使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統及方法

專利名稱：使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統及方法
技術領域：
本發明關聯于一種光盤刻錄技術，特別是一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統及方法。
背景技術：
為了正確重讀(reproduce)數據信號，必須精確地控制激光功率控制脈沖，例如脈沖寬度、脈沖外形及激光輸出的功率大小等，用以在光盤上記錄穩定且精確的標記。通常是經由最佳功率校準(optimal power calibration，OPC)程序取得較佳激光功率。而激光輸出的寬度及外形的最佳化寫入參數則是通過不斷調整所謂寫入策略(write strategy)來達成。
已知做法中，光驅在出廠前，制造商的工程師會根據不同的光盤片，調校出多個最佳寫入策略，然后依光盤片的辨識碼，將最佳寫入策略建表儲存于光驅中。當實際刻錄數據時，光驅會根據內載的光盤識別碼從建表中讀取相應的寫入策略并且執行已知的最佳功率校準程序，來取得最佳寫入功率大小。這種做法可能有幾個缺點。第一，當無法完全涵蓋光盤片制造上的差異或光驅制造上的差異時，用以刻錄標記的最佳寫入策略可能偏離最佳設定。即使最佳功率校準程序決定了最佳的功率大小，由于光盤片或光驅臺的變異性仍可能造成標記未刻錄完善并且刻錄品質可能不夠理想。第二，要讓光驅支持所有可能的光盤類型會耗費大量的儲存空間。并且這些都需要大量的工程師人力來調整最佳化寫入策略，大幅增加成本。再者，光盤片的制造永遠是推陳出新的，光驅不能支持所有的光盤片類型。因此光驅的實用性是受局限的。
為了決定未支持的光盤片的最佳化寫入策略，傳統方法首先可使用不同的寫入策略來執行各種的嘗試性(trial)刻錄，并且根據多種寫入品質指數接著決定出最好的寫入策略。

發明內容
為解決上述現有技術中的缺陷，本發明提出一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統及方法。
本發明的上述目的是通過如下技術方案來實現的一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的方法，用以記錄多個圖案(pattern)于一光盤上，包括執行一第一類的寫入策略參數最佳化作業，用于調整一寫入策略中至少一第一類寫入策略參數；以及在執行上述第一類寫入策略參數最佳化作業后執行一第二類的寫入策略參數最佳化作業，用于調整上述寫入策略的至少一第二類寫入策略參數。其中上述第一類及第二類寫入策略參數中的一個相應于每一單一圖案，并且寫入策略參數中的另一個相應于每一圖案組合。
具體來說，本發明是提供一種最佳化寫入參數的方法，其使用兩階段調整。使用兩階段調整的最佳化寫入參數的方法的一實施例包括下列步驟執行一個靜態的寫入策略參數最佳化作業，來調整一個寫入策略的至少一個靜態的寫入策略參數；在執行靜態的寫入策略參數最佳化作業后，執行一個動態的寫入策略參數最佳化作業，來調整該寫入策略的至少一個動態的寫入策略參數。
一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統，包括一寫入參數調整控制器，執行一第一類的寫入策略參數最佳化作業以調整一寫入策略的至少一第一類寫入策略參數，以及在執行上述第一類的寫入策略參數最佳化作業后，執行一第二類的寫入策略參數最佳化作業來調整上述寫入策略的至少一第二類的寫入策略參數。其中上述第一類及第二類寫入策略參數中的一個相應于每一單一圖案，并且寫入策略參數中的另一個相應于每一圖案組合。
具體來說，本發明也提供一種最佳化寫入參數的系統，其使用兩階段調整。使用兩階段調整的最佳化寫入參數的系統的一實施例包括一個寫入參數調整控制器。寫入參數調整控制器用以執行靜態的寫入策略參數最佳化作業來調整一個寫入策略的至少一個靜態的寫入策略參數，以及在執行靜態的寫入策略參數最佳化作業后，執行一個動態的寫入策略參數最佳化作業來調整該寫入策略的至少一個動態的寫入策略參數。
靜態寫入策略參數與光盤上的一個凹洞的單一長度相對應，并且動態寫入策略參數用以克服當產生凹洞時的熱干涉效應。


圖1a及圖1b為范例的刻錄凹洞的寫入策略示意圖；圖2為實施例的最佳化寫入策略參數系統的硬件環境示意圖；圖3為依據本發明實施例的使用二階段調整最佳化寫入參數的方法的流程圖；圖4為依據本發明實施例的初始靜態及動態寫入策略參數的方法的流程圖；圖5是描述本發明實施例的調整激光功率Pw的方法的示意圖；圖6是描述本發明實施例的調整Pw及OD/m的方法的示意圖；圖7a及圖7b是描述本發明實施例的調整Pw、OD/m及Sk的方法；圖8a、圖8b及圖8c是描述本發明實施例的調整Pw、OD/m、Sk及Ek的方法的示意圖；圖9為描述本發明實施例的調整Sk/Ek的方法的示意圖；圖10為描述本發明實施例的調整動態寫入策略參數的方法的示意圖；圖11是描述本發明另一個實施例的調整動態寫入策略參數的示意圖。
