光記錄媒體的制作方法

專利名稱：光記錄媒體的制作方法
技術領域：
本發明涉及可在相變型光記錄媒體等的光記錄媒體中進行高密度記錄的記錄方法，以及可使用該記錄方法的相變型光記錄媒體。
背景技術：
近年來，可高密度記錄且可擦除記錄信息進行改寫的光記錄媒體引人注目。可改寫型的光記錄媒體中有相變型光記錄媒體，其中通過照射激光改變記錄層的晶體狀態而進行記錄，并通過檢測伴隨這種狀態變化而產生的記錄層的反射率變化進行重放。由于相變型光記錄媒體的驅動裝置的光學系統比磁光記錄媒體的簡單，所以相變型光記錄媒體引人注目。
由于其晶體狀態和非晶體狀態的反射率的差大且非晶體狀態的穩定性比較高，相變型的記錄層，多采用Ge-Sb-Te系等的硫族材料。
在相變型光記錄媒體中記錄信息時，照射使記錄層升溫到熔點以上的高功率(記錄功率)的激光。在施加記錄功率的部分，記錄層熔化后急冷，形成非晶態的記錄標記。而在擦除記錄標記時，對記錄層照射較低功率(擦除功率)的激光，使記錄層升溫到結晶溫度以上但低于熔點的溫度。被施加擦除功率的記錄標記，被加熱到結晶溫度以上，然后緩冷，又成為晶態。因此，通過只改變激光的強度，相變型光記錄媒體就可以進行重寫。
為了實現記錄的高密度化和高傳輸速度化，需要進一步使記錄重放波長縮短，提高記錄重放光學系統的物鏡數值孔徑，并提高媒體的線速度。記錄用激光束的記錄層表面上的光斑直徑在激光波長為λ，數值孔徑為NA時可表示為λ/NA，其除以媒體線速度V得到的值(λ/NA)/V就是激光束對記錄層的照射時間(光斑通過需要的時間)。伴隨著高密度化和高傳輸速度化，對記錄層的照射時間愈發地變短了。因此，更難以使重寫條件最優化。
現在，說明提高線速度進行重寫時的問題。
線速度增加時，記錄光的照射時間變短。因此一般地，通過隨著線速度增加提高記錄功率，就可以防止記錄層到達的溫度過低。但是，如果增加線速度，記錄光照射后的冷卻速度也增加。為了形成非晶態記錄標記，就必須以與其結晶化速度相應的一定值以上的速度將因照射記錄光而熔融的記錄層冷卻。在記錄層的構成和媒體的熱設計相同的情況下，記錄層的冷卻速度取決于線速度，線速度高則冷卻速度快，線速度低則冷卻速度慢。
另外，為了擦除非晶態記錄標記(再結晶化)，必須以使記錄層在高于結晶化溫度且低于熔點的溫度下保持長于一定時間的方式，照射擦除光。即使相應于高線速化而提高擦除功率以防止記錄層到達的溫度降低，由于伴隨著高線速化照射時間變短，使擦除記錄標記變得困難。
因此，為了提高線速度并提高傳輸速度，必須是可以較短的時間再結晶化、記錄層的成分使結晶化速度比較快(日本專利特開平1-78444號公報、和平10-326436號公報)、記錄層難以散熱的媒體結構(緩冷結構)。另外，如日本專利特開平7-262613號公報和平8-63784號公報中記載的，為了防止因線速度增加而導致記錄態度下降，最好媒體也具有緩冷結構。
本發明人以高傳輸速度進行了重寫實驗。該實驗采用的相變型光記錄媒體，可以高線速度擦除，記錄層的成分可使結晶化速度加快，且具有緩冷結構。但是，如果為了提高傳輸速度使檢測窗口寬度Tw逐漸縮小，在與檢測窗口寬度Tw的縮小對應地縮小的最短記錄標記相對應的信號長度為一定值以下時，難以減小重放信號的跳動(jitter，即不穩定)。

發明內容
本發明的目的就在于提供可以提高傳輸速度，且可以減少小再生信號的跳動的光記錄方法和使用該方法的光記錄媒體。
通過下述(1)～(13)的發明可以實現上述目的。
(1).一種光記錄方法，是在具有記錄層的光記錄媒體上進行記錄的方法，其中在記錄時，若記錄用的激光的波長為λ，照射光學系統的物鏡的數值孔徑為NA，則λ/NA≤680nm；若檢測窗口寬度為Tw，與最短記錄標記對應的信號長度為n·Tw，則n·Tw≤22ns。
(2).如上述(1)所述的光記錄方法，其中在記錄時，若形成最短記錄標記時用的激光的發光時間為Tmin，則0.113≤Tmin/(n·Tw)≤1.0。
(3).如上述(1)或(2)所述的光記錄方法，其中上述記錄層是相變型記錄層。
(4).如上述(1)～(3)中任一項所述的光記錄方法，其中若記錄時的線速度為V，則(λ/NA)/V≤60ns。
(5).如上述(1)～(4)中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體從記錄用激光入射側依次具有上述記錄層、介電層和反射層，若上述反射層的熱傳導率為KR，位于上述記錄層和上述反射層之間的上述介電層的熱傳導率為K2D，則KR≥100W/mK，K2D≥1W/mK。
(6).如上述(1)～(5)中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體從記錄用激光入射側依次具有透光性基體、介電層和上述記錄層，位于上述透光性基體和上述記錄層之間的上述介電層含有至少兩層單位介電層，且熱傳導率不同的兩種單位介電層相鄰接，若熱傳導率不同的上述兩種單位介電層中離記錄層較近的單位介電層的熱傳導率為KC、離記錄層較遠的單位介電層的熱傳導率為KD，則KC＜KD。
(7).如上述(1)～(6)中任一項所述的光記錄方法，其中若稀土元素用R表示，除稀土元素、Te和Sb之外的元素用M表示，上述光記錄媒體的記錄層的構成元素的原子比用式I(RaTebSbc)1-xMx表示，a+b+c＝1，則a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
(8).一種光記錄媒體，是具有相變型記錄層的光記錄媒體，其中若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一種元素用M表示，上述光記錄媒體的記錄層的構成元素的原子比用式I(RaTebSbc)1-xMx表示，a+b+c＝1，則a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
