專利名稱：用于控制擦除功率電平的設(shè)備和使用該設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方案涉及一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備和使用該設(shè)備的方法，更具體地，涉及一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備以及一種使用該設(shè)備的方法，所述設(shè)備能夠最佳地設(shè)置在擦除盤的OPC(最佳功率控制)區(qū)域中的測(cè)試周期時(shí)施加到盤上的功率電平。
背景技術(shù)：
在高密度盤，例如可重寫藍(lán)光光盤(Blu-ray)(BD-RE)中，軌道之間的距離非常短。因此，如果寫功率電平是不適當(dāng)?shù)?，?dāng)執(zhí)行再現(xiàn)操作和記錄操作時(shí)會(huì)發(fā)生串?dāng)_和交叉擦除?？紤]到串?dāng)_和交叉擦除，執(zhí)行OPC(最佳功率控制)操作，以便適當(dāng)?shù)剡x擇施加到盤上的寫功率電平。
用于執(zhí)行OPC操作的過(guò)程如下。開始時(shí)，擦除盤的OPC區(qū)域中的測(cè)試周期，以便初始化。接下來(lái)，在擦除測(cè)試周期的一部分中形成特定寫功率圖案。因此，通過(guò)檢查寫功率圖案的狀態(tài)，定義最佳寫功率電平。然而，因?yàn)樽畛跏褂玫谋P沒(méi)有執(zhí)行OPC操作，難以設(shè)置用于擦除測(cè)試周期的功率電平。
另一方面，盤制造商定義推薦的擦除功率電平的范圍，其中，當(dāng)擦除測(cè)試周期時(shí)推薦的擦除功率電平被施加到盤上。當(dāng)根據(jù)盤制造商推薦的擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期時(shí)，可以確保合適的測(cè)試周期。然而，如果組成拾取單元的激光二極管發(fā)生偏差，即使將盤制造商推薦的擦除功率電平施加到盤上，擦除功率電平實(shí)際上是不合適的，并因此典型地不能夠最佳地設(shè)置寫功率電平。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的方案提供一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備以及使用其的方法，該設(shè)備能夠最佳地設(shè)置用于擦除可重寫盤的測(cè)試周期(test period)的擦除功率電平。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)提供一種控制擦除功率電平的設(shè)備，所述擦除功率電平用于擦除設(shè)置在可重寫盤的OPC(最佳功率控制)區(qū)域中的測(cè)試周期該設(shè)備包括拾取單元，將與擦除功率電平相對(duì)應(yīng)的光照射到測(cè)試周期并且接收反射光；RF處理單元，根據(jù)拾取單元的輸出，輸出指示測(cè)試周期的寫狀態(tài)或擦除狀態(tài)的指示信號(hào)；以及控制單元，用于暫時(shí)設(shè)置多個(gè)擦除功率電平，通過(guò)施加所述多個(gè)擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期，并隨后根據(jù)指示信號(hào)，將所述多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平。
在本發(fā)明的其他方案中，該設(shè)備還可以包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)與通過(guò)控制單元設(shè)置的最佳擦除功率電平相關(guān)的信息。此外，控制單元可以通過(guò)拾取單元將與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息存儲(chǔ)在盤中。此外，控制單元可以將針對(duì)盤的推薦擦除功率電平設(shè)置為暫時(shí)擦除功率電平。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方案，提供一種控制擦除功率電平的方法，所述擦除功率電平用于擦除設(shè)置在可重寫盤的OPC區(qū)域中的測(cè)試周期，該方法包括確定是否預(yù)先存儲(chǔ)了與用于擦除測(cè)試周期的最佳擦除功率電平相關(guān)的信息；當(dāng)根據(jù)確定結(jié)果預(yù)先存儲(chǔ)了該信息時(shí)，暫時(shí)設(shè)置多個(gè)擦除功率電平；以及根據(jù)測(cè)試周期的狀態(tài)，將多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平，其中，通過(guò)施加多個(gè)擦除功率電平，首先擦除測(cè)試周期。