主要組件符號說明Pw～激光功率大小；
OD～短標記增幅功率比例的過驅動值；Sk～短標記的前緣的增幅寬度；Ek～短標記的后緣的增幅寬度；Rik～在前一個理論平面之后的一段距離的一位置；Fkm～在后一個理論平面之前的一段距離的一位置；m～中間脈沖相對頻率基頻的一比例；100～光驅；10～光學讀寫頭；12～射頻信號； 20～信號讀取單元；22～均衡器； 23～均衡信號；24～切割器； 25～切割信號；30～寫入參數調整單元；31～寫入品質偵測單元；32～寫入參數調整控制器；40～標記寫入單元； 33～對稱性偵測器；34～錯誤率偵測器； 35～抖動量偵測器；36～長度偏差量偵測器；37～邊緣偏移量偵測器；33s～射頻信號的對稱性(β值)；34s～數據錯誤率； 35s～抖動量；36s～各種標記組合的平均長度偏差量；37s～各種標記組合的平均邊緣偏移量；38～寫入參數； 41～寫入脈沖控制信號；50～寫入參數儲存單元；42～寫入脈沖產生器；43～調制的信號；44～寫入脈沖； 45～激光二極管驅動器；46～驅動信號； 50～寫入參數儲存單元；
S310、S320、…、S390、S395～方法步驟；S411、S421、…、S431、S441～方法步驟；S511、S521、…、S551、S561～方法步驟；S611、S621、…、S655、S661～方法步驟；S711、S721、…、S763、S771～方法步驟；S811、S821、…、S883、S891～方法步驟；S921、S931、…、S941、S943～方法步驟；S1011、S1021、…、S1041、S1051～方法步驟；S1111、S1121、…、S1141、S1151～方法步驟。
具體實施例方式
本發明適用于最佳化兩個種類的寫入策略。圖1a及圖1b為范例的刻錄凹洞的寫入策略示意圖，分別為范例的城堡式(castle type)寫入策略及多脈沖式(multipulse type)寫入策略。參考圖1a，Pw代表激光功率大小、OD(over drive)代表短標記增幅功率比例的過驅動值、Sk及Ek分別代表短標記的前緣的增幅寬度及短標記的后緣的增幅寬度。短標記可包括3T至5T的標記。在實施例中，寫入策略參數Pw、OD、Sk及Ek都代表靜態寫入策略參數。靜態寫入策略參數關系著標記能否成形以及成形的品質。此外，動態寫入策略參數包括Rik及Fkm，其中ik及km代表前后不同T長度標記的組合，T長度可為3T至6T或以上。動態寫入策略參數與前后T長度標記的組合有關。通過調整Rik及Fkm，可有效克服相鄰標記間的熱干涉效應，用以產生更準確的標記。參考圖1b，在多脈沖寫入策略中，Pw代表激光功率大小、Sk及Ek分別代表起始脈沖與結束脈沖的寬度，m代表中間脈沖相對時鐘基頻(base clock)T的一比例。Pw、m、Sk及Ek都代表靜態寫入策略參數，而Rik及Fkm代表動態寫入策略參數。
在此特別強調，前述所稱“凹洞”(pit)是指激光在光盤片上所形成特定長度的記號。其在某種類光盤片中，是形成特定長度的凹洞，但在另一種光盤片中，則是在光盤片上造成相變化但不形成明顯凹洞，僅使其和平面區(land)具有不同的光反射量。
圖2是本實施例的最佳化寫入策略參數系統的硬件環境示意圖。本實施例的光驅100包括光學讀寫頭(optical pick-up，OPU)10、信號讀取單元20、寫入參數調整單元30以及標記寫入單元40。信號讀取單元20包括均衡器(waveform equalizer)22及切割器(slicer)24，為光驅100已知的讀取通道(readchannel)的一部分。光學讀寫頭10從光盤片11中讀取數據標記，以產生射頻(RF)信號12。均衡器22將射頻信號12重建為均衡信號23。均衡信號23經由切割器24切割為切割信號25。均衡信號23及切割信號25為寫入參數調整單元30的輸入信號。
寫入參數調整單元30包含兩個裝置寫入品質偵測單元31與寫入參數調整控制器32。寫入品質偵測器31包含一對稱性偵測器33、一錯誤率偵測器34、一抖動量(jitter)偵測器35、一長度偏差量(length deviations)偵測器36與一邊緣偏移量(edge shifts)偵測器37。在計算輸入信號后，對稱性偵測器33的輸出信號為射頻信號的對稱性(也就是β值)33s，錯誤率偵測器34的輸出信號為數據錯誤率34s，抖動量偵測器35的輸出信號為抖動量35s，長度偏差量偵測器36的輸出信號為各種標記組合的平均長度偏差量36s，而邊緣偏移量偵測器37的輸出信號則為各種標記組合的平均邊緣偏移量37s。其中，長度偏差量偵測器可以為EFM(Eight-to-Fourteen Modulation)長度偏差量偵測器，而邊緣偏移量偵測器可以為EFM(Eight-to-Fourteen Modulation)邊緣偏移量偵測器。
