透鏡定位方法,刻錄方法,定位方法以及刻錄裝置的制作方法

專利名稱：透鏡定位方法,刻錄方法,定位方法以及刻錄裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種透鏡定位方法，一種刻錄方法(cutting method)，一種定位方法，以及一種刻錄裝置，用于在生產例如高密度光盤的刻錄步驟中對物鏡進行定位。
背景技術：
對于高密度光盤，例如，已經提出的一種光盤，其具有單面單層大約25GB(Gbytes)的記錄容量，或者具有單面雙層大約50GB的記錄容量。在這種光盤中，為了減小用于記錄和重放的光束的光點直徑，會將光源波長設為405nm，物鏡的數值孔徑NA設為0.85的大數值。在該高密度光盤中，光點面積可被減小至DVD的光點面積的大約1/5。此外，由于角度誤差(稱為傾斜余量，即自光盤表面和光束光軸之間形成的90°角起允許的傾斜角度)隨著物鏡數值孔徑NA的增加而減小，因此，覆蓋有信息層的覆蓋層薄至0.1mm。對于只讀光盤，信息層是上面形成有凹坑的反射層或半透明反射層。對于可記錄光盤，信息層是上面形成有溝槽并且可記錄相位改變等的層。
圖1A和1B示出了可應用本發明實施例的一種高密度光盤的示例結構。圖1A示出了單層的結構。參考標記1表示由聚碳酸脂(下文簡寫為PC)制成的基片，其具有1.1mm的厚度。
母盤(master disc)的凹坑通過注塑成型工序被轉印到基片1的表面上。基片1涂覆有反射膜2。用作光透射層且厚度為0.1mm的覆蓋層3被粘接到反射膜2上。利用在已經預打孔的PC薄層5上粘接UV(紫外線)硬化型粘接劑4并且在PC薄層5的表面部分涂覆硬質涂層6的方法形成覆蓋層3。
圖1B示出了雙層的結構。以與單層結構類似的方法，圖1B示出具有兩層信息層的光盤，這兩層信息層每層都具有這樣一種結構在1.1mm厚的基片上形成用作全反射膜的反射膜2，在稱為中間層的形成在反射膜2上的光透射層7上形成半透明反射膜8，再將覆蓋層3粘接到該半透明反射膜8上。當從激光光束的入射方向(硬質涂層6一側)看時，反射膜2形成在100μm的深度處，半透明反射膜8形成在75μm的深度處。
對于圖1B示出的單面雙層光盤，當從激光光束的入射方向看時，位于100μm的深度處的反射膜2被作為參考層(第0層記錄層，稱為L0層)，在位于75μm的深度處添加的記錄層被作為第一記錄層(稱為L1層)。
在上述高密度光盤的生產中，在基片表面涂覆抗蝕劑，通過激光光束曝光凹坑或溝槽圖案，通過顯影形成具有相應于抗蝕劑上的凹坑或溝槽的凹入和凸起部分的盤形母盤，利用該盤形母盤形成金屬制的模片，利用該模片采用注塑成型工序形成盤基片，并在該盤基片上形成薄膜記錄層。
圖2示出了該模片的生產步驟。首先，在基片10的表面上利用旋涂方法等涂覆非常薄的抗蝕劑11(光敏劑)，從而形成一母盤。當該母盤旋轉時，通過刻錄裝置的激光光束12對該母盤曝光。通過曝光在抗蝕劑11上形成具有相應于凹坑或溝槽的圖案的潛像。
然后，通過將顯影劑13滴入到位于旋轉玻璃基片10上的抗蝕劑11的表面上并執行顯影過程，在基片10上形成相應于光盤的溝槽或凹坑的凹入/凸起的抗蝕劑圖案。酸性、堿性等液體用作顯影劑。四甲基銨、KOH、NaOH、Na2CO3等水溶液可用作用于顯影的堿性溶液。鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等可用作酸溶液。
接著，例如鎳等的金屬14通過電鍍工序淀積到基片10上并經剝離和修整，從而獲得模片15。通過將模片15附著于注塑成型工序裝置的印模上，并將例如PC等的樹脂注入到空腔中，從而形成轉印有模片的凹入/凸起部分的盤基片。這時，盤基片的樹脂通過加熱而塑化，以便可快速填充到模具中。當經噴射模塑的盤基片被冷卻至30℃或更低后，通過在凹坑表面側由濺射裝置形成一薄金屬薄膜而形成反射膜。
然后，將作為粘接劑的UV(紫外線)硬化型樹脂滴到在其上已經形成有薄膜反射層的盤基片上，并通過旋涂方法在該盤基片上均勻涂覆該樹脂。此后，該盤基片上的由UV硬化型樹脂形成的涂覆薄膜與PC薄膜被保持在相對的位置，并隨后粘接。PC薄膜的粘接過程在真空中執行。這是因為必須防止在盤基片和PC薄膜的粘接表面上形成折皺或間隙從而產生讀數錯誤的情況。