(9).如上述(8)所述的光記錄媒體，其中從記錄用激光入射側依次具有上述記錄層、介電層和反射層，若上述反射層的熱傳導率為KR，位于上述記錄層和上述反射層之間的上述介電層的熱傳導率為K2D，則KR≥100W/mK，K2D≥1W/mK。
(10).如上述(8)或(9)所述的光記錄媒體，其中上述光記錄媒體從記錄用激光入射側依次具有透光性基體、介電層和上述記錄層，位于上述透光性基體和上述記錄層之間的上述介電層含有至少兩層單位介電層，且熱傳導率不同的兩種單位介電層相鄰接，若熱傳導率不同的上述兩種單位介電層中離記錄層較近的單位介電層的熱傳導率為KC、離記錄層較遠的單位介電層的熱傳導率為KD，則KC＜KD。
(11).一種光記錄媒體，是具有相變型記錄層的光記錄媒體，其中從記錄用激光入射側依次具有上述記錄層、介電層和反射層，若上述反射層的熱傳導率為KR，位于上述記錄層和上述反射層之間的上述介電層的熱傳導率為K2D，則KR≥100W/mK，K2D≥1W/mK。
(12).如上述(11)所述的光記錄媒體，其中從記錄用激光入射側，在上述記錄層手前側具有介電層，位于上述記錄層手前側的上述介電層含有至少兩層單位介電層，且熱傳導率不同的兩種單位介電層相鄰接，若熱傳導率不同的上述兩種單位介電層中離記錄層較近的單位介電層的熱傳導率為KC、離記錄層較遠的單位介電層的熱傳導率為KD，則KC＜KD。
(13).一種光記錄媒體，其中從記錄用激光入射側依次具有透光性基體、介電層和相變型記錄層，位于上述透光性基體和上述記錄層之間的上述介電層含有至少兩層單位介電層，且熱傳導率不同的兩種單位介電層相鄰接，若熱傳導率不同的上述兩種單位介電層中離記錄層較近的單位介電層的熱傳導率為KC、離記錄層較遠的單位介電層的熱傳導率為KD，則KC＜KD。
在以高傳輸速度進行重寫實驗時，使與最短記錄標記相對應的信號長度(下僅稱最短信號長度)n·Tw為一定值以下時，由于自擦除(self-erase)使最短記錄標記顯著變形，結果，本發明人看到重放信號的跳動增大。下面說明自擦除。
以前，相變型光記錄媒體的特性好壞，根據在所用的線速度下能否得到充分的C/N，且在擦除時能否得到充分的擦除率來判斷。但如果擦除率太高，反而特性變差。擦除率高就意味著在所用線速度下記錄層的結晶化速度很快。在結晶化速度快的記錄層中，在形成例如記錄標記后端部時，由于向記錄層面內方向的熱擴散，記錄標記的一部分尤其是前端部附近處于緩冷狀態，發生再結晶。即，記錄標記的一部分被擦除。這種現象在本說明書中叫作自擦除。在擦除率不高的媒體中，由于因這種自擦除導致C/N降低和跳動增大，必須對擦除率最優化。例如在日本專利特開平9-7176號公報中記載了這樣的最優化方法，即，為了防止采用高線速的媒體在低線速度下使用時生成的自擦除，對記錄信號脈沖進行分割，且使脈沖分割圖形與線速度相對應。通常把記錄信號脈沖的分割圖形叫作記錄脈沖處理策略(stratage)。
在以高傳輸速度進行重寫的上述實驗中，以跳動為最小的方式設置記錄脈沖處理策略。但是，如果最短信號長度n·Tw變短，由于激光發光元件的響應性，即上升和下降特性受限制，形成最短記錄標記時不可能形成記錄信號脈沖的分割。因此，若n·Tw變短，不可能把跳動收攏到允許范圍以內。
本發明人進一步重復了實驗，發現在形成最短記錄標記時使用的記錄信號脈沖不能分割的情況，即只能得到單脈沖的情況值減下，為了減少自擦除，最好使記錄信號脈沖寬度與最短信號長度n·Tw的比小。但是，由于在記錄信號脈沖為單脈沖時最短信號長度n·Tw短的情況下，為了減此時的記錄信號脈沖寬度和最短信號長度n·Tw的比，必須大大減小記錄信號脈沖寬度。另外，記錄信號脈沖寬度即激光發光元件的發光時間(下稱Tmin)由于受激光發光元件的上升和下降特性的制約，不可能過分減短。因此，希望得到即使發光時間Tmin比較長，即記錄信號脈沖寬度與最短信號長度n·Tw的比比較大，也能減小跳動的媒體。
基于這些實驗和分析，并繼續重復了實驗，本發明人發現在最短信號長度n·Tw為一定值以下，且用于形成最短信號的記錄信號脈沖為單脈沖的情況下，若采用急冷結構的媒體，即使發光時間Tmin對最短信號長度n·Tw的比值Tmin/(n·Tw)比較大，也可以減小跳動。
現在，為了可以用高線速擦除，且為了補償高線速化引起的感度降低，通常采用上述日本專利特開平7-262613號公報和特開平8-63784號公報中記載的緩冷結構。但是，如果在最短信號長度n·Tw為22ns以下的高傳輸速度記錄時采用緩冷結構的媒體，則與本發明不同，不能減小跳動。但是，若采用本發明的急冷結構的媒體且以高線速進行重寫，感度的降低加大，且記錄標記的擦除變得困難。
為此，在本發明中，針對以高線速重寫時的擦除困難，進行記錄層的成分的控制。且通過在記錄光波長為λ，記錄光學系統的物鏡的數值孔徑為NA時，使λ/NA≤680mm，即通過減小重寫時采用的激光束的光斑大小，提高光斑內的能量密度，由此補償感度的降低。結果，本發明不會導致記錄感度的降低和擦除率的降低，實現跳動的減小。
另外，在上述日本專利特開平7-262613號公報和特開平8-63784號公報的實施例中，物鏡的孔徑為0.5，激光波長為780mm。在這樣的λ/NA值大的情況下媒體若采用急冷結構，則會如上述各公報所示，記錄感度降低，記錄困難。
本發明中為了使媒體成為急冷結構，控制反射層或介電層的熱傳導率。介電層采用包含熱傳導率不同的多個單位介電層的疊層結構。
本發明中，如果最短信號長度n·Tw在預定值以下，可以與線速度無關地，總是有效。但是，如果線速度增加，為了擦除記錄標記，就必須增加記錄層的結晶化速度，結果，由于自擦除的影響增加，所以本發明對于用高線速度進行記錄的情況特別有效。