寫入參數調整控制器32的輸入信號可以是射頻信號的對稱性β值33s、數據錯誤率34s、抖動量35s、各種標記組合的平均長度偏差量36s與各種標記組合的平均邊緣偏移量37s中的任何一項信號或其中的組合，視寫入參數調整作業的步驟而定。例如當判斷是否接受寫入品質時，數據錯誤率34s與抖動量35s作為輸入信號輸入至寫入參數調整控制器32。當調整動態寫入策略參數時，各種標記組合的平均長度偏差量36s或各種標記組合的平均邊緣偏移量37s作為輸入信號輸入至寫入參數調整控制器32。在此特別強調，本發明是采用上述多種參數其中一種或多種的組合，不必然需要同時參考所有參數。另外，除了上述參數外，熟悉此技藝的人士也可使用其它用以表示寫入品質的各種參數來作為調整寫入策略的依據。寫入參數調整控制器32的輸出信號則為寫入脈沖控制信號41與寫入參數38，其中寫入脈沖控制信號41用于控制寫入脈沖的波形，而寫入參數38則儲存至寫入參數儲存單元50。
寫入參數調整控制器32在一般的寫入策略參數調整作業中會設定多個候選的參數，經由逐一預寫來獲得最佳的數值。而在動態寫入策略參數調整中，會依據實際測量的各種記號組合的平均長度偏差量或平均邊緣偏移量來計算相對應的動態寫入策略參數偏差量，并據以調整出新的動態寫入策略參數。接著，寫入參數調整控制器32送出控制信號41至寫入脈沖產生器42。詳細的調整流程將在后面的實施流程中進一步描述。
記號寫入單元40包含一寫入脈沖產生器(write pulse generator)42與一激光二極管驅動器(laser diode driver)45，為光驅100已知的寫入通道(writechannel)的一部分。寫入脈沖產生器42的輸入為控制信號41與調制的(modulated)信號43，調制的信號43可以為一般編碼數據經由調制所得到的信號或者是特殊樣式(pattern)的信號。寫入脈沖產生器42會根據控制信號41與調制信號43產生相對應的寫入脈沖44，然后再由激光二極管驅動器45產生相對應的驅動信號46驅動光學讀寫頭10作寫入標記的動作。
寫入參數儲存單元50則是用來記錄經過調整學習后，寫入品質指針符合預先設定的標準的寫入參數。寫入參數儲存單元50可以是EEPROM或FLASH-ROM等等。
圖3為依據本發明實施例的使用二階段調整最佳化寫入參數的方法的流程圖。該二階段的遞歸流程分別將靜態與動態的寫入策略參數最佳化。第一階段使用搜尋的方式找出最適合的靜態寫入策略參數，第二階段則根據測量到的修正量來修正動態寫入策略參數。需注意的是，在一個實施例中，使用城堡式激光輸出作為寫入策略，靜態寫入策略參數包括Pw、OD、Sk及Ek，并且表示為Ws，c，n；動態寫入策略參數包括Rik及Fkm，并且表示為Wd，c，n，其中n代表第n次的寫入策略。在另一個實施例中，使用多脈沖式激光輸出作為寫入策略。靜態寫入策略參數包括Pw、m、Sk及Ek，并且表示為Ws，c，n；動態寫入策略參數包括Rik及Fkm，并且表示為Wd，c，n，其中n代表第n次的寫入策略。在圖3中，為了包含上述兩個實施例，采用Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)表示。
如步驟S310，為一個準備程序，準備好初始的靜態寫入策略參數Ws，c，0(Pw，OD/m，Sk，Ek)與動態寫入策略參數Wd，c，0(Rik，Fkm)。在步驟S320，令n＝1并且Wd，c，1(Rik，Fkm)＝Wd，c，0(Rik，Fkm)。將在圖4進一步描述步驟S310的細節。圖4為提供由步驟S310(圖3)所執行的初始靜態及動態寫入策略參數的方法的流程圖。如步驟S411，先偵測所加載的光盤片11(圖2)的光盤片型態與辨識碼(ID)。可從光盤片11中取得光盤片的型態(例如CD、DVD-R、DVD+R DVD-RW、SACD等)以及識別碼。如步驟S421，判斷是否支持所加載的光盤片11，所謂支持是指該光驅100對該光盤片11有內建的寫入策略。若目前的媒體有內建的寫入策略支持，流程進行至步驟S423，若否，至步驟S425。如步驟S423，取出關聯于取得的光盤片型態及識別碼的內建的靜態寫入策略參數Ws(OD/m，Sk，Ek)與動態寫入策略參數Wd(Rik，Fkm)。如步驟S425，取得預定的一般靜態寫入策略參數Wsg(OD/m，Sk，Ek)與動態寫入策略參數Wdg(Rik，Fkm)。關聯于所取得的光盤片型態及識別碼的內建的靜態及動態寫入策略參數，以及預定的一般靜態及動態寫入策略參數可從儲存單元50(圖2)取得。如步驟S431，為取得的靜態及動態寫入策略參數執行一次最佳激光輸出功率校準程序(optimum power calibration，OPC)，OPC程序為熟習此技藝人士所知，用以獲得最佳寫入功率Pw。如步驟S441，將取得的靜態寫入策略參數Ws(OD/m，Sk，Ek)及通過OPC程序所獲得的最佳寫入功率Pw設定為初始的靜態寫入策略參數Ws，c，0(Pw，OD/m，Sk，Ek)。并且將取得的動態寫入策略參數設定為初始的動態寫入策略參數Wd，c，1(Rik，Fkm)。
參考圖3，步驟S330為最佳化靜態寫入策略參數的流程。如步驟S330，根據既有的動態寫入策略參數Wd，c，n(Rik，Fkm)執行靜態寫入策略參數最佳化作業來取得新的靜態寫入策略參數Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)。步驟S330可采用描述于圖5至圖9的實施例的一個。最佳化靜態寫入策略參數的實施例的細節描述于下。調整所有的靜態寫入策略參數可能是不必要的。靜態寫入策略參數最佳化可在Pw、OD/m、Sk及Ek中調整一個或多個靜態寫入策略參數。在步驟S330中至少調整一個靜態寫入策略參數。需注意的是，應用于步驟S330中的動態寫入策略參數是目前為止最新調整過的動態寫入策略參數。
