于累計期待值時，則判定單元判定該被測存儲器合格。本發明的第二形態，提供測試被測存儲器的測試方法，具備分別向被 測存儲器的每頁中寫入預設的測試數據，測試被測存儲器的寫入階段，以及 收錄被測存儲器的測試結果的收錄階段。收錄階段又可分為對每頁的寫入 時間進行測量的階段，對寫入時間進行累計的階段，以及將累計階段得到 的累計值與預設的累計期待值相比較，從而判定被測存儲器是否合格的判 定階段。再者，上述的發明概要，并沒有列舉出本發明的全部必要特征。上述 諸多特征的次級組合也可認為是本發明。


圖1是與本發明的實施形態相關的測試裝置100的構成的1個示例。圖2是失效存儲單元30的構成的1個示例。圖3是在圖2中業已說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。圖4是用過去的測試裝置所得的結果，與用圖1至圖3里說明的本發 明測試裝置100所得到的結果的1個示例。圖4 (a)是用過去的測試裝置 所得的結果。圖4 ( b )是用圖1至圖3里說明的本發明測試裝置100所得 到的結果。圖5是失效存儲單元30的構成的另1個示例。圖6是圖5中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。圖7是失效存儲單元30的構成的另1個示例圖8是在圖7中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。圖9是失效存儲單元30的構成的另1個示例圖IO是在圖9中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。圖11是失效存儲單元30的構成的另1個示例圖12是在圖11中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。符號說明10:模式生成單元12:波形控制單元14:時序生成單元16:比較單元18:管腳電子部件20.驅動器22:比較單元30失效存儲單元32:寫入時間測量單元34累計單元36:累計期待值寄存器38判定單元40:失效存儲器2:不良存儲塊計數器44:平均規格寄存器46.減法單元48:第2判定器50:第1判定器52:絕對規格值寄存器54:第3判定器56:與門電3各58:計數器60:比較器62:頁數寄存器64:比較器65、66:或門電^各70:頁數群控制單元100:測試裝置200:被測存儲器具體實施方式
以下，通過實施發明的形態來對本發明進行說明，但是，發明的申請 范圍并不局限于以下的實施形態。另外，并非所有實施形態中說明的特征的組合都是發明所必須的解決手段。圖1顯示的是與本發明的實施形態相關的測試裝置100的構成的1個示例。測試裝置100是用于測試半導體存儲器等被測存儲器200的裝置，具 備有模式生成單元IO、波形控制單元12、時序生成單元14、比較單元16、 管腳電子部件18、以及失效存儲單元30。模式生成單元10,比如根據使用者設定的程序，生成用于測試被測存 儲器200的測試模式。根據該測試模式，生成輸入被測存儲器200的信號 等。波形控制單元12,根據從模式生成單元IO獲得的測試模式，生成用于 測試被測存儲器200的測試信號。比如，波形控制單元12與傳來的時序塊 同步化，生成與測試模式相對應的電壓水平的測試信號。時序生成單元14 生成輸入波形控制單元12的時序塊。管腳電子部件18與被測存儲器200之間進行信號的輸出和接收。管腳 電子部件18擁有驅動器20和比較單元22。通過驅動器20把波形控制單元 12生成的測試信號輸入給被測存儲器200。比如，在測量被測半導體存儲 器的寫入時間時，模式生成單元IO、波形控制單元12，以及驅動器20，分 別把預先設定的測試數據寫入到被測半導體存儲器內。另外，比較單元22 用于接收從被測半導體存儲器中輸出的信號。比較單元16,通過比較被測存儲器200輸出的信號電平是否大于預設 的參照電壓電平，把輸出信號轉換為二值信號。比較單元16根據從時序生 成單元14傳遞出的時間信號，比較輸出信號的信號電平與預設的電壓電平。 