然后，向粘接有PC薄膜的光盤照射紫外線并硬化該UV硬化樹脂，從而使該盤基片與PC薄膜粘接。此外，UV硬化型硬質涂層材料被滴到與盤粘接的PC薄膜上，PC薄膜上均勻涂覆有該硬質涂層材料，并且通過再次照射紫外線硬化該硬質涂層材料，從而生產出一硬質涂層。由此獲得一盤。
可解決當采用現有技術的有機抗蝕劑來生產高密度光盤時產生的問題的技術在專利文獻1(JP-A-2003-315988)中已經被公開。已經提出了一種技術，根據由專利文獻1中公開的過渡金屬的不完全氧化物制成的無機抗蝕劑材料，甚至可利用熱記錄特性通過大約405nm的可見激光來曝光比光點直徑更小的圖案。該技術因對于實現高記錄密度的光盤的主流技術有用而受到關注。
這里所用的過渡金屬的不完全氧化物表示氧含量向小于根據過渡金屬的化合價的化學配比組成偏離的混合物，即，過渡金屬的不完全氧化物中的氧含量小于根據過渡金屬的化合價的化學配比組成的混合物。在該過渡金屬的不完全氧化物中，由于曝露的潛像形成部分已經被氧化改變，因而可溶解在堿性顯影劑中，并可實現光盤母盤的微加工。
本發明一實施例涉及一種在采用這種無機抗蝕劑的情況下在刻錄裝置中物鏡的定位方法。在該刻錄裝置中，由于通過母盤的反饋精確度形成螺旋軌跡，因此不進行循軌控制而僅僅控制聚焦方向(聚焦伺服)，所述母盤中，在例如硅晶片等的基片上形成薄膜無機抗蝕劑。該聚焦控制通過與例如在再現裝置中使用的像散(astigmatism)方法等類似的方法作出。
由于該聚焦控制的引入范圍是有限的，首先，物鏡與母盤表面之間的距離位于聚焦伺服可引入的范圍內。用于該目的的控制被稱為定位控制，并通過允許母盤的位置靠近物鏡而作出。該聚焦伺服在完成定位后進行。在該聚焦伺服中，反饋控制物鏡的垂直位置，從而可獲得對焦(in-focus)狀態。
在專利文獻1中公開的刻錄裝置中，由于通常采用商業可得的小直徑物鏡，因此存在物鏡工作距離減小的趨勢。該工作距離是物鏡最靠近焦點位置的物理頂點部分。例如，當該工作距離等于150μm時，如果在定位母盤后的最初調整中沒有高精確度地定位物鏡，就有可能導致物鏡與母盤碰撞或者引起聚焦伺服的問題。因此，在最初調整的時候定位該物鏡以便物鏡的焦點位置與母盤的記錄表面重合是重要的。
將不對現有技術中的定位方法作說明。物鏡的焦點深度可通過用光的波長λ除以透鏡數值孔徑的平方而獲得的λ/(2NA)2的值計算出。在現有技術的刻錄裝置中，為了會聚用于曝光的激光光點，減小波長并增加數值孔徑。因此，焦點深度變得非常小。
根據專利文獻1中公開的方法，大數值孔徑的透鏡和短波長的光源在現有技術中不是必須的。例如，當λ＝405nm且NA＝0.85時，可獲得0.14μm的焦點深度。焦點深度表示物鏡在光軸上移動時焦點符合要求的范圍。通常，光學拾取器的光電探測器中的光電探測靈敏度被設置成，高達焦點深度可被探測到的幾倍大的數值。焦點深度可被探測到的范圍被稱為可探測范圍。例如，將該可探測范圍設為2.5μm。
在物鏡或母盤移動且僅當它們之間的距離在可探測范圍內對物鏡進行定位控制的情況下，可從探測器獲得探測輸出。當該距離超出可探測范圍時，由于探測光量減少，難以獲得探測輸出，并難以探測到母盤的存在。
作為在現有技術的刻錄裝置中的定位方法，已經提出一種采用除了用于刻錄的激光光束(波長等于例如266nm)之外的用于探測的具有長波長的激光光束的方法。如圖3所示，用于刻錄的激光光束LB和用于探測的激光光束LB’通過物鏡22被照射到母盤21上，并且通過母盤21反射激光光束LB’獲得的返回光被拾取裝置的光電探測器探測到。物鏡22的位置可在Z軸方向上移動變化。
對于用于探測的激光光束LB’，由于其波長比用于刻錄的激光光束波長長，其焦深深并且比激光光束LB的可探測范圍寬。與利用激光光束LB探測母盤21的情況相比，采用激光光束LB’可更容易探測到母盤21。已經提出一種技術，其中用于透射激光光束LB’的物鏡22的透鏡直徑減小，從而減小數值孔徑NA并增加焦點深度。
在現有技術的刻錄裝置中定位方法的另一種方法中，提供一種方法，提供與物鏡22一體移動的距離傳感器23并基于例如光學距離傳感器23的輸出信號進行定位。