步驟S340進行第一階段的靜態寫入策略參數最佳化的結果驗證。步驟S340判斷經由一段預寫所新取得的靜態寫入策略參數及既有的動態寫入策略參數，其寫入品質是否滿足預定的規格。若是，流程進行至步驟S370來寫入(或刻錄)數據，若否，至步驟S350。步驟S350使用圖10或圖11所示的動態寫入策略參數調整方法通過修正熱干涉效應的影響以獲得一組新的動態寫入策略參數。具體而言，如步驟S350，根據既有的靜態寫入策略參數Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)來執行動態寫入策略參數最佳化作業，以取得新的動態寫入策略參數Wd，c，n+1(Rik，Fkm)。調整所有動態寫入策略參數可能是不必要的。動態寫入策略參數的最佳化可在Rik及Fkm中調整一個或多個動態寫入策略參數。需注意的是，應用在流程S350中的靜態寫入策略參數都是使用目前為止最新更新調整過的靜態寫入策略參數。
步驟S360進行第二階段的動態寫入策略參數最佳化調整的結果驗證。步驟S360判斷經由新獲得的動態寫入策略參數配合既有的靜態寫入策略參數完成的一段預寫，其寫入品質是否滿足預定的規格。若是，流程進行至步驟S370來進行正常數據刻錄。若否，至步驟S380。具體而言，步驟S360中，判斷Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)及Wd，c，n+1(Rik，Fkm)的寫入策略的寫入品質是否被接受。步驟S370中，使用新獲得的靜態及動態寫入策略參數的寫入策略來刻錄資料。步驟S380中，將n加1。步驟S390中，判斷n是否已經超過可以進行的調整次數上限nMAX。若是，流程進行至步驟S395，儲存相應于目前較好的寫入品質所獲得的較好的靜態及動態寫入策略參數，并且回報給主控端(HOST)，由主控端決定是否繼續進行刻錄或顯示相應的信息。若否，流程進行至步驟S330，來開始下一個靜態及動態寫入參數最佳化作業。
步驟S340及步驟S360可以選擇最近一次的預寫區域進行結果驗證，而不需要另外啟動新的預寫。另外根據實務經驗，通常只需進行單一一次的二階段寫入策略參數調整即可獲得相當好的寫入品質。也就是說，在本發明的實施例中，可以將步驟S390的調整次數上限nMAX限制設定為一。
圖5至圖9為實施例的調整靜態寫入策略參數的方法的流程圖，在步驟S330執行(如圖3所示)。實施例都使用一維搜尋的方式以獲得最佳的靜態寫入策略參數值。這幾個實施例的主要差別在于所選定需要調整的靜態寫入策略的總數。而在每一次的一維搜尋時，除了要最佳化的靜態寫入策略參數以外，其余的靜態寫入策略參數是固定的。
圖5是描述本發明實施例的調整激光功率Pw的方法的示意圖。如步驟S511，先將其余的靜態寫入策略參數(OD/m、Sk、Ek)設定為固定。如步驟S521，由Pw來產生一系列的預寫激光功率值P1、P2至Pk。例如，Pi為Pw以一個特定值來增加或減少，其中i的范圍為1及k之間。如步驟S531，以先前產生的寫入激光功率值P1、P2至Pk配合固定的其余靜態寫入策略參數(OD/m、Sk、Ek)來進行一系列的預寫。如步驟S541，從先前的預寫來重讀射頻信號以測量重讀信號的寫入品質。如步驟S551，根據所測量的寫入品質指針，從先前產生的寫入激光功率值P1、P2至Pk來決定出候選的最佳激光功率值Pw，c。如步驟S561，獲得目前的候選的靜態寫入策略參數Ws(Pw，c，OD/m，Sk，Ek)。如步驟S55，可將相應于最佳寫入品質指針的一個產生的寫入激光功率值作為最佳候選的寫入激光功率值，或者由相應于寫入品質指針可接受的區間中的一個產生的寫入激光功率值來作為最佳候選的寫入激光功率值。如步驟S531及S541，可在執行完所有預寫后，再測量其寫入品質指針；或者在執行一部分的預寫后，就測量寫入品質指針。而寫入品質的指針可以是寫入品質偵測單元31(圖3)所輸出的射頻信號的對稱性33s、數據錯誤率34s、抖動量35s、各種標記組合的平均長度偏差量36s與各種標記組合的平均邊緣偏移量37s。
圖6是描述本發明實施例的調整Pw及OD/m的方法的示意圖。此實施例為靜態的寫入策略調整的第二個實施例。第二個實施例的調整順序依序為Pw(S611至S623)及OD/m(S651及S655)。Pw及OD/m的調整細節可參考圖5的描述。需注意的是，先調整OD/m后再進行Pw的調整也是可行的實施方法。
圖7a及圖7b是描述本發明實施例的調整Pw、OD/m及Sk的方法。Pw及OD/m的調整細節可參考圖6的描述。Sk的調整細節可參考下文圖9的描述。熟悉此技藝的人士都了解可將Sk置換為Ek。本發明另外提供依序調整Pw、OD/m及Ek的實施例。