在本發(fā)明的其他方案中，當(dāng)根據(jù)確定結(jié)果預(yù)先存儲(chǔ)了與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息時(shí)，控制單元可以通過(guò)施加預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期。此外，可以通過(guò)向推薦的擦除功率電平加預(yù)定值或從推薦的擦除功率電平減預(yù)定值，執(zhí)行暫時(shí)地設(shè)置多個(gè)擦除功率電平的步驟。此外，將多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平的步驟還可以包括通過(guò)施加最佳擦除功率來(lái)擦除測(cè)試周期；確定是否滿足擦除測(cè)試周期的狀態(tài)；以及當(dāng)根據(jù)確定結(jié)果沒(méi)有滿足狀態(tài)時(shí)重新設(shè)置最佳擦除功率電平。
將在下面的描述中部分闡述在本發(fā)明的其他方面和/或優(yōu)點(diǎn)，并且部分將從這些描述中顯而易見，或者可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明獲知。
結(jié)合附圖，從下面對(duì)實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的上述和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，并且更容易認(rèn)識(shí)到，圖中圖1是示出了作為可以應(yīng)用本發(fā)明方案的盤的示例的可重寫盤(例如可重寫藍(lán)光光盤(BD-RE))的配置的視圖；圖2A是示出了在圖1的盤的OPC區(qū)域中的測(cè)試周期的視圖；圖2B是示出了用于擦除測(cè)試周期的擦除功率電平的視圖；圖2C是示出了各種盤制造商推薦的擦除功率電平的表；圖3A是示出了可以應(yīng)用本發(fā)明方案的、用于擦除測(cè)試周期的操作的視圖；圖3B是示出了可以應(yīng)用本發(fā)明方案的、用于在擦除測(cè)試周期中形成寫功率圖案的操作的視圖；圖4A是示出了可以應(yīng)用本發(fā)明方案的、使用低擦除功率電平擦除的測(cè)試周期的視圖；圖4B是示出了可以應(yīng)用本發(fā)明方案的、使用合適的擦除功率電平擦除的測(cè)試周期的視圖；圖4C是示出了可以應(yīng)用本發(fā)明方案的、使用過(guò)高擦除功率電平擦除的測(cè)試周期的視圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明方案、用于控制擦除功率電平的設(shè)備的配置的方框圖；圖6A和6B是示出了根據(jù)本發(fā)明方案、用于控制擦除功率電平的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中示出了本發(fā)明的示例，其中在所有附圖中相同的數(shù)字表示相同的元件。下面通過(guò)參考附圖描述這些實(shí)施例，以便解釋本發(fā)明。
圖1是示出了可重寫盤200(例如高密度光盤或可重寫B(tài)lu-ray盤(BD-RE))的配置的視圖。如圖1所示，高密度光盤200(例如，可重寫B(tài)lu-ray盤(BD-RE))具有軌道結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括內(nèi)部區(qū)域210、中心區(qū)域220以及邊緣區(qū)域230，其中，盤200的內(nèi)部區(qū)域210包括緊固區(qū)域211、過(guò)渡區(qū)域212、BCA(燒錄區(qū))213以及導(dǎo)入?yún)^(qū)214。此外，盤200的中心區(qū)域220和邊緣區(qū)域230分別包括數(shù)據(jù)區(qū)222和導(dǎo)出區(qū)232。
繼續(xù)參考圖1的盤200，導(dǎo)入?yún)^(qū)214被劃分并分配為第一保護(hù)區(qū)(保護(hù)區(qū)(保護(hù)區(qū)1)214a、PIC(永久信息和控制數(shù)據(jù))區(qū)域214b、第二保護(hù)區(qū)(保護(hù)區(qū)2)214c、第二信息區(qū)域(INFO 2)214d、OPC(最佳功率控制)區(qū)域214e、保留區(qū)域214f以及第一信息區(qū)域(INFO 1)214g。第一保護(hù)區(qū)(保護(hù)區(qū)1)214a和PIC(永久信息和控制數(shù)據(jù))區(qū)域214b是預(yù)先記錄數(shù)據(jù)的預(yù)先記錄區(qū)域，而其他區(qū)域(導(dǎo)入?yún)^(qū)214、數(shù)據(jù)區(qū)222以及導(dǎo)出區(qū)232)是重新寫入新數(shù)據(jù)的可重寫區(qū)域。
此外，對(duì)于圖1的盤200，BCA(燒錄區(qū))213是記錄/再現(xiàn)設(shè)備中當(dāng)加載盤200(例如BD-RE盤)時(shí)首先被存取的內(nèi)部主要區(qū)域，其中，例如盤序列號(hào)(DSC)、用于盤復(fù)制保護(hù)的加密信息(即復(fù)制保護(hù)信息(CPI))等的各種盤信息被記錄在BCA 213中。PIC區(qū)域214b處于存儲(chǔ)了要永久保存的一般盤信息的區(qū)域中，并且在PIC區(qū)域214b中記錄了高頻調(diào)制(HFM)槽。OPC區(qū)域214e是設(shè)置在導(dǎo)入?yún)^(qū)214中的區(qū)域，當(dāng)執(zhí)行OPC操作以選擇最佳寫功率電平(根據(jù)每一個(gè)制造商可以不同)時(shí)使用該區(qū)域。OPC區(qū)域214e的PAA地址的示例是0x1bc00～0x1dc00。