另外，比較單元16也可以比較被轉換為二值信號的輸出信號與設定的期待 值信號。比如，在測量被測存儲器200的寫入時間時，比較單元16接收將被測 存儲器200的ready/busy信號(以下簡稱RY/BY信號)作為輸出信號接收， 檢測RY/BY信號是否為所規定的期待值。RY/BY信號是在輸入數據的寫入處 理過程中顯示第1邏輯值，該輸入數據寫入完成，可以再次進行輸入數據 的寫入時，顯示第2邏輯值的信號。通過測量從開始向被測存儲器200的每頁內寫入輸入數據，到RY/BY 信號顯示第2邏輯值之間的時間，能夠測量出被測存儲器200的每1頁的 數據寫入時間。比如，該測量可通過失效存儲單元30進行。失效存儲單元 30收錄被測存儲器200的測試結果。比如，用失效存儲單元30收錄上述的 每頁的數據寫入時間。圖2是顯示失效存儲單元30的構成的1個示例。在向被測半導體存儲 器的每頁寫入預設的測試數據時，失效存儲單元30測量該測試數據的寫入 所需時間，并予以收錄。在本例中，失效存儲單元30具備寫入時間測量單元32、累計單元34、累計期待值寄存器36、判定單元38、失效存儲器40 以及不良存儲塊計數器42等元件。寫入時間測量單元32，分別測量每一頁的測試數據的寫入所需要的時 間。寫入時間測量單元32可以根據比較單元16的比較結果測量該寫入時 間。比如，寫入時間測量單元32接收到模式生成單元10發出的開始寫入 預設測試數據的通知，測量從收到通知到RY/BY信號顯示第2邏輯值之前 的這一段時間即可。該測量可以通過，計算在這一時間段，測試裝置100 里的系統時鐘等進行。累計單元34通過預設頁數對寫入時間測量單元32里測量出的寫入時 間進行累計。比如，累計單元34可以以每1頁數群為單位累計寫入時間。有的頁數^根據被測存儲器200的實:安裝規格來決定。
々 、累計單元34接收從模式生成單元10發出的許可信號和復位信號。該 許可信號是對累計單元34里的寫入時間的累計予以許可還是禁止進行控制 的信號。復位信號是對累計單元34里的寫入時間的累計值進行復位的信號。 比如，在模式生成單元IO對寫入時間進行測量的測試時，可以允許累計單 元34對寫入時間進行累計。另外，模式生成單元IO，在每次對頁數群的寫 入時間予以累計后，累計單元34的累計值就被復位。判定單元38把累計單元34計算出的累計值與預先設定的期待值相比 較，從而判定被測半導體存儲器是否合格。比如，判定單元38可以根據每 1頁數群的寫入時間的累計值，判定各個頁數群是否合格，這種情況下，在 累計期待值寄存器36中收錄每一頁數群的累計期待值。另外，當累計單元 34累計的時間超過了累計期待值，判定單元38就可以判定該頁數群異常。判定單元38接收從模式生成單元10發出的許可信號。該許可信號是 控制判定單元38是否應該對頁數群進行合格判斷的信號。比如，模式生成 單元IO在累計單元34累計事先設定的頁數的寫入時間后，可以讓判定單 元38對累計值與累計期待值進行比較。失效存儲器40將各個頁數群的判定結果分別對應各自的頁數群予以收 錄。比如，失效存儲器40的每一個地址對應被測半導體存儲器的每一個頁 數群。失效存儲器40各自的判定結果記錄在相應的地址中。比如也可以通 過模式生成單元10來控制失效存儲器40用哪個地址記錄判定結果。失效 存儲器40中記錄的判定結果也可以作為該頁數群的掩蔽數據使用。比如， 被測存儲器進行安裝時，根據該數據可以禁止使用異常頁數群。另外，在對 被測半導體存儲器進行測試時，可以省略對異常頁數群的測試。不良存儲塊計數器42記錄判定單元38里判定的不良頁數群數量，當該 數值大于預設的一定數值時，不良存儲塊計數器42就會向從模式生成單元IO發出通知信號，當模式生成單元IO收到此通知信號后，針對被測半導體 存儲器的測試被終止。根據上述構造，可以進行適合被測半導體存儲器200在實際使用時所 要求的規格的測試。因此，與以前的測試裝置相比，能提高被測存儲器200 的成品合格率。圖3顯示了圖2里已說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。