圖8a、圖8b及圖8c是描述實施例的調整Pw、OD/m、Sk及Ek的方法的示意圖。Pw、OD/m、Sk及Ek的調整細節可參考如之前圖5、圖6、圖7a及圖7b所示的三個實施例。Sk及Ek的調整細節可參考下文的圖9。
圖9是描述實施例的調整Sk/Ek的方法的示意圖，可以在不同實施例(如圖5、圖6、圖7a、圖7b、圖8a、圖8b或圖8c所示)所描述的流程的相關步驟執行。如步驟S921，判斷所有要求的nT寬度是否完全最佳化，其中nT為3T至11T中的一個。若是，流程進行至步驟S943，若否，至步驟S931。如步驟S931，選擇一個nT寬度來最佳化。如步驟S933，執行從SnT/EnT所取得的nT、SnT，1/EnT，1、SnT，2/EnT，2至SnT，k/EnT，k的各種起始/結束寬度的一系列預寫。如步驟S935，讀取重讀信號來判斷從SnT，1/EnT，1、SnT，2/EnT，2至SnT，k/EnT，k的最佳起始/結束寬度候選值SnT，c/EnT，c。如步驟S941，判斷寫入品質是否被接受。若是，流程進行至步驟S943，若否，至步驟S921。如步驟S943，取得目前的候選的起始/結束寬度參數值SnT，c/EnT，c。
圖10是描述本發明實施例的調整動態寫入策略參數的方法的示意圖。如步驟S1011，根據從先前預寫區域所讀取的重讀射頻信號，得到與一般的(平面，凹洞)(land，pit)及(凹洞，平面)(pit，land)組合中的理想值間的差異的平均長度偏差量。如步驟S1021，判斷所測量的平均長度偏差量是否低于一預定的規格。若是(也即所測量的平均長度偏差量是被接受的)，流程進行至步驟S1051，若否，至步驟S1023。如步驟S1051，輸出調整后的動態寫入策略參數Dn+1(Rik、Fkm)。如步驟S1023，根據所測量的相應的組合Sn(Rik、Fkm)的平均長度偏差量來計算出動態寫入策略修正量dn(Rik、Fkm)。例如，可經由下列方程式來決定出各種(Rik、Fkm)組合的偏差量d(Rik、Fkm)＝K(Rik、Fkm)*S(Rik、Fkm)其中，d(Rik、Fkm)代表(Rik、Fkm)的特定組合的修正量，K(Rik、Fkm)代表(Rik、Fkm)的特定組合的理想凹洞長度及相應于預寫的重讀信號的實際長度之間的差異的一個平均，以及S(Rik、Fkm)代表(Rik、Fkm)的特定組合的比例常數。需注意的是，在每一次的調整后決定出d(Rik、Fkm)的各種組合的調整量，其中i、k及m分別代表3至11的一個，在較佳的情況下為3至6。如步驟S1031，判斷預寫次數是否低于一個預定的測試上限。若否，流程進行至步驟S1051，若是，至步驟S1041。一般而言，預定的測試限制為一，也就是說，動態寫入策略參數通常在一次之后，就可調整到可接受的水平。如步驟S1041，以動態寫入策略參數Dn+1(Rik、Fkm)＝Dn(Rik、Fkm)+dn(Rik、Fkm)進行下一次的試寫。
圖11是描述本發明另一個實施例的調整動態寫入策略參數的示意圖。與圖10所描述的實施例的差異如下所述。如步驟S1111，根據從先前預寫區域所讀取的重讀射頻信號來取得與一般的(平面，凹洞)(land，pit)及(凹洞，平面)(pit，land)組合的理想邊緣距離間的差異的平均邊緣偏移量(不同于如圖10的步驟S1011所示的平均長度偏差量)。如步驟S1121，判斷所測量的平均邊緣偏移量(不同于如圖10的步驟S1021所示的平均長度偏差量)是否低于預定的規格。如步驟S1123，根據相應的組合Sn(Rik、Fkm)的測量的平均邊緣偏移量(不同于如圖10的步驟S1023所示的平均長度偏差量)來計算動態寫入策略修正量dn(Rik、Fkm)。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求所界定的范圍為準。
權利要求
1.一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的方法，用以記錄多個圖案于一光盤上，其特征在于包括執行一第一類的寫入策略參數最佳化作業，用于調整一寫入策略中至少一第一類寫入策略參數；以及在執行上述第一類寫入策略參數最佳化作業后執行一第二類的寫入策略參數最佳化作業，用于調整上述寫入策略的至少一第二類寫入策略參數；其中上述第一類及第二類寫入策略參數中的一個相應于每一單一圖案，并且寫入策略參數中的另一個相應于每一圖案組合。
2.如權利要求1所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，當通過上述第一類的寫入策略參數最佳化作業所調整的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，執行上述第二類的寫入策略參數最佳化作業。
3.如權利要求1所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，重復執行上述第二類的寫入策略參數最佳化作業，直到當通過上述第一及先前的第二類的寫入策略參數最佳化作業所調整的上述寫入策略的一寫入品質結果被接受時，或代表上述第二類寫入策略參數最佳化作業的調整次數的一數目高于一預先設定值時為止。