這樣地，本發明對于對記錄層的激光照射時間短，由此記錄層的結晶化速度必須加快的情況是有效的。具體而言，對于作為激光照射時間指標的光斑通過時間(λ/NA)/V≤60ns時的情況特別有效。
雖然本發明對于相變型光記錄媒體特別有效，但也可以在進行熱模式記錄的其它光記錄媒體如磁光記錄媒體中適用。即使在磁光記錄媒體中，雖然為了控制向記錄層面內方向的熱傳導利用記錄脈沖處理策略，如果傳輸速度增加最短記錄標記中不能進行脈沖分割，跳動會增加。與此相反，通過采用本發明則可以減小跳動。


圖1是本發明的光記錄媒體的構成例的部分剖面圖。
圖2是本發明的光記錄媒體的構成例的部分剖面圖。
圖3是本發明的光記錄媒體的構成例的部分剖面圖。
圖4示出n·Tw和傳輸速度和跳動的關系；圖5是Tmin/(n·Tw)和跳動的關系。
具體實施例方式
光記錄方法在本發明的光記錄方法中，若記錄用的激光的波長為λ，照射光學系統的物鏡的數值孔徑為NA，則λ/NA≤680nm，優選地，λ/NA≤630nm。
若λ/NA太大，由于必須增大記錄道的并列間距，難以提高記錄密度。另外，若λ/NA太大，由于激光的光斑內的能量密度不是很高，為了用較低的功率進行重寫就必須采用緩冷結構，從而本發明就不能適用。但是，由于可利用的激光波長和數值孔徑受到制約，太短的波長和太大的數值也徑都是難以得到的，所以通常地，250nm≤λ/NA，優選地，350nm≤λ/NA。
在本發明中，若檢測窗口寬度為Tw，與最短記錄標記對應的信號長度為n·Tw，則n·Tw≤22ns，優選地，n·Tw≤18ns。
由于最短信號長度n·Tw超出上述范圍時，就沒有必要適用本發明了，所以n·Tw在上述范圍內。另外，激光發光元件的應答性，即上升和下降是有限制的，若n·Tw太短，在形成最短記錄標記時激光發光元件不能正常發光，所以，優選地，
2ns≤n·Tw，更優選地，4ns≤n·Tw。
最短信號長度n·Tw，例如在1-7調制后與2T信號對應，此時n＝2。而8-16調制后與37信號對應，此時n＝3。
另外，所謂的數據傳輸速度與n·Tw有關，也與格式化效率有關，即使n·Tw相同若格式化效率低數據傳輸速度也會降低。因此，通過n·Tw可以比較直接地表現出寫入速度來。對于現有的光記錄盤中的記錄容量為4.7GB/面的DVD-RAM4.7，線速度8.2m/s，傳輸速度22Mbps，n·Tw51.41ns。
而同樣的記錄容量為4.7GB/面的DVD-RW，線速度3.5m/s，傳輸速度11Mbps，n·Tw78.48ns。
可見，本發明中的n·Tw≤22ns比現有的光記錄盤中的n·Tw短多了。
形成最短記錄標記時用的激光的發光時間為Tmin時，在本發明中優選地以0.113≤Tmin/(n·Tw)≤1.0，更優選地以0.145≤Tmin/(n·Tw)≤0.5進行記錄。n·Tw短的情況下若Tmin/(n·Tw)太小，由于激光發光元件的響應性的限制，記錄用激光的發光不能正常進行。另一方面，若Tmin/(n·Tw)太大，由于最短記錄標記比預定值長，跳動增大。
在對記錄層的激光照射時間短，由此記錄層的結晶化速度必須加快的情況下，本發明特別有效。因此本發明中，優選地，(λ/NA)/V≤60ns，更優選地，(λ/NA)V≤50ns。
V是記錄時的線速度，(λ/NA)/V是光斑通過時間。它的值作為向記錄層照射激光的時間的指標。另外，若(λ/NA)/V過小，即使采用本發明，也難以減小跳動，所以，優選地，13ns≤(λ/NA)/V，更優選地，15ns≤(λ/NA)/V，最優選地，19ns≤(λ/NA)/V。
對記錄的線速度V自身設有特別限制。但是，若線速度太快，即使不減小λ/NA也能實現高傳輸速度。而且，由于在以高線速度記錄時自擦除的影響大，本發明特別有效。因此，在本發明中，最好記錄時的線速度快，具體地，優選地，V≥8.0m/s，更優選地，V≥9.6m/s，但是，若線速度太快，會產生媒體驅動裝置成本升高，驅動時媒體的穩定性受影響等問題，因此，優選地，35m/s≥V，更優選地，30m/s≥V。
光記錄媒體下面，說明可以適用本發明的光記錄方法的本發明的光記錄媒體。
本發明的光記錄媒體，是利用上述的本發明的光記錄方法記錄時，重放信號的跳動小，優選地跳動為13％以下，更優選為10％以下的相變型媒體。如上所述，利用本發明的光記錄方法的媒體，具有結晶化速度比較快的記錄層，且具有急冷結構。且該急冷結構不僅在記錄時在重放時也有效。本發明中由于采用光斑直徑小的激光，提高了光斑內的能量密度。雖然若該能量密度高，則重放時記錄標記容易被擦除，但在本發明中由于是急冷結構，可以防止重放時擦除記錄標記。
本發明中，若將上述的光記錄方法組合使用，可將跳動充分減小。因此，以根據跳動收攏到允許范圍內來適當決定記錄層成分和媒體結構為宜，優選地，從下面說明的范圍中選擇。
圖1所示的結構圖1所示是本發明的光記錄媒體的結構成例。該光記錄媒體是在支撐基體20上依次層疊由金屬或半金屬構成的反射層5、第二介電層32、相變型記錄層4、第一介電層31和透光性基體2而形成的。記錄光和重放光穿過透光性基體2入射。在支撐基體20和反射層5之間設置由介電材料構成的中間層也是可以的。
支撐基體20支撐基體20是為了維持媒體的剛性而設置的。支撐基體的厚度通常為0.2～1.2mm，優選為0.4～1.2mm，可以是透明的，也可以是不透明的。支撐基體20雖然最好是用與通常的光記錄媒體相同的樹脂構成，但用玻璃構成也是可以的。光記錄媒體中通常設置的槽(凹槽)21，如圖所示，通過在其上形成的各層上復制，可以形成在支撐基體20上設置的溝。槽21是從記錄重放光入射側看，相對而言在手前側的區域，相鄰接的槽之間的區域是突起22。