圖3所示的方法存在這樣的問題，由于必須將不同波長的激光產生光源和光路增加到光學拾取器中，光學拾取器將變得復雜且成本增加。根據圖4所示的方法，提供了距離傳感器23，必須使物鏡22的焦點位置與距離傳感器23的定位位置重合。如果物鏡22與距離傳感器23之間的相對距離(位置偏差)改變一定量或更多的工作距離，那么，在定位操作時，物鏡22可能會與母盤21碰撞，并且會產生聚焦伺服缺陷。此外，還存在由于增加距離傳感器23而導致成本增加的問題。
因此，期望通過采用用于曝光的激光光束LB而不采用用于探測的激光光束LB’或附加設置距離傳感器23來探測到母盤21的存在。然而，存在這樣的問題，由于如上述焦深淺且可探測范圍窄，因此，難以探測到母盤21。
圖5示出了物鏡或母盤中例如母盤在Z軸方向上從一遠距離位置以1mm/sec的速度靠近物鏡的情況下的時間(橫坐標軸)位移(縱坐標軸)圖。雖然在實際裝置中物鏡側被移動(下文中將說明)，但是，這里將以母盤側移動的系統為例來說明操作，以便易于說明。假定對焦位置處的位移為0。由直線示出以每1msec 1μm的比率產生的位移。如上所述，如圖5中的陰影區所示，可探測范圍是一預定的范圍，例如2.5μm，其中將0位移的位置設置為中心。因此，僅在直線與陰影帶交叉的時候可從光電探測器獲得探測信號。由于如上所述陰影帶的寬度窄至2.5μm，因此，該直線與該陰影帶的交叉的時間短，用于探測的信號處理電路的結構變得復雜，或者存在產生錯誤探測的可能。

發明內容
由上所述，期望提供一種透鏡定位方法、一種刻錄方法、一種定位方法、以及一種刻錄裝置，其中優選地可利用用于曝光的激光光束進行定位而無需另外附加使用距離傳感器。
根據本發明的一個實施例，提供了一種透鏡定位方法，包括移動步驟，移動物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤并在與光軸平行的方向上振動所述物鏡，從而改變所述物鏡和所述母盤表面之間的距離；探測步驟，利用光電探測器探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束；以及在所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時通過所述光電探測器探測所述返回激光光束、并且在探測到所述返回激光光束時停止所述物鏡或所述母盤的移動的步驟。
根據本發明的另一個實施例，提供了一種利用激光光束刻錄母盤的刻錄方法，包括移動步驟，移動物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤并在與光軸平行的方向上振動所述物鏡，從而改變所述物鏡和所述母盤表面之間的距離；探測步驟，利用光電探測器探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束；在所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時通過所述光電探測器探測所述返回激光光束、并且在探測到所述返回激光光束時停止所述物鏡或所述母盤的移動的步驟；以及在控制所述物鏡的焦點時在所述母盤上利用透射通過所述物鏡的激光光束來形成與每個溝槽或凹坑形狀相應的潛像的步驟。
根據本發明的又一個實施例，提供了一種透鏡定位裝置，包括致動器，其在平行于光軸的方向上振動物鏡；驅動器，其移動所述物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤從而改變所述物鏡與所述母盤表面之間的距離；以及光電探測器，其探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束，其中，在所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時，通過所述光電探測器探測所述返回激光光束，并且在探測到所述返回激光光束時，停止所述物鏡或所述母盤的移動。