4.如權利要求1所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述寫入策略是一城堡式激光輸出，上述第一類的寫入策略參數為一激光功率大小、代表增幅功率比例的一過驅動值、一nT標記的一前緣的一增幅寬度、或一nT標記的一后緣的一增幅寬度、以及相應于一平面-凹洞及凹洞-平面組合的上述第二類的寫入策略參數是指出在前一個理論平面之后的一段距離的一位置，或在后一個理論平面之前的一段距離的一位置。
5.如權利要求1所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述寫入策略是一多脈沖激光輸出，上述第一類的寫入策略參數指出一激光功率大小，指出一個中間脈沖寬度相對頻率基頻的一比例，一nT標記的一前緣的一增幅寬度、或一nT標記的一后緣的一增幅寬度、以及相應于一平面-凹洞及凹洞-平面組合的上述第二類的寫入策略參數是指出在前一個理論平面之后的一段距離的一位置，或在后一個理論平面之前的一段距離的一位置。
6.如權利要求1所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述寫入策略指出一城堡式激光輸出或一多脈沖激光輸出，上述第一類的寫入策略參數為一靜態寫入策略參數，上述靜態寫入策略參數指出一激光功率大小Pw、代表增幅功率比例的一過驅動值OD、一kT標記的一前緣的一增幅寬度Sk、或一kT標記的一后緣的一增幅寬度Ek、或指出一個中間脈沖寬度相對頻率基頻的一比例m，以及上述第一類的寫入策略參數最佳化作業進一步包括從Pw、OD、Sk、Ek及m中決定出欲調整的一第一靜態寫入策略參數；根據上述第一靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第一靜態寫入策略參數的一系列第一數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第一靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第一數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割的信號的重讀結果來決定上述第一寫入策略參數的最佳設定。
7.如權利要求6所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述第一類的寫入策略參數最佳化作業更包括當包括上述調整后的第一靜態寫入策略參數的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，從上述未調整的靜態寫入策略參數中決定出欲調整的一第二靜態寫入策略參數；根據上述第二靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第二靜態寫入策略參數的一系列第二數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第二靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第二數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割的信號的重讀結果來決定上述第二寫入策略參數的最佳設定。
8.如權利要求7所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述第一類的寫入策略參數最佳化作業更包括當包括上述調整后的第一及第二靜態寫入策略參數的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，從上述未調整的靜態寫入策略參數中決定出欲調整的一第三靜態寫入策略參數；根據上述第三靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第三靜態寫入策略參數的一系列第三數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第三靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第三數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割的信號的重讀結果來決定上述第三寫入策略參數的最佳設定。
9.如權利要求8所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述第一類的寫入策略參數最佳化作業還包括當包括上述調整后的第一、第二及第三靜態寫入策略參數的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，從上述未調整的靜態寫入策略參數中決定出欲調整的一第四靜態寫入策略參數；第四靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第四靜態寫入策略參數的一系列第四數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第四靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第四數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割的信號的重讀結果來決定上述第四寫入策略參數的最佳設定。