反射層5在本發明中對反射層的構成材料沒有特別限制，雖然通常可由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等金屬或半金屬的單體或含有一種以上上述元素的合金構成，但由于本發明中的媒體必須是急冷結構，最好用熱傳導率高的材料構成反射層。作為熱傳導率高的材料，優選為Ag或Al。但是，由于Ag或Al的單體不具有足夠的耐蝕性，為了提高耐蝕性最好添加元素。另外，在圖1所示結構的媒體中，由于反射層形成時的結晶生長，在激光入射側反射層的表面粗糙度容易增加。若該表面粗糙度增加，重放噪聲也會增加。因此，為了減小反射層的晶粒大小，而且并不僅僅是Ag或Al單體需要減小反射層的晶粒大小，或為了反射層成為非晶態層，最好添加添加元素。
但是，由于若添加其它元素會降低熱傳導率，此時最好以熱傳導率比較高的Ag作為主成分元素。作為在Ag中添加的副成分元素，優選為從例如Mg、Pd、Ce、Cu、Ge、La、S、Sb、Si、Te和Zr中選出的至少一種。這些副成分元素至少采用一種，優選為兩種以上。反射層中副成分元素的含量，對各金屬優選為0.05～2.0at％(原子％)，更優選為0.2～1.0at％，對于副成分總和優選為0.2～5at％，更優選為0.5～3at％。如果副成分元素的含量太少，則得不到充分的效果。另一方面，如果副成分元素太多，則熱傳導率會降低。
另外，由于晶粒大小小時反射層的熱傳導率降低，所以若反射層為非晶態，則在記錄時得不到充分的冷卻速度。因此，反射層首先作為非晶態層形成后，優選地通過熱處理進行結晶化。若在作為非晶態層形成后進行結晶化，則可基本上維持非晶態時的表面粗糙度，且可以通過結晶化提高熱傳導率。
若反射層的熱傳導率用KR表示，則優選地，KR≥100W/mK更優選地，KR≥150W/mK。
熱傳導率可以通過例如基于用四探針法求得的反射層的電阻值用Widemann-Franz法則算出。對反射層的熱傳導率的上限沒有限制。即，可作為反射層構成材料使用的材料中熱傳導率最高的純銀(熱傳導率250W/mK)也可以使用。
反射層的厚度通常優選為10～300nm。若厚度不到上述范圍則難以得到足夠的反射率。而即使超出上述范圍，反射率的提高也很小，對于成本不利。反射層優選用濺射法和蒸鍍法等氣相成長法形成。
第一介電層31和第二介電層32這些介電層防止記錄層的氧化、變質，而且通過使記錄時從記錄層傳來的熱向未被遮斷的面內方向逸散，保護支撐基體20或透光性基體2。而且通過設置這些介電層可以提高調整度。第一介電層31和第二介電層32也可以是由兩層以上的成分不同的單位介電層疊層而成的。
作為這些介電層中使用的介電體，優選為含有從例如Si、Ge、Zn、Al、稀土元素等中選出的至少一種元素的各種化合物。作為化合物，優選為氧化物、氮化物或硫化物。也可以采用含有這些化合物中的兩種以上的混合物。
為了成為急冷結構，介電層尤其是第二介電層32最好由熱傳導率高的介電體構成。作為熱傳導率高的介電體，優選為例如硫化鋅和氧化硅的混合物(ZnS-SiO2)、氮化鋁、氧化鋁、氮化硅、氧化鉭等，尤其優選Al的氧化物和/或氮化物、Si的氧化物和/或氮化物。作為ZnS-SiO2，優選含有SiO230～60mol％的。若SiO2的含量太少，熱傳導率太低。另一方面，若SiO2含量太高，由于與其他層的密合性不夠，在長期保持時易于發生層間剝離。
若第二介電層32的熱傳導率用K2D表示，優選地，K2D≥1W/mK更優選地K2D≥1.5W/mK。
第二介電層32的熱傳導率的上限沒有特別限制，介電層中可使用的材料的熱傳導率通常在約100W/mK以下。本發明中介電層的熱傳導率不是薄膜狀態下的測量值，而是大塊材料的值。雖然第二介電層32也可以是多個單位介電層構成的疊層結構，此時作為第二介電層32整體，最好熱傳導率為1W/mK以上。其中，優選地，希望構成第二介電層32的多個層的各層，熱傳導率在1W/mK以上。
反射層的熱傳導率KR和第二介電層的熱傳導率K2D的關系優選為KR≥-1.6K2D+166。
如果KR和K2D具有這樣的關系，記錄層就可以充分地急冷。
本發明中為了使媒體成為急冷結構，第一介電層31優選地具有圖2所示的疊層結構。圖2中第一介電層31由靠近記錄層4的單位介電層31C和遠離記錄層4的單位介電層31D構成。除了第一介電層31之外，圖2的媒體與圖1的媒體結構相同。圖2中，若單位介電層31C的熱傳導率為KC，單位介電層31D的熱傳導率為KD，則為了使媒體成為急冷結構，優選地，KC＜KD，
更優選地，1.5≤KD/KC。
KD/KC越大，急冷效果越高。另外，對KD/KC的上限雖然沒有限制，但上述的介電層可使用的材料的熱傳導率是有上限的，所以KD/KC也受限制，通常KD/KC不大于180。另外，為了得到充分的急冷效果，KC優選為小于1W/mK，KD優選為1W/mK以上，更優選為1.5W/mK以上。對KC的下限也沒有特別限制，但介電層可使用的材料通熱傳導率為約0.1W/mK以上。
各單位介電層的厚度應相應于構成各介電層的材料的光學常數，以得到媒體反射率作為目的進行適當設定，但為了得到充分的急冷效果，若單位介電層31C的厚度為tC、單位介電層31D的厚度為tD，則優選地，5nm≤tC≤60nm，30nm≤tD。
另外，對tD的上限雖無特別限制，但第一介電層31的整體厚度受如下所述的制約。