根據本發明的另一個實施例，提供了一種用于利用激光光束刻錄母盤的刻錄裝置，包括驅動器，其移動物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤從而改變所述物鏡與所述母盤表面之間的距離；光電探測器，其探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束；以及聚焦控制器，當所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時，所述聚焦控制器控制所述物鏡的焦點使其處于對焦狀態，并利用透射通過所述物鏡的激光光束在所述母盤上形成與每個溝槽或凹坑形狀相應的潛像。
根據本發明的一個實施例，母盤可定位在物鏡的工作距離處，而不需采用不同波長的激光光束和距離傳感器。因此，可防止光學拾取器的結構復雜化。無需相對定位距離傳感器和物鏡，并且初始設置變得容易。此外，還可防止因提供距離傳感器而增加的成本。
本發明的其它目的和優點將通過接下來參照附圖的說明變得明顯，附圖中相同的參考標記表示相同的部件。


圖1A和1B為展示應用本發明實施例的光盤例子的示意圖；圖2為模片的生產步驟的示意圖；圖3為說明現有技術中的定位方法的一個例子的示意圖；圖4為說明現有技術中的定位方法的另一個例子的示意圖；圖5為說明當母盤移動時用于獲得探測信號的操作的圖示；圖6示出了根據本發明的刻錄裝置的外部視圖的透視圖；圖7示出了在本發明實施例中的光學拾取模塊的移動機構的一個例子的示意圖；圖8示出了該光學拾取模塊的一個例子的示意圖；圖9為說明在本發明實施例中當母盤移動時用于獲得探測信號的操作的圖示。
具體實施例方式
下面，將參照

本發明的實施例。圖6示意性地示出了根據本發明實施例的刻錄裝置的外部視圖。該刻錄裝置布置在一箱型機殼上。在例如硅晶片的基片上形成有薄膜無機抗蝕劑的母盤被放置在繞軸51旋轉的盤形刻錄臺52上。該無機抗蝕劑是過渡金屬的不完全氧化物。使用鉬(Mo)、鎢(W)等作為過渡金屬。例如，使用組合物比例Mo1-xOx(0＜x＜0.75)的不完全氧化物。刻錄臺52通過以主軸51作為旋轉軸的電機旋轉。
軸51、刻錄臺52和主軸電機布置在支撐基座53上。該支撐基座53可在母盤的徑向方向上水平移動。根據刻錄臺52進給母盤的精確度形成螺旋軌跡。參考標記56表示用于操作該刻錄裝置的開關單元。
光學拾取模塊54布置在該刻錄臺52上方。物鏡62位于該光學拾取模塊54下方。由物鏡62會聚的用于曝光的激光光束照射到母盤上。該光學拾取模塊54可通過Z軸電機55在垂直于母盤表面的Z軸方向上偏移。步進電機、線性電機等可用作Z軸電機55。
圖7僅示出了光學拾取模塊54的一部分。Z軸電機55被固定到支撐單元57上。由虛線包圍的區域示出的包括光學拾取模塊54的部分可通過Z軸電機55上升或下降。在本實施例的該方式中，該刻錄臺52可在水平方向上移動，光學拾取模塊54可上升或下降。
圖8示出了可應用本發明的光學拾取模塊54的一個實施例。具有例如405nm波長的由具有例如兩組結構的物鏡62(其數值孔徑NA等于例如0.85)會聚的激光光束，照射到放置在刻錄臺52上的母盤61表面上的無機抗蝕劑上。物鏡62被裝配在可在聚焦方向(平行于光軸的方向)上偏移的單軸致動器63中。
從激光二極管69發出的激光光束經過光柵68和偏振光分束器(PBS)67輸入到準直透鏡66中。經過光柵68產生±初級衍射光。由準直透鏡66轉換成平行光的激光光束輸入到例如擴束裝置等球面像差校正裝置65中。
此外，該激光光束經過四分之一波片64和物鏡62輸入到母盤61上，并使母盤61曝光。該線性偏振激光光束通過四分之一波片64變成圓偏振光。
由母盤61反射的光透射通過物鏡62并經由四分之一波片64從圓偏振光變成線性偏振光。這時，由于偏振方向相對激光二極管69發出的光(發射光)傾斜90°，因此，在偏振光分束器67的粘接表面上會產生光反射。
當經準直透鏡66會聚的返回光在被PBS 67反射前透射通過復合透鏡(multi-lens)70后，會聚在IC形式的光電探測器71上并被轉換成電信號。該復合透鏡70產生利用光點形成位置的不同來探測聚焦誤差的像散方法所需的像差。
光電探測器71例如是4分型探測器。在對焦狀態下，由返回光形成在光電探測器71的感光表面上的光點形狀幾乎是一個圓。當物鏡62太靠近母盤61時以及當太遠離母盤61時，每個光點形狀變成長軸和短軸相互交換的橢圓。根據光電探測器71的輸出信號獲得的光點形狀差，可探測到聚焦誤差。根據該聚焦誤差驅動單軸致動器63，并校正聚焦誤差。