10.如權利要求1所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數方法，其特征在于，其中上述寫入策略指出一城堡式激光輸出或一多脈沖激光輸出，上述第二類的寫入策略參數為相應于復數平面-凹洞及凹洞-平面組合的動態寫入策略參數，其是指出在前一個理論平面之后的一段距離的一位置，或在后一個理論平面之前的一段距離的一位置，并且上述第二類的寫入策略參數最佳化作業還包括以最新更新的靜態寫入策略參數及上述動態寫入策略參數的目前設定來執行上述寫入策略的一系列寫入；從上述先前的樣本記錄讀取上述重讀的切割的信號；根據樣本記錄的上述重讀的信號來產生代表上述理論凹洞/平面及實際記錄的凹洞/平面之間的差異的一測量值；以及根據上述產生的測量值來產生上述動態寫入策略參數的復數新設定值。
11.一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統，其特征在于包括一寫入參數調整控制器，執行一第一類的寫入策略參數最佳化作業以調整一寫入策略的至少一第一類寫入策略參數，以及在執行上述第一類的寫入策略參數最佳化作業后，執行一第二類的寫入策略參數最佳化作業來調整上述寫入策略的至少一第二類的寫入策略參數，其中上述第一類及第二類寫入策略參數中的一個相應于每一單一圖案，并且寫入策略參數中的另一個相應于每一圖案組合。
12.如權利要求11所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，當通過上述第一類的寫入策略參數最佳化作業所調整的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，上述寫入參數調整控制器執行上述第二類的寫入策略參數最佳化作業。
13.如權利要求12所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述結果指出通過系統中的一對稱性偵測器所偵測到的射頻信號的對稱性，通過系統中的一錯誤率偵測器所偵測到的切割信號的錯誤率，或通過系統中的一抖動量偵測器所偵測到的切割信號的抖動量。
14.如權利要求11所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述寫入參數調整控制器重復執行上述第二類的寫入策略參數最佳化作業，直到當通過上述第一及先前的第二類的寫入策略參數最佳化作業所調整的上述寫入策略的一寫入品質結果被接受時，或代表上述第二類寫入策略參數最佳化作業的調整次數的一數目高于一預先設定值時為止。
15.如權利要求14所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述結果指出通過其系統中的一EFM長度偏差量偵測器所偵測到的凹洞/平面長度偏差量，或通過系統中的一EFM邊緣偏移量偵測器所偵測到的凹洞/平面邊緣偏移量。
16.如權利要求11所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述寫入策略是一城堡式激光輸出，上述第一類的寫入策略參數為一激光功率大小、代表增幅功率比例的一過驅動值、一nT標記的一前緣的一增幅寬度、或一nT標記的一后緣的一增幅寬度、以及相應于一平面-凹洞及凹洞-平面組合的上述動態寫入策略參數是指出在前一個理論平面之后的一段距離的一位置，或在后一個理論平面之前的一段距離的一位置。
17.如權利要求11所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述寫入策略是一多脈沖激光輸出，上述第一類的寫入策略參數為一激光功率大小，一個中間脈沖寬度相對頻率基頻的一比例，一nT標記的一前緣的一增幅寬度、或一nT標記的一后緣的一增幅寬度、以及相應于一平面-凹洞及凹洞-平面組合的上述動態寫入策略參數是指出在前一個理論平面之后的一段距離的一位置，或在后一個理論平面之前的一段距離的一位置。