圖3 所顯示的每頁的波形是測試數據被寫入該頁時，R Y/B Y信號波形的1個示例。 在本例中，RY/BY信號在測試數據被寫入過程中顯示L邏輯值。數據寫入完 成，可以再次進行數據的寫入時顯示H邏輯值。另外，在本例中，每一頁數群(頁塊)都有N頁，那么一個頁數群的 累計期待值就應該是N*600jus，這種情況下，在以前的測試裝置中，只有 每一頁的寫入時間都在600 ns以下，才能判定該頁數群是合格品。在如圖 3所示的例子中，1頁和1頁的寫入時間都超過了 600 ns,如果是以前的測 試裝置，則該頁數群就會被判定為不合格。與之相對，在圖2里已經說明的失效存儲單元30內，累計各個頁數群 的寫入時間，比較該累計值與累計期待值N*600jas。因此，即使包含了寫 入時間超過了累計期待值的每頁平均值(本例中為600jus)的頁群，只要 這一 頁數群的整體寫入時間'J、于累計期待值，則該頁數群被判斷為合格。圖4顯示了用過去的測試裝置所得的結果與，用圖1至圖3所示的本 發明測試裝置100所得到的結果。圖4(a)顯示了用過去的測試裝置所得的 結果。圖4(b)顯示了用圖l至圖3中說明的本發明測試裝置100所得到的 結果。圖4里的橫軸顯示的是各頁的寫入時間。縱軸顯示的是與寫入時間 相對應的頁數。如圖4(a)所示，以前的測試裝置，要求所有的頁的寫入時間低于通過 頁數群整體的寫入時間除以頁數而得到的值，比如600 jis以下。因此，即 使這一頁數群整體來說滿足實際使用時的寫入時間要求，也有可能被判定 為次品。與之相對，如圖4(b)所示，測試裝置100把頁數群里所有頁的寫入時 間的平均值與頁數群整體的寫入時間期待值除以頁數而得到的值進行比 較。因此，測試裝置100能夠很好地篩選出滿足實際使用時寫入時間要求 的半導體存儲器。圖5顯示了構成失效存儲單元30的另1個示例。本例中的失效存儲單 元30,與圖2中的失效存儲單元30相比，多了平均規格寄存器44和減法 單元46。其他的組成部分，和圖2里標記的同樣符號的組成部分大致有相 同的功能。平均規格寄存器44內，收錄有預定的平均規格值。該平均規格值是通
過頁數群累計寫入時間的預期值除以頁數群里所含有的頁數而得來的。在減法單元46中，計算出用寫入時間測量單元32里測量的各頁的寫 入時間減去平均規格值后得出的差值，然后將其輸入到累計單元34中。比 如，某一頁的寫入時間是580ias，而平均規格值是600jus，那么在減法單 元46內，將一20MS作為該頁的寫入時間的差值，輸入累計單元34。另外，在本例中，累計期待值寄存器36里的累計期待值設定為Ops， 也即是，判定單元38根據累計單元34累計出的差值是否小于0來判定頁 數群是否合格。本例中的失效存儲單元30,根據需要可以把輸入到累計單元34的數值 變小。這樣一來，就能減小累計單元34中的演算值的比特數，從而減小累 計單元34等的電路規模。圖6圖顯示了在圖5中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。如 前所述，在失效存儲單元30中，從所測量出的各頁的數據寫入時間中減去 平均規格值后，累計所得到的差值。所以，可以減小輸入進累計單元34的 數據(差值)的比特值和從累計單元34輸出的數據(差值)的比特值。圖7顯示了失效存儲單元30的構成的另1個示例。本例的失效存儲單 元30，在圖5所示的失效存儲單元30的基礎上又增添了一個絕對規格值寄 存器52。另外，本例里的判定單元38由第1判定器、第2判定器、第3判 定器組成。其他的組成部分，和圖5里標記的同樣符號的組成部分大致有 相同的功能。在絕對規格值寄存器52里收錄有預設的絕對規格。收錄在該絕對規格 值寄存器52里的絕對規格值比平均規格值大。因為在數據閃速存儲器等的 半導體存儲器中，多考慮上述的以頁數群的累計寫入時間，通常不用考慮 每一頁的寫入時間。但是，從裝置的設計來講，如果存在明顯需要很長寫 入時間的頁的話會形成問題。這種頁有可能有某種結構上的缺陷。為此，本例的失效存儲單元30為了檢出這種因結構缺陷而產生的寫入 時間明顯很長的頁，用絕對規格值檢測各頁的異常。