圖2A是示出了在圖1的盤200的OPC區(qū)域214e中的測(cè)試周期的視圖，以及圖2B是示出了用于擦除測(cè)試周期的擦除功率電平的視圖。參考圖2A，將OPC區(qū)域214e的一部分定義為測(cè)試周期(EP)。測(cè)試周期(EP)被劃分為第一周期(EP1)、第二周期(EP2)以及第三周期(EP3)，其中，在第二周期(EP2)中形成寫功率圖案(pattern)。不管寫功率圖案是否被預(yù)先記錄在測(cè)試周期(EP)中，典型地需要用于擦除整個(gè)測(cè)試周期的處理，以便初始化測(cè)試周期(EP)。這被稱為測(cè)試周期的初始化。此時(shí)，用于擦除測(cè)試周期(EP)的功率電平被稱為擦除功率電平。因?yàn)槠渚哂泄潭üβ孰娖剑€將擦除功率電平稱為DC功率電平(Pdc)，如圖2B所示。
圖2C是示出了多個(gè)盤制造商A、B和C推薦的擦除功率電平的表。此外，盤制造商特別推薦合適的擦除功率電平的范圍。如圖2C所示，由多個(gè)盤制造商(A、B和C)推薦或預(yù)定的擦除功率電平(PW1、PW2和PW3)可以不同。例如，擦除功率電平的大小可以是PW1＜PW2＜PW3。
圖3A是示出了在本發(fā)明方案中可以應(yīng)用的、用于擦除盤200的測(cè)試周期的操作的視圖。例如，如圖3A所示，測(cè)試周期的初始化是通過(guò)施加第一擦除功率電平(PW1)來(lái)擦除測(cè)試周期(EP)內(nèi)的第一至第三周期(EP1、EP2和EP3)的操作。
圖3B是示出了在本發(fā)明方案中可以應(yīng)用的、用于在盤200的擦除測(cè)試周期中形成寫功率圖案的操作的視圖。在測(cè)試周期(EP)的初始化之后，在測(cè)試周期(EP)的第二周期(EP2)中形成寫功率圖案(Popc)，如圖3B所示。通過(guò)針對(duì)每一個(gè)特定周期改變寫功率電平來(lái)形成該寫功率圖案(Popc)。因?yàn)樵诔跏蓟臏y(cè)試周期內(nèi)形成寫功率圖案(Popc)，當(dāng)不適當(dāng)?shù)貓?zhí)行初始化處理時(shí)，對(duì)使用寫功率圖案設(shè)置最佳寫功率電平具有不利的影響。
圖4A是示出了使用低擦除功率電平擦除的測(cè)試周期的視圖，圖4B是示出了使用合適的(adequate)擦除功率電平擦除的測(cè)試周期的視圖，以及圖4C是示出了在本發(fā)明方案中可以應(yīng)用的、針對(duì)盤200使用過(guò)高擦除功率電平擦除的測(cè)試周期的視圖。
例如，如圖4A所示，為了擦除測(cè)試周期(EP)，當(dāng)施加低于擦除功率的合適的電平值的擦除功率電平(PW11)時(shí)，可以保留預(yù)先記錄在測(cè)試周期(EP)中的沒(méi)有被完全擦除的數(shù)據(jù)。在這種情況下，當(dāng)在第二周期(EP12)中形成寫功率圖案時(shí)，由于剩下的數(shù)據(jù)，難以確保最佳寫功率電平的設(shè)置。
如圖4B所示，當(dāng)施加作為一個(gè)合適的擦除功率電平的擦除功率電平(PW12)時(shí)，可以完全地擦除預(yù)先記錄在測(cè)試周期(EP22)中的數(shù)據(jù)。在這種情況下，當(dāng)在第二周期(EP22)中形成寫功率圖案時(shí)，可以確保最佳寫功率電平的設(shè)置。
此外，如圖4C所示，當(dāng)施加超出擦除功率的合適值的過(guò)高擦除功率電平(PW13)時(shí)，可以完全地擦除剩下的數(shù)據(jù)。然而，因?yàn)椴脸β孰娖椒浅８?，可能過(guò)度地改變測(cè)試周期的物理特性。在這種情況下，當(dāng)在第二周期(EP23)中形成寫功率圖案時(shí)，由于可被過(guò)度改變的物理特性，難以確保最佳寫功率電平的設(shè)置。
因此，如圖4B所示，盤制造商特別地推薦在考慮盤特性和盤類型之下使用合適的擦除功率電平。然而，由于拾取單元中的激光二極管的偏離等，盤制造商的推薦擦除功率電平在適用于初始化測(cè)試周期的最佳擦除功率電平中不總是一致的。
考慮到本發(fā)明的上述和/或其他方案，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例、用于控制擦除功率電平的設(shè)備設(shè)置多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平，所述暫時(shí)擦除功率電平包括例如由盤制造商推薦或預(yù)定的盤的推薦擦除功率電平或者盤的其他預(yù)定或預(yù)先存儲(chǔ)的擦除功率電平。接下來(lái)，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平，設(shè)備擦除測(cè)試周期、在暫時(shí)擦除功率電平中選擇最好或最佳的擦除功率電平，并且將該擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平。此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備將與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)或盤上。其后，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備檢索(retrieve)存儲(chǔ)的信息，并且當(dāng)擦除測(cè)試周期時(shí)應(yīng)用檢索的信息。
圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明方案、用于控制擦除功率電平的設(shè)備的配置的方框圖。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于控制擦除功率電平的設(shè)備1包括拾取單元20、RF處理單元30、信號(hào)處理單元40、控制單元50以及存儲(chǔ)器60。
在圖5的設(shè)備中，拾取單元20從高密度盤10(例如圖1的盤200或者可重寫B(tài)lu-ray盤(BD-RE))中再現(xiàn)數(shù)據(jù)，并且將數(shù)據(jù)記錄在盤10上。RF處理單元30接收拾取單元20的輸出信號(hào)，設(shè)置輸出信號(hào)的波形，并且將輸出信號(hào)發(fā)送到信號(hào)處理單元40。信號(hào)處理單元40從RF處理單元30接收輸出信號(hào)，并且在控制單元50(例如具有相關(guān)的存儲(chǔ)器和軟件或程序的微處理器或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC))的控制下執(zhí)行信號(hào)處理操作(例如解碼操作等)，用于控制設(shè)備1的操作，所述操作包括確定和控制用于擦除可重寫盤(例如盤10)的測(cè)試周期的擦除功率電平。與控制單元50相關(guān)的存儲(chǔ)器60用于在控制單元50的控制之下針對(duì)設(shè)備1的操作來(lái)存儲(chǔ)各種類型的信息，所述信息包括用于確定和控制用于擦除可重寫盤(例如盤10)的測(cè)試周期的擦除功率電平的信息。
繼續(xù)參考圖5，為了執(zhí)行OPC操作，控制單元50將用于設(shè)置功率電平的功率電平設(shè)置信號(hào)(Pset)輸出到拾取單元20。相應(yīng)地，拾取單元20根據(jù)暫時(shí)擦除功率電平，設(shè)置拾取單元20的激光二極管的功率電平，將與該功率電平相對(duì)應(yīng)的激光光束照射到盤10中，從盤10接收反射光束，并且將與反射光束相對(duì)應(yīng)的信號(hào)發(fā)送到RF處理單元30。RF處理單元30然后將RECD信號(hào)輸出到控制單元50，其中RECD信號(hào)是指示在盤10的特定區(qū)域中記錄相應(yīng)數(shù)據(jù)的信號(hào)?？刂茊卧?0根據(jù)RECD信號(hào)的狀態(tài)(高或低邏輯值)，辨別測(cè)試周期的記錄狀態(tài)。
控制單元50然后通過(guò)施加一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平，執(zhí)行擦除測(cè)試周期的操作，并且檢查測(cè)試周期的記錄狀態(tài)。此外，控制單元50根據(jù)測(cè)試周期的記錄狀態(tài)的檢查結(jié)果，設(shè)置最好或最佳的擦除功率電平。在此，最好或最佳的擦除功率電平是指適用于盤10的擦除功率電平，如圖4B所示。
現(xiàn)在參考圖6A和6B，并且參考圖1至5，來(lái)解釋根據(jù)本發(fā)明方案的用于控制擦除功率電平的方法。圖6A和6B是示出了根據(jù)本發(fā)明方案的用于控制擦除功率電平的方法的流程圖。
在圖6A中，開始時(shí)，控制單元50設(shè)置當(dāng)在記錄/再現(xiàn)設(shè)備1中加載盤10(例如盤200)時(shí)用于執(zhí)行OPC的操作模式(操作101)，并且控制單元50根據(jù)操作模式繼續(xù)一系列的后續(xù)過(guò)程。控制單元50確定是否接收到用于執(zhí)行OPC的寫開始命令(操作103)。當(dāng)接收到寫開始命令時(shí)，控制單元50檢索存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器60或盤10(或者兩者)中的數(shù)據(jù)(操作105)。
根據(jù)在操作105中檢索的結(jié)果，控制單元50確定在存儲(chǔ)器60或盤10中是否存在預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平(Pe)(操作107)。當(dāng)不存在預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平(Pe)時(shí)，控制單元50設(shè)置在OPC區(qū)域214e中的測(cè)試周期(EP)，如圖2A所示(操作109)。如圖2A所示，測(cè)試周期(EP)被劃分為第一周期(EP1)、第二周期(EP2)以及第三周期(EP3)。接下來(lái)，控制單元50通過(guò)存儲(chǔ)器60或盤10檢索適用于加載盤10的推薦擦除功率電平(Pdc)，例如如圖2B和2C所示的推薦擦除功率電平(操作111)，并且設(shè)置多個(gè)包括檢索的推薦擦除功率電平(Pdc)的暫時(shí)擦除功率電平(操作113)。不需要定義暫時(shí)擦除功率電平的數(shù)目，并且可以根據(jù)需要設(shè)置或確定。例如，根據(jù)推薦擦除功率電平，可以將暫時(shí)擦除功率電平設(shè)置為較小或較大值，作為特定值(例如0.3mW至1mW)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以將暫時(shí)擦除功率電平的數(shù)目設(shè)置在3至6的范圍內(nèi)。例如，當(dāng)推薦的擦除功率電平是4mW時(shí)，可以將一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平設(shè)置為3.5mW、4mW、4.5mW，或者針對(duì)一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平的一個(gè)或多個(gè)其他適當(dāng)?shù)闹怠?br>