18.如權利要求11所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述寫入策略指出一城堡式激光輸出或一多脈沖激光輸出，上述第一類的寫入策略參數為靜態寫入策略參數，上述靜態寫入策略參數為一激光功率大小Pw、代表增幅功率比例的一過驅動值OD、一kT標記的一前緣的一增幅寬度Sk、或一kT標記的一后緣的一增幅寬度Ek、或指出一個中間脈沖寬度相對頻率基頻的一比例m，以及上述第一類的寫入策略參數最佳化作業還包括從Pw、OD、Sk、Ek及m中決定出欲調整的一第一靜態寫入策略參數；根據上述第一靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第一靜態寫入策略參數的一系列第一數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第一靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第一數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，根據射頻或切割信號的重讀結果來決定上述第一寫入策略參數的最佳設定。
19.如權利要求18所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述第一類的寫入策略參數最佳化作業還包括當包括上述調整后的第一靜態寫入策略參數的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，從上述未調整的靜態寫入策略參數中決定出欲調整的一第二靜態寫入策略參數；根據上述第二靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第二靜態寫入策略參數的一系列第二數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第二靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第二數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割信號的重讀結果來決定上述第二寫入策略參數的最佳設定。
20.如權利要求19所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述第一類的寫入策略參數最佳化作業還包括當包括上述調整后的第一及第二靜態寫入策略參數的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，從上述未調整的靜態寫入策略參數中決定出欲調整的一第三靜態寫入策略參數；根據上述第三靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第三靜態寫入策略參數的一系列第三數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第三靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第三數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割信號的重讀結果來決定上述第三寫入策略參數的最佳設定。
21.如權利要求20所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述第一類的寫入策略參數最佳化作業還包括當包括上述調整后的第一、第二及第三靜態寫入策略參數的上述寫入策略的一寫入品質結果不被接受時，從上述未調整的靜態寫入策略參數中決定出欲調整的一第四靜態寫入策略參數；根據上述第四靜態寫入策略參數的目前設定來產生上述第四靜態寫入策略參數的一系列第四數值；執行上述寫入策略的一系列寫入，其中僅改變上述第四靜態寫入策略參數會根據上述先前產生的一系列第四數值，而并不改變其余的寫入策略參數；以及通過讀取上述先前樣本記錄，以根據射頻或切割信號的重讀結果來決定上述第四寫入策略參數的最佳設定。
22.如權利要求11所述的使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數系統，其特征在于，其中上述寫入策略指出一城堡式激光輸出或一多脈沖激光輸出，上述第二類的寫入策略參數為相應于復數平面-凹洞及凹洞-平面組合的動態寫入策略參數，其是在前一個理論平面之后的一段距離的一位置，或在后一個理論平面之前的一段距離的一位置，并且上述第二類的寫入策略參數最佳化作業還包括以最新更新的靜態寫入策略參數及上述動態寫入策略參數的目前設定來執行上述寫入策略的一系列寫入；從上述先前的樣本記錄讀取上述重讀的切割信號；根據樣本記錄的上述重讀的信號來產生代表上述理論凹洞/平面及實際記錄的凹洞/平面之間的差異的一測量值；以及根據上述產生的測量值來產生上述動態寫入策略參數的復數新設定值。
全文摘要
一種使用兩階段調整的最佳化寫入策略參數的系統及方法。所述方法包括執行第一類的寫入策略參數最佳化作業，來調整寫入策略的至少一個靜態寫入策略參數。在執行第一類寫入策略參數最佳化作業后執行第二類的寫入策略參數最佳化作業，來調整寫入策略的至少一個動態寫入策略參數。靜態寫入策略參數相應于光盤上的一個凹洞(pit)的單一長度并且動態寫入策略參數用以克服當產生凹洞時的熱干涉效應。
文檔編號G11B7/0045GK1925021SQ200610121969
公開日2007年3月7日 申請日期2006年8月30日 優先權日2005年8月31日
發明者朱志雄, 游志青 申請人:聯發科技股份有限公司