此外，雖然激光光束的強度在定位時被設置為一預的值，在曝光以便記錄數據時，為了在母盤上形成與凹坑、溝槽等圖案相應的潛像，通過直接驅動激光二極管69的直接調制方法或利用AOM(聲光調制器)等的外部調制方法調制該數據。
前述的光學拾取模塊54可通過Z軸電機55在Z軸方向上偏移。當探測聚焦位置時，通過旋轉Z軸電機55移動該光學拾取模塊54，以便在光軸方向上靠近母盤61。在光學拾取模塊54移動的過程中，通過光電探測器71的輸出信號探測到焦點位置。這樣，如同接下來所述的，通過微幅振動物鏡62，增加聚焦位置的探測概率。
當物鏡62的焦點位置幾乎與母盤61重合時，來自母盤61的反射光被輸入到光電探測器71中，并從光電探測器71中輸出電輸出信號。根據光電探測器71的輸出信號停止對Z軸電機55的驅動。
根據前述定位方法，通常用于光盤的當使用聚焦伺服時必須的定位條件是令人滿意的，并且可根據作出的聚焦伺服操作執行光記錄。
根據本發明的該實施例，物鏡62在Z方向上微幅快速振動。在該情況下的振動幅度被設置成一非常小的值，以充分保證母盤61不與物鏡62碰撞并足以增加探測到母盤61存在的可能性。
理論上，為了改變母盤61和物鏡62之間的距離，移動至少母盤61或物鏡62是足夠的。在該實施例中，整個光學拾取模塊54利用Z軸電機55移動，而母盤61則如上所述停止不動。此外，物鏡62通過驅動單軸致動器63微幅振動。還可以這樣構成，僅僅通過驅動該單軸致動器63而使物鏡62逐漸接近母盤61，物鏡62振動不需要提供Z軸電機55。此外，還可以這樣構成，物鏡62僅振動并偏移，以使母盤61的位置接近物鏡62。
為便于說明，接下來將以移動母盤側的系統為例來說明該操作。定位時，在基片上形成有薄膜無機抗蝕劑的母盤61被升高并接近物鏡62。
例如，當物鏡62以振幅等于10μm且頻率等于200Hz的正弦波振動時，該正弦波可如圖9所示的波形表示。假定母盤61以1mm/sec的速度移動，母盤61的移動可由圖9中的直線表示。物鏡62的位移可被表示成在可探測范圍內如正弦波變化，該探測范圍為例如以對焦位置(位移0)為中心上(+)下(-)2.5μm的寬度。
如圖9所示，直線和正弦波形位移在多個位置處交叉。通過對光電探測器71的和信號(sum signal)監測，在它們交叉時產生和信號。如參照圖5所述，當物鏡不振動時，由于直線和該陰影帶的交點僅僅為一個點，如果忽略了光電探測器在該交點產生的輸出信號，定位則變得困難。
另一方面，根據本發明的該實施例，物鏡62振動。母盤61的抗蝕劑表面和物鏡62之間的距離隨著物鏡62的振動減小或增加。因此，即便該距離在物鏡62不振動的時候超出了可探測范圍，例如2.5μm，由于振動還是會進入可探測范圍的。例如，甚至當母盤61的表面和物鏡62位于比對焦位置高10μm的位置時，還從靠近物鏡62反面頂點的位置處的光電探測器輸出和信號。相反，甚至當物鏡62經過該聚焦位置并位于低于對焦位置10μm的位置時，還從靠近物鏡62正面頂點的位置處的光電探測器輸出和信號。
如上所述，根據該實施例，當母盤61被逐漸靠近物鏡62時，可從光電探測器產生探測信號的狀態多次出現，并且較之物鏡62不振動的方法，定位探測的可能性增加。本發明的該實施例的操作等同于允許物鏡62停止不動以及微幅振動母盤61而使母盤61靠近物鏡62的操作。然而，實際上控制振動母盤61是困難的。如上所述，使用Z軸電機55，可使用在聚焦方向上為光學拾取模塊54設置的致動器63，則物鏡62可在Z方向上容易振動。
當探測到光電探測器的和信號時，用于在Z方向上移動母盤61的激勵源的驅動被停止并完成定位工序。然后，打開聚焦伺服。對從光電探測器輸出的和信號進行放大處理和積分處理或根據需要執行抽樣保持(sampling-holding)處理。再將探測信號的電平與閾值相比較。提供一種機械或電子的停止機構，用于在定位操作失敗時防止物鏡62與母盤61碰撞。