為了通過(guò)施加預(yù)設(shè)的一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期，控制單元50將功率電平設(shè)置信號(hào)(Pset)發(fā)送到拾取單元20。因此，拾取單元20照射與預(yù)設(shè)暫時(shí)擦除功率電平相對(duì)應(yīng)的激光光束，并且擦除測(cè)試周期(EP)的第一、第二和/或第三周期(EP1、EP2和/或EP3)(操作115)。此時(shí)，RF處理單元30將RECD信號(hào)提供給控制單元50，并且控制單元50在擦除測(cè)試周期中檢查RECD信號(hào)(操作117)以確定測(cè)試周期(EP)的擦除狀態(tài)。
接下來(lái)，控制單元50確定是否針對(duì)一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平完成擦除各個(gè)測(cè)試周期的操作(操作119)。根據(jù)是否完成用于擦除各個(gè)測(cè)試周期的操作的確定結(jié)果，當(dāng)確定結(jié)果指示沒(méi)有完成用于擦除測(cè)試周期的操作時(shí)，處理返回到操作115。當(dāng)操作119中的確定結(jié)果指示完成了用于擦除測(cè)試周期的操作時(shí)，控制單元50根據(jù)針對(duì)一個(gè)或多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平檢查RECD信號(hào)的結(jié)果，選擇最好或最佳的擦除功率電平，并且將該擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平(Pe)(操作121)。此時(shí)，控制單元50將與最佳擦除功率電平(Pe)相關(guān)的信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器60或盤10中，或者同時(shí)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器60和盤10中。
控制單元50通過(guò)與拾取單元20進(jìn)行通信以施加最佳擦除功率電平(Pe)，來(lái)擦除測(cè)試周期(操作123)?？刂茊卧?0然后設(shè)置或可以設(shè)置與上面設(shè)置的測(cè)試周期不同的測(cè)試周期，用于控制擦除不同測(cè)試周期的擦除功率電平。
另一方面，根據(jù)操作107中的確定結(jié)果，當(dāng)在存儲(chǔ)器60或盤10中存在預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平(Pe)時(shí)，控制單元50使用預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期(操作108)。
此外，當(dāng)在操作108或操作123中通過(guò)施加最佳擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期時(shí)，控制單元50根據(jù)RECD信號(hào)來(lái)檢查測(cè)試周期的擦除狀態(tài)(操作125)。根據(jù)基于RECD信號(hào)檢查測(cè)試周期的擦除狀態(tài)的結(jié)果，控制單元50確定是否滿足擦除狀態(tài)(操作127)。如果沒(méi)有滿足擦除狀態(tài)，處理返回到操作109，以便重新設(shè)置最佳擦除功率電平。
根據(jù)在操作127中確定是否滿足擦除狀態(tài)的結(jié)果，當(dāng)滿足擦除狀態(tài)時(shí)，如圖3B所示，控制單元50通過(guò)拾取單元20在測(cè)試周期(EP)的第二周期(EP2)中形成寫功率圖案(Popc)(操作129)。此外，控制單元50根據(jù)RECD信號(hào)檢查測(cè)試周期(例如第二周期(EP2))的記錄狀態(tài)，以確定測(cè)試周期的寫狀態(tài)，并且例如通過(guò)改變寫功率電平圖案、或者通過(guò)選擇性地施加一個(gè)或多個(gè)寫功率電平以形成寫功率圖案(Popc)、并隨后根據(jù)RECD信號(hào)確定與施加的寫功率電平相對(duì)應(yīng)的測(cè)試周期的寫狀態(tài)、以確定施加的寫功率電平是否是最佳寫功率電平，以確定并設(shè)置最佳寫功率電平(操作131)，然后可以將該最佳寫功率電平存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器60或盤10中。