第2判定器48，通過 比較寫入時間測量單元32里測量的每一頁的寫入時間是否大于絕對規格值 寄存器52里收錄的絕對規格值，從而判定各頁是否合格。另外，第1判定器50，用于比較各頁數群的累計值是否大于預設的累 計期待值，從而判定每一頁數群。另外，在第3判定器54內，針對各個的 頁群，如果數據寫入時間的累計值小于預設的累計期待值，而且該頁數群 里的每一頁的寫入時間也比絕對規格值小，則判定該頁數群合格。另外，在 第3判定器54內，針對各個頁群，如果數據寫入時間的累計值大于預設的 累計期待值，或者該頁數群中的某一頁的寫入時間超過了絕對規格值，則判 定該頁數群為次品。圖8顯示了在圖7中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。在圖 8內，第1判定顯示在第1判定器50中對每一頁數群的判定結果。第2判 定顯示在第2判定器48中對每一頁的判定結果。在本例中，被測存儲器200有3個頁塊，每一頁塊又由2個頁數群組 成。每一頁數群又由16頁組成。另外，本例以每一頁數群的數據輸入時間 的累計期待值為16*600 us,絕對規格值為1000jus為例予以說明。在本例 中的失效存儲單元30，在頁塊中含有的所有的頁數群都合格品時，判定該 頁塊合格。至于如何判定頁數群是否合格，通過圖2至圖7說明的方法進行判定。 ，如圖8所示，第2頁的寫入時間為1020jus，大于絕對規格值。乂此， 對第2頁的第2判定為錯(邏輯值1 )。這樣，即使含有第2頁的第1頁數 群的累計寫入時間比累計期待值小，即第l判定通過了 (邏輯值0)，該頁 數群仍然被判定為次品。為此，第1頁塊被判定為異常頁塊，在失效存儲 器40里該異常頁塊作為掩蔽數據以邏輯值1記錄下來。還有如圖8所示，第2頁塊里含有的第3頁數群和第4頁數群，它們 的數據輸入時間的累計值都比期待累計值小，而且，各個頁數群里的含有 的頁的寫入時間也都分別小于絕對規格。這樣，第1判定與第2判定均通 過，該頁塊被判定為合格塊。還有如圖8所示，第6頁數群的數據輸入時間的累計值大于累計期待 值。此時，含有該頁數群的第3頁塊被判定為次品。通過這樣的控制，就 能篩選出既能滿足實際使用規格的，在構造上又沒有缺陷的被測存儲器 200。圖9顯示了失效存儲單元30的構成的另1個示例。本例中的失效存儲 單元30,在圖7里的失效存儲單元30的基礎上又增添了與門電路56、頁 數群控制單元70以及或門電路65。其他的組成部分，和圖7里標記的同樣 符號的組成部分大致有相同的功能。在頁數群控制單元70中，當第2判定器48里有一頁的寫入時間超過 了絕對規格的話，累計單元34就不會累計這一頁的寫入時間，并且，在該 頁數群的最后追加一頁。另外，該頁會作為掩蔽數據被收錄，該頁會被禁 止使用。通過這樣的構造，即使頁數群里含有有問題的頁，仍然可以有效 地利用其他沒有問題的頁。本例的頁數群控制單元70由計數器58、比較器60以及頁數寄存器62 組成。頁數寄存器62里收錄有頁數群里含有的頁數。比如，有一個頁數群 含有16頁的話，頁數寄存器62收錄的頁數就是16。計數器58記錄寫入時間測量單元32里所測量的頁數。比如，驅動器 20以預先設定的寫入周期把測試數據輸入到被測半導體存儲器中，寫入時
間測量單元32與寫入周期大致同步，分別測量各頁的數據寫入時間。計數器58可用于計數規定該寫入周期的許可信號的脈沖數。該許可信號通過與 門電路56傳遞給計數器58。在比較器60內，當頁數寄存器62里收錄的頁數與計數器58輸出的頁 數一致時，第1判定器50進行判定處理。另外，在比較器60內，當頁數 寄存器62里收錄的頁數與計數器58輸出的頁數一致時，計數器58以及累 計單元34里的累計值被復位。這樣比較器60還具有復位單元的功能。通 過這樣的控制，可以對所規定的頁數，也即是每一頁群，進行使用了寫入 時間累計值的第l判定。另外，或門電路65依次接收來至第2判定器48里的各頁的判定結果。 把該結果與失效存儲器40輸出的掩蔽數據這二者的邏輯和輸出。掩蔽數據 可以是預先就存在里面的數據。比如，在本測試之前的測試中，該頁數群 被判定為不良品時，失效存儲器40就把該頁數群記錄為錯(邏輯值1)。