構成第一介電層的兩層單位介電層的熱傳導率具有上述關系時，可以急冷的原因，認為是發生了下述的熱移動。具有熱傳導率比較低的第一介電層31的現有結構中，向熱傳導率高的反射層與一側的放熱是受支配的。與此相反，本發明中若第一介電層31具有上述多層結構，由于在第一介電層31側也大量放熱，記錄層可以更加急冷。具體而言，記層時在記錄層4產生的熱首先向單位介電層31C傳播。由于單位介電層31C的熱傳導率低，傳來的熱難以在單位介電層31C的面內方向傳播，在垂直方向上向相鄰接的單位介電層31D傳導則容易，由于單位介電層31D的熱傳導率高，傳來的熱在其面內方向快速地擴散。這樣地，認為是由于記錄層4產生的熱在與記錄層4相鄰接的單位介電層31C面內難以擴散，且在離記錄層4遠的單位介電層31D內快速地擴散，導致可以在記錄時急冷。
為了使記錄層4急冷，如圖2所示優選地使單位介電層31C和記錄層4相接。但根據需要，也可以在它們之間設置其它層。例如，在因為在記錄時加熱元素從單位介電層31C向記錄層4擴散，由此而導致記錄層劣化的情況下，在單位介電層31C和記錄層4之間設置作為阻擋層的單位介電層也是可以的。在阻擋層的熱傳導率與單位介電層31C同等程度時，阻擋層可以作為單位介電層31C的一部分，單位介電層31C和阻擋層的合計厚度滿足上述上述厚度tC的許可范圍就可以了。另一方面，若阻擋層的熱傳導率比單位介電層31C高，例如為1W/mK以上的情況下，最好阻擋層的厚度為20nm以下。此時若阻擋層太厚，會損及急冷效果。
另外，為了得到例如光學的增強效果，可以用多個層構成單位介電層31C和單位介電層31D中的一個或兩個。此時，只要單位介電層31C的整體的熱傳導率KC和單位介電層31D的整體的熱傳導率KD也具有上述關系就可以。但是，優選地，希望構成單位介電層31C的多層中的每一層和構成單位介電層31D的多層中的每一層都具有上述關系。
第一介電層和第二介電層的厚度可以基于得到充分的保護效果和提高調整度的效果而適當決定。通常第一介電層31的厚度優選為30～300nm，更優選為50～250nm，第二介電層32的厚度優選為10～50nm。便是，為了成為急冷結構，第二介電層的厚度優選為30nm以下，更優選為25nm以下。
優選地，用濺射法形成各介電層。
記錄層對記錄層4的成分沒有特別限制，可從各種相變材料中適當選擇，優選為至少包含Sb和Te。僅由Sb和Te構成的記錄層，結晶化溫度低到130℃左右，不具有充分的保存可靠性，所以為了提高結晶化溫度，優選地添加其它元素。此時作為添加元素，最好是從In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Su、Pb、Pd和稀土元素(Sc、Y和鑭系)中選出的至少一一種。在它們中，由于提高保存可靠性的效果特別高，優選為從稀土類元素、Ag、In和Ge中選出的至少一種元素。
本發明中，由于采用急冷結構的媒體，使得高線速下的擦除變得困難。為此，最好提高記錄層的結晶化速度。為了提高結晶化速度，可以增加Sb含量，而且作為上述添加元素采用稀土元素也是有效的。若添加稀土元素，可充分地提高保存可靠性，且可提高結晶化速度。作為稀土元素，優選為Tb、Dy和Gd中的至少一種。
若稀土元素用R表示，除稀土元素、Te和Sb之外的元素用M表示，記錄層構成元素的原子比用下式I表示(RaTebSbc)1-xMx，(a+b+c＝1)，則優選地，a≥0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。
在上述式I中，若表示Sb含量的c太小，則結晶化速度太慢，且重放輸出低。重放輸出與非晶態記錄標記和晶態區域之間的反射率差有關，該差越大重放輸出就越高。而且若c太小，記錄也困難。另一方面，若c太大，則結晶化速度太快，非晶態記錄標記的熱穩定性降低。更優選地，c≥0.5，最優選地，c≥0.6。而且更優選地，c≤0.9。
在上述式I中，表示稀土元素含量的a，更優選為a＞0，最優選地，a≥0.01。若a太小，則不能充分實現添加稀土元素的效果，即大幅度提高可能造成擦除的線速度和提高保存可靠性。另一方面，若Sb和Te分別對稀土元素的比率過高，可能造成擦除的線速度會顯著減小。另外，如上所述，為了充分確保重放輸出，必須會有一定程度的Sb。因此，在本發明中，為了確保充分的重放輸出，且充分提高可能造成擦除的線速度，優選地控制稀土元素的含量，使a/b和a/c分別落在上述范圍內。而且，更優選地，a/b≤0.8，a/c≤0.6。
對元素M沒有特別限制，為了顯示出提高保存可靠性的效果，優選地從上述元素中選擇至少一種。表示元素M含量的x若太大，則結晶化速度降低，所以優選地x落在上述范圍內，且更優選地，0≤x≤0.08。
記錄層的厚度優選為4nm～50nm，更優選為5nm～30nm。若記錄層太薄則晶體相的生長困難，相變引起的反射率變化不充分，重放輸出低。另一方面，若記錄層太厚，則由于記錄層的熱容量增大記錄變得困難，重放輸出也降低。另外，在記錄層含有稀土元素的場合，易于在重寫時擦除相鄰接的記錄道，發生串道擦除。為了減少這種串道擦除，記錄層的厚度優選為13nm以下，更優選為10nm以下，最優選為小于10nm。雖然如此薄的記錄層與厚的記錄層相比，重放輸出大大降低，但如果在記錄層中添加稀土元素，就可以顯著抑制記錄層變薄時的重放輸出降低。另外，減薄記錄層引起的重放輸出降低通過減小重放光的波長也可以得到改變。在薄的記錄層中為了提高重放輸出，最好將重放光的波長設置為450nm以下。但是，如果重放光的波長太短也會降低重放輸出，最好將重放光的波長設置為380nm以上。
優選地，用濺射法形成記錄層。
如上所述，通過適當選擇記錄層的成分和/或重放光的波長，可以在維持足夠的重放輸出的同時減薄記錄層。記錄層的減薄在多層記錄媒體中特別有效。多層記錄媒體具有兩層以上記錄層夾著樹脂層或介電層層疊的結構，具有用透過其它記錄層的記錄和重放光進行記錄或重放的記錄層。因此，為了使足夠量的記錄和再放光到達記錄層，至少靠近光入射側表面的記錄層必須比較薄。