從上述說(shuō)明中，本發(fā)明的方案提供一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備，其中，通過(guò)設(shè)置多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平、從暫時(shí)擦除功率電平中選擇最好或最佳的擦除功率電平、并且將該擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平，可以設(shè)置最佳擦除功率電平，不會(huì)由于拾取單元中的激光二極管的偏差等而具有不利作用，并且在本發(fā)明的另一個(gè)方案中，提供了一種使用該設(shè)備來(lái)控制擦除功率電平的方法。
此外，本發(fā)明的另一個(gè)方案提供了一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備和一種使用該設(shè)備來(lái)控制擦除功率電平的方法，其中，該設(shè)備通過(guò)針對(duì)適用于實(shí)際記錄/再現(xiàn)設(shè)備的盤(例如可重寫盤)施加最佳擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期，并且根據(jù)在測(cè)試周期中形成的寫功率圖案中設(shè)置最佳擦除功率電平，從而確保增加寫功率電平的可靠性。
此外，本發(fā)明的另一個(gè)方案提供了一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備和一種使用該設(shè)備來(lái)控制擦除功率電平的方法，其中，對(duì)于盤，例如可重寫盤，在其中記錄/再現(xiàn)設(shè)備沒(méi)有發(fā)現(xiàn)盤制造商所提供的盤的預(yù)先存儲(chǔ)或預(yù)定的最佳擦除功率電平，由于所述設(shè)備和方法從多個(gè)暫時(shí)擦除功率電平中設(shè)置最好或最佳的擦除功率電平，利用記錄/再現(xiàn)設(shè)備可以使用各種盤。
上述實(shí)施例、方案和優(yōu)點(diǎn)僅僅是示例并且不應(yīng)該理解為限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明的實(shí)施例的說(shuō)明是演示性的，并且沒(méi)有限制權(quán)利要求的范圍，并且各種其他變體、修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。因此，雖然已經(jīng)示出并說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的前提下可以對(duì)這些實(shí)施例做出改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種控制擦除功率電平的設(shè)備，所述擦除功率電平用于擦除設(shè)置在可重寫盤的OPC(最佳功率控制)區(qū)域中的測(cè)試周期，所述設(shè)備包括拾取單元，將與擦除功率電平相對(duì)應(yīng)的光照射到測(cè)試周期并且接收從盤反射的光；RF處理單元，根據(jù)與接收到的反射光相對(duì)應(yīng)的、拾取單元的輸出，輸出指示測(cè)試周期的寫狀態(tài)或擦除狀態(tài)的指示信號(hào)；以及控制單元，暫時(shí)地設(shè)置多個(gè)擦除功率電平，通過(guò)施加所述多個(gè)擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期，并隨后根據(jù)指示信號(hào)，將暫時(shí)設(shè)置的所述多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)與控制單元設(shè)置的最佳擦除功率電平相關(guān)的信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，控制單元將與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息存儲(chǔ)在可重寫盤中或者從可重寫盤中檢索與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，控制單元將針對(duì)可重寫盤的推薦擦除功率電平設(shè)置為暫時(shí)擦除功率電平。
5.一種控制擦除功率電平的方法，所述擦除功率電平用于擦除設(shè)置在可重寫盤的OPC(最佳功率控制)區(qū)域中的測(cè)試周期，所述方法包括確定是否預(yù)先存儲(chǔ)了與用于擦除可重寫盤的測(cè)試周期的最佳擦除功率電平相關(guān)的信息；當(dāng)確定預(yù)先存儲(chǔ)了與用于擦除測(cè)試周期的最佳擦除功率電平相關(guān)的信息時(shí)，暫時(shí)地設(shè)置多個(gè)擦除功率電平；以及根據(jù)測(cè)試周期的狀態(tài)，將暫時(shí)設(shè)置的多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平，其中，通過(guò)選擇性地施加多個(gè)擦除功率電平以確定最佳擦除功率電平，來(lái)擦除測(cè)試周期。