也 即是，當第2判定器48對某頁的判定結果以及含有該頁的頁數群的掩蔽數 據這二者的至少一個的邏輯值為1時，或門電路65就輸出邏輯值1。與門電路56輸出或門電路65輸出信號的反轉信號和從模式生成單元 IO接收的許可信號這兩個信號的邏輯積。也即是，當或門電路65輸出邏輯 值1時，與門電路56輸出邏輯值0。與門電路56輸出的信號作為控制累計 單元34和計數器58的許可信號使用。也即是，當或門電路65輸出邏輯值 1時，與門電路56將停止計數器58計數和累計單元34的累計處理。通過這樣的控制，在第2判定器48中，任何一頁的寫入時間超過絕對 規格時，計數器58里就會停止計數許可信號的1個脈沖數。而且，累計單 元34內，也會禁止累計這頁的寫入時間。也即是，可以在該頁數群的最后 一頁再增加一頁，并且在累計單元34中繼續累計除了這一頁以外的寫入時 間。圖1Q顯示了在圖9中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。在 圖10內，第1判定顯示在第1判定器50中對每一頁數群的判定結果。第2 判定顯示在第2判定器48中對每一頁的判定結果。在本例中，設定被測存 儲器200有3個頁數群，每頁數群有8頁，累計期待值為8*600 jus，絕對 規格為1000 ns予以說明。如圖IO所示，第10頁的寫入時間為1560 jus，比絕對規格值大。此時， 前面圖7所示的失效存儲單元30就會把含有該頁的頁數群判定為異常。而 圖9所示的失效存儲單元30只判定該頁為不良，把該頁掩蔽掉。而該頁數 群里的其他的頁并不被掩蔽掉。這樣，只要在該頁數群的最后再增加一頁(本例中，就是在第2頁數 群的最后再增加一頁至17頁)。通過這樣的處理，可以有效利用沒有問題 的頁。 '圖11顯示了失效存儲單元30的構成的另1個示例。本例的失效存儲單元30里的累計單元34由并列的多個的累計單元組成(34-1 ~ 34-N以下 總稱34)。另外，判定單元38由并列的多個比較器(64-l 64-N以下總稱 64 )及或門電路66組成。圖12顯示了在圖11中說明的失效存儲單元30的運作的1個示例。本 例以每一頁數群含有8頁，每一頁數群的累計期待值為8*600 jus加以說明。 失效存儲單元30里的累計單元34和比較器64的數目與每一頁數群里含有 的頁數相同。在每個累計單元34內，分別累計含有8頁的頁數群的寫入時間。在這 里，與各個累計單元34相對應的頁數群的部分頁可以重復。比如，如圖12 所示，與各個累計單元34相對應的頁數群的開始頁都可以有1頁不同。比較器64比較對應的累計單元34輸出的累計值與預設的累計期待值。 然后，當多個的比較器64所輸出任意累計值都比累計期待值小時，或門電 路66就輸出信號判定被測存儲器200為合格品。在圖12內，因為累計單 元34-4所輸出的累計值大于累計期待值，所以或門電路66輸出被測存儲 器200為次品的信號(邏輯值1 )。通過這樣的測試，無論頁數群如何被分 割，都能篩選出滿足規格的被測存儲器200。以上就本發明的實施構造進行了說明。本發明的技術范圍并不局限于 以上所記述的構造。對本行業的人員來說，上述的構造明顯還可以有各種 變更或進一步的改良。從申請范圍的記載來看可以明確地得知其變更或 改良過的構造也能被包含在本發明的技術范圍之內。綜上所述，通過本發明的1種實施形態，能夠在提高成品合格率基礎 上篩選出符合實際使用需要的被測存儲器200。
權利要求
1、 一種測試裝置，用于測試被測存儲器，其特征是，包括 寫入單元，向所述被測存儲器的各頁中分別寫入預設測試數據，測試所述被測存儲器；和失效存儲單元，收錄所述被測存儲器的測試結果； 所述的失效存儲單元，包括寫入時間測量單元，測量每一所述頁寫入所述測試數據所需的寫入時間；累計單元，將寫入時間以設定的多數的所述頁數進行累計，以及 判定單元，把所述累計單元的累計值與累計期待值比較從而判定所述 被測存儲器的好壞。
2、 根據權利要求1所述的測試裝置，其特征是，所述累計單元是以有 預設頁數的每一頁數群為單位累計寫入時間；所述判定單元根據每一所述頁數群的寫入時間累計值，判定每一所述 頁數群的好壞。