透光性基體2透光性基體2具有可透過記錄重放光的透光性。透光性基體2采用與支撐基體20厚度相當的樹脂板或玻璃板也是可以的。但是，本發明對進行高密度記錄的場合特別有效，因此為了通過記錄重放光學系統的高NA化實現高記錄密度，優選地對透光性基體2薄型化。此時透光性基體的厚度最好在30～300μm的范圍內選擇。若透光性基體太薄，在透光性基體表面上附著的塵埃的光學影響會增加。另一方面，若透光性基體太厚，難以通過高NA化實現高記錄密度。
對透光性基體2薄型化時，例如可用各種接合劑和粘合劑把由透光性樹脂形成的透光性薄板貼在第一介電層引上作為透光性基體，也可以用涂敷法在第一介電層31上直接形成透光性樹脂層作為透光性基體。本發明的媒體由于記錄重放光透過透光性基體2入射，優選地，透光性基體2的光學均勻性比較高。
本發明中，可利用突起和/或升凹槽作為記錄道。在以突起和凹槽作為記錄道的突起凹槽型記錄方式中，容易發生在重寫時擦除相鄰道的串道擦除。本發明中由于媒體是急冷結構，即使提高光斑內的能量密度，也必須提高記錄功率。而且在本發明中采用結晶化速度快的記錄層。記錄功率高和結晶化速度快都是串道擦除的原因。
于是在本發明中，為了在以突起和凹槽兩者作為記錄道的場合下抑制串道擦除，優選地，使用光路長度表示的槽深為λ/7以上。若槽太淺，易于發生串道擦除，串道擦除增大會導致跳動惡化。但是，為了抑制重放輸的降低和串道擦除的增加，最好用光路長度表示的槽深在λ/5以下。
圖3所示的結構圖3所示的光記錄媒體，在透光性基體2上依次具有第一介電層31、記錄層4、第二介電層32、反射層5和保護層6，記錄光和重放光通過透光性基體2入射。
圖3中的透光性基體2可以用與圖1的支撐基體20同樣的基體，但必須具有透光性。
保護層6是為了提高耐擦傷性和耐蝕性而設置的。該保護層優選地用各種有機物質構成，尤其是由可被電子束、紫外線等放射線硬化的物質構成的放射線硬化型化合物及其組合物。保護層的厚度通常為0.1～100μm左右，可以用旋涂、刮涂、噴涂、滴涂等常規方法形成。
其它各層與圖1所示的構成例相同。
實施例1(成為急冷結構的必要性的檢驗I)試樣號101以下述工序制作圖1所示結構的光記錄媒體。
支撐基體20采用通過射出成形同時形成槽的直徑120mm、厚為1.2mm的盤狀聚碳酸酯。槽深以光路長度表示為λ/6(波長λ＝405nm)。突起凹槽記錄方式中記錄道間距為0.3μm。
在Ar氣氛中用濺射法形成反射層5。靶材采用Ag98Pd1Cu1。反射層厚為100nm。該反射層的熱傳導率為170W/mK。
第二介電層32在Ar氣氛中采用ZnS∶SiO2＝80∶20(摩爾比)的ZnS-SiO2(熱傳導系數0.6W/mK)構成的靶材用濺射法形成。第二介電層厚為20nm。
記錄層4用合金靶材在Ar氣氛中濺射形成。記錄層的成分(原子比)為式I(RaTebSbc)1-xMx其中M＝In、Ge，a＝0，b＝0.20，c＝0.80，x＝0.08，In∶Ge＝1∶7。記錄層厚為12nm。該記錄層的成分基于在n·Tw＝15.24ns的條件下可以擦除記錄標記來決定。
第一介電層31在Ar氣氛中以Zns(80mol％)-SiO2(20mol％)為靶濺射形成。第一介電層厚為130nm。
透光性基體2通過在第一介電層31的表面上夾著溶劑型的紫外線硬化型丙烯酸系樹脂構成的厚為3μm的接合層，接合聚碳酸酯薄板(厚為100μm)而形成。上述聚碳酸酯薄板是ピヱアエ一ス(帝人社制)，用流延法制成。
試樣號102除了改變記錄層4的成分以使得在n·Tw＝26.7ns的條件下可擦除記錄標記外，與試樣號101同樣地制作。
試樣號103除了第二介電層32用氮化硅(熱傳導率8W/mK)制成之外，與試樣號101同樣地制作。
評價將上述各試樣的記錄層用體激光初始化(結晶化)后，載置于光記錄媒體評估裝置上，以下列條件進行記錄激光波長λ405nm，數值孔徑NA0.85，
記錄線速度V11.4m/s(n·Tw＝15.24ns時)6.5m/s(n·Tw＝26.67ns時)，記錄信號1-7調制信號(最短信號長度2Tw)。
用于形成最短記錄標記的記錄信號脈沖是單脈沖，上述單脈沖對最短信號長度的相對寬度Tmin/(n·Tw)為表1所示的值。記錄在突起和凹槽兩者上進行。λ/NA為476nm，(λ/NA)V在n·Tw＝15.24ns時為41.8ns，在n·Tw＝26.67ns時為73.3ns。
接著，重放記錄信號，測量跳動。該跳動為時鐘跳動，是通過時鐘型分析儀測量重放信號而求得“信號的晃動(σ)”，用檢測窗口寬度Tw基于σ/Tw(％)算出的值。結果示于表1。若該跳動在13％以下，誤差在允許范圍內。為了充分地確保各種邊緣情況，該跳動最好在10％以下。
表1

*優選范圍以外如上所述，為了進行高速重寫，必須采用具有結晶化速度快的記錄層的媒體。但是由于結晶化速度快的記錄層易于再結晶化，也容易產生上述的自擦除。因此，必須減小用于形成最短記錄標記的記錄信號脈沖的相對寬度Tmin/(n·Tw)。實際上，表1所示的試樣號101中為了進行最短信號長度短(n·Tw＝15.24ns)的高速重寫，由于記錄層的結晶化速度已提高，若減小Tmin/(n·Tw)，跳動就會減小。但是，即使Tmin/(n·Tw)小到0.135，跳動仍超出允許范圍(10％以下)。雖然認為若Tmin/(n·Tw)繼續減小，跳動會落在允許范圍內，但是激光發光元件的應答性受限制，若設定Tmin/(n·Tw)＝0.11，就不能記錄。
與此不同，試樣號102為了進行與試樣號101相比最短信號長度長(n·Tw＝26.7ns)的低速重寫，記錄層的結晶化速度比試樣號101的慢。因此，跳動與Tmin/(n·Tw)無關，不管Tmin/(n·Tw)如何跳動都會落在允許范圍內。另外，由于n·Tw大，即使Tmin/(n·Tw)小到0.11，激光發生元件的應答性也不受限制，可以進行記錄。