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，當(dāng)確定預(yù)先存儲(chǔ)了與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息時(shí)，通過(guò)首先施加預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，暫時(shí)地設(shè)置多個(gè)擦除功率電平的步驟包括向預(yù)定的擦除功率電平加預(yù)定值或從預(yù)定的擦除功率電平減預(yù)定值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，將多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平的步驟還包括通過(guò)首先將預(yù)定擦除功率電平設(shè)置為暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平并施加，來(lái)擦除測(cè)試周期；確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平是否滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)；以及當(dāng)施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平?jīng)]有滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將最佳擦除功率電平重新設(shè)置為所述多個(gè)擦除功率電平的另一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，暫時(shí)地設(shè)置多個(gè)擦除功率電平的步驟包括針對(duì)可重寫盤，向預(yù)定擦除功率電平加預(yù)定值或從預(yù)定擦除功率電平減預(yù)定值，以提供多個(gè)擦除功率電平，其中所述預(yù)定擦除功率電平被暫時(shí)地設(shè)置為最佳擦除功率電平。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，將多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平的步驟還包括通過(guò)施加暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率來(lái)擦除測(cè)試周期；確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平是否滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)；當(dāng)確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平?jīng)]有滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將最佳擦除功率電平重新設(shè)置為所述多個(gè)擦除功率電平的另一個(gè)，作為暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平；以及當(dāng)確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括當(dāng)確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平作為最佳擦除功率電平來(lái)存儲(chǔ)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在確定了用于測(cè)試周期的最佳擦除功率電平之后，針對(duì)測(cè)試周期設(shè)置最佳寫功率電平。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，當(dāng)確定預(yù)先存儲(chǔ)了與最佳擦除功率電平相關(guān)的信息時(shí)，通過(guò)首先將預(yù)先存儲(chǔ)的最佳擦除功率電平設(shè)置為暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平并施加，來(lái)擦除測(cè)試周期。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括在確定了用于測(cè)試周期的最佳擦除功率電平之后，針對(duì)測(cè)試周期設(shè)置最佳寫功率電平。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，針對(duì)測(cè)試周期設(shè)置最佳寫功率電平的步驟包括施加寫功率電平，以在測(cè)試周期中形成寫功率圖案；確定與施加的寫功率電平相對(duì)應(yīng)的測(cè)試周期的寫狀態(tài)，以確定施加的功率電平是否是最佳寫功率電平，以及，當(dāng)確定施加的寫功率電平不是最佳寫功率電平時(shí)，施加另一個(gè)寫功率電平，以在測(cè)試周期中形成寫功率圖案；在確定最佳寫功率電平之后，針對(duì)測(cè)試周期設(shè)置最佳寫功率電平。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，針對(duì)測(cè)試周期設(shè)置最佳寫功率電平的步驟還包括在確定最佳寫功率電平之后，針對(duì)測(cè)試周期存儲(chǔ)最佳寫功率電平。