3、 根據權利要求2所述的測試裝置，其特征是，上述失效存儲單元更 群的判定結果。
4、 根據權利要求2所述的測試裝置，其特征是，所述失效存儲單元更 具有減法單元，以將由所述寫入時間測量單元所測量出的各個所述頁的寫 入時間減去預設的平均規格值所得到的差值，分別輸入所述累計單元；所述判定單元根據比較所述差值的累計值是否小于0,來判定各個所述 頁數群的好壞。
5、 根據權利要求2所述的測試裝置，其特征是，所述判定單元更具有 第1判定器，比較各個所述頁數群的寫入時間的累計值是否大于預設的累計期待值，從而判定每一所述頁數群；以及第2判定器，比較各個所述頁數群里含有的每一所述頁的寫入時間是 否大于預設的絕對規格，從而判定每一頁。
6、 根據權利要求5所述的測試裝置，其特征是，所述判定單元更具有 第3判定器，對應各個所述頁數群，當所述的頁數群的寫入時間的所述累 計值分別小于所述累計期待值，且該頁數群中包含的全部的所述頁的寫入 時間均小于絕對規格值時，判定該頁數群為合格塊。
7、 根據權利要求6所述的測試裝置，其特征是，所述失效存儲單元更 具有累計期待值寄存器，預先收錄所述累計期待值，并將其提供給所述第1 判定器；以及絕對規格值寄存器，預先收錄所述絕對規格值，并將其提供給所述第2 判定器。
8、 根據權利要求5所述的測試裝置，其特征是，所述失效存儲單元更 具有頁數群控制單元，當所述第2判定器判定某一頁的所述寫入時間超過 了所述絕對規格值時，使在所述累計單元繼續累計除了所述頁以外的頁的 寫入時間，并且在該頁數群里的最后所述頁的頁數追加一頁。
9、 根據權利要求8所述的測試裝置，其特征是，所述失效存儲單元更 具有第3判定器，對應各個所述頁數群，當判定所述的頁數群的寫入時間 累計值小于所述累計期待值，且所述寫入時間小于所述絕對規格值時，判 定該頁為合格頁；以及
10、 根據:利要求8所述的測;式裝置:其特;正是，所述失效存儲單元 更具有頁數寄存器，收錄所述預設的頁數；計數器，用于計數與所述寫入單元的所述測試數據的寫入周期大致同 步的許可信號的脈沖數；以及復位部，當所述計數器里的計數值與所述頁數寄存器里存放的頁數一 致時，使所述累計單元里的累計值和所述計數器里的計數值復位；所述頁數群控制單元，當所述第2判定器判定某一頁的所述寫入時間 超過了所述絕對規格值時，以所述許可信號的1個脈沖數停止所述計數器 的計數，而且也禁止所述累計單元累計該頁的所述寫入時間。
11、 根據權利要求8所述的測試裝置，其特征是，所述失效存儲單元 具備并列配備的第1累計單元和第2累計單元，所述第1累計單元累計所述寫入時間的第1頁數群與第2累計單元累 計所述寫入時間的第2頁數群的部分頁重復。
12、 根據權利要求11所述的測試裝置，其特征是，所述判定單元當所 述第1累計單元所累計的累計值與所述第2累計單元所累計的累計值均小 于所述期待值時，判定所述被測存儲器為合格品。
13、 一種測試方法，用以測試被測存儲器，其特征是，包括 寫入階段，把預定的測試數據分別寫入所述被測存儲器的各頁內，測試被測存儲器；以及收錄階段，收錄被測存儲器的測試結果； 所述收錄階段包括寫入時間測量階段，測量每一 所述頁寫入所述測試數據所需的寫入時 間；累計階段，把寫入時間以設定的多數的所述頁數進行累計；以及判定階段，比較累計階段得到的累計值與預設的期待值，從而判定被 測存儲器的好壞。
全文摘要
本發明提供測試被測存儲器的測試裝置。該測試裝置具備向被測存儲器的各頁中分別寫入預設測試數據，測試被測存儲器的寫入單元和收錄被測存儲器測試結果的失效存儲單元兩大元件。而失效存儲單元又具備測量每一頁的數據寫入時間的測量單元，以設定的頁數累計寫入時間的累計單元，以及比較累計單元計算出的累計值與累計期待值，從而判定上述被測存儲器是否合格的判定單元等元件。
文檔編號G11C29/56GK101147205SQ20068000894
公開日2008年3月19日 申請日期2006年11月24日 優先權日2005年12月9日
發明者佐藤新哉, 土井優 申請人:愛德萬測試株式會社