雖然在上面對本發明的實施例作了特別的說明，但本發明不限于上述實施例，并可在本發明的技術理念基礎上作出各種改變。例如，本發明不限于正弦波，物鏡還可通過驅動致動器以鋸齒波、脈沖波等振動。本發明不限于使物鏡靠近母盤表面的控制，還可以這樣的方式控制，即，在它們以最小間距靠近后相互偏離。
本領域技術人員應當明白可根據設計需求在所附權利要求及其等價的范圍內作出各種改變、結合、再結合和變化。
相關申請的交叉參考本發明包括與2005年6月9日向日本專利局申請的日本專利申請JP2005-169890相關的主題內容，并在此引用其全部內容作參考。
權利要求
1.一種透鏡定位方法，包括移動步驟，移動物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤并在與光軸平行的方向上振動所述物鏡，從而改變所述物鏡和所述母盤表面之間的距離；探測步驟，利用光電探測器探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束；以及在所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時通過所述光電探測器探測所述返回激光光束、并且在探測到所述返回激光光束時停止所述物鏡或所述母盤的移動的步驟。
2.一種利用激光光束刻錄母盤的刻錄方法，包括移動步驟，移動物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤并在與光軸平行的方向上振動所述物鏡，從而改變所述物鏡和所述母盤表面之間的距離；探測步驟，利用光電探測器探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束；在所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時通過所述光電探測器探測所述返回激光光束、并且在探測到所述返回激光光束時停止所述物鏡或所述母盤的移動的步驟；以及在控制所述物鏡的焦點時在所述母盤上利用透射通過所述物鏡的激光光束來形成與每個溝槽或凹坑形狀相應的潛像的步驟。
3.根據權利要求2的方法，其中，所述抗蝕劑材料是無機抗蝕劑。
4.根據權利要求2的方法，其中，通過用于聚焦伺服的致動器來振動所述物鏡。
5.根據權利要求2的方法，其中，所述激光光束的波長等于大約405nm，所述物鏡的數值孔徑大于或等于大約0.85。
6.一種透鏡定位裝置，包括致動器，其在平行于光軸的方向上振動物鏡；驅動器，其移動所述物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤從而改變所述物鏡與所述母盤表面之間的距離；以及光電探測器，其探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束，其中，在所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時，通過所述光電探測器探測所述返回激光光束，并且在探測到所述返回激光光束時，停止所述物鏡或所述母盤的移動。
7.一種利用激光光束刻錄母盤的刻錄裝置，包括驅動器，其移動物鏡或其基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤從而改變所述物鏡與所述母盤表面之間的距離；光電探測器，其探測已透射通過所述物鏡并被所述母盤表面反射的返回激光光束；以及聚焦控制器，當所述母盤位于靠近所述物鏡焦點的位置處時，所述聚焦控制器控制所述物鏡的焦點使其處于對焦狀態，并利用透射通過所述物鏡的激光光束在所述母盤上形成與每個溝槽或凹坑形狀相應的潛像。
全文摘要
提供了一種透鏡定位方法。當在平行于光軸的方向上振動物鏡時，物鏡或基片上形成有抗蝕劑材料膜的母盤被移動，從而改變物鏡和母盤表面之間的距離。光電探測器探測到透射通過物鏡并被母盤表面反射的返回激光光束。當該母盤靠近物鏡焦點時，光電探測器探測到該返回激光光束。當探測到該返回激光光束時，物鏡或母盤的移動停止。
文檔編號G11B7/00GK1877456SQ200610099850
公開日2006年12月13日 申請日期2006年6月9日 優先權日2005年6月9日
發明者橋本學治 申請人:索尼株式會社