專利名稱：一種具有高矯頑力的光磁混合存儲材料及其制備方法
技術領域：
本發明屬磁電子學和光磁混合記錄技術領域，具體涉及一種光磁混合存儲材料及其制備方法。
背景技術：
傳統的TbFeCo材料具有垂直各向異性，可用作磁光存儲材料以及光磁混合存儲材料。早期人們主要研究的是具有強烈耦合作用的多層膜，但是這些制備工藝復雜，材料的性能很難保證。目前受到普遍重視的是多靶共濺法制備TbFeCo。
信息技術的飛速發展得益于材料存儲性能的提高。人們一直致力于提高材料的存儲密度。因此尋找新的樣品制備方法，在超高密度光磁混合記錄領域中具有重要的意義，有助于推動信息存儲等高科技領域的發展，并有可能產生巨大的經濟效應。
發明內容
本發明的目的對傳統的制備方法進行了改進，提出一種具有高矯頑力的光磁混合存儲材料及其制備方法。
本發明提出的具有高矯頑力的光磁混合存儲材料，以玻璃為襯底，其上經射頻磁控濺射有一層緩沖層MgO，厚度為0.4-2nm；在該緩沖層上還磁控濺射有一層光磁混合存儲材料TbFeCo，厚度為6-30nm。
上述光磁混合存儲材料的制備步驟如下將經清洗處理的玻璃襯底放進濺射腔內，抽真空，腔的本底真空度降到6.0×10-5Pa以下時，通氬氣，氬氣壓維持在0.8-1.0Pa；采用射頻磁控濺射方式，在玻璃襯底上制備樣品緩沖層MgO，其濺射速率為0.2-0.4/s，MgO厚度為0.4-2nm；然后直流磁控濺射光磁混合存儲材料TbFeCo，其濺射速率為0.2nm-0.3nm/s，TbFeCo厚度為6-30nm。靜置一小時后開腔，取出樣品并測量。
本發明提出的制備光磁混合存儲材料的方法，可提高存儲材料的矯頑力，因此對存儲性能有很大的改善與提高，因此本發明將在光磁混合存儲記錄技術領域具有重大的應用價值。
圖1為實施例1中沒有MgO層的樣品實驗曲線。
圖2為實施例1中濺射MgO層的樣品實驗曲線。
圖3為實施例2中沒有MgO層的樣品實驗曲線。
圖4為實施例2中濺射MgO層的樣品實驗曲線。
圖5為實施例3中沒有MgO層的樣品實驗曲線。
圖6為實施例3中濺射MgO層的樣品實驗曲線。
具體實施例方式
實施例一組分一TbFeCo將玻璃襯底放入無水酒精中，用超聲發聲器清洗兩至三遍。用計算機控制的多功能磁控濺射設備制備襯底/TbFeCo(6nm)，易磁化方向很難垂直膜面。如圖1所示給出室溫時樣品的實驗曲線。
用計算機控制的多功能磁控濺射設備制備襯底/MgO(0.8nm)/TbFeCo(6nm)，易磁化方向垂直膜面，矯頑力明顯增大。如圖2所示給出室溫時樣品的實驗曲線。
實施例二組分二TbFeCo對玻璃襯底進行清洗處理(如實施例1)。用計算機控制的多功能磁控濺射設備制備襯底/TbFeCo(9nm)易磁化方向很難垂直膜面。如圖3所示給出室溫時樣品的實驗曲線。
用計算機控制的多功能磁控濺射設備制備襯底/MgO(2nm)/TbFeCo(9nm)易磁化方向垂直膜面，矯頑力增大很大。如圖4所示給出室溫時樣品的實驗曲線。
實施例三組分三TbFeCo對玻璃襯底進行清洗處理(如實施例1)。用計算機控制的多功能磁控濺射設備制備了襯底/TbFeCo(30nm)易磁化方向垂直膜面，薄膜有矯頑力。如圖5所示給出室溫時樣品的實驗曲線。
用計算機控制的多功能磁控濺射設備制備襯底/MgO(1.2nm)/TbFeCo(30nm)易磁化方向垂直膜面，矯頑力增大。如圖6所示給出室溫時樣品的實驗曲線。
權利要求
1.一種光磁混合存儲材料，其特征在于以玻璃為襯底，其上經射頻磁控濺射有一層緩沖層MgO，厚度為0.4-2nm；在該緩沖層上還磁控濺射有一層光磁混合存儲材料TbFeCo，厚度為630nm。
2.一種光磁混合存儲材料的制備方法，其特征在于具體步驟如下將經清洗處理的玻璃襯底放進濺射腔內，抽真空，腔的本底真空度降到6.0×10-5Pa以下時，通氬氣，氬氣壓維持在0.8-1.0Pa；采用射頻磁控濺射方式，在玻璃襯底上制備樣品緩沖層MgO，其濺射速率為0.2-0.4/s，MgO厚度為0.4-2nm；然后直流磁控濺射光磁混合存儲材料TbFeCo，其濺射速率為0.2nm-0.3nm/s，TbFeCo厚度為6-30nm。
全文摘要
本發明屬磁電子學和光磁混合記錄技術領域，具體為一種具有高矯頑力的光磁混合存儲材料及其制備方法。本發明不同于傳統的薄膜生長過程，首先射頻磁控濺射一層MgO緩沖層，然后直流磁控濺射一層TbFeCo，形成雙層薄膜，材料的矯頑力明顯提高。本發明可提高光磁混合存儲材料矯頑力，有助于進一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向異性，從而提高材料的熱穩定性。
文檔編號G11B5/851GK1975892SQ200610147249
公開日2007年6月6日 申請日期2006年12月14日 優先權日2006年12月14日
發明者周仕明, 焦新兵, 徐振 申請人:復旦大學