17.一種控制擦除功率電平的方法，所述擦除功率電平用于擦除可重寫盤的測(cè)試周期，所述方法包括確定是否預(yù)先存儲(chǔ)了用于擦除可重寫盤的測(cè)試周期的擦除功率電平；暫時(shí)地將預(yù)先存儲(chǔ)的擦除功率電平設(shè)置為用于擦除測(cè)試周期的最佳擦除功率電平，否則暫時(shí)地將擦除功率電平設(shè)置為用于擦除測(cè)試周期的最佳擦除功率電平；通過(guò)施加暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平，來(lái)擦除測(cè)試周期；確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平是否滿足測(cè)試周期的擦除；以及當(dāng)確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平?jīng)]有滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將最佳擦除功率電平重新設(shè)置為另一個(gè)擦除功率電平，作為暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平；以及當(dāng)確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平。
18.一種控制擦除功率電平的方法，所述擦除功率電平用于擦除可重寫盤的測(cè)試周期，所述方法包括暫時(shí)地將擦除功率電平設(shè)置為用于擦除測(cè)試周期的、暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平；通過(guò)施加暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期；確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平是否滿足測(cè)試周期的擦除；當(dāng)確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平?jīng)]有滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將最佳擦除功率電平重新設(shè)置為另一個(gè)擦除功率電平，作為暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平；以及當(dāng)施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平滿足測(cè)試周期的擦除狀態(tài)時(shí)，將暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平。
19.一種控制擦除功率電平的設(shè)備，所述擦除功率電平用于擦除可重寫盤的測(cè)試周期，所述設(shè)備包括拾取單元，將與擦除功率電平相對(duì)應(yīng)的光照射到測(cè)試周期并且接收從可重寫盤反射的光；RF處理單元，根據(jù)與反射光相對(duì)應(yīng)的、拾取單元的輸出，輸出指示測(cè)試周期的寫狀態(tài)或擦除狀態(tài)的指示信號(hào)；以及控制單元，用于暫時(shí)地將擦除功率電平設(shè)置為擦除測(cè)試周期的最佳擦除功率電平，根據(jù)來(lái)自RF處理單元的指示信號(hào)，確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平是否滿足測(cè)試周期的擦除，當(dāng)根據(jù)來(lái)自RF處理單元的指示信號(hào)，施加暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平?jīng)]有滿足測(cè)試周期的擦除時(shí)，將最佳擦除功率電平設(shè)置為另一個(gè)擦除功率電平，并且當(dāng)控制單元確定施加的暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平滿足測(cè)試周期的擦除時(shí)，將暫時(shí)設(shè)置的最佳擦除功率電平設(shè)置為最佳擦除功率電平。
全文摘要
一種用于控制擦除功率電平的設(shè)備，能夠最佳地設(shè)置在擦除盤的OPC(最佳功率控制)區(qū)域中的測(cè)試周期時(shí)施加到盤上的功率電平，以及使用該設(shè)備的方法。該設(shè)備包括拾取單元，將與擦除功率電平相對(duì)應(yīng)的光照射到測(cè)試周期并且接收反射光；RF處理單元，根據(jù)拾取單元的輸出，輸出指示測(cè)試周期的寫狀態(tài)的指示信號(hào)；以及控制單元，用于暫時(shí)地設(shè)置多個(gè)擦除功率電平，通過(guò)施加所述多個(gè)擦除功率電平來(lái)擦除測(cè)試周期，并隨后根據(jù)指示信號(hào)，將暫時(shí)設(shè)置的所述多個(gè)擦除功率電平之一設(shè)置為最佳擦除功率電平。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1932988SQ20061007190
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2006年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月14日
發(fā)明者劉真雨, 桂賢碩 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社