另一方面，由于試樣號103是反射層5和第二介電層32都采用傳導率高的材料構成的急冷結構，所以減輕了自擦除。因此若Tmin/(n·Tw)比較大，跳動就極小，該極小值在10％以下。
從上述結果看出，在最短信號長度n·Tw為22ns以下的短的場合，若媒體是急冷結構，在Tmin/(n·Tw)在不受激光發光元件的應答性限制的范圍內時可以減小跳動。
實施例2(成為急冷結構的必要性的檢驗2)除了在記錄層的成分(TaTebSbc)1-xMx中，M＝In、Ge，In∶Ge＝1∶6，a、b、c和x的值如表2所示，第二介電層的熱傳導率K2D如表2所示之外，與實施例1的試樣號101同樣地，制作光記錄媒體試樣號201～203。在表2中，熱傳導率44W/mK的第二介電層由Al2O3構成，熱傳導率0.6W/mK的第二介電層由ZnS∶SiO2＝80∶20(摩爾比)的ZnS-SiO2構成。
在這些試樣中，除了將Tmin/(n·Tw)控制成表2所示的值，且n·Tw為圖4所示的值之外，與試樣號101同樣地進行記錄。然后與試樣號101同樣地求出跳動。結果示于圖4。圖4中格式化效率80％時的傳輸速度和n·Tw為橫軸，跳動為縱軸。且在表2中示出了各試樣中跳動為最小時的n·Tw和傳輸速度。
表2

*優選范圍以外如表2所示，試樣號201是第二介電層的熱傳導率低的緩冷型，因此，如果傳輸速度高，如圖4所示跳動會急劇惡化。另外，與試樣號201相比，試樣號202具有Sb含量多結晶化速度快的記錄層，但與試樣號201同樣其第二介電層熱傳導率低。因此，雖然其跳動最小時的傳輸速度比試樣號201高，但該傳輸速度中的跳動比試樣號201的最小跳動大，超過了10％。
與此不同，由于試樣號203是用熱傳導率高的介電層替代試樣號202的第二介電層的急冷結構的媒體，雖然跳動最小的傳輸速度與試樣號202相同，該傳輸速度時的跳動與表示低傳輸速度時的最小跳動的試樣號201的最小跳動相同。
從該表2和圖4所示的結果可看出，在n·Tw為22ns以下的短的高傳輸速度記錄中，通過最初使媒體為急冷結構，可以把跳動減小到與低傳送速度記錄時相同。
實施例3(與n·Tw有關的比較)試樣號1除了第二介電層32由Al2O3(熱傳導率44W/mK)構成之外，與實施例1的試樣號101同樣地制作。
在該試樣中，除了n·Tw＝15.24ns，記錄線速度V為11.4m/s，且Tmin/(n·Tw)＝0.1～0.4之外，與實施例1同樣地測量跳動。結果示于圖5。
圖5所示的曲線是對Tmin/(n·Tw)＝0.1～0.4范圍內的測量值進行二次曲線近似處理得到的。
試樣號2除了變更記錄層的成分外，與試樣號1同樣地制作光記錄媒體。該試樣中除了n·Tw＝17.78ns，線速度為9.8m/s之外，與試樣號1同樣地測量跳動。結果也示于圖5。該試樣中記錄層的成分基于在上述線速度下能擦除記錄標記來選擇。另外，線速度為9.8m/s時，(λ/NA)/V為48.6ns。
試樣號3除了變更記錄層的成分外，與試樣號1同樣地制作光記錄媒體。該試樣中除了n·Tw＝21.32ns，線速度為8.1m/s之外，與試樣號1同樣地測量跳動。結果也示于圖5。該試樣中記錄層的成分基于在上述線速度下能擦除記錄標記來選擇。另外，線速度為8.1m/s時，(λ/NA)/V為58.8ns。
評價圖5中在Tmin/(n·Tw)＜0.113的范圍內跳動超過13％，是因為受激光發光元件的應答性的限制，激光的照射強度不充分造成的。圖5中，Tmin/(n·Tw)≥0.145時，跳動為10％以下。
從圖5可看出，在最短信號長度n·Tw為22ns以下的短的場合，若媒體是急冷結構，在不受激光發光元件的應答性限制的范圍內的Tmin/(n·Tw)下可以減小跳動。
實施例4(與反射層5和第二介電層32的熱傳導率有關的比較)除了在記錄層的成分(RaTebSbc)1-xMx中，M＝In、Ge，a＝0，b＝0.22，c＝0.78，x＝0.07，In∶Ge＝1∶6，反射層的熱傳導率KR和第二介電層的成分和熱傳導率K2D如表3所示之外，與實施例1的試樣號101同樣地制作光記錄媒體。在這些試樣中，除了記錄線速度V為11.4m/s(n·Tw＝15.24ns)之外，與實施例1同樣地測量跳動。結果示于表3。
表3中示出的跳動是邊改變記錄信號脈沖的相對寬度Tmin/(n·Tw)邊測得的跳動的極小值。表3所示的試樣中跳動為極小的Tmin/(n·Tw)的范圍是0.13～0.2。
另外，表3所示的試樣號301～305中反射層由Ag98Pd1Cu1構成。而在試樣號306～308中反射層由Ag-Pd構成，通過改變Pd含量來改變熱傳導率。試樣號309的反射層由Al98.4Cr1.6構成。
表3(V＝11.4m/s，n·Tw＝15.24ns，Tmin/(n·Tw)＝0.13-0.2)

*優選范圍以外從表3可看出，通過使反射層的熱傳導率KR和第二介電層的熱傳導率K2D在上述優選范圍內，成為急冷結構，在不受激光發光元件的應答性限制的范圍內的Tmin/(n·Tw)下可以減小跳動。
實施例5(與第一介電層31的結構有關的比較)試樣號401制作圖2所示結構的光記錄媒體。
反射層5除了成分為Ag98Pd2Cu1(熱傳導率為170W/mK)之外，與實施例1相同。第二介電層32除了由Al2O3構成之外與實施例1相同。記錄層4除了其成分(RaTebSbC)1-xMx中，M＝In、Ge，a＝0，b＝0.19，c＝0.81，x＝0.06，In∶Ge＝1∶5之外與實施例1相同。單位介電層31C厚為35nm，由ZnS(80mol％)-SiO2(20mol％)構成。單位介電層31D厚為100nm，由Al2O3構成。透光性基體2與實施例1相同。
試樣號402除了單位介電層31D為厚100nm的氮化鋁層之外，與試樣號401同樣地制作。
試樣號403除了單位介電層31D為厚100nm的氮化硅層之外，與試樣號401同樣地制作。
試樣號404除了第一介電層為厚130nm的ZnS(80mol％)-SiO2(20mol％)層構成的單層結構之外，與試樣號401同樣地制作。
評價上述各試樣中，除了記錄線速度V＝16.3m/s(n·Tw＝10.67ns)，Tmin/(n·Tw)＝0.2之外與實施例1同樣地測量跳動。結果示于表4。另外，各試樣中的第一介電層32的熱傳導率K2D、單位介電層31C的熱傳導率KC和單位介電層31D的熱傳導率KD分別如表4所示。
表4(V＝16.3m/s，n·Tw＝10.67ns，Tmin/(n·Tw)＝0.2)

由表4可看出，通過使構成第一介電層31的兩層單位介電層的熱傳導率具有本發明限定的關系，可以有明顯的效果。在試樣號401～403中，由于第二介電層32的熱傳導率K2D高，且第一介電層31具有本發明限定的結構，n·Tw為10.67ns很短，且Tmin/(n·Tw)為0.2比較大，跳動可大大減小。
實施例6(與第二介電層32的厚度有關的比較)除了由Al2O3(熱傳導率44W/mK)構成的第二介電層32的厚度為如表5所示的值之外，與實施例3的試樣號1同樣地制作試樣。并除了記錄線速度V＝11.4m/s(n·Tw＝15.24ns)，Tmin/(n·Tw)＝0.17之外，與實施例1同樣地測量跳動。結果示于表5。表5中與試樣號1的結果一并示出。
表5(V＝11.4m/s，n·Tw＝15.24ns，Tmin/(n·Tw)＝0.17)

從表5可看出，第二介電層的厚度為30nm以下時，跳動在允許范圍內。
實施例7(與記錄層4的厚度和成分有關的比較)除了在記錄層的成分(RaTebSbc)1-xMx中，R＝Tb，M＝In、Ge，a＝0.05，b＝0.17，c＝0.78，x＝0.06，In∶Ge＝1∶5，且記錄層的厚度如表6所示，第二介電層36由Al2O3(熱傳導率44W/mK)構成之外，與實施例1的試樣號101同樣地制作光記錄媒體的試樣號601～605。而且，除了在記錄層的成分(RaTebSbc)1-xMx中，M＝In、Ge，a＝0，b＝0.19，c＝0.81，x＝0.07，In∶Ge＝1∶6，且記錄層的厚度如表4所示之外，與上述試樣號601～605同樣地制作光記錄媒體的試樣號606～610。
在這些試樣中，除了記錄線速度V＝11.4m/s(n·Tw＝15.24ns)，Tmin/(n·Tw)＝0.2之外與試樣號101同樣地進行記錄后，測量重放輸出，然后測量得到25dB以上的擦除率的最大線速度(可擦除的線速度)。擦除功率是直流。對于試樣號602～605還測量以波長650nm重放時的輸出。還測量了各試樣的串道擦除。這些結果示于表6。表6中示出的重放輸出是用記錄層厚為15nm時的重放輸出歸一化后的值。
表6(V＝11.4m/s，n·Tw＝15.24ns，Tmin/(n·Tw)＝0.2)

*優選范圍以外從表6可以看出，通過向記錄層中添加Tb，增加了可擦除線速度，且大大抑制了在記錄層薄時的重放輸出的降低。另外，可知記錄和重放波長為405nm的場合，與記錄和重放波長為650nm的場合相比，可顯著地減小記錄層薄時的重放輸出的下降。另外，添加Tb的記錄層可以抑制因減薄引起的串道擦除。制作具有添加了Dy或Gd而不是Tb的記錄層的樣品，對它們也進行同樣的測量，得到與添加Tb的場相同的結果。
實施例8(與記錄層4的成分有關的比較)除了在記錄層的成分(RaTebSbc)1-xMx中，R＝Tb，x＝0，且a、b、c的值如表7所示，第二介電層32由Al2O3(熱傳導率44W/mK)構成之外，與實施例1的樣品號101同樣地制作光記錄媒體。對這些樣品與實施例7同樣地進行了重放輸出和可擦除線速度的測量。并測量了各樣品的記錄層的結晶化溫度。這些結果示于表7。
表7(V＝11.4m/s，n·Tw＝15.24ns，Tmin/(n·Tw)＝0.2)

*優選范圍以外從表7可知，通過添加稀土元素可以提高記錄層的結晶化溫度，提高保存可靠性。而且，通過控制成分以使c、a/b和a/c分別落在預定范圍內，可以得到光分的重放輸出，且可以以高線速擦除。
實施例9(與槽深有關的比較)除了用光路長度表示的槽深值如表8所示之外，與實施例3的試樣號1同樣地制作樣品。對這些樣品以記錄線速度V＝11.4m/s(n·Tw＝15.24ns)、Tmin/(n·Tw)＝0.17進行記錄，并測量了串道擦除和串擾。結果示于表8。表8中還一并示出試樣號1的結果。
表8(V＝11.4m/s，n·Tw＝15.24ns，Tmin/(n·Tw)＝0.17)

從表8可知，通過使用光路長度表示的槽深為λ/7～λ/5，可以減小串道擦除和串擾。
權利要求
1.一種光記錄媒體，其中從記錄用激光入射側依次具有透光性基體、介電層和相變型記錄層，位于上述透光性基體和上述記錄層之間的上述介電層含有至少兩層單位介電層，且熱傳導率不同的兩種單位介電層相鄰接，若熱傳導率不同的上述兩種單位介電層中離記錄層較近的單位介電層的熱傳導率為KC、離記錄層較遠的單位介電層的熱傳導率為KD，則KC＜KD。
全文摘要
提供可提高傳輸速度且可減小重放信號的跳動的光記錄媒體。該光記錄媒體是具有相變型記錄層的光記錄媒體，其中若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一種元素用M表示，上述光記錄媒體的記錄層的構成元素的原子比用(R
文檔編號G11B7/00GK1913017SQ20061010072
公開日2007年2月14日 申請日期2001年5月11日 優先權日2000年5月12日
發明者井上弘康, 宇都宮肇, 加藤達也, 新開浩 申請人